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Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices
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Abstract
내용 없음No content
Description
반도체 장치의 금속배선 재작업공정Metal Wire Rework Process of Semiconductor Device
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제4도는 본 발명에 따른 제2금속층의 재작업을 설명하기 위한 제조공정도이다.4 is a manufacturing process diagram for explaining the rework of the second metal layer according to the present invention.
Claims (3)
제1금속층, 중간층, 제2금속층이 차례로 도포된 상태에 상기 제2금속층에 결함이 있는 반도체 장치에 있어서, (a) 상기 결함이 있는 제2금속층을 소정의 두께만 남기고 제거하는 공정과, (b) 상기 소정이 두께의 제2금속층을 콘택부분만 남기고 나머지는 제거하는 공정과, (c) 전면에 정상적인 제2금속층을 도포하는 공정으로 이루어진 반도체 장치의 금속배선 재작업공정.A semiconductor device having a defect in a second metal layer in a state in which a first metal layer, an intermediate layer, and a second metal layer are sequentially applied, the method comprising: (a) removing the defective second metal layer with only a predetermined thickness; b) removing the remaining portion of the second metal layer having a predetermined thickness, leaving only the contact portion; and (c) applying a normal second metal layer to the entire surface.제1항에 있어서, 상기 공정(a)에 의하여 남게되는 상기 제2금속층의 두께는, 상기 제2금속의 두께가 30퍼센트인 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속배선 재작업공정.The process of claim 1, wherein the thickness of the second metal layer left by the step (a) is 30 percent.제1항에 있어서, 상기 공정(b)는 포토에칭공정에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 재작업공정.The reworking process for metallization of a semiconductor device according to claim 1, wherein said step (b) is performed by a photoetching process.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019900018269A1990-11-121990-11-12
Metal Wire Rework Process of Semiconductor Device
KR920010866A
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