KR920009271A - 플라즈마 소스 이온 주입 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 구체화하는 플라즈마 소스 이온 주입 장치를 간략화한 수직 단면도.
제2도는 제1도의 장치와 유사하지만, 본 발명을 변형시킨 실시 태양을 도시하는 도면.
제3도는 플라즈마 소스 이온 주입 장치의 열이온 중공 캐소우드 플라즈마 발생원을 간력화한 단면도.
Claims (19)
- 이온 주입될 대상물을 밀폐하는 용기와, 상기 용기와 분리되어 있고 상기 용기 내부로 개방되는 플라즈마 발생 챔버와, 상기 용기 내부로 확산하고 상기 대상물을 균일한 밀도로 에워싸는 이온의 플라즈마를 상기 플라즈마 발생 챔버내에서 발생시키는 플라즈마 발생원 수단과, 전기 전위를 상기 대상물에 인가하여 이온을 상기 플라즈마로 부터 상기 대상물을 향하여 가속시키고 상기 대상물내로 주입시키는 전력원 수단을 포함하는 플라즈마소스 이온주입장치.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생원 수단은, 이온화 가능한 가스를 상기 플라즈마 발생 챔버내부로 공급하는 공급수단과, 상기 가스내에서 플라즈마를 방출시키는 방출수단을 포함하는 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 방출수단은 열이온 중공 캐소우드를 포함하는 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 방출수단은 상기 가스로 전자들에 충격을 주는 고열 필라멘트를 포함하는 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 방출수단은 전자기 파를 상기 가스내로 방사시키는 수단을 포함하는 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 가스는 질소, 수소, 산소, 네온, 알루미늄 및 아르곤으로 이루어지는 그룹중에서 선택되는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마를 상기 용기내에 구속시키는 구속 수단을 더 포함하는 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 구속수단은 상기 용기의 주변 둘레에 이격 배치된 다수의 자석을 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전력원 수단은 상기 전기적 전위를 부극성 펄스의 형태로 상기 대상물로 인가하도록 구성된 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생원과 상기 대상물간의 반경방향으로의 유통을 차단하는 수단을 더 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 용기 및 상기 플라즈마 발생 챔버와 분리되어 있고, 상기 용기내부로 개방되어 있는 제2플라즈마 발생챔버와, 상기 용기 내부로 확산하고 상기 대상물은 균일한 밀도로 에워싸는 제2의 이온의 플라즈마를 상기 제2플라즈마 발생 챔버내에서 생성하는 발생원 수단을 더 포함하며, 상기 제2플라즈마의 이온은 상기 용기내의 상기 플라즈마의 이온과 상이하고 상기 플라즈마의 이온과 균일하게 혼합되며, 상기 전기 전위에 의해 상기 제2플라즈마로부터 상기 대상물을 향하여 가속되고 상기 대상물내로 주입되는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 발생원 수단과 상기 제2플라즈마 발생원 수단을 각기 제어하여 상기 생성된 각각의 상기 플라즈마와 상기 제2플라즈마의 속성을 제어하는 제어수단을 더 포함하는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 용기내부로 개방되어 있는 공간 챔버를 더 포함하며, 상기 플라즈마 발생 챔버와 상기 제2플라즈마 발생 챔버는 상기 공간 챔버 내부로 개방되어 있는 장치.
- 플라즈마로부터의 이온을 대상물 내로 주입하는 방법으로, 상기 방법이 (a)상기 대상물을 용기내에 배치하는 단계와, (b)상기 용기와 분리적으로 이온들의 플라즈마를 발생하고, 상기 플라즈마가 균일한 밀도로 상기 대상물은 에워싸도록 상기 플라즈마를 상기 용기내로 확산시키는 단계와, (c)상기 이온을 상기 플라즈마로부터 상기 대상물을 향하여 가속시키고 상기 대상물내로 주입시키는 전기 전위를 상기 대상물로 인가하는 단계를 포함하는 방법.
- 제14항에 있어서, (d)상기 플라즈마를 상기 용기내에 구속시키기 위해 자계를 인가하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제14항에 있어서, (c)는 상기 전기 전위를 부극성 펄스의 형태로 인가하는 단계를 포함하는 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 단계(b)는, (d)상기 용기와 분리되어 있고 상기 용기와 유통하는 플라즈마 발생챔버를 제공하는 부단계와, (e)상기 플라즈마 발생원 수단을 상기 플라즈마 발생챔버내에 제공하는 부단계와, (f)상기 플라즈마 발생 수단과 상기 대상물간의 반경방향으로의 유통을 차단하는 부단계를 포함하는 방법.
- 제14항에 있어서, (d)제2의 이온들의 플라즈마를 상기 용기와 분리적으로 발생시키는 단계를 더 포함하며, 상기 제2플라즈마의 이온들도 상기 플라즈마의 이온들과 상이하고, 상기 제2플라즈마가 상기 대상물을 균일한 밀도로 에워싸도록 상기 제2플라즈마를 상기 용기 내부로 확산시키며, 상기 제2플라즈마의 이온들은 상기 플라즈마의 이온들과 균일하게 혼합되며, 상기 단계(c)는 상기 제2플라즈마의 이온들이 상기 대상물을 향하여 가속되고 상기 대상물내로 주입되도록 상기 전기 전위를 상기 대상물로 인가하는 단계를 포함하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 단계(b)는 상기 플라즈마의 속성을 개별적으로 제어하는 단계를 포함하며, 상기 단계(d)는 상기 제2플라즈마의 속성을 개별적으로 제어하는 단계를 포함하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100416715B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2004-01-31 | 한국과학기술연구원 | 펄스 플라즈마를 이용한 이온 주입 방법 및 그 시스템 |
KR100509804B1 (ko) * | 2003-02-04 | 2005-08-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 이온주입장치의 앤드스테이션 |
KR100742087B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2007-07-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 마그네트론 플라즈마용 자장 발생 장치 |
KR100849763B1 (ko) * | 2001-01-23 | 2008-07-31 | 웨이퍼마스터스, 인코퍼레이티드 | 플라즈마 생성 장치 및 방법 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5330800A (en) * | 1992-11-04 | 1994-07-19 | Hughes Aircraft Company | High impedance plasma ion implantation method and apparatus |
US5289010A (en) * | 1992-12-08 | 1994-02-22 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Ion purification for plasma ion implantation |
DE19538903A1 (de) * | 1995-10-19 | 1997-04-24 | Rossendorf Forschzent | Verfahren zur Implantation von Ionen in leitende bzw. halbleitende Werkstücke mittels Plasmaimmersionsionenimplantation (P III) und Implantationskammer zur Durchführung des Verfahrens |
US6101972A (en) * | 1998-05-13 | 2000-08-15 | Intevac, Inc. | Plasma processing system and method |
US6368678B1 (en) * | 1998-05-13 | 2002-04-09 | Terry Bluck | Plasma processing system and method |
US6182604B1 (en) * | 1999-10-27 | 2001-02-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Hollow cathode for plasma doping system |
US9771648B2 (en) | 2004-08-13 | 2017-09-26 | Zond, Inc. | Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures |
US9123508B2 (en) | 2004-02-22 | 2015-09-01 | Zond, Llc | Apparatus and method for sputtering hard coatings |
US7095179B2 (en) | 2004-02-22 | 2006-08-22 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
WO2008059827A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Panasonic Corporation | Procédé de dopage de plasma |
US8142607B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation |
US7999479B2 (en) * | 2009-04-16 | 2011-08-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control |
FR2998707B1 (fr) * | 2012-11-27 | 2016-01-01 | Ion Beam Services | Implanteur ionique pourvu d'une pluralite de corps de source plasma |
DE102012024340A1 (de) * | 2012-12-13 | 2014-06-18 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Plasmaquelle |
CN104411082B (zh) * | 2014-11-12 | 2017-12-19 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 等离子源系统和等离子生成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4800281A (en) * | 1984-09-24 | 1989-01-24 | Hughes Aircraft Company | Compact penning-discharge plasma source |
US4776923A (en) * | 1987-01-20 | 1988-10-11 | Machine Technology, Inc. | Plasma product treatment apparatus and methods and gas transport systems for use therein |
US4764394A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma source ion implantation |
JPS63239948A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
JPH0211762A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Masanobu Nunogaki | 表面加工容器中高エネルギーイオン注入法 |
JPH07101685B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1995-11-01 | 富士通株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100849763B1 (ko) * | 2001-01-23 | 2008-07-31 | 웨이퍼마스터스, 인코퍼레이티드 | 플라즈마 생성 장치 및 방법 |
KR100416715B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2004-01-31 | 한국과학기술연구원 | 펄스 플라즈마를 이용한 이온 주입 방법 및 그 시스템 |
KR100742087B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2007-07-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 마그네트론 플라즈마용 자장 발생 장치 |
KR100781030B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2007-11-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 마그네트론 플라즈마용 자장 발생 장치 |
KR100509804B1 (ko) * | 2003-02-04 | 2005-08-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 이온주입장치의 앤드스테이션 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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MX9101488A (es) | 1992-06-05 |
KR950011847B1 (ko) | 1995-10-11 |
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