KR920009271A - 플라즈마 소스 이온 주입 장치 및 방법 - Google Patents

플라즈마 소스 이온 주입 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920009271A
KR920009271A KR1019910017683A KR910017683A KR920009271A KR 920009271 A KR920009271 A KR 920009271A KR 1019910017683 A KR1019910017683 A KR 1019910017683A KR 910017683 A KR910017683 A KR 910017683A KR 920009271 A KR920009271 A KR 920009271A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
ions
vessel
chamber
generating
Prior art date
Application number
KR1019910017683A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950011847B1 (ko
Inventor
엔. 마토시안 제시
코벨 덴엠
Original Assignee
원다 케이. 덴슨-로우
휴즈 에어크라프트 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 원다 케이. 덴슨-로우, 휴즈 에어크라프트 캄파니 filed Critical 원다 케이. 덴슨-로우
Publication of KR920009271A publication Critical patent/KR920009271A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950011847B1 publication Critical patent/KR950011847B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266Magnetic control means
    • H01J37/32688Multi-cusp fields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48Ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32412Plasma immersion ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32697Electrostatic control
    • H01J37/32706Polarising the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 소스 이온 주입 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 구체화하는 플라즈마 소스 이온 주입 장치를 간략화한 수직 단면도.
제2도는 제1도의 장치와 유사하지만, 본 발명을 변형시킨 실시 태양을 도시하는 도면.
제3도는 플라즈마 소스 이온 주입 장치의 열이온 중공 캐소우드 플라즈마 발생원을 간력화한 단면도.

Claims (19)

  1. 이온 주입될 대상물을 밀폐하는 용기와, 상기 용기와 분리되어 있고 상기 용기 내부로 개방되는 플라즈마 발생 챔버와, 상기 용기 내부로 확산하고 상기 대상물을 균일한 밀도로 에워싸는 이온의 플라즈마를 상기 플라즈마 발생 챔버내에서 발생시키는 플라즈마 발생원 수단과, 전기 전위를 상기 대상물에 인가하여 이온을 상기 플라즈마로 부터 상기 대상물을 향하여 가속시키고 상기 대상물내로 주입시키는 전력원 수단을 포함하는 플라즈마소스 이온주입장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생원 수단은, 이온화 가능한 가스를 상기 플라즈마 발생 챔버내부로 공급하는 공급수단과, 상기 가스내에서 플라즈마를 방출시키는 방출수단을 포함하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 방출수단은 열이온 중공 캐소우드를 포함하는 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 방출수단은 상기 가스로 전자들에 충격을 주는 고열 필라멘트를 포함하는 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 방출수단은 전자기 파를 상기 가스내로 방사시키는 수단을 포함하는 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 가스는 질소, 수소, 산소, 네온, 알루미늄 및 아르곤으로 이루어지는 그룹중에서 선택되는 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마를 상기 용기내에 구속시키는 구속 수단을 더 포함하는 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 구속수단은 상기 용기의 주변 둘레에 이격 배치된 다수의 자석을 포함하는 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전력원 수단은 상기 전기적 전위를 부극성 펄스의 형태로 상기 대상물로 인가하도록 구성된 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생원과 상기 대상물간의 반경방향으로의 유통을 차단하는 수단을 더 포함하는 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 용기 및 상기 플라즈마 발생 챔버와 분리되어 있고, 상기 용기내부로 개방되어 있는 제2플라즈마 발생챔버와, 상기 용기 내부로 확산하고 상기 대상물은 균일한 밀도로 에워싸는 제2의 이온의 플라즈마를 상기 제2플라즈마 발생 챔버내에서 생성하는 발생원 수단을 더 포함하며, 상기 제2플라즈마의 이온은 상기 용기내의 상기 플라즈마의 이온과 상이하고 상기 플라즈마의 이온과 균일하게 혼합되며, 상기 전기 전위에 의해 상기 제2플라즈마로부터 상기 대상물을 향하여 가속되고 상기 대상물내로 주입되는 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 발생원 수단과 상기 제2플라즈마 발생원 수단을 각기 제어하여 상기 생성된 각각의 상기 플라즈마와 상기 제2플라즈마의 속성을 제어하는 제어수단을 더 포함하는 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 용기내부로 개방되어 있는 공간 챔버를 더 포함하며, 상기 플라즈마 발생 챔버와 상기 제2플라즈마 발생 챔버는 상기 공간 챔버 내부로 개방되어 있는 장치.
  14. 플라즈마로부터의 이온을 대상물 내로 주입하는 방법으로, 상기 방법이 (a)상기 대상물을 용기내에 배치하는 단계와, (b)상기 용기와 분리적으로 이온들의 플라즈마를 발생하고, 상기 플라즈마가 균일한 밀도로 상기 대상물은 에워싸도록 상기 플라즈마를 상기 용기내로 확산시키는 단계와, (c)상기 이온을 상기 플라즈마로부터 상기 대상물을 향하여 가속시키고 상기 대상물내로 주입시키는 전기 전위를 상기 대상물로 인가하는 단계를 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, (d)상기 플라즈마를 상기 용기내에 구속시키기 위해 자계를 인가하는 단계를 더 포함하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, (c)는 상기 전기 전위를 부극성 펄스의 형태로 인가하는 단계를 포함하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 단계(b)는, (d)상기 용기와 분리되어 있고 상기 용기와 유통하는 플라즈마 발생챔버를 제공하는 부단계와, (e)상기 플라즈마 발생원 수단을 상기 플라즈마 발생챔버내에 제공하는 부단계와, (f)상기 플라즈마 발생 수단과 상기 대상물간의 반경방향으로의 유통을 차단하는 부단계를 포함하는 방법.
  18. 제14항에 있어서, (d)제2의 이온들의 플라즈마를 상기 용기와 분리적으로 발생시키는 단계를 더 포함하며, 상기 제2플라즈마의 이온들도 상기 플라즈마의 이온들과 상이하고, 상기 제2플라즈마가 상기 대상물을 균일한 밀도로 에워싸도록 상기 제2플라즈마를 상기 용기 내부로 확산시키며, 상기 제2플라즈마의 이온들은 상기 플라즈마의 이온들과 균일하게 혼합되며, 상기 단계(c)는 상기 제2플라즈마의 이온들이 상기 대상물을 향하여 가속되고 상기 대상물내로 주입되도록 상기 전기 전위를 상기 대상물로 인가하는 단계를 포함하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 단계(b)는 상기 플라즈마의 속성을 개별적으로 제어하는 단계를 포함하며, 상기 단계(d)는 상기 제2플라즈마의 속성을 개별적으로 제어하는 단계를 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910017683A 1990-10-10 1991-10-09 플라즈마 소스 이온 주입 장치 및 방법 KR950011847B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US59512390A 1990-10-10 1990-10-10
US595123 1990-10-10
US595,123 1990-10-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920009271A true KR920009271A (ko) 1992-05-28
KR950011847B1 KR950011847B1 (ko) 1995-10-11

Family

ID=24381836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910017683A KR950011847B1 (ko) 1990-10-10 1991-10-09 플라즈마 소스 이온 주입 장치 및 방법

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0480688B1 (ko)
JP (1) JP2512649B2 (ko)
KR (1) KR950011847B1 (ko)
CA (1) CA2052080C (ko)
DE (1) DE69112166T2 (ko)
MX (1) MX9101488A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100416715B1 (ko) * 2001-02-27 2004-01-31 한국과학기술연구원 펄스 플라즈마를 이용한 이온 주입 방법 및 그 시스템
KR100509804B1 (ko) * 2003-02-04 2005-08-24 동부아남반도체 주식회사 이온주입장치의 앤드스테이션
KR100742087B1 (ko) * 2002-06-03 2007-07-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 마그네트론 플라즈마용 자장 발생 장치
KR100849763B1 (ko) * 2001-01-23 2008-07-31 웨이퍼마스터스, 인코퍼레이티드 플라즈마 생성 장치 및 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5330800A (en) * 1992-11-04 1994-07-19 Hughes Aircraft Company High impedance plasma ion implantation method and apparatus
US5289010A (en) * 1992-12-08 1994-02-22 Wisconsin Alumni Research Foundation Ion purification for plasma ion implantation
DE19538903A1 (de) * 1995-10-19 1997-04-24 Rossendorf Forschzent Verfahren zur Implantation von Ionen in leitende bzw. halbleitende Werkstücke mittels Plasmaimmersionsionenimplantation (P III) und Implantationskammer zur Durchführung des Verfahrens
US6101972A (en) * 1998-05-13 2000-08-15 Intevac, Inc. Plasma processing system and method
US6368678B1 (en) * 1998-05-13 2002-04-09 Terry Bluck Plasma processing system and method
US6182604B1 (en) * 1999-10-27 2001-02-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Hollow cathode for plasma doping system
US9771648B2 (en) 2004-08-13 2017-09-26 Zond, Inc. Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures
US9123508B2 (en) 2004-02-22 2015-09-01 Zond, Llc Apparatus and method for sputtering hard coatings
US7095179B2 (en) 2004-02-22 2006-08-22 Zond, Inc. Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities
WO2008059827A1 (fr) * 2006-11-15 2008-05-22 Panasonic Corporation Procédé de dopage de plasma
US8142607B2 (en) * 2008-08-28 2012-03-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation
US7999479B2 (en) * 2009-04-16 2011-08-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control
FR2998707B1 (fr) * 2012-11-27 2016-01-01 Ion Beam Services Implanteur ionique pourvu d'une pluralite de corps de source plasma
DE102012024340A1 (de) * 2012-12-13 2014-06-18 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Plasmaquelle
CN104411082B (zh) * 2014-11-12 2017-12-19 中国科学院深圳先进技术研究院 等离子源系统和等离子生成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4800281A (en) * 1984-09-24 1989-01-24 Hughes Aircraft Company Compact penning-discharge plasma source
US4776923A (en) * 1987-01-20 1988-10-11 Machine Technology, Inc. Plasma product treatment apparatus and methods and gas transport systems for use therein
US4764394A (en) * 1987-01-20 1988-08-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma source ion implantation
JPS63239948A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Nec Corp ドライエツチング装置
JPH0211762A (ja) * 1988-06-28 1990-01-16 Masanobu Nunogaki 表面加工容器中高エネルギーイオン注入法
JPH07101685B2 (ja) * 1989-01-26 1995-11-01 富士通株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100849763B1 (ko) * 2001-01-23 2008-07-31 웨이퍼마스터스, 인코퍼레이티드 플라즈마 생성 장치 및 방법
KR100416715B1 (ko) * 2001-02-27 2004-01-31 한국과학기술연구원 펄스 플라즈마를 이용한 이온 주입 방법 및 그 시스템
KR100742087B1 (ko) * 2002-06-03 2007-07-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 마그네트론 플라즈마용 자장 발생 장치
KR100781030B1 (ko) * 2002-06-03 2007-11-30 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 마그네트론 플라즈마용 자장 발생 장치
KR100509804B1 (ko) * 2003-02-04 2005-08-24 동부아남반도체 주식회사 이온주입장치의 앤드스테이션

Also Published As

Publication number Publication date
CA2052080A1 (en) 1992-04-11
JP2512649B2 (ja) 1996-07-03
EP0480688B1 (en) 1995-08-16
DE69112166T2 (de) 1996-01-04
CA2052080C (en) 1997-01-14
DE69112166D1 (de) 1995-09-21
JPH04264346A (ja) 1992-09-21
EP0480688A2 (en) 1992-04-15
EP0480688A3 (en) 1992-07-01
MX9101488A (es) 1992-06-05
KR950011847B1 (ko) 1995-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920009271A (ko) 플라즈마 소스 이온 주입 장치 및 방법
KR960014437B1 (ko) 고 임피던스 플라즈마 이온 주입 방법 및 장치
US4713585A (en) Ion source
US5296272A (en) Method of implanting ions from a plasma into an object
US4925542A (en) Plasma plating apparatus and method
EP0169744A2 (en) Ion source
US5218179A (en) Plasma source arrangement for ion implantation
US5537005A (en) High-current, low-pressure plasma-cathode electron gun
KR950006967A (ko) 플라즈마 이온 프로세싱에서 2차 전자 제한
US4851668A (en) Ion source application device
KR100835355B1 (ko) 플라즈마를 이용한 이온주입장치
Devyatkov et al. Plasma grid cathodes based on a constricted arc discharge for generating a pulsed intense low-energy electron beam in a plasma-filled diode with a longitudinal magnetic field
US20070069157A1 (en) Methods and apparatus for plasma implantation with improved dopant profile
KR910014998A (ko) 이온 발생장치
CN113438794A (zh) 一种负氢离子源系统
US5639308A (en) Plasma apparatus
US4869835A (en) Ion source
JPS6293834A (ja) イオン源
US5030885A (en) Charged particle control device
JPH08165563A (ja) 電子ビームアニール装置
RU2810726C1 (ru) Сильноточный непрерывный источник ионных пучков на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
JP3503242B2 (ja) イオン電流密度の安定化方法
KR101794662B1 (ko) 플라즈마 발생 장치 및 방법
Srivastava Properties of electron cyclotron resonance plasma sources
Dobkin et al. Parameters of the dense plasma, high-pressure pulses, and intense emission which develop in the interaction of intense proton fluxes with a barrier

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19980929

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee