KR920008560Y1

KR920008560Y1 - Cdp의 미러 검출회로

Info

Publication number: KR920008560Y1
Application number: KR2019870018669U
Authority: KR
Inventors: 홍석기
Original assignee: 주식회사 금성일렉트론; 문정환
Priority date: 1987-10-31
Filing date: 1987-10-31
Publication date: 1992-11-30
Also published as: KR890009402U

Abstract

내용 없음.

Description

CDP의 미러 검출회로

제1도는 종래의 CDP의 미러 검출 회로도.

제2도는 제1도의 각부 파형도.

제3도는 본 고안에 따른 CDP의 미러 검출 회로도.

제4도는 제3도의 각부 파형도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 바텀 엔버 로프검출부 2 : 피크 앤버 로프 검출부

3 : 비교회로 R₁~R₅: 저항

Q₁~Q₅: 트랜지스터

본 고안은 CDP(콤팩트 디스크 플레이어)의 서보 회로에 관한 것으로 특히 서치(Search)기능시 트랙과 미러(Mirror)면을 검출하거나, 혹은 드롭 아웃(Drop Out)을 검출하는 미러 회로를 간단히 하도록 한 CDP의 미러 검출 회로에 관한 것이다.

종래의 CDP의 서보 회로에 있어 미러 검출회로의 구성은 제1도에서 보는 바와 같이, CDP의 프리 앰프를 거쳐 나온 RFO신호는 콘덴서(C₁)를 거쳐 반전 증폭기(OP₁)의 입력단에 인가되게 구성하고, 반전 증폭기(OP₁)의 출력단은 다이오우드(D₁)(D₂)와 콘덴서(C₁)(C₂)에 의해 피크 검출부와 바텀(Bottom)검출부에 각각 접속되어 감산기(OP₂)의 입력단에 연결되고, 감산기(OP₂)의 출력단은 저항(R₁)(R₂)에 의해 전원(+Vcc)에 접속되며 동시에 미러홀드 IC(OP₃)와 미러 비교기(OP₄)에 각각 접속되는 구성으로, 그의 동작 상태를 살펴보면 다음과 같다.

CDP의 프리앰프를 거쳐 나온 제2도의 (a)와 같은 RFO신호는 콘덴서(C₁)에 의해 DC블랭킹 되어 반전 증폭기(OP₁)의 입력단에 인가하면, 그의 출력단으로 제2도의 (b)와 같은 파형이 출력되어 다이오우드(D₁) (D₂)와 콘덴서(C₁) (C₂)를 거쳐 피크검출부와 바텀 검출부에 각각 인가되게 되는데, 상기 피크 검출부에서는 입력된 신호의 최대치를 검출하여 그의 출력단으로 제2도의 (c)와 같은 파형을 출력시키고 바텀 검출부에서는 입력된 신호의 최소치를 검출하여 그의 출력단으로 제2도의 (d)와 같은 파형을 출력시켜 감산기(OP₂)의 입력단으로 각각 인가시키게 된다.

상기 감산기(OP₂)에서는 입력된 파형(c)(d)을 감산하여 그의 출력단으로 (e)파형을 출력시키고, 저항(R₁)(R₂)에 의해 분압시켜 피크 검출 시스템인 미러 홀드 IC(OP₃)에 인가시키면 미러 홀드 IC(OP₃)의 출력단으로 상기 (e)파형으로 A와 같은 신호를 얻게 된다.

상기 출력된 A신호는 미러 비교기(OP₄)의 플러스 입력단으로 인가되어 기준 전압으로 되고 마이너스 입력단으로 인가된 파형신호(마)와 비교하여 미러 비교기(OP₄)의 출력단으로 제2도의 (f)와 같은 파형을 출력시키게 된다.

그러므로 미러 비교기(OP₄)의 출력 파형(바)에서 노말(Normal)상태인 경우 로우(L)시 혹은 트랙킹 점프시에는 트랙상에서 로우(L)가 되고 미러면에서는 하이(H)가 되며, 또한 드롭 아웃 시에는 하이(H)상태 신호를 나타내게 된다.

그러난 상기와 같은 CDP의 미러 검출 회로는 많은 소자들로 구성되어 있어 시스템 구성이 복잡할뿐만 아니라 원가가 절감되는 문제점이 있었다.

이에 본 고안은 상기한 문제점을 개선시키기 위해 안출된 것으로서, 에미터 커플된 트랜지스터에 전류 미러형 트랜지스터를 연결시켜 구성한 비교 회로를 최대치 검출의 피크엔버로프 검출부와 최소치 바템엔버로프 검출부에 각각 접속시켜 간단히 구성한 것으로, 이하 그의 기술 구성을 첨부된 도면에 따라 설명하면 다음과 같다.

제3도는 본 고안에 따른 CDP의 미러 검출 회로를 나타낸 것으로서 그의 연결 구성을 살펴보면, CDP의 프리앰프를 거쳐 나온 RFO신호는 바템엔버로프(Bottom Envelope) 검출부(1)와 피크엠버로프(Peak Envelope)검출부(2)에 각각 인가되게 구성하고, 상기 바텀 엔버로프검출부(1)의 출력단은 비교회로(3)의 트랜지스터(Q₁)베이스에 접속되고 피크엔버로프 검출부(2)의 출력단은 저항(R₁)(R₂)을 거쳐 트랜지스터(Q₁)와 에미터 커플된 트랜지스터(Q₂)의 베이스에 접속되고, 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 콜렉터는 전류 미러형 트랜지스터(Q₃)(Q₄)의 콜렉터에 각각 접속되며 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터는 저항(R₃)에 의해 트랜지스터(Q₅)의 콜렉터는 저항(R₅)을 거쳐 트랜지스터(Q₃)(Q₄)의 에미터와 함께 전원(Vcc)에 접속되며 출력단(Vout)에 접속되는 구성으로, 그의 동작 상태 및 작용 효과를 첨부된 도면에 따라 설명하면 다음과 같다.

제3도에서 프리 앰프를 거쳐 나온 RFO신호는 젠4도의 (a)와 같은 파형을 갖게 되는데, RFO신호는 노말 상태시 피크레벨과 바텀레벨이 일정하게 유지되나, 트랙 점프시에는 바텀 레벨이 (a)파형의 앞 부분에서 처럼 트랙상에 있을때와 미러면에 있을때가 변하게 된다.

이와 같은 RFO신호는 바텀 엔버로프 검출부(1)와 피크 엔버로프검출부(2)에 각각 인가되어 최소치와 최대치를 검출하여 출력단으로 출력시키고, 피크 엔버로프 검출부(2)의 출력은 저항(R₁) (R₂)에 의해 분압되어 제4도(b)파형의와 같이 되어 비교회로(3)의 트랜지스터(Q₂)베이스에 인가되어 기준 전압으로 되고, 바텀 엔버로프 검출부(1)의 출력은 제4도(b)파형의와 같이 되어 트랜지스터(Q₁)의 베이스에 인가되므로 두 입력파형을 비교회로(3)에서 비교하게 된다.

상기 비교회로(3)에서입력 파형이입력 파형보다 작으면 트랜지스터(Q₁)가 오프되고 트랜지스터(Q₂)가 구동되어 전류미러형 트랜지스터(Q₃)에 의해 공급된 전원(Vcc)은 트랜지스터(Q₅)의 베이스로 인가되어 트랜지스터(Q₅)를 구동시키므로 출력단(Vout)의 출력파형이 제4도의 (c)에서와 같이 로우(L)상태가 되고, 또한입력 파형이입력 파형보다 크게되면 트랜지스터(Q₁)가 구동되고 트랜지스터(Q₂)가 오프되어 전류미러형 트랜지스터(Q₃)에 의해 공급된 전원(Vcc)은 트랜지스터(Q₁)를 통해 접지단으로 흐르게 되므로, 이때에는 트랜지스터(Q₅)가 오프되어 출력단(Vout)의 출력 파형이 (c)에서와 같이 하이(H)상태가 되게 되도록 동작한다.

따라서 본 고안에 따른 CDP의 미러 검출회로는 이상의 설명에서와 같이 트랜지스터와 저항에 의한 간단한 비교 회로를 구성시켜 바텀 엔버로프 검출부와 피크 엔버로프 검출부에 연결시키므로서 전체 시스템 회로 구성이 간결하게 되며 원가 절감되는 효과를 갖게 된다.

Claims

바텀 엔버로프 검출부(1)와 피크 엔버로프 검출부(2)를 포함하는 CDP의 미러 검출 회로에 있어서, 프리앰플 거친 RFO신호는 바텀 엔버로프 검출부(1)와 피크 엔버로프 검출부(2)에 각각 인가되어, 바텀 엔버로프 검출부(1)의 출력이 비교회로(3)의 트랜지스터(Q)베이스에 인가되며 피크 엔버로프 검출부(2)의 출력은 저항(R₁)(R₂)에 의해 분압되어 트랜지스터(Q₁)와 에미터 커플된 트랜지스터(Q₂)의 베이스에 인가되고 접속하고, 상기 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 콜렉터는 전류 미러형 트랜지스터(Q₃)(Q₄)를 각각 연결시켜 전원(Vcc)에 접속시키며 동시에 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터는 출력 트랜지스터(Q₅)의 베이스에 접속되어 그의 콜렉터가 출력단(Vout)에 접속되도록 구성한 것을 특징으로 하는 CDP의 미러검출 회로.