KR920008150B1 - 다이분리 공정방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

다이분리 공정방법
제1도는 웨이퍼를 절단하기 위해 웨이퍼를 웨이퍼 마운팅 테이프에 부착하되, 웨이퍼 마운팅 테이프를 필름 프레임 케리어에 장착하고 웨이퍼를 절단한 상태의 도면.
제2도는 다이 부착공정에서 다이를 픽업(Pick Up)하는 공정을 나타낸 도면.
제3도는 종래 기술에 의해 웨이퍼를 절단하되, 웨이퍼 두께의 약 95% 정도까지 절단한 상태를 나타낸 도면.
제4도는 본 발명에 의해 웨이퍼를 절단하되, 웨이퍼 하부의 웨이퍼 마운팅 테이프의 일정두께까지 절단한 상태를 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 마운팅 테이프 2 : 웨이퍼
3 : 절단선(Scribe line) 4 : 필름 프레임 케리어
5 : 이젝터핀(Ejector-pin) 6 : 다이 픽업 기구
7 : 다이(Die) 8A, 8B : 절단깊이
본 발명은 고집적 반도체 소자의 제조공정중 다이분리 공정에 관한 것으로, 특히 색상, 두께, 신장력을 변화시킨 웨이퍼 마운팅 테이프의 접합부에 웨이퍼를 부착하고, 부착된 웨이퍼의 전체두께와 그 하부의 마운팅 테이프의 일정두께까지 절단하여 다이를 분리하는 다이분리 공정방법에 관한 것이다.
종래의 마운팅 테이프를 일반적으로 청색의 0.075mm 정도의 두께, 120g/25mm의 접착력과 약 250%정도의 신장력을 가진 것이 일반적으로 사용되었다.
그러나, 다이를 예정된 장소에 부착하기 위해 실시하는 다이 어태치(Attach) 공정에서 다이의 위치를 인식하기 위한 빛을 조사시킬 때 청색테이프의 난반사되는 현상이 일어나 PRS(Pattern Recognition System)에라가 발생된다. 또한, 마운팅 테이퍼 두께가 0.075mm 정도이기 때문에 웨이퍼를 절단하는 공정에서 절단기의 오차 예를 들어 척(chuck) 테이블 및 Z축의 오차, 테이프의 변수로 인해 하부의 마운팅 테이프를 손상시키지 않고 웨이퍼를 절단하기 위해서는 웨이퍼의 95% 정도밖에 절단할 수 없다. 따라서 다이 부착 공정에서 다이 픽업 장치에 의해 다이를 픽업할 때 웨이퍼 하부면이 완전히 절단되지 않음으로해서 이젝터핀이 상승될때 다이 하부면인 실리콘 웨이퍼에서 파손/크랙/스크래치등이 발생된다. 또 다른 문제는 상기의 신장력이 250% 정도이기 때문에 다이 픽업 시간과 마운팅 테이프를 밀어주는 엔빌(Anvil)과 이젝터핀의 시간이 일치하지 않아서 다이가 픽업되지 않는 문제점이 발생된다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 색상, 두께, 신장력을 조절한 마운팅 테이프에 웨이퍼를 부착하고 부착된 웨이퍼를 하부의 마운팅 테이프의 일정두께까지 절단하여 칩을 분리시키는 다이분리 공정방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 의하면 종래의 여러가지 문제점을 해결하기 위하여 다이 어태치 공정에서 이용되는 빛이 웨이퍼 마운팅 테이프의 표면에서 난반사되지 않고, 흡수될 수 있는 흑색으로 색상을 바꿈으로서 PRS에러를 방지한다. 또한, 마운팅 테이프의 두께를 0.125mm로 증가시켜서, 웨이퍼를 절단하는 공정에서 웨이퍼가 완전히 절단되도록 웨이퍼 하부의 마운팅 테이프의 일정두께까지 절단하여 그로 인하여, 다이 픽업 장치에 의해 다이가 픽업될 때, 파손/크랙/스크래치가 발생하는 문제를 방지할 수 있다. 특히, 마운팅 테이프 신장력을 약 20% 정도로 감소시켜 다이 픽업 시간과 마운팅 테이프를 밀어주는 엔빌과 이젝터핀의 시간을 최적으로 맞출수가 있어서 다이가 픽업되지 않는 문제를 해결한다.
이하, 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제1도는 공지의 기술로 고집적 반도체 소자를 형성된 웨이퍼(2)에 각 다이(7)를 절단하기 위하여, 중앙부는 제거되어 공간으로 되고 가장자리 둘레의 테만 남아 지지부 역할을 하는 필름 프레임 케리어(4) (Film Frame Carrier) 상부에 접착부가 상부를 향하는 웨이퍼 마운팅(1)를 장착하고, 웨이퍼 마운팅 테이프(1)의 접착부에 접착력이 있는 부분을 상부로 하여 놓고 그 위에 웨이퍼(2)를 부착한 다음, 웨이퍼 절단기로 절단선(3)을 절단하여 각각의 다이(7)가 분리된 상태를 도시한 것이다.
제2도는 상기 웨이퍼(2)의 절단된 다이(7)를 예정된 장소 예를들어 리드프레임(도면에 도시되지 않음)에 부착하기 위하여, 다이(7)을 픽업하는 상태를 나타낸 도면으로서, 소정의 다이(7)가 있는 웨이퍼 마운팅 테이프(1) 이젝터핀(5)이 밀어주면 마운팅 테이프(1)의 신장력에 의해 다이(7)와 다이(7)가 간격이 확장되는데 이때 다이 픽업 기구(6)이 다이(7)의 양측을 집어서 픽업(Pick-Up)한다.
제3도는 종래기술에 의해 웨이퍼를 절단하되, 웨이퍼 두께의 약 95%까지 절단한 상태를 나타낸 단면도이다. 이때, 웨이퍼(2) 하부의 마운팅 테이프(1)는 예를들어 청색의 0.075mm 정도 두께와 120g/25mm의 접착력과 약 250%정도의 신장력을 가진 것을 사용하고 웨이퍼(2)를 상기 마운팅 테이프(1) 접착부에 접착하고, 절단기로 웨이퍼(1)의 절단선을 절단하되 웨이퍼(2) 두께의 약 95%정도의 절단깊이(8A)로 절단함을 도시하였다.
상기의 웨이퍼를 완전히 절단하지 않는 이유는 절단기의 오차로 말미암아 마운팅 테이프(1)의 표면에도 소정깊이로 절단하게 되면 상기 제2도의 도면과 같이 이젝터핀(제2도의 5)을 밀어 올리는 경우, 웨이퍼 마운팅 테이프(1)가 찢어지는 문제가 발생되기 때문이다.
한편, 제3도와 같이 웨이퍼(2) 두께의 95%만 절단하는 경우에는 상기한 바와같이 이젝터핀을 밀어 올리게 되면(제2도 참조) 웨이퍼(2) 하단부가 스트레스를 받아서 파손/크랙/스크래치의 문제가 발생되어 이후의 IC 공정에서 심한 충격등으로 큰 손상 및 고장이 발생되는 원인이 된다.
또한, 다이 픽업 장치에 의해 픽업하는 공정으로 광을 이용하여 다이 위치를 컴퓨터 모니터로 확인하고 그 위치를 정확하게 파악하는데 있어서, 다이(7)와 다이(7) 사이의 노출된 웨이퍼 마운팅 테이프(1)의 표면에서 광이 산란되어 절단선(3)이 명확하게 구분되지 않는 까닭에 PRS에라가 발생된다.
또한, 상기의 웨이퍼 마운팅 테이프(1)의 신장력이 250%정도의 것을 사용하면 다이 픽업시간과 마운팅 테이퍼(1)를 밀어주는 엔빌(도시안됨)과 이젝터핀(5)의 시간을 최적으로 맞출수가 없어서 다이가 픽업되지 않는 문제가 발생된다. 따라서, 상기의 문제점을 해결하기 위하여 제4도에 나타낸 도면을 참고하여 본 발명을 설명하기로 한다.
제4도는 본 발명에 의해 표면에 광흡수용 물질이 처리되고, 두께는 0.125mm, 신장력은 220%로 조절된 웨이퍼 마운팅 테이프(1)에 웨이퍼(2)를 부착하고, 웨이퍼(2)를 절단하되 웨이퍼(2) 하부의 웨이퍼 마운팅 테이프(1)의 일정 두께까지 절단한 상태를 나타낸 도면이다.
즉, 웨이퍼(2)를 완전히 절단하기 위해서 절단기의 오차, 웨이퍼 마운팅 테이프의 변수를 고려하여 웨이퍼(2) 하부의 마운틴 테이프(1)의 일정두께까지 절단하여 절단깊이(8B)가 웨이퍼(2)의 두께보다 큰 것을 도면에서 도시하고 있다.
따라서, 상기의 웨이퍼(2)가 완전히 절단됨으로서 제2도에 도시한 바와 같이 다이(7)를 픽업하기 위해 이젝터핀(5)을 상승시켜 마운팅 테이프(1)를 밀어 다이 픽업 기구(6)에 의해 다이(7)을 픽업하여도 다이(7) 하단의 웨이퍼는 스트레스를 받지 않아 파손/크렉/스트래치의 문제가 발생치 않는다. 그러나 본 발명은 웨이퍼(2)가 완전하게 절단되도록 하기 위해서는 상기 웨이퍼의 마운팅 테이프(1)를 약간 절단되는 문제가 발생되는데 이것은 웨이퍼 마운팅 테이프(1)의 두께를 증대시킴으로서 다이(7)가 픽업할 때 마운팅 테이프(1)가 찢어지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼 마운팅 테이프(1)의 표면은 빛을 흡수하는 물질로 처리하여 빛이 난반사되는 문제점을 해결하고, 신장력이 220%인 것을 사용하여 다이 픽업시 시간적 오차가 발생되는 것도 원만하게 해결하였다(접착력은 종래와 같이 120g/25mm인 것을 사용한다).
종래와 본 발명의 효과를 비교해 보면, 종래의 웨이퍼 마운팅 테이프를 다이분리 공정에 사용하였을때는 파손/크랙/스크래치의 불량은 약 20%정도이고, PRS에라는 약 1%정도이며, 다이가 픽업되지 않는 불량은 약 1%정도가 발생되지만, 본 발명에서 서술된 웨이퍼 마운팅 테이프를 다이분리 공정에 사용하는 경우 상기의 각각 불량은 거의 9%로 나타나, 소자제조 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (1)

  1. 고집적 반도체 소자의 공정중에서 웨이퍼를 웨이퍼 마운팅 테이프의 접착부에 부착하고, 상기 웨이퍼를 두께의 일부를 절단하는 다이분리 공정에 있어서, 표면을 광흡수율 물질로 처리하고, 두께는 약 0.125mm, 신장력은 220%로 조절한 웨이퍼 마운팅 테이프에 웨이퍼를 부착하고, 부착된 웨이퍼를 상부면에서 하부의 마운팅 테이프의 일정두께까지 절단하여 각각의 다이를 분리하는 것을 특징으로 하는 다이분리 공정방법.
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