KR920005413A - 고출력 레이저 다이오드 - Google Patents

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KR920005413A
KR920005413A KR1019900013747A KR900013747A KR920005413A KR 920005413 A KR920005413 A KR 920005413A KR 1019900013747 A KR1019900013747 A KR 1019900013747A KR 900013747 A KR900013747 A KR 900013747A KR 920005413 A KR920005413 A KR 920005413A
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laser diode
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mesa
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KR1019900013747A
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Inventor
임시종
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이헌조
주식회사 금성사
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고출력 레이저 다이오드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 고출력 레이저 다이오드의 구조도.
제3도는 본 발명에 따른 고출력 레이저다이오드의 제조공정도.

Claims (4)

  1. 본 발명은 고출력 LD에 관한 것으로 COD레벨을 높이기 위해 패시트 부근에서는 전류가 도통하지 않게하고, 특수 mesa를 이용하여 패시트 부근의 액티브층을 얇게하고 빔 스폿트 크기를 증대시켜 광출력 밀도를 감소시키고, 소자내부에서는 특수 mesa에 의해 액티브층 두께가 두꺼워져 Ith가 낮아지도록 구성한것을 특징으로하는 고출력 레이저다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 패시트부근의 아일랜드 mesa의 mesa끝과 패시트 간의 거리가 1㎛~25㎛범위로 구성된 것을 특징으로 하는 고출력 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 특수 mesa이모양을 가지고, θ를 20-70사이로 구성된 것을 특징으로 하는 고출력 레이저 다이오드.
  4. 제3항에 있어서, 특수 mesa에 관하여 패시트 부근의 리지폭은 10-50㎛내부에서의 리지(ridgc)폭은 50-200㎛로 구성하여 된것을 특징으로 하는 고출력 레이저다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019900013747A 1990-08-31 1990-08-31 고출력 레이저 다이오드 제조방법 KR0162292B1 (ko)

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