KR920005274A - 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치와 그 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치와 그 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 조립된 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치의 부분 측면도이고,
제3도는 제1도의 장치의 평면도.

Claims (15)

  1. 잉곳(11)의 면을 그라인딩하기 위한 그라인드단(15)과, 잉곳(11)으로 부터 슬라이싱된 웨이퍼를 수납하기 위한 픽-오프 수단(17)을; 갖는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치로서, 그라인딩 위치에서 웨이퍼를 파지하기 위한 파지척(22)과; 상기한 그라인딩 위치와 수축된 위치 사이에서 상기한 척을 이동시키기 위한 수단(24)과; 상기한 파지척(22)으로부터 웨이퍼를 수납하기 위하여 상기한 파지척의 근처에 있는 이동위치와 이들로부터 웨이퍼를 제거하기 위한 제거위치 사이에서 이동할 수 있는 이동척(23)을; 포함하며, 상기한 픽-오프수단(17)이,슬라이싱된 웨이퍼를 잉곳으로부터 상기한 수축된 위치내의 상기한 파지척(22)으로 순차적으로 이동시키기 위하여, 파지부의 상기한 이동척(23)으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 그라인딩 위치에 있는 상기한 파지척(22)상에 파지된 웨이퍼가, 잉곳(11)의 면과 동일 평면에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  3. 제1항 또는 제2항 중 어느 한항에 있어서, 상기한 파지척(22)이, 다공성 세라믹 재료로 만들어지며, 그들면의 그라인딩을 위하여 상기한 그라인드단(15)에 대향하여 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기한 장치가, 잉곳으로부터 웨이퍼를 슬라이싱 하기 위하여 내부 원주상 톱날(13)을 갖는 톱날 조립체를 더욱 포함하며, 상기한 톱날(13)이 상기한 그라인드단과 동축으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩장치.
  5. 제1항에 있어서; 상기한 파지척(22)이, 흡입력 아래에서 상기 척 상에 웨이퍼를 파지하기 위한 진공 척인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기한 장치가, 그라인딩된 웨이퍼의 두께를 측정하기 위하여 상기한 척(22,23)의 아래쪽에 웨이퍼 두께 측정부를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기한 장치가, 측정된 웨이퍼의 두께에 따른 자료를 수납하기 위하여, 상기한 웨이퍼 두께 측정부(90)에 연결되어 있는 조절 수단(91)을 더욱 포함하며, 상기한 조절수단(91)은, 상기한 그라인딩 위치에 있는 ,순차적으로 위치되는 웨이퍼의 위치를 조절하기 위하여, 상기한 파지척(22)을 이동시키고, 이를 위하여 상기한 수단(24)에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기한 장치가, 상기한 그라인딩 위치에 따라 상기한 파지척(27)의미리 정해진 본 위치를 지시하기 위하여 상기한 파지척(22)의 이동 경로상에 기록 수단을 더욱 포함하며, 상기한 조절 수단(91)이 상기한 파지척(22)을 프로그램된 방식으로 상기한 그라인딩 위치 내로 인덱싱 할 수 있도록 하기 위하여, 상기한 척(22)이 상기한 본 위치로 이동하도록 지시하는 신호를 전달하고, 이를 위하여 상기한 기록 수단(92)이 상기한 조절수단(91)에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기한 기록 수단(9)이, 상기한 본 위치에 있는 상기한 파지척(22)을 교대하기 위한 교대블럭(93)과, 상기한 파지척(22)을 갖는 상기한 블럭(93)을 상기한 그라인딩 위치로 이동시킬 수 있도록 하기 위하여, 상기한 블럭(93)을 미끄러질 수 있도록 장착한 베어링(95)과 상기한 파지척(22)을 갖는 상기한 블럭의 이동을 감지하는 리밋 스위치를; 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기한 이동척(23)이, 상기한 파지부와 상기한 파지척(22)으로부터 떨어져 평행한 네번째 위치의 사이에서 움직이도록 하기 위하여 선회할수 있게 장착되고, 상기한 네번째 위치와 상기한 이동 위치 사이에서 움직일 수 있도록 하기 위하여 직전하게 장착된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한항에 있어서, 상기한 파지척(22)을 움직이기 위한 수단(24)이, 왕복대(26)와; 상기한 왕복대 상에 미끄러질수 있도록 장착된 왕복대 블럭(27)과; 상기한 왕복대(26)를 따라 상기한 왕복대 블럭(27)을 이동시키기 위한 구동수단과; 이들과 함께 이동되기 위하여 상기한 왕복대 블럭(27)상에 장착된 확장 브래킷을; 갖고 그 한쪽 단부에 장착된 상기한 파지척(22)을 갖는 베이스(33)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  12. 제1항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 상기한 파지척(22)이 어댑터(44)와,;상기한 어댑터(44)의 한면상에 장착된 세라믹 디스크(47)를 ;포함하며, 상기한 어댑터(44)는, 상기한 면에 여러개의 가로지는 그루브(52)와 ;외부 흡입원을 갖는 상기한 그루브(52)중의 하나와 연결하기 위한 보어(53)를; 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 장치.
  13. 잉곳의 한 면을 그라인딩 하는 공정과; 그리고 나서 슬라이싱 위치에 있는 잉곳으로부터 그라인딩되 면을 갖는 웨이퍼(14)를 슬라이싱 하는 공정을; 포함하는 웨이퍼의 슬라이싱 및 그라인딩 방법에 있어서, 슬라싱된 웨이퍼(14)를 상기한 슬라이싱 위치로부터 파지부로 제거하는 공정과; 상기한 파지부로부터 얻은 이미 슬라이싱된 웨이퍼를 잉곳(11)면과 동일 평면상에서, 웨이퍼의 그라인딩 되지 않은 면을 갖는 그라인딩 위치로 회전시키는 공정과; 그리고 나서 웨이퍼(14')의 그라인딩 되지 않는 면과 잉곳(11)의 면을 상기한 평면에서 순차적으로 그라인딩 하는 공정을; 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 슬라이싱 및 그라인딩 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기한 방법이 그라인딩 위치로부터 그라인딩된 웨이퍼를 제거하는 공정과; 상기한 그라인딩 위치로부터 제거한 후 그라인딩된 웨이퍼의 두께를 측정하는 공정과; 측정된 두께와 미리 결정된 값으로 부터의 편차에 따라 상기한 그라인딩 위치에서 순차적으로 위치된 웨이퍼의 그라인딩 할 정도를 조절하는 공정을; 더욱 포함하는 것을 특징으로하는 웨이퍼의 슬라이싱 및 그라인딩 방법.
  15. 제13항 내지 제14항중에 어느 한항에 있어서, 상기한 방법이, 웨이퍼를 척을 면하고 있는 그라인딩된 면을 갖는 이동척(23)상의 상기한 파지부로부터 이동시키는 공정과, 척(23)을 상기한 그라인딩 위치에 있는 웨이퍼의 그라인딩 되지 않은 면의 위치로 이동시키는 공정을; 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 슬라이싱 및 그라인딩 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259016A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Mitsubishi Electric Corp ウエハ作製用基板及び半導体ウエハの製造方法
JP2903916B2 (ja) * 1992-11-30 1999-06-14 信越半導体株式会社 半導体インゴット加工方法
US5427644A (en) * 1993-01-11 1995-06-27 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor wafer and system therefor
US5679060A (en) * 1994-07-14 1997-10-21 Silicon Technology Corporation Wafer grinding machine
DE19607695A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
JPH1022184A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sony Corp 基板張り合わせ装置
US6076443A (en) * 1997-02-25 2000-06-20 Emerson Electric Co. Bellows with flexible stem for saw
CN1272222A (zh) * 1997-08-21 2000-11-01 Memc电子材料有限公司 处理半导体晶片的方法
JPH11135474A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法
US5827111A (en) * 1997-12-15 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for grinding wafers
US5827112A (en) * 1997-12-15 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for grinding wafers
US6257966B1 (en) * 1998-04-27 2001-07-10 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer surface machining apparatus
US6140211A (en) * 1998-07-24 2000-10-31 Lucent Technologies Inc. Method for recycling wafers used for quality assurance testing of integrated circuit fabrication equipment
US6214704B1 (en) 1998-12-16 2001-04-10 Memc Electronic Materials, Inc. Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage
US6294469B1 (en) 1999-05-21 2001-09-25 Plasmasil, Llc Silicon wafering process flow
US6473987B1 (en) * 1999-12-28 2002-11-05 Accretech Usa, Inc. Method for measuring wafer thickness
DE102004013031A1 (de) * 2004-03-16 2005-10-06 Waldrich Siegen Werkzeugmaschinen Gmbh Verfahren und Maschine zur Herstellung einer Walze
US7210987B2 (en) * 2004-03-30 2007-05-01 Intel Corporation Wafer grinding method
CN100436093C (zh) * 2005-04-11 2008-11-26 广东工业大学 一种多功能组合机床
US7849847B2 (en) * 2007-09-11 2010-12-14 Asm Assembly Automation Ltd Drainage apparatus for a singulation system
CN105666710A (zh) * 2016-04-05 2016-06-15 东旭科技集团有限公司 用于板材切割的内圆切片机
CN107138805B (zh) * 2017-05-07 2019-02-22 冠县盛祥稀土永磁材料有限公司 一种智能化内圆切片机切片方法
CN106938357B (zh) * 2017-05-07 2019-02-22 冠县盛祥稀土永磁材料有限公司 一种智能化内圆切片机床
CN109176930B (zh) * 2018-09-30 2024-03-29 福州天瑞线锯科技有限公司 一种晶硅棒切割机
CN109080019B (zh) * 2018-09-30 2024-03-29 福州天瑞线锯科技有限公司 一种晶硅棒切割机用进料装置
JP7347986B2 (ja) * 2019-08-06 2023-09-20 株式会社ディスコ エッジトリミング装置
CN112466785B (zh) * 2020-11-23 2022-09-02 江西世星科技有限公司 一种集成电路v形槽开槽机
US20230042659A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 Meta Platforms, Inc. Complex photonics circuit fabrication
CN116749359B (zh) * 2023-06-02 2024-01-09 江苏汉印机电科技股份有限公司 一种用于加工碳化硅外延晶片的切割设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3740900A (en) * 1970-07-01 1973-06-26 Signetics Corp Vacuum chuck assembly for semiconductor manufacture
US4420909B2 (en) * 1981-11-10 1997-06-10 Silicon Technology Wafering system
JPS6296400A (ja) * 1985-10-23 1987-05-02 Mitsubishi Metal Corp ウエハの製造方法
DE3613132A1 (de) * 1986-04-18 1987-10-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen
JPS62264835A (ja) * 1986-05-08 1987-11-17 Citizen Watch Co Ltd 薄基板製造用の複合加工機
EP0534499A3 (en) * 1987-10-29 1993-04-21 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Method for slicing a wafer
DE3737540C1 (de) * 1987-11-05 1989-06-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren und Maschine zum Herstellen von Ronden mit zumindest einer planen Oberflaeche
DE3743275C1 (de) * 1987-12-19 1989-07-27 Thielenhaus Maschf Verfahren zum Planschleifen von gleichen Werkstueck-Rohlingen
US5025593A (en) * 1988-01-18 1991-06-25 Mazda Motor Corporation Slicing machine and control method thereof
JP2737783B2 (ja) * 1988-02-18 1998-04-08 株式会社 東京精密 ウエハの切断装置
JPH029535A (ja) * 1988-06-29 1990-01-12 Citizen Watch Co Ltd 薄基板製造方法およびその装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0474329A2 (en) 1992-03-11
EP0474329A3 (en) 1993-04-28
JPH04234607A (ja) 1992-08-24
US5189843A (en) 1993-03-02
US5329733A (en) 1994-07-19

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