KR920005257A - 플라즈마 화학 증착장치 - Google Patents

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KR920005257A
KR920005257A KR1019900013643A KR900013643A KR920005257A KR 920005257 A KR920005257 A KR 920005257A KR 1019900013643 A KR1019900013643 A KR 1019900013643A KR 900013643 A KR900013643 A KR 900013643A KR 920005257 A KR920005257 A KR 920005257A
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김정배
삼성전관 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

플라즈마 화학 증착장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 플라즈마 화학 증착 장치의 측단면도.
제 2 도는 본 발명의 플라즈마 화학 증착 장치의 측단면도이다.

Claims (1)

  1. 소정의 진공압하에서 상부전극에 인가되는 R.F전원에 의해 플라즈마가 형성됨으로서 반응가스를 분해하여 증착을 행하는 플라즈마 화학 증착 장치에 있어서, 기판을 이송하는 이송수단과, 반응가스를 예비 가열하는 히터를 주입구 내측면에 보유하고 외측면으로 배기통로를 형성하는 다수개의 관과 가스압 분사관으로 이루어지는 가스 공급부와, 다수개의 구멍이 뚫려지며 상기한 가스 주입구 내면에 설치되는 상부 전극과 상기한 이송 컨베이어의 하측에 설치되는 하부전극이 대향 설치되어 R.F전원이 인가됨에 따라 플라즈마 발생영역을 형성하는 플라즈마 발생수단으로 구성되어 인라인 시스템을 형성함으로서 다층박막의 연속증착을 가능케 하는 플라즈마 화학 증착장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100448718B1 (ko) * 2002-01-28 2004-09-13 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용한 화학기상증착장치
US9533074B2 (en) 2010-12-13 2017-01-03 Chonnam National University Hospital Gene delivery stent using titanium oxide thin film coating, and method for fabricating same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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