KR920005006B1 - 수냉식 저압 가스 방전 램프 - Google Patents

수냉식 저압 가스 방전 램프 Download PDF

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내용 없음.

Description

수냉식 저합 가스 방전 램프
제1도는 종래의 수은 방전 램프의 측면도.
제2도는 본 발명의 제 1의 양호하고 모범적인 수냉식 저압가스 또는 수은 램프의 측면도.
제3도는 제2도의 Ⅲ-Ⅲ평면에서 취해진 본 발명의 제 1의 양호하고 모범적인 수냉식 저압 가스 또는 수은 램프의 단면도.
제4도는 본 발명의 제 2의 양호하고 모범적인 수냉식, 저압 가스 또는 수은 램프의 측면도.
제5도는 본 발명의 제 3의 양호하고 모범적인 수냉식 저압 가스 또는 수은 램프의 측면도.
제6도는 본 발명의 제 3의 양호하고 모범적인 수냉식 저압 가스 또는 수은 램프의 상면도.
제7도는 제5도의 Ⅶ-Ⅶ평면에서 취해진 본 발명의 제 3의 양호하고 모범적인 수냉식 저압 가스 또는 수은 램프의 램프소자중의 한 소자의 저면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 22, 51 : 가스 또는 수은 증기 램프 12, 24, 40, 54 : 램프 튜브
14, 16, 31, 32, 47, 49, 57, 59 : 전극 26 : 벽
28,62 : 수은 증기 방전 챔버 30 : 냉각 챔버
34 : 냉각 유체 36, 56 : 냉각 입구
38, 58 : 냉각 출구 52 : 램프소자
55 : 중심벽
본 발명은 저압 가스 또는 수은 증기 방전 램프에 관한 것으로, 보다 특정적으로, 이러한 저압 가스 또는 수은 증기 램프를 냉각하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
광화학 증착(photo-CVD)는 여러 기판상에 박층의 피착을 광화학적으로 유도하는데 방사선을 사용한다. 이 기술은 피착이 비교적 저온에서 달성될 수 있기 때문에 특히 호평받고 있다. 광-CVD는 플라스틱, 금속, 유리 및 복합 물질과 같은 여러가지 상이한 기판상에 선택된 물질의 박막을 피착하는데 사용될 수 있다. 이 처리는 종래의 열 증착 기술로써 일반적으로 요구되는 고온을 허용할 수 없는 플라스틱과 같은 다수의 기판을 처리하는데 특히 적합하다.
180nm 내지 260nm 파장 영역내의 자외선(UV) 방사선은 광화학 반응을 유도하기 위해 많은 광-CVD처리에 공통적으로 사용된다. 이 UV 방사선은 저렴하고 요규되는 파장 범위내의 방사선을 제공할 수 있는 가장 용이한 광원이 사용될 수 있기 때문에 저압 수은 증기 램프에 의해 전형적으로 제공된다.
수은 증기는 185nm 및 254nm의 방출선을 갖고 있다. 이 선들은 온도가 약 60℃ 내지 70℃ 미만으로 유지되는 동안, 수은 증기내의 전기 아크에 의해 방출된 큰 퍼센트의 광 에너지를 이동시킨다. 고온에서, 길거나, 짧은 활성화 파장으로 증기 방출이 전이된다. 이 낮은 에너지방출은 많은 광-CVD 반응에 적합하지 않다. 따라서, 수은 증기 램프의 온도가 70℃ 미만으로 유지되는 것이 중요하다.
저압 수은 램프의 냉각은 열의 실제양이 낮은 전력 밀도 동작중에도 발생되기 때문에 많은 문제점을 갖고 있다. 이 문제는 전력 밀도가 많은 광-CVD 처리를 위해 필요한 레벨로 증가될 때 발생된 부가 열에 기인하여 상당히 커진다.
종래의 저압 수은 증기 램프는 제1도에서 (10)으로 도시되어 있다. 램프(10)은 석영으로 일반적으로 형성된 원형튜브(12)를 포함한다. 튜브(12)는 약 20 내지 500밀리바 사이의 최대 압력을 발생시키는 정도의 충분한 수은 증기로 채워진다. 전극(14 및 16)은 원하는 UV방전을 발생하기 위해 증기를 통하여 전기 전류 또는 아크를 제공한다. 분할기(18)은 전체 튜브길이를 증가시키지 않고 아크 길이를 증가시키기 위해서 튜브내에 전반적으로 배치된다.
몇몇의 상이한 냉각 시스템은 제1도에 도시한 것으로 냉각 램프에 사용되었다. 예를들어, 강제 공냉이 자주 사용되고 낮은 전력 밀도 동작을 위해 충분한 냉각을 제고한다. 불행히도, 강제 공냉식은 높은 전력 밀도로 동작되는 수은 증기 램프를 냉각시키는데 일반적으로 충분하지 않다. 수냉 또는 소정의 다른 형태의 액체 냉각은 높은 전력 램프를 충분히 냉각시키는데 일반적으로 요구된다. 램프 튜브를 완전히 둘러싸는 냉각수 자켓(jacket)은 적당한 냉각은 제공한다. 그러나, 냉각수는 광-CVD 처리를 위해 필요한 고에너지 파장을 흡수한다.
예를들어, 냉각수가(19)에서 자켓에 들어가고 (21)에서 나가는 제1도에 (20)으로 도시한 방식으로 전극 챔버를 둘러싸는 액체 냉각 자켓을 제공하려는 시도가 있었다. 그러나, 냉각수 자켓은 램프의 반대 단부에 수은 증기의 적당한 냉각을 제공하지 못한다. 더욱이, 램프(10)의 베이스 주위의 냉각수 자켓(20)을 사용하면 램프의 부분이 가장 크게 된다.
상술한 것으로부터 알 수 있은 바와같이 고 에너지 UV광 또는 다른 방사선을 발생시킬 수 있는 램프의 능력에 악 영향을 주지 않고 최적한 냉각을 제공하기 위해서 저압 수은 증기 또는 가스 방전 램프이 냉각 시스템을 개량하기 위한 필요성이 있게 된다.
본 발명에 따르면, 램프가 고에너지 밀도로 최대방사선 방출을 발생할 수 있는 효율적이고 간단한 액체 냉각 시스템을 갖는 저압 가스 또는 수은 증기 램프가 기술된다.
본 발명은 램프 튜브의 전체 길이를 연장하고 램프 튜브를 방전 챔버 및 냉각 챔버로 나누는 램프 튜브내에 배치된 벽을 갖고 있는 램프 튜브를 포함하는 유체 냉각식 저압 가스 또는 수은 증기 램프에 기초한다. 냉각 입구 및 출구는 냉각 유체가 저압 가스 또는 수은 램프의 동작중에 방전 챔버내에 발생된 열을 제거하기 위하여 냉각 챔버를 통하여 통과될 수 있도록 제공된다. 전극은 수은 증기를 통하여 아크를 발생하기 위해 제공된다.
냉각 챔버를 방전 챔버로부터 분리시키는 중심벽은 열의 효율적인 전달을 위해 큰 표면적을 제공한다. 본 발명은 램프 튜브 및 이의 가스용기가 유용한 방사선이 방출되는 램프이 대부분내에서 냉각되게 하는 냉각 시스템을 사용한다. 그러나, 본 발명은 UV 방사선이 기판에 도달하는 것을 방지할 수 있는 냉각수의 칸막이를 형성하지 않는다. 대신에 180°영역에 걸쳐서 고에너지 방사선을 제공한다. 이것은 램프가 공지된 공냉식 램프의 UV 에너지 밀도의 최소한 3배 방출하는 전력 밀도에 동작하는 것을 허용한다. 이것은 본 발명에서 준수된 광-CVD 피착 비가 공냉식 램프에서 준수된 비율의 3베로 되게 할 수 있다.
폭 넓고 다양한 형태가 냉각 시스템이 소정 형태의 튜브에 용이하게 적용될 수 있기 때문에 본 발명으로 사용될 수 있다. 그러므로, 램프 튜브가 직선형 또는 만곡형이든 관계없이, 냉각 챔버는 최대 냉각효과를 제공할 것이다. 부수적ㅇ로, 360°방사선이 요구될 때, 다중 램프 실시예는 내향 또는 외향의 360°방사선을 제공할 수 있다.
본 발명의 상술한 특징 및 장점과 같은 다른 특징 및 장점은 본 발명이 첨부된 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명을 읽으므로써 분명히 이해할 수 있다.
본 발명에 따른 가스 또는 수은 증기 램프의 제 1의 양호하고 모범적인 실시예가 제2도에 (22)로 도시되어 있다. 설명을 용이하게 하기 위해서, 다음 설명은 수은 증기 램프에 관해 이루어진다. 그러나, 본 발명을 수은증기 램프에 제한하려는 것은 아니고, 오히려 전기 전류 또는 아크가 특정한 파장의 방사선을 발생시키기 위해서 가스를 통하여 통과되는 소정의 가스 램프를 포함시킨다. 가스 또는 수은 증기 램프(22)는 양호하게 직선형인 램프 튜브(24)를 포함한다. 램프 튜브의 외부 둘레는 양호하게 둥근형이지만, 정사각형, 장방형 또는 삼각형을 포함하는 소정의 구성으로 될 수 있다. 제2도 및 제3도에 도시한 바와같이, 벽(26)은 튜브(24)를 수은 증기 방전 챔버(28)로 나누고 냉각 챔버(30)을 분리시킨다. 이 벽(26)이 제3도에 도시한 바와가이 램프 튜브(24)의 중심에 양호하게 배치될지라도, 이것은 또한 수은 증기 방전 챔버(28) 및 냉각 챔버(30)이 동일한 크기로 되지 않도록 중심에 벗어나서 배치될 수 있다. 또한 램프 튜브(24)는 양호하게는 석영으로 이루어지지만, UV-투명 유리와 가 저압수은 증기 램프에 사용하기에 적합한 다른 물질로 또한 형성될 수 있다. 선택적으로, 램프 튜브(24)는 방전 램프에 사용될 수 있는 수은 증기 외에 다른 가스들과 겸용될 수 있는 물질로 이루어진다.
양호한 실시예에서, 벽(26)은 양호하게는 석영으로 이루어지거나 또는 벽(26)을 구성하는 물질이 열전도성이고 전기 부도성인 한, 램프튜브(24)와 동일한 물질로 이루어진다. 벽(26)은 튜브 물질과 겸용될 수 있는 진공-기밀 세라믹과 같은 다른 열 전도성이고 전기 부도성 물질로 이루어질 수 있다. 벽(26)은 방전 챔버(28)로부터 냉각 챔버(30)가지의 열 전달을 증가시키기 위해서, 소정의 경우에, 열 정도성 입자들로 포화될 수 있다. 소정의 적합한 물질들은 램프 튜브 물질 및 수은 증기 또는 사용된 다른 가스로 겸용되는 동안 사용될 수 있다.
제2도에 (31) 및 (32)로 도시된 전극들은 자외선 광 또는 다른 특정한 방사선이 발생되는 수은 증기 또는 다른 가스를 통하여 전기 아크를 발생하기 위한 수단으로서 제공된다. RF유도성, 용량성 방전, 또는 마이크로웨이브 수단을 포함하는 전기 아크를 발생하는 다른 수단이 또한 사용될 수도 있다. 방전 챔버(28)에 사용된 이의 농도 및 압력 뿐만 아니라 가스 또는 증기의 형태는 중요하지 않고 가스 방전 램프에 통상적으로 사용된 소정의 증기 및 가스로 될 수 있다.
램프 튜브(24)는 냉각 입구(36)를 통하여 냉각 챔버(36)으로 들어가는 냉각 유체(34)에 의해 냉각된다. 냉각 유체(34)는 냉각 챔버(30)의 전체길이를 이동하고 냉각 출구(38)을 통하여 나간다. 냉각 챔버(30)을 통하여 이동하는 액체는 온도가 특정한 파장 또는 파장 범위에서 방사 출력을 최대화시키기 위해서 허용가능한 레벨로 유지되는 동안에, 고 전력 인가가 달성될 수 있도록 램프(22)의 동작중에 발생된 열을 제거한다.
양호한 냉각 유체는 물이지만, 열 교환 및 냉각 목적을 위해 통상적으로 사용되는 오일, 프레온 또는 다른 공지된 액체와 같은 통상적인 냉각 유체가 사용될 수도 있다.
본 장치의 제 2의 양호한 모범적인 실시예가 제4도에 (39)로 도시되어 있다. 램프 튜브(40)은 램프에 의해 차지되는 공간을 거의 증가시키지 않고서 아크 길이를 증가시키기 위해 사문형(serpentine-shaped)으로 된다. 램프 튜브(40)은 제2도 및 제3도에 도시된 램프 튜브(40)의 냉각 챔버 측면내로 유입시키기 위해 제공된다. 냉각 유체는 튜브(40)의 전체 길이를 이동하고 출구(50)을 통하여 제거된다. 이것은 냉각 유체가 사문형 튜브(40)에 걸친 열교환 및 제거를 제공하기 때문에 특히 효율적인 열 제거 메카니즘을 제공한다. 결과적으로, 균일한 열 제거가 달성되고 램프 튜브(24)의 별도의 부분의 국부적인 과열이 피해진다. 통상적인 전극(47 및 49)은 공지된 바와같이, 방전 챔버내의 수은 증기 또는 다른 가스를 통하여 전기 아크를 발생하기 위해 제공된다.
본 발명의 제 3의 양호한 모범적인 실시예는 제6도에 (51)로 전반적으로 도시되어 있다. 램프(51)은 4개의 별도의 램프소자(52)로 구성된다. 각각의 램프소자(52)의 측면도 및 단면도가 제5도 및 제7도에 각각 도시되어 있다.
각각의 램프소자(52)는 램프 튜브(54)를 포함한다. 중심 벽(55)는 램프 튜브(54)를 냉각 챔버(60) 및 방전 챔버(62)로 분기하기 위해 선행 실시예와 동일한 방식으로 제공된다.
냉각 유체 입구(56)은 냉각 유체를 냉각 챔버(60)으로 유입하기 위해 제공된다. 냉각 유체는 사문형 램프 튜브(56)의 전체 길이를 이동하고 출구(58)을 통하여 나간다. 통상적인 전극(57 및 59)는 방전챔버(62)내의 전기 아크를 발생시키기 위해 제공된다. 모든 실시예에서, 전극 및 전극을 하우징하는 챔버는 냉각 시스템으로부터 떨어져 유지되고 수은 증기 또는 가스가 배치되는 방전 챔버에만 접속된다는 것을 알아야 한다.
제6도에서 알수 있는 바와같이, 4개의 각각의 램프포자(52)는 방전챔버(62)가 원형 램프 배열의 외부 둘레상에 모두 배치되고 원형 패턴내에 배열된다. 이 배열은 각각 램프가 독자적으로 사용될 때 불가능한 360°자외선 광 방출을 제공한다.
제6도에 도시한 실시예에 부가하여, 각각의 램프소자(52)는 방전챔버(62)가 램프 둘레의 내측상에 모두 배치되도록 구성될 수 있다. 이 특별한 구성은 램프 둘레 주위의 모든 위치로부터의 균일한 내향 방사를 허용한다. 이 구성은 정해진 램프 둘레내의 단일한 위치에서 물질의 고전력 밀도 방사선을 제공하는 것이 바람직한 타뷸러 반응기 및 다른 처리내의 광-CVD에 가장 적합하다. 원형 램프 배열이 제6도에 도시되어 있지만, 정사각형 배열, 6각형 배열 및 다른 다각형 배열과 같은 다른 배열이 가능하다. 더욱이, 소정의 경우에, 각각의 소자(52)의 배향은 램프둘레로부터 외향 및 내향으로의 방사선이 소정의 경우에 제공될 수 있도록 변경될 수 있다.
제5도에 도시한 바와같은 본 발명에 따라 수은 증기 램프소자로 제공된 UV 세기의 측정은 뉴저지주 네워크에 소재한 Conrad hanovia Inc. 사이에 모델 명 688 A 45로 시판하고 있는 저압, 공냉식, 머리핀 형수은램프와 비교한다. 2개의 UV램프는 UV광 포토미터로부터 6.5cm로 수평위치에 배치된다. 이 6.8cm는 광원과 평탄한 광-CVD 챔버내의 기판사이의 전형적인 거리이다. UV포토미터는 캘리포니아주 샌 가브리엘에 소재한 Ultraviolet products 사이에 제공되는 모델 UVX이다. UV 포토미터는 통상적인 수은-감지 광-CVD 처리에 필요한 2537Å파장으로 조정되었다.
종래 기술에서 대표되는 Hanovia 램프는, 포토미터로 관찰된 최대전력 밀도가 4.84mw/㎠이었다. 본 발명의 수냉식 램프에서는, 관찰된 최대 전력 밀도가 13.5mw/㎠이었다. 알 수 있는 바와같은, 2.7배로 제공된 본 발명의 램프소자는 종래의 hanovia 램프로부터 가용한 것 이상으로 유용한 UV에너지 밀도에서 증가된다. 본 발명의 램프소자에 의해 제공된 증가된 UV에너지 밀도는 광화학 반응에 증가된 에너지를 제공하고 증가된 파착비를 제공한다.
지금까지 본 발명의 모범적인 실시예가 기술되었지만, 이 설명은 어디까지나 예시적인 것이고 본 기술분야에 통상의 지식을 가진 자는 다음의 특허청구의 범위에 으해서만 정의되고 제한된 본 발명의 범위내에서 여러가지 다른 선택, 적용 및 수정을 할 수 있다.

Claims (13)

  1. 방사선 원을 제공하기 위한 가스 방전 챔프를 갖고 있는 형태의 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프에 있어서, 램프 튜브를 방전 챔버 및 별도의 냉각 챔버로 나누는 상기 램프 튜브의 길이를 연장하는 중심에 배치된 벽을 갖고 있는 램프 튜브, 전기 아크가 상기 챔버를 통하여 통과될때 방사선 방출을 제공하기 위한 상기 방전 챔버내의 충분한 양의 가스, 전기 아크를 상기 방전 챔버를 통하여 제공하기 위한 수단, 및 상기 저압 가스 방전 램프의 동작중에 발생된 열을 제거하기 위해서 상기 냉각 챔버를 통하여 냉각 유체의 흐름을 제공하기 위한 냉각 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 램프 튜브가 석영으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 램프 튜브가 둥근것을 특징으로 하는 유체 냉각시 전압 가스 방전 램프.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 램프 튜브의 길이가 직선형인 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 램프 튜브가 사문형인 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 가스가 수은 증기로 구성되고 상기 방사선이 자외선 방사선으로 구성된 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각 유체가 물, 오일 및 프레온으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 액체인 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각 유체가 가스인 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프.
  9. 유체 냉각시 저압 가스 방전 램프 시스템에 있어서, 상기 시스템이 다각형 모양을 갖는 램프 둘레를 제공하기 위해 배치된 다수의 가스 방전 램프로 구성되고, 상기 가스 방전 램프가 방사선 원을 제공하기 위한 가스 방전 챔버를 갖고 있는 형태의 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프이며, 램프 튜브를 방전 챔버 및 별도의 냉각 챔버로 나누는 상기 램프 튜브의 길이를 연장하는 중심에 배치된 벽을 갖고 있는 램프 튜브, 전기 아그가 상기 챔버를 통하여 통과될 때 방사선 방출을 제공하기 위한 상기 방전 챔버내의 충분한 양의 가스, 전기 아크를 상기 방전 챔버를 통하여 제공하기 위한 수단, 및 상기 저압 가스 방전 램프의 동작 중에 발생된 열을 제거하기 위해서 상기 냉각 챔버를 통하여 냉각 유체의 흐름을 제공하기 위한 냉각 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 램프 둘레 모양이 원인 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 가스 램프들은 방전 챔버들이 램프둘레로부터 외향으로 면해 있는 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프 시스템.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 가스 램프들의 방전 챔버들이 램프 둘레로부터 내향으로 면해있는 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프 시스템.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 가스 램프들의 일부의 방전 챔버들이 램프 둘레로부터 외향으로 면해 있고 상기 가스 램프들의 나머지의 방전 챔버들이 램프 둘레로부터 내향으로 면해 있는 것을 특징으로 하는 유체 냉각식 저압 가스 방전 램프 시스템.
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KR900015245A KR900015245A (ko) 1990-10-26
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HK (1) HK106994A (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5600205A (en) * 1995-01-26 1997-02-04 Uvp, Inc. Bent tube lamp
DE19617346A1 (de) * 1996-04-30 1997-11-06 Pta Planungsbuero Fuer Tech Au Strahlungsquelle
SE513207C2 (sv) * 1996-12-12 2000-07-31 Tetra Laval Holdings & Finance Fluidumkyld urladdningslampa
JP3491566B2 (ja) * 1999-07-05 2004-01-26 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ
US6495800B2 (en) 1999-08-23 2002-12-17 Carson T. Richert Continuous-conduction wafer bump reflow system
US6755518B2 (en) * 2001-08-30 2004-06-29 L&P Property Management Company Method and apparatus for ink jet printing on rigid panels
DE10200026A1 (de) * 2002-01-02 2003-07-17 Philips Intellectual Property Gekühlte Hochdruckgasentladungslampe
JP2009535783A (ja) 2006-05-02 2009-10-01 スーパーバルブス・インコーポレイテッド プラスチックｌｅｄ電球
KR20090008316A (ko) 2006-05-02 2009-01-21 슈퍼불브스, 인크. Ｌｅｄ 및 그것으로 제조된 전구를 위한 광 분산 및 특정 파장의 우선적 스캐터링 방법
AU2007248758A1 (en) 2006-05-02 2007-11-15 Daniel Chandler Heat removal design for LED bulbs
US8439528B2 (en) 2007-10-03 2013-05-14 Switch Bulb Company, Inc. Glass LED light bulbs
WO2009054948A1 (en) 2007-10-24 2009-04-30 Superbulbs, Inc. Diffuser for led light sources
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
DE102011089090B4 (de) 2011-12-19 2014-07-03 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Gasentladungslampe mit Kühleinrichtung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2123709A (en) * 1930-04-08 1938-07-12 Louis J Bristow Therapeutic light ray apparatus
US1925155A (en) * 1930-10-27 1933-09-05 Sanders Oscar Lee Advertising signs
US1963962A (en) * 1931-06-01 1934-06-26 Fed Electric Co Illuminating device
GB470770A (en) * 1936-02-20 1937-08-20 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electric discharge lamps
DE659466C (de) * 1936-03-13 1938-05-04 Patra Patent Treuhand Elektrische Hochdruckdampfentladungslampe mit von Kuehlwasser durchflossenem Mantel
US2339906A (en) * 1939-07-17 1944-01-25 Richard H Barnes Apparatus for irradiating materials
US2473642A (en) * 1948-01-09 1949-06-21 Gen Electric Low-pressure electric discharge device
US2743388A (en) * 1953-09-08 1956-04-24 Samuel C Bartley Electric lamp
DE1131028B (de) * 1958-05-31 1962-06-07 Quarzlampen Gmbh Vorrichtung fuer die Belichtung von Medien zwecks Aufnahme von Ramanspektren mit einer Quecksilberdampflampe
GB1052513A (ko) * 1963-06-26 1900-01-01
GB1514281A (en) * 1975-10-24 1978-06-14 Claudgen Ltd Low pressure mercury vapour fluorescent electric discharge lamps
FR2574206B1 (fr) * 1984-12-05 1987-09-04 Delcourt Michel Cellule emettrice de lumiere, de luminance et de chromatismes variables et ecran obtenu par la juxtaposition d'une pluralite de cellules emettrices
KR900009084B1 (ko) * 1986-03-24 1990-12-20 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 저압 수은 램프
JPS6334845A (ja) * 1986-07-28 1988-02-15 Mitsubishi Electric Corp 白熱電球形螢光ランプ

Also Published As

Publication number Publication date
HK106994A (en) 1994-10-14
JPH02284344A (ja) 1990-11-21
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DE69009260D1 (de) 1994-07-07
KR900015245A (ko) 1990-10-26

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