JPH02284344A - 水冷低圧ガス放電灯 - Google Patents
水冷低圧ガス放電灯Info
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- JPH02284344A JPH02284344A JP2078554A JP7855490A JPH02284344A JP H02284344 A JPH02284344 A JP H02284344A JP 2078554 A JP2078554 A JP 2078554A JP 7855490 A JP7855490 A JP 7855490A JP H02284344 A JPH02284344 A JP H02284344A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/52—Cooling arrangements; Heating arrangements; Means for circulating gas or vapour within the discharge space
Landscapes
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は低圧ガスまたは水銀蒸気放電灯に関し、特にそ
のような低圧ガスまたは水銀蒸気放電灯を冷却する装置
および方法に関する。
のような低圧ガスまたは水銀蒸気放電灯を冷却する装置
および方法に関する。
[従来の技術]
光化学気相付着(フォトCVD )は、各種の基体上に
薄層の付着を光化学的にさせるために放射線を使用する
。この技術は、付着が実行されることができる温度が比
較的低いために特に普及される。
薄層の付着を光化学的にさせるために放射線を使用する
。この技術は、付着が実行されることができる温度が比
較的低いために特に普及される。
フォト(、VDは、選択された材料の薄膜をプラスチッ
ク、金属、ガラスおよび複合材料のような各種の異なっ
た基体上に付着するのに使用されることができる。この
処理は、通常の熱気相付着技術において要求される高温
に対して耐性がないプラスチックのような多数の基体を
取扱うのに特によく適している。
ク、金属、ガラスおよび複合材料のような各種の異なっ
た基体上に付着するのに使用されることができる。この
処理は、通常の熱気相付着技術において要求される高温
に対して耐性がないプラスチックのような多数の基体を
取扱うのに特によく適している。
180 nm (ナノメータ)乃至2B0nmの波長領
域の紫外線(UV)は、光化学反応を増加するために多
数のフォトCVD処理において普通に使用される。
域の紫外線(UV)は、光化学反応を増加するために多
数のフォトCVD処理において普通に使用される。
このUV放射線は、要求される波長領域において放射線
を与えることができる非常に安く最も適当で有効な光源
であるので、低圧水銀蒸気放電灯によって典型的に与え
られる。
を与えることができる非常に安く最も適当で有効な光源
であるので、低圧水銀蒸気放電灯によって典型的に与え
られる。
水銀蒸気は、185nmおよび254nmに放射ライン
を有する。これらの放射ラインは、温度がほぼ60℃乃
至70℃以下に保たれている間、水銀蒸気内の電気アー
クによって発生された光エネルギの大きい割合を持って
いる。高温で、エネルギ的な波長より短い蒸気放射にお
ける長い波長に変化する。
を有する。これらの放射ラインは、温度がほぼ60℃乃
至70℃以下に保たれている間、水銀蒸気内の電気アー
クによって発生された光エネルギの大きい割合を持って
いる。高温で、エネルギ的な波長より短い蒸気放射にお
ける長い波長に変化する。
これらの低いエネルギ放射は、多数のフォトCVD作用
に対して適当ではない。したがって、水銀蒸気放電灯の
温度が70℃以下に保たれることは重要である。
に対して適当ではない。したがって、水銀蒸気放電灯の
温度が70℃以下に保たれることは重要である。
[発明の解決すべき課題]
低圧水銀灯の冷却は、熱の実質的な量が低電力密度動作
間でさえ発生されるので多数の問題を有する。この問題
は、電力密度が多数のフォトCVD処理で要求される程
度まで増加されるとき付加的に熱が発生されるために、
大きく拡大される。
間でさえ発生されるので多数の問題を有する。この問題
は、電力密度が多数のフォトCVD処理で要求される程
度まで増加されるとき付加的に熱が発生されるために、
大きく拡大される。
通常の低圧水銀蒸気放電灯は、第2図の10に示されて
いる。ランプlOは、石英から通常作られる円形管12
を具備する。管12は、約20乃至500 ミリバール
の最大の圧力を生成するために、十分な水銀蒸気で満た
されている。電極I4およびIBは、蒸気を通して所望
のUV放電を生成するために電流およびアークを与える
。分割素子18は、全体の管の長さを増加することなく
アーク長を増加するために、一般に管内に配置される。
いる。ランプlOは、石英から通常作られる円形管12
を具備する。管12は、約20乃至500 ミリバール
の最大の圧力を生成するために、十分な水銀蒸気で満た
されている。電極I4およびIBは、蒸気を通して所望
のUV放電を生成するために電流およびアークを与える
。分割素子18は、全体の管の長さを増加することなく
アーク長を増加するために、一般に管内に配置される。
幾つかの異なった冷却装置は、第1図において示されて
いるようなランプを冷却するために使用される。例えば
、強制空気冷却はよく使用され、低電力密度動作に十分
な冷却を与える。残念ながら強制空気冷却は、高電力密
度で動作される冷却水銀蒸気放電灯に対しては一般に十
分ではない。
いるようなランプを冷却するために使用される。例えば
、強制空気冷却はよく使用され、低電力密度動作に十分
な冷却を与える。残念ながら強制空気冷却は、高電力密
度で動作される冷却水銀蒸気放電灯に対しては一般に十
分ではない。
水冷または幾つかのその他の液体冷却は、通常高電力ラ
ンプを十分に低温に保つために必要とされる。ランプ管
を完全に取囲む水ジャケットは十分な冷却を与える。し
かしながら水は、フォトCVD処理で必要とされる高エ
ネルギ波長を吸収する。
ンプを十分に低温に保つために必要とされる。ランプ管
を完全に取囲む水ジャケットは十分な冷却を与える。し
かしながら水は、フォトCVD処理で必要とされる高エ
ネルギ波長を吸収する。
例えば第2図の20で示されているように電極室を取囲
む液体冷却ジャケットを設け、19でジャケットに水を
入れ21で出すことが試みられている。
む液体冷却ジャケットを設け、19でジャケットに水を
入れ21で出すことが試みられている。
しかしながら水ジャケットは、ランプの反対の端部で水
銀蒸気の十分な冷却を与えない。さらにランプ■0のベ
ースの回りの水ジャケット20の使用は、ただでさえ大
きいランプの一番大きい部分をさらに大きくする。
銀蒸気の十分な冷却を与えない。さらにランプ■0のベ
ースの回りの水ジャケット20の使用は、ただでさえ大
きいランプの一番大きい部分をさらに大きくする。
上記から明らかなように、高エネルギUV光またはその
他の放射線を発生するランプの能力に悪影響を及ぼすこ
と無く最適の冷却を与えるために、低圧水銀蒸気または
ガス放電灯の冷却装置を改良することが必要である。
他の放射線を発生するランプの能力に悪影響を及ぼすこ
と無く最適の冷却を与えるために、低圧水銀蒸気または
ガス放電灯の冷却装置を改良することが必要である。
[課題解決のための手段]
本発明にしたがって、高エネルギ密度で最大の放射線の
放射を与えるためのランプを可能にする有効で簡単な液
体冷却装置を具備する低圧ガスまたは水銀蒸気放電灯が
提供される。
放射を与えるためのランプを可能にする有効で簡単な液
体冷却装置を具備する低圧ガスまたは水銀蒸気放電灯が
提供される。
本発明は、ランプ管の全体長に延在し放電室と冷却室と
にランプ管を分離するランプ管の内部に配置される壁を
有するランプ管を具備する流体冷却低圧ガスまたは水銀
蒸気放電灯に基づく。冷却用の入口と出口は、低圧ガス
または水銀灯の動作中に放電室で発生される熱を除去す
るために、冷却流体が冷却室を通過できるように設けら
れる。
にランプ管を分離するランプ管の内部に配置される壁を
有するランプ管を具備する流体冷却低圧ガスまたは水銀
蒸気放電灯に基づく。冷却用の入口と出口は、低圧ガス
または水銀灯の動作中に放電室で発生される熱を除去す
るために、冷却流体が冷却室を通過できるように設けら
れる。
電極は、水銀蒸気を介してアークを生成するために設け
られる。
られる。
冷却室を放電室から分離する中央壁は、熱の効果的な伝
達のために大きい表面領域を設ける。本発明は、使用さ
れる放射線を放射するランプのほとんどの部分のランプ
管とそのガスの中身を冷却状態に保つために、冷却装置
を利用する。しかしながら本発明は、基体に達するUV
放射線を阻止するような水の仕切を生成しない。代りに
、180 ’以上の範囲で高エネルギ放射を与える。こ
れは、既知の空冷放電灯のUVエネルギ密度の少なくと
も3倍の放射をする電力密度でランプに動作させること
を可能にする。これは、本発明に従うフォトCVD付着
速度を空気冷却灯に従う速度の3倍以上にさせる。
達のために大きい表面領域を設ける。本発明は、使用さ
れる放射線を放射するランプのほとんどの部分のランプ
管とそのガスの中身を冷却状態に保つために、冷却装置
を利用する。しかしながら本発明は、基体に達するUV
放射線を阻止するような水の仕切を生成しない。代りに
、180 ’以上の範囲で高エネルギ放射を与える。こ
れは、既知の空冷放電灯のUVエネルギ密度の少なくと
も3倍の放射をする電力密度でランプに動作させること
を可能にする。これは、本発明に従うフォトCVD付着
速度を空気冷却灯に従う速度の3倍以上にさせる。
冷却装置が任意の形状の管に容易に適合するので、本発
明によって各種の形状が利用されることができる。した
がって、ランプ管が直線であるか折返し型であるかに関
係なく、冷却室は最大の冷却効果を与える。さらに、3
(io ”の範囲の放射線が必要とされるとき、多数の
ランプ実施例は内方または外方のどちらかへ3609の
放射線を与えることが可能である。
明によって各種の形状が利用されることができる。した
がって、ランプ管が直線であるか折返し型であるかに関
係なく、冷却室は最大の冷却効果を与える。さらに、3
(io ”の範囲の放射線が必要とされるとき、多数の
ランプ実施例は内方または外方のどちらかへ3609の
放射線を与えることが可能である。
本発明の上記、および多数のその他の特徴および伴う利
点は、添付図面の関連において考えるとき以下の詳細な
説明を参照にすることによってより理解され、明らかに
なるであろう。
点は、添付図面の関連において考えるとき以下の詳細な
説明を参照にすることによってより理解され、明らかに
なるであろう。
[実施例]
本発明に従ったガスまたは水銀蒸気放電灯の第1の好ま
しい実施例は、第1図において22で示されている。説
明を容易にするために、以下の説明は水銀蒸気放電灯に
向ける。しかしながら、本発明は水銀蒸気放電灯に限定
されるわけではなく、むしろ電流またはアークが特定の
波長の放射を与えるためにガスを通して通過される任意
のガス放電灯を含むものである。ガスまたは水銀蒸気放
電灯22は、直線であることが好ましいランプ管24を
含む。ランプ管24の外周は円形であることが好ましい
が、正方形、長方形または三角形を含む任意の形態とす
ることができる。第1図および第3図に示されているよ
うに、壁2Bは水銀蒸気放電室28および分離冷却室3
0内へ管24を分割する。この壁2Bは第3図に示され
ているようにランプ管24の中央に配置されることが好
ましいが、水銀蒸気放電室28および冷却室30が等し
い大きさではないような中央ではない位置に配置される
こともまた可能である。さらにランプ管24は石英で形
成されることが好ましいが、Uv透明ガラスのような低
圧水銀蒸気放電灯において使用するのに適当であるその
他の材料から形成されることもできる。任意的にランプ
管24は、その他のガスさらに水銀蒸気と適合し、放電
灯において使用可能な材料で形成される。
しい実施例は、第1図において22で示されている。説
明を容易にするために、以下の説明は水銀蒸気放電灯に
向ける。しかしながら、本発明は水銀蒸気放電灯に限定
されるわけではなく、むしろ電流またはアークが特定の
波長の放射を与えるためにガスを通して通過される任意
のガス放電灯を含むものである。ガスまたは水銀蒸気放
電灯22は、直線であることが好ましいランプ管24を
含む。ランプ管24の外周は円形であることが好ましい
が、正方形、長方形または三角形を含む任意の形態とす
ることができる。第1図および第3図に示されているよ
うに、壁2Bは水銀蒸気放電室28および分離冷却室3
0内へ管24を分割する。この壁2Bは第3図に示され
ているようにランプ管24の中央に配置されることが好
ましいが、水銀蒸気放電室28および冷却室30が等し
い大きさではないような中央ではない位置に配置される
こともまた可能である。さらにランプ管24は石英で形
成されることが好ましいが、Uv透明ガラスのような低
圧水銀蒸気放電灯において使用するのに適当であるその
他の材料から形成されることもできる。任意的にランプ
管24は、その他のガスさらに水銀蒸気と適合し、放電
灯において使用可能な材料で形成される。
好ましい実施例において壁26は・石英から形成される
か、または壁2Bを含む材料が熱伝導性および電気絶縁
性である限りランプ管24と同じ材料で形成されること
が好ましい。壁24は、管の材料と適合する真空密セラ
ミックのようなその他の熱伝導性、電気絶縁性材料から
形成されることができる。
か、または壁2Bを含む材料が熱伝導性および電気絶縁
性である限りランプ管24と同じ材料で形成されること
が好ましい。壁24は、管の材料と適合する真空密セラ
ミックのようなその他の熱伝導性、電気絶縁性材料から
形成されることができる。
壁26は、所望ならば放電室28から冷却室30までの
熱伝達を増加するために熱伝導性粒子に含浸されること
ができる。任意の適当な材料は、ランプ管の材料および
水銀蒸気またはその他の使用されるガスに適合する限り
において使用されることが可能である。
熱伝達を増加するために熱伝導性粒子に含浸されること
ができる。任意の適当な材料は、ランプ管の材料および
水銀蒸気またはその他の使用されるガスに適合する限り
において使用されることが可能である。
第1図において31および32で示されている電極は、
水銀蒸気またはその他のガスを介して紫外線またはその
他の特別な放射線を生成する電気アークを生じるための
手段として設けられる通常の電極である。RF誘導、容
量性放電、またはマイクロ波手段を含む電気アークを与
えるその他の手段も使用されることができる。ガスまた
は蒸気の型式さらにその放電室28で使用される濃度と
圧力は臨界的なものではなく、ガス放電灯において通常
使用され°る任意の蒸気およびガスでよい。
水銀蒸気またはその他のガスを介して紫外線またはその
他の特別な放射線を生成する電気アークを生じるための
手段として設けられる通常の電極である。RF誘導、容
量性放電、またはマイクロ波手段を含む電気アークを与
えるその他の手段も使用されることができる。ガスまた
は蒸気の型式さらにその放電室28で使用される濃度と
圧力は臨界的なものではなく、ガス放電灯において通常
使用され°る任意の蒸気およびガスでよい。
ランプ管24は、冷却入口3Gを通して冷却室30に入
る冷却流体34によって冷却される。冷却流体34は、
冷却室30の冷却する全体長を通過し、冷却出口3Bを
通って出る。冷却室30を移動する液体は、高電力装置
が得られるようにランプ22の動作中に発生された熱を
除去し、一方温度は特別な波長または波長領域で放射を
最大にすることができる程度に保たれる。
る冷却流体34によって冷却される。冷却流体34は、
冷却室30の冷却する全体長を通過し、冷却出口3Bを
通って出る。冷却室30を移動する液体は、高電力装置
が得られるようにランプ22の動作中に発生された熱を
除去し、一方温度は特別な波長または波長領域で放射を
最大にすることができる程度に保たれる。
好ましい冷却流体は水であるが、しかしながらオイル、
フレオンまたは熱交換および冷却目的のために通常使用
されるその他の既知の液体またはガスのような、その他
の通常の冷却流体もまた使用されることができる。
フレオンまたは熱交換および冷却目的のために通常使用
されるその他の既知の液体またはガスのような、その他
の通常の冷却流体もまた使用されることができる。
装置の第2の好ましい実施例は、第4図において39に
示されている。ランプ管40は、ランプによって占めら
れた空間を実質的に増加することなく、アーク長を増加
するために蛇行した形状をしている。ランプ管40は、
第1図および第3図において示されているランプ管24
と同じ手段で冷却室および放電室に分割される。冷却流
体入口48は、ランプ管40の冷却室側に冷却流体を導
入するために設けられる。冷却流体は管40の全体長を
通過し、出口50を通して除去される。これは、冷却流
体が蛇行した形状の管40の全体長上で熱を交換し除去
するために、特に効果的な熱除去機器を提供する。
示されている。ランプ管40は、ランプによって占めら
れた空間を実質的に増加することなく、アーク長を増加
するために蛇行した形状をしている。ランプ管40は、
第1図および第3図において示されているランプ管24
と同じ手段で冷却室および放電室に分割される。冷却流
体入口48は、ランプ管40の冷却室側に冷却流体を導
入するために設けられる。冷却流体は管40の全体長を
通過し、出口50を通して除去される。これは、冷却流
体が蛇行した形状の管40の全体長上で熱を交換し除去
するために、特に効果的な熱除去機器を提供する。
結果として、均一な熱除去が実行され、ランプ管24の
別々の部分の局所化された過熱は回避される。
別々の部分の局所化された過熱は回避される。
通常の電極47および49は、よく知られているように
放電室内の水銀蒸気またはその他のガスを介して電気ア
ークを生成するために設けられる。
放電室内の水銀蒸気またはその他のガスを介して電気ア
ークを生成するために設けられる。
本発明の第3の好ましい典型的な実施例は、第6図にお
いて全体を51で示されている。ランプ51は、4個の
分離したランプ素子52から構成される。
いて全体を51で示されている。ランプ51は、4個の
分離したランプ素子52から構成される。
個々のランプ素子52の側面図および断面図は、それぞ
れ第5図および第7図に示されている。
れ第5図および第7図に示されている。
各ランプ素子52はランプ管54を具備する。中央壁5
5は、冷却室60と放電室B2にランプ管54を分離す
るための前の実施例と同様の方法において設けられる。
5は、冷却室60と放電室B2にランプ管54を分離す
るための前の実施例と同様の方法において設けられる。
冷却流体入口5Bは、冷却室BO内に冷却流体を導入す
るために設けられる。冷却流体は蛇行した形状のランプ
管54の全体長を通過し、出口58を通して出る。通常
の電極57および59は、放電室62内の電気アークを
生成するために設けられる。実施例の全てにおいて、電
極および電極を収容する室は冷却装置から分離され、水
銀蒸気またはガスが配置される放電室にのみ接続される
ことを注意すべきである。
るために設けられる。冷却流体は蛇行した形状のランプ
管54の全体長を通過し、出口58を通して出る。通常
の電極57および59は、放電室62内の電気アークを
生成するために設けられる。実施例の全てにおいて、電
極および電極を収容する室は冷却装置から分離され、水
銀蒸気またはガスが配置される放電室にのみ接続される
ことを注意すべきである。
第6図において4個の個々のランプ素子52は、放電室
62が円形ランプ配列の外周に配列されるように、円形
パターンで配列される。この配列は、個々のランプが単
独で使用されるとき不可能である360 ”紫外線発光
を与える。
62が円形ランプ配列の外周に配列されるように、円形
パターンで配列される。この配列は、個々のランプが単
独で使用されるとき不可能である360 ”紫外線発光
を与える。
さらに第6図において示されている実施例において、個
々のランプ素子52は、放電室62がランプ周囲の内側
に全て配置されるような形態にすることもできる。この
特別な配置は、ランプ周囲の全ての配置から均一な内方
放射をさせることを可能にする。この配置は、限定され
たランプ周囲内の単一の位置の材料の高電力密度放射を
与えることが所望される管状のりアクタおよびその他の
手段においてフォトCVDによく適している。円形ラン
プ配置は第6図に示されているけれども、四角形配列、
6角形配列およびその他の多角形配列のようなその他の
配置も可能である。さらに所望ならば、ランプ周囲から
外部および内部の両者の放射が所望であるならば個々の
素子52の配向は交互にされることが可能である。
々のランプ素子52は、放電室62がランプ周囲の内側
に全て配置されるような形態にすることもできる。この
特別な配置は、ランプ周囲の全ての配置から均一な内方
放射をさせることを可能にする。この配置は、限定され
たランプ周囲内の単一の位置の材料の高電力密度放射を
与えることが所望される管状のりアクタおよびその他の
手段においてフォトCVDによく適している。円形ラン
プ配置は第6図に示されているけれども、四角形配列、
6角形配列およびその他の多角形配列のようなその他の
配置も可能である。さらに所望ならば、ランプ周囲から
外部および内部の両者の放射が所望であるならば個々の
素子52の配向は交互にされることが可能である。
本発明にしたがった第5図に示されているような水銀蒸
気ランプ素子によって達成されるUV強度の測定は、ニ
ューシャーシー州のニューアークのCanrad ll
anovla社の特別な型式68BA 45の低圧力、
空冷の、ヘアピン形状の水銀灯と比較された。
気ランプ素子によって達成されるUV強度の測定は、ニ
ューシャーシー州のニューアークのCanrad ll
anovla社の特別な型式68BA 45の低圧力、
空冷の、ヘアピン形状の水銀灯と比較された。
両方のUVランプは、UV光フォトメータから6.5c
■の水平な部分に配置される。この8.5c層は、平坦
なフォトCVD室の光源と基体の間の典型的な距離であ
る。UVフォトメータは、カルフォルニア州サンガブリ
エルの旧traviolet ProductsのUv
x型である。UVフォトメータは、通常の水銀感度フォ
トCVD処理のために必要である2537オンゲストロ
ームの波長に同調された。
■の水平な部分に配置される。この8.5c層は、平坦
なフォトCVD室の光源と基体の間の典型的な距離であ
る。UVフォトメータは、カルフォルニア州サンガブリ
エルの旧traviolet ProductsのUv
x型である。UVフォトメータは、通常の水銀感度フォ
トCVD処理のために必要である2537オンゲストロ
ームの波長に同調された。
従来技術に相当するハノバイアランプによって、フォト
メータで得られる最大電力密度は4.84 mV/e1
2である。本発明の水冷放電灯によって、得られれる最
大電力密度は13.05 mV/cIm”である。これ
から認められるような本発明のランプ素子は、使用可能
なUVエネルギ密度において通常のパノバイアランブの
2.7倍の有効の増加が得られる。
メータで得られる最大電力密度は4.84 mV/e1
2である。本発明の水冷放電灯によって、得られれる最
大電力密度は13.05 mV/cIm”である。これ
から認められるような本発明のランプ素子は、使用可能
なUVエネルギ密度において通常のパノバイアランブの
2.7倍の有効の増加が得られる。
本発明のランプ素子によって与えられた増加されたUV
エネルギ密度は、光化学反応のための増加されたエネル
ギおよび増加された付着速度を達成する。
エネルギ密度は、光化学反応のための増加されたエネル
ギおよび増加された付着速度を達成する。
したがって、本発明の開示された典型的な実施例は単な
る例示的なものであって、その他の各種応用および修正
が当業者によって、特許請求の範囲でのみ限定される本
発明の技術的範囲において達成可能であることを注意す
べきである。
る例示的なものであって、その他の各種応用および修正
が当業者によって、特許請求の範囲でのみ限定される本
発明の技術的範囲において達成可能であることを注意す
べきである。
第1図は、本発明の第1の実施例の水冷低圧ガスまたは
水銀放電灯の側面図である。 第2図は、従来の水銀放電灯の側面図である。 第3図は、第2図の■−■平面における本発明の実施例
の水冷低圧ガスまたは水銀灯の端部断面図である。 第4図は、本発明の第2の実施例の水冷低圧ガスまたは
水銀灯の側面図である。 第5図は、本発明の第3の実施例の水冷低圧ガスまたは
水銀灯の1つのランプ素子の側面図である。 第6図は、本発明の第3の実施例の水冷低圧ガスまたは
水銀灯の正面図である。 第7図は、第5図の■−■平面における本発明の第3の
実施例の水冷低圧ガスまたは水銀灯の1つのランプ素子
の底部の断面図である。 22・・・水銀蒸気放電灯、24・・・ランプ管、26
・・・壁、28・・・放電室、30・・・冷却室、31
.32・・・電極、34・・・冷却流体、36・・・冷
却人口、38・・・冷却出口。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
水銀放電灯の側面図である。 第2図は、従来の水銀放電灯の側面図である。 第3図は、第2図の■−■平面における本発明の実施例
の水冷低圧ガスまたは水銀灯の端部断面図である。 第4図は、本発明の第2の実施例の水冷低圧ガスまたは
水銀灯の側面図である。 第5図は、本発明の第3の実施例の水冷低圧ガスまたは
水銀灯の1つのランプ素子の側面図である。 第6図は、本発明の第3の実施例の水冷低圧ガスまたは
水銀灯の正面図である。 第7図は、第5図の■−■平面における本発明の第3の
実施例の水冷低圧ガスまたは水銀灯の1つのランプ素子
の底部の断面図である。 22・・・水銀蒸気放電灯、24・・・ランプ管、26
・・・壁、28・・・放電室、30・・・冷却室、31
.32・・・電極、34・・・冷却流体、36・・・冷
却人口、38・・・冷却出口。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (9)
- (1)放射線源を設けるためにガス放電室を具備する型
の流体冷却低圧ガス放電灯において、放電室と、それか
ら分離された冷却室とにランプ管を分割する前記ランプ
管の長手方向に延在する中央に配置された壁を具備する
ランプ管と、電気アークが前記放電室を通過するとき、
放射線の発生を与えるための前記放電室で十分な量のガ
スと、 前記放電室を通る電気アークを生成させる手段と、 前記低圧ガス放電灯の動作中に発生される熱を除去する
ために、前記冷却室を通って冷却流体を流す冷却手段と
を具備する放電灯。 - (2)前記ランプ管が石英で形成される請求項1記載の
放電灯。 - (3)前記ランプ管が円形である請求項2記載の放電灯
。 - (4)前記ランプ管長が直線である請求項3記載の放電
灯。 - (5)前記ランプ管が蛇行した形状である請求項3記載
の放電灯。 - (6)前記ガスが水銀蒸気から成り、前記放射線が紫外
線から成る請求項1記載の放電灯。 - (7)前記冷却流体が、水、オイル、フレオンから成る
群から選択された液体である請求項1記載の放電灯。 - (8)前記冷却流体がガスである請求項1記載の放電灯
。 - (9)多角形のランプ周囲を設けるために配置された請
求項1にしたがった複数のガス放電灯を具備する流体冷
却低圧ガス放電灯装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/329,050 US4994705A (en) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Water-cooled, low pressure gas discharge lamp |
US329,050 | 1989-03-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02284344A true JPH02284344A (ja) | 1990-11-21 |
JPH0546052B2 JPH0546052B2 (ja) | 1993-07-12 |
Family
ID=23283655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2078554A Granted JPH02284344A (ja) | 1989-03-27 | 1990-03-27 | 水冷低圧ガス放電灯 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4994705A (ja) |
EP (1) | EP0389758B1 (ja) |
JP (1) | JPH02284344A (ja) |
KR (1) | KR920005006B1 (ja) |
DE (1) | DE69009260T2 (ja) |
HK (1) | HK106994A (ja) |
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DE19617346A1 (de) * | 1996-04-30 | 1997-11-06 | Pta Planungsbuero Fuer Tech Au | Strahlungsquelle |
SE513207C2 (sv) * | 1996-12-12 | 2000-07-31 | Tetra Laval Holdings & Finance | Fluidumkyld urladdningslampa |
JP3491566B2 (ja) * | 1999-07-05 | 2004-01-26 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ |
US6495800B2 (en) | 1999-08-23 | 2002-12-17 | Carson T. Richert | Continuous-conduction wafer bump reflow system |
US6755518B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-06-29 | L&P Property Management Company | Method and apparatus for ink jet printing on rigid panels |
DE10200026A1 (de) * | 2002-01-02 | 2003-07-17 | Philips Intellectual Property | Gekühlte Hochdruckgasentladungslampe |
AU2007248756A1 (en) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Carol Lenk | Method of light dispersion and preferential scattering of certain wavelengths of light for light-emitting diodes and bulbs constructed therefrom |
CA2645353A1 (en) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Superbulbs, Inc. | Plastic led bulb |
BRPI0710966A2 (pt) | 2006-05-02 | 2012-02-28 | Superbulbs, Inc | projeto de remoção de calor para bulbos de led |
WO2009045438A1 (en) | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Superbulbs, Inc. | Glass led light bulbs |
US8415695B2 (en) * | 2007-10-24 | 2013-04-09 | Switch Bulb Company, Inc. | Diffuser for LED light sources |
US8591069B2 (en) | 2011-09-21 | 2013-11-26 | Switch Bulb Company, Inc. | LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots |
DE102011089090B4 (de) | 2011-12-19 | 2014-07-03 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Gasentladungslampe mit Kühleinrichtung |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2123709A (en) * | 1930-04-08 | 1938-07-12 | Louis J Bristow | Therapeutic light ray apparatus |
US1925155A (en) * | 1930-10-27 | 1933-09-05 | Sanders Oscar Lee | Advertising signs |
US1963962A (en) * | 1931-06-01 | 1934-06-26 | Fed Electric Co | Illuminating device |
GB470770A (en) * | 1936-02-20 | 1937-08-20 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to electric discharge lamps |
DE659466C (de) * | 1936-03-13 | 1938-05-04 | Patra Patent Treuhand | Elektrische Hochdruckdampfentladungslampe mit von Kuehlwasser durchflossenem Mantel |
US2339906A (en) * | 1939-07-17 | 1944-01-25 | Richard H Barnes | Apparatus for irradiating materials |
US2473642A (en) * | 1948-01-09 | 1949-06-21 | Gen Electric | Low-pressure electric discharge device |
US2743388A (en) * | 1953-09-08 | 1956-04-24 | Samuel C Bartley | Electric lamp |
DE1131028B (de) * | 1958-05-31 | 1962-06-07 | Quarzlampen Gmbh | Vorrichtung fuer die Belichtung von Medien zwecks Aufnahme von Ramanspektren mit einer Quecksilberdampflampe |
GB1052513A (ja) * | 1963-06-26 | 1900-01-01 | ||
GB1514281A (en) * | 1975-10-24 | 1978-06-14 | Claudgen Ltd | Low pressure mercury vapour fluorescent electric discharge lamps |
FR2574206B1 (fr) * | 1984-12-05 | 1987-09-04 | Delcourt Michel | Cellule emettrice de lumiere, de luminance et de chromatismes variables et ecran obtenu par la juxtaposition d'une pluralite de cellules emettrices |
KR900009084B1 (ko) * | 1986-03-24 | 1990-12-20 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 | 저압 수은 램프 |
JPS6334845A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 白熱電球形螢光ランプ |
-
1989
- 1989-03-27 US US07/329,050 patent/US4994705A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-02-02 EP EP90102116A patent/EP0389758B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-02 DE DE69009260T patent/DE69009260T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-26 KR KR1019900004038A patent/KR920005006B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-03-27 JP JP2078554A patent/JPH02284344A/ja active Granted
-
1994
- 1994-10-06 HK HK106994A patent/HK106994A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4994705A (en) | 1991-02-19 |
EP0389758A2 (en) | 1990-10-03 |
EP0389758A3 (en) | 1990-12-19 |
JPH0546052B2 (ja) | 1993-07-12 |
KR920005006B1 (ko) | 1992-06-22 |
HK106994A (en) | 1994-10-14 |
EP0389758B1 (en) | 1994-06-01 |
KR900015245A (ko) | 1990-10-26 |
DE69009260T2 (de) | 1994-09-08 |
DE69009260D1 (de) | 1994-07-07 |
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