KR920001150B1 - 자기헤드의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

자기헤드의 제조방법
제1도는 본원 발명의 실시예에 있어서의 에칭 전의 개략 단면도.
제2도는 에칭 후의 개략 단면도.
제3도는 연마 후의 개략 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 슬라이더 2 : 경물질
4,19 : 부상면 11 : 자기헤드소체
21 : 자기기록매체
본원 발명은 슬라이더(slider)와 자기헤드소체(素體)를 일체화하여 이루어지는 자기헤드의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 자기헤드의 제조방법으로서는 자기기록매체에 대향하여 이동하는 예를들면 Al2O3와 경물질(硬物質)인 티탄카바이드 TiC(티탄의 탄소화합물)를 함유하는 앨틱(altic)재로 된 슬라이더와, 앨틸재보다 연한 소재로 이루지며, 또한 상기 매체의 정보의 기입, 독출을 행하는 자기헤드소체를 일체화한 후, 슬라이더 및 자기헤드소체에 있어서의 상기 매체에 대한 부상면(浮上面)측을 연마하는 방법이 알려져 있다.
그런데, 최근 기록밀도를 높이기 위해서 자기기록매체와 자기헤드소체와의 간격을 매우 작게 하는 것이 요구되고, 있다. 이 요구에 대응하기 위해 상기 제조방법에서는 자기헤드의 상기 매체로부터의 부상높이를 낮게 하는 것이 도모되고 있다.
그런데, 상기 자기헤드의 제조방법에서는 자기헤드와 자기기록매체와의 접촉에 의한 마모를 방지하기 위해서, 자기헤드의 부상높이는 일정 한계보다 낮게 할 수 없는 문제가 있었다.
또한 경물질을 함유하는 슬라이더의 연마는 곤란하지만 슬라이더보다 연한 자기헤드소체의 연마는 곤란하지 않다. 이 때문에 자기헤드소체의 연마량은 슬라이더의 연마량보다도 많아져서, 자기헤드소체에는 커다란 리세싱(recessing)이 발생한다.
그 결과, 자기헤드소체와 자기기록매체와의 간격이 증대되는 문제가 있었다.
본원 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 슬라이더의 연마를 용이하게 하여 자기헤드소체의 연마량을 감소시킴으로써, 리세싱을 작게 하여 자기헤드소체와 자기기록매체와의 간격증대를 방지한 자기헤드의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 문제를 해결하기 위해서, 본원 발명은 슬라이더의 부상면측의 경물질을 에칭(etching)하여 제거한 다음 연마를 하는 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 구성에 의해서, 슬라이더의 부상면측의 연마는 용이해진다. 따라서, 자기헤드소체의 연마량은 감소하므로 리세싱은 작아진다. 그러므로 자기헤드소체와 자기기록매체와의 간격은 작아지고, 자기기록에 있어서의 스페이싱 로스가 작아진다.
이하, 본원 발명의 일실시예를 제1도, 제2도 및 제3도에 의거하여 설명한다.
본원 발명에 관한 자기헤드의 제조방법에서는, 자기기록매체(21)에 대하여 이동하는 슬라이더(1)와 자기기록매체(21)의 정보의 기입, 독출을 행하는 자기헤드소체(11)가 형성되어 있다.
슬라이더(1)는 예를들면 TiC로 된 경물질(2)과 예를들면 Al2O3로 된 연물질(軟物質)(3)을 가진 앨틱재로 형성되어 있고, 하부측에 자기기록매체(21)에 대향하는 부상면(4)이 형성되어 있다.
자기헤드소체(11)는 도면에 있어서의 슬라이더(1)의 우측에 일체화 되어 형성되어 있으며, 슬라이더(1)의 부상면(4)과 같은 쪽에 부상면(19)이 형성되어 있다. 이 자기헤드소체(11)의 구성을 더욱 상세히 설명한다.
상기 자기헤드소체(11)는 슬라이더(1)의 도면에 있어서의 우측에 형성되는 Al2O3등으로 된 절연층(12)과, 절연층(12)의 우측에 형성되는 퍼말로이(permalloy)등으로 된 자성체(慈性體)(13)와, 자성체(13)의 우측에 형성되는 Al2O3,SiO2등으로 된 갭(gap)층(14)과, 우측에 형성되는 유기절연층(15)과, 유기절연층(15)내에 설치되는 코일(16)과, 유기절연층(15)의 우측으로부터 갭층(14)의 우측상부에 이르는 범위에 형성되는 퍼말로이 등으로 이루어지는 자성체(17)와, 장성체(17)의 우측에 형성되는 Al2O3등으로 된 보호막(18)으로 형성되어 있다.
상기 자기헤드소체(11) 및 슬라이더(1)의 각 부상면(19) 및 (4)은 종래에는 제1도에 부호TH로 나타낸 스로트하이트가 원하는 치수가 되도록, 연마하여 형성하고 있었다. 이 연마는 예를들면 주석반상(朱錫盤上)에서 최대 0.25㎛ 입경의 다이아몬드슬러리를 사용하여 행하고 있다.
그러나, 상술한 바와 같이 이 연마에 의해 슬라이더부에 비해 연한 자기헤드소체측의 부상면 쪽이 지나치게 깍여져서 제1도에 D1으로 나타낸 바와 간이 수백 Å정도의 리세싱이 발생하고 있었다.
본원 발명은 부상면 형성을 위한 연마를 2단계로 나누고, 양 연마의 사이에 리액티브이온에칭공정을 추가 한 것을 특징으로 한다. 이들 과정을 상세히 설명한다. 처음에, 스로트하이트의 목표치수가 가까이(예를들면 1.03㎛)까지 연마한다. 다음에, 후술하는 리액티브이온에칭공정에서 슬라이더측의 경물질(2)(TiC부)을 예를들면 0.05㎛(=500Å) 에칭한다.(제2도에 부호 A로 나타낸 부분, 이때 TiC에 비해 연한 연물질(3)인 Al2O3부는 수십 Å정도밖에 에칭되지 않는다). 그후 양 부상면을 다시 연마한다. 이 재연마는 상기 에칭에 의하여 경물질(2)이 제거된 결과, 아래쪽으로 돌출하도록 된 부상면(4)측의 연물질(3)의 삭제를 주체로 하는 것이며, 자기헤드소체(11)의 스로트하이트(제3도의 부호 TH)가 1㎛정도로 되면 연마를 종료한다.
이로써, 통상의 연마만으로는 리세싱(제1도 D1)이 수백 Å로 되어 버리지만, 제3도에 D2로 나타낸 바와같이 수십 Å정도로 되고, 이 리세싱 D2에 부상높이 H(0.3㎛∼0.1㎛)를 가한 각각 간격 S가 H에 가까와진 것으로 된다.
다음에, 상기 리액티브이온에칭공정에 대하여 설명한다.
리액티브이온에칭을 위하여, 평행평판형 에칭장치를 준비한다. 이 안에 피가공물인 자기헤드를 넣는다.
다음에, 에칭장치내에 예를들면 CF4또는 CF4에 O2를 가한 개스를 충진하고, RF전압을 인가한다. 그러면, 에칭장치내에 이들 개스에 의한 플라즈마가 발생하고, 이 플라즈마에 반응하기 쉬운 TiC부가 선택적으로 에칭되게 된다. 이 에칭속도는 가스압, 전압 및 시간에 의해 제어할 수 있다. 예를들면, CF4개스를 사용하여 개스압을 8×10-3(mbar)로 유지하고, 1500(W)의 전력을 가한 경우, 1(nm/초)정도의 에칭속도가 얻어진다. 따라서, 상기 0.05㎛정도의 에칭에는 약 1분 못되는 시간을 요하게 된다.
또한 앨틱재로 된 슬라이더(1)의 경물질(2)을 선택적으로 제거한 자기헤드가 콘택트 스타트 스톱(centact star stop)방식을 취하는 경우에는 바람직한 영향을 미친다는 것은 예를들면 미합중국 특허 제4549,238호 명세서에 개시되어 있는 바와 같다.
다음에, 작용에 대하여 설명한다.
상기 구성에 의해서, 자기헤드소체(11)의 부상면(19)과 자기기록매체(21)와의 간격 S는 리세싱 D2가 리세싱 D1보다 작은 분만큼 축소된다. 따라서, 자기헤드소체(11)을 구비한 스페이싱 로스가 적은 기록재생이 가능해져 고밀도기록에 적합한 것으로 된다.
또한, 상기 실시예에서는 앨틱재를 사용한 슬라이더(1)를 설명하였으나, 이에 한정되는 것이 아니고, 본원 발명에서는 에칭 및 에칭개스에 의해서 선택적으로 견고한 부분만이 제거되는 소재로 슬라이더(1)를 형성할 수도 있다.
이상 설명한 바와같이, 본원 발명은 슬라이더의 부상면측의 경물질을 에칭하여 제거한 다음, 연마하도록 한 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 슬라이더의 연마는 용이해지고, 자기헤드소체의 연마량은 슬라이더의 연마량보다 많아지지 않으므로 자기헤드소체의 리세싱은 작아진다. 그 결과, 자기헤드소체의 부상면과 자기기록매체와의 간격은 축소되어서 스페이싱 로스가 적은 기록재생이 가능해진다.
따라서, 고밀도기록에 적합한 자기헤드를 제공할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (3)

  1. 경물질(硬物質)을 함유하고, 자기기록매체에 대향하여 이동하는 슬라이더와, 상기 매체의 정보의 기입 및 독출을 행하는 자기헤드소체를 일체화 하고, 상기 슬라이더 및 자기헤드소체에 있어서의 부상면(浮上面)측을 연마하도록 한 자기헤드의 제조방법에 있어서, 상기 슬라이더의 부상측면의 상기 경물질을 에칭하여 제거한 다음 상기 연마를 행하도록 한 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 경물질을 티탄카바이드 TiC로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에칭은 CF4또는CF4에 O2를 가한 개스에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
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