KR910014944A - 반도체 집적회로장치 - Google Patents

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KR910014944A
KR910014944A KR1019910000268A KR910000268A KR910014944A KR 910014944 A KR910014944 A KR 910014944A KR 1019910000268 A KR1019910000268 A KR 1019910000268A KR 910000268 A KR910000268 A KR 910000268A KR 910014944 A KR910014944 A KR 910014944A
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스헤이 야마구찌
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세끼가와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
하니 도시유끼
후지쓰 브이엘에스아이 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 레벨 변화 반도체 집적회로의 본래 장치를 보여주는 회로도, 제3도는 본 발명에 따른 센스증폭기에 이용된 레벨 변화 반도체 집적회로를 보여주는 블록도, 제4도는 본 발명의 실시예에 따른 레벨 변화 반도체 집적회로를 보여주는 회로도.

Claims (4)

  1. 레벨 변화 반도체 집적회로에 있어서, 직렬 접속된 제1바이폴라 트랜지스터와 제1 MOSFET를 포함하고, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터는 상기 제1 MOSFET의 한단자에 접속되고, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 콜렉터는 고-전위 전원에 접속되고, 상기 제1 MOSFET의 다른 단자는 저-전위 전원에 접속된 제1전류 경로 및 직렬접속된 제2바이폴라 트랜지스터와 제2 MOSFET를 포함하고, 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터는 제2 MOSFET의 한단자에 접속되고, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 콜렉터는 고-전위 전원에 접속되며, 상기 제2 MOSFET의 다른 단자는 저-전위 전원에 접속되어있는 제2전류 경로로 구성되고, 상기 제1 MOSFET의 게이트는 상기 제2전류 경로의 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터에 크로스-접속되고 상기 제2 MOSFET의 게이트는 상기 제1전류 경로의 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터에 크로스 접속되고, 상기 제1및 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터는 출력신호를 제공하고, 다른 신호를 가지는 적어도 2종류의 입력신호는 상기 제1및 제2전류 경로의 각각의 제1및 제2입력수단에 동시에 인가되어 상기 제1및 제2전류경로를 통하여 흐르는 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 레벨 변화 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2바이폴라 크랜지스터의 베이스에 인가된 신호는 다른 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 레벨 변화 반도체 집적회로
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 MOSFET와 저-전위 전원 사이에 형성된 제3 MOSFET 및, 상기 제2 MOSFET와 저-전위 전원사이에 형성된 제4 MOSFET로 구성되고, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 베이스는 제1입력신호(IN1)를 수신하고, 상기 제3 MOSFET의 게이트는 제2입력신호(IN2)를 수신하고, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 베이스는 제2입력신호(IN2)를 수신하고 상기 제4 MOSFET의 게이트는 제1입력신호(IN1)를 수신하는 것을 특징으로 하는 레벨 변화 반도체 집적회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2전류 경로의 상기 제1 및 제2입력수단은 각각은, 직렬 접속된 제1 전도형의 제5 MOSFET와 제2전도형의 제7 MOSFET를 포함하고, 제5 MOSFET의 한 단자는 고전위 전원에 접속되고, 제7 MOSFET의 한 단자는 저전위 전원에 접속된 제1 회로 및 직렬 접속된 제1 전도형의 제6 MOSFET와 제2전도형의 제8 MOSFET를 포함하고, 제6 MOSFET의 한 단자는 고전위 전원에 접속되고, 상기 제8 MOSFET의 한 단자는 저전위 전원에 접속되 제2회로로 구성되고, 상기 제1및 제2회로는 서로 병렬 접속되고, 상기 제7및 제8 MOSFET의 게이트 서로 접속되고, 상기 제7 MOSFET의 게이트는 상기 제5및 제7 MOSFET사이의 노우드에 접속되고, 제6및 제8 MOSFET사이의 노우드는 상기 입력수단의 출력부이며 상기 제5및 제6 MOSFET의 게이트는 각각 다른 신호를 가지는 2종류의 입력신호를 수신하는 입력단자이며, 상기 제1입력수단의 출력부는 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 베이스에 접속되고, 상기 제2입력수단의 출력부는 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 베이스에 접속되고, 상기 입력수단에서 , 상기 제5 MOSFET의 게이트는 제1 입력신호(IN1)를 수신하고, 상기 제6 MOSFET의 게이트는 제2입력신호(IN2)를 수신하고, 상기 입력수단에서, 상기 제5 MOSFET의 게이트는 제2 입력신호(IN2)를 수신하고, 상기 제6 MOSFET의 게이트는 제1입력신호(IN1)를 수신하는 것을 특징으로 하는 레벨 변화 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910000268A 1990-01-10 1991-01-10 반도체 집적회로장치 KR940010834B1 (ko)

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JP2002729A JPH03207112A (ja) 1990-01-10 1990-01-10 半導体集積回路装置
JP2-2728 1990-01-10
JP2-2729 1990-01-10
JP2002728A JPH03207093A (ja) 1990-01-10 1990-01-10 半導体集積回路装置

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KR940010834B1 KR940010834B1 (ko) 1994-11-17

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KR940010834B1 (ko) 1994-11-17
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