KR910014345A - 디아조디술폰 - Google Patents

디아조디술폰

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KR910014345A
KR910014345A KR1019910001466A KR910001466A KR910014345A KR 910014345 A KR910014345 A KR 910014345A KR 1019910001466 A KR1019910001466 A KR 1019910001466A KR 910001466 A KR910001466 A KR 910001466A KR 910014345 A KR910014345 A KR 910014345A
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KR
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formula
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diazomethane
vii
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KR1019910001466A
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후미요시 우라노
마사아끼 나까하다
히로도시 후지에
게이지 오오노
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다나까 모도아끼
와꼬오 쥰야꾸 고오교오 가부시기가이샤
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B5/00—Machines or devices designed for grinding surfaces of revolution on work, including those which also grind adjacent plane surfaces; Accessories therefor
    • B24B5/36—Single-purpose machines or devices
    • B24B5/37—Single-purpose machines or devices for grinding rolls, e.g. barrel-shaped rolls
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

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  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

내용 없음

Description

디아조디술폰
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예 1에서 수득한 비스-시클로헥실술포닐 디아조메탄의 아세토니트릴 용액의 UV 스펙트럼 곡선을 나타낸 그래프.

Claims (5)

  1. 하기 구조식(Ⅰ)의 디아조디술폰 화합물
    위의 식에서 R1은 탄소원자수 3~8의 측쇄달린 또는 고리형의 알킬 그룹이고, R2는 탄소원자수 1~8의 직쇄상 또는 측쇄달린 또는 고리형의 알킬 그룹이다.
  2. (가) 하기 구조식(a)의 화합물과 파라포름알데히드 또는 HCl을 반응시켜 하기구조식(Ⅵ)의 화합물을 얻고
    R1SH (a)
    R1SCH2Cl (Ⅵ)
    (위의 식에서 R1은 제1항에서 정의된 바와 같음).
    (나) 구조식(Ⅵ)의 화합물을 하기 구조식(b)의 화합물과 염기 존재하에 반응시켜 하기 구조식(Ⅷ)의 화합물을 얻으며,
    R2SH (b)
    R1SCH2SR2(Ⅷ)
    (위의 식에서 R1과 R2는 제1항에서 정의된 바와 같음).
    (다) 구조식(Ⅷ)의 화합물을 과산화 수소와 반응시켜 하기 구조식(Ⅸ)의 화합물을 얻은 다음
    R1SO2CH2SO2R2(Ⅸ)
    (위의 식에서 R1과 R2는 앞서 정의된 바와 같음).
    (라) 구조식(Ⅸ)의 화합물과 토실아지드를 염기존재하에 반응시키는 제1항의 디아조디술폰 화합물의 제조방법.
  3. (가) 하기 구조식(a)의 화합물을 염기존재하에 하기 구조식(b)의 화합물 및 메틸렌 클로라이드와 반응시켜 하기구조식(Ⅷ)의 화합물을 얻고,
    R1SH (a)
    R2SH (b)
    R1SCH2SR2(Ⅷ)
    (위의 식에서 R1과 R2는 제1항에서 정의된 바와 같음).
    (나) 구조식(Ⅷ)의 화합물을 과산화수소와 반응시켜 하기구조식(Ⅸ)의 화합물을 얻은 다음
    R1SO2CH2SO2R2(Ⅸ)
    (위의 식에서 R1과 R2는 앞서 정의된 바와 같음).
    (다) 구조식(Ⅸ)의 화합물과 토실아지드를 염기존재하에 반응시키는 제1항의 디아조디술폰 화합물 제조방법.
  4. 제1항에 있어서 R1이 시클로펜틸 그룹, 시클로헥실 그룹, 이소프로필 그룹, sec-부틸 그룹, tert-부틸그룹 또는 이소아밀 그룹이고, R2는 메틸그룹, 에틸 그룹, 시클로펜틸 그룹, 시클로헥실그룹, 이소프로필 그룹, sec-부틸그룹, tert-부틸그룹 또는 이소아밀 그룹인 디아조디술폰 화합물.
  5. 제1항에 있어서, 비스 (시클로헥실술포닐) 디아조메탄, 시클로헥실술포닐에틸술포닐디아조메탄, 비스 (이소프로필술포닐) 디아조메탄, 비스 (tert-부틸술포닐) 디아조메탄, 비스 (sec-부틸술포닐) 디아조메탄, tert-부틸술포닐메틸술포닐디아조메탄, tert-부틸술포닐시클로헥실술포닐디아조메탄, 비스 (시클로펜틸술포닐)디아조메탄, 시클로펜틸술포닐-tert-부틸술포닐디아조메탄 또는 비스 (이소아밀술포닐) 디아조메탄인 디아조디술폰 화합물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910001466A 1990-01-30 1991-01-29 디아조디술폰 KR0166365B1 (ko)

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JPH03223863A (ja) 1991-10-02
EP0440375A1 (en) 1991-08-07
EP0440375B1 (en) 1994-07-13
DE69102781T2 (de) 1995-03-16

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