KR910012926A - 내용 번지 메모리 - Google Patents

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KR910012926A
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차균현
박노경
박상봉
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경상현
재단법인 한국전자통신연구소
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    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

내용 번지 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 전체 구성을 나타낸 블럭도,
제2도는 본 발명의 메로리셀의 회로도.

Claims (1)

  1. 메모리 셀(1)과, 원하는 데이타를 메모리 셀(1)에 쓰기, 읽기를 하고 탐색아귀먼트와 기억된 워드가 일치하는 가를 알아보는 읽기 쓰기 구동부(2)와, 메모리 셀을 프리차지 시키거나 매치 여부를 알아보는 입력 버퍼링 및 멀티 플렉서(3)와, 데이타를 읽거나 쓸때 원하는 위치의 워드라인을 구동하는 어드레스 디코우더(4)와, 탐색아귀먼트와 메모리 셀에 있는 내용이 같은 워드에 대해 어드레스 값을 출력시키는 어드레스 인코우더(5)와, 탐색아귀먼트를 저장하는 데이터 레지스터(6)들로 구성됨을 특징으로 하는 내용 번지 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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