KR910010237A - 광중합성 조성물 및 지지체에 대한 감광성 조성물의 라미네이팅 방법 - Google Patents

광중합성 조성물 및 지지체에 대한 감광성 조성물의 라미네이팅 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910010237A
KR910010237A KR1019900018044A KR900018044A KR910010237A KR 910010237 A KR910010237 A KR 910010237A KR 1019900018044 A KR1019900018044 A KR 1019900018044A KR 900018044 A KR900018044 A KR 900018044A KR 910010237 A KR910010237 A KR 910010237A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
acid
precursor
metal compound
photopolymerizable
Prior art date
Application number
KR1019900018044A
Other languages
English (en)
Inventor
루크 리이 셩-얀
Original Assignee
원본미기재
이 아이 듀우판 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 원본미기재, 이 아이 듀우판 디 네모아 앤드 캄파니 filed Critical 원본미기재
Publication of KR910010237A publication Critical patent/KR910010237A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/04—Chromates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

광중합성 조성물 및 지지체에 대한 감광성 조성물의 라미네이팅 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. (a)표준 대기압에서 비점 100℃이상을 갖고 광개시부가 중합에 의해 고중압체를 형성할 수 있는 적어도 하나의 비가스성 에틸렌형 불포화 화합물, (b)화학선에 의해 활성화되는 개시계, 및 (c)조성물이, 탄산나트륨 1중량%를 함유한 탄산 나트륨 수용액내에서 현상할 수 있도록 하는, 카르복실산기를 함유한 예비형성된 거대 분자산결합제로 구성되며, 이때, 상기 현상이 광중합성 조성물로부터 생성된 광중합된 물질의 제거 없이 광중합성 조성물의 제거를 허용하는, 광중합성 조성물에 있어서, 상기 조성물내로 실질적으로 불용성 금속 화합물 및 산에 대한 선구물질을 혼입시킴으로써 상기 중합물을 중합시키기에 충분한 강도 및 기간 동안 화학선에 상기 조성물을 노출시킬때 선구 물질이 광분해로 산을 형성함으로써, 금속 화합물이 강분해로 생성된 산과 반응하여 결합제의 카르복실산기와 반응할 수 있는 가용성 다가 금속 이온을 형성함을 개선점으로 하는, 광중합성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 결합제가 산가 적어도 50 및 아세톤내에서 측정된 pKa 11이하를 갖는 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 산 결합제가 산가 80-400 및 pKa 5-11를 갖는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 불용성 금속 화합물이 탄산 칼슘, 산화바륨, 황산마그네슘 또는 산화알루미늄인 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 불용성 금속 화합물이 조성물의 0.05-20중량%로 존재하는 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 불용성 금속 화합물이 조성물의 2.5-10중량%로 존재하는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 산 선구물질이 헥사플로오로인산 또는 술폰산을 생성시키는 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 산 선구물질이 광분해로 헥사플루오로인산 또는 술폰산을 형성할 수 있는 헥사플루오로포스페이트 또는 술포네이트인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 산 선구물질이 디페닐요오도늄 헥사플루오로포스페이트 또는 트리페닐술포늄 헥사플루오로포스페이트인 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 산 선구물질이 조성물의 적어도 0.025%의 양으로 존재하는 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 산 선구물질이 조성물의 1-5%양으로 존재하는 조성물.
  12. (a)이부(裏付)된 고체 감광성 필름을 지지체에 라미네이팅(laminating)시키는 단계, (b) 층을 화학선에 상형성 방식으로 노출시키는 단계, (c) 층의 비노출 영역을 제거시켜 내식막 영역을 형성시키는 단계, (d) 지지체를 에칭(etching)시키거나 (1) 표준 대기압에서 비점 100℃이상을 갖고 광계시부가 중합에 의해 고중합체를 형성할수 있는 적어도 하나의 비가스성 에틸렌형 불포화 화합물, (1) 화학선에 의해 활성화되는 개시계, 및 (3) 조성물이 탄산나트륨 1중량%를 함유한 탄산나트륨 수용액내에서 현상 할수 있도록 하는, 카르복실산기를 함유한 예비 형성된 거대 분자 산 결합제로 구성되며, 이때, 상기 현상은 광중합성 조성물로부터 생성된 광중합된 물질의 제거없이 광중합성 조성물의 제거를 허용하는, 상기 조성물내로 실질적으로 불용성인 금속 화합물 및 산에 대한 선구물질을 혼입시킴으로써 상기 조성물을 중합시키기에 충분한 강도 및 기간 동안 상기 조성물을 화학선에 노출시킬때 선구물질이 광분해로 산을 형성함으로써, 금속 화합물이 광분해로 생성된 산과 반응하여 결합제의 카르복실산기와 반응할수 있는 가용성 다가 금속이온을 형성함을 개선점으로 하는 광중합성 조성물을 갖는 물질을 지지체 상에 부착시킴으로써 내식막 영역에 의해 보호되지 않은 지지체의 영역을 영구적으로 개질시키는 단계로 구성된, 연속적으로 개질되는 지지체에 대한 감광성 조성물의 라미네이팅 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900018044A 1989-11-09 1990-11-08 광중합성 조성물 및 지지체에 대한 감광성 조성물의 라미네이팅 방법 KR910010237A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US43583089A 1989-11-09 1989-11-09
US435830 1999-11-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR910010237A true KR910010237A (ko) 1991-06-29

Family

ID=23729998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900018044A KR910010237A (ko) 1989-11-09 1990-11-08 광중합성 조성물 및 지지체에 대한 감광성 조성물의 라미네이팅 방법

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0427249A3 (ko)
JP (1) JPH03221955A (ko)
KR (1) KR910010237A (ko)
CN (1) CN1052558A (ko)
CA (1) CA2029624A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100416403B1 (ko) * 2002-02-25 2004-01-31 주식회사 오성사 스팀 분사장치를 구비하는 진공청소기

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5695908A (en) * 1994-12-27 1997-12-09 Mitsubishi Paper Mills, Limited Process for preparing printing plate
JP5217329B2 (ja) * 2007-09-20 2013-06-19 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物、液晶表示素子のスペーサーおよび保護膜ならびにそれらの形成方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4332879A (en) * 1978-12-01 1982-06-01 Hughes Aircraft Company Process for depositing a film of controlled composition using a metallo-organic photoresist
US4272608A (en) * 1979-04-05 1981-06-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive compositions containing thermoplastic ionomeric elastomers useful in flexographic printing plates
JPH02166452A (ja) * 1988-12-20 1990-06-27 Unitika Ltd アルカリ現像型感光性樹脂組成物
DE59009431D1 (de) * 1989-06-16 1995-08-31 Ciba Geigy Ag Photoresist.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100416403B1 (ko) * 2002-02-25 2004-01-31 주식회사 오성사 스팀 분사장치를 구비하는 진공청소기

Also Published As

Publication number Publication date
CA2029624A1 (en) 1991-05-10
EP0427249A2 (en) 1991-05-15
CN1052558A (zh) 1991-06-26
EP0427249A3 (en) 1991-10-23
JPH03221955A (ja) 1991-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5374500A (en) Positive photoresist composition containing photoacid generator and use thereof
US4023973A (en) Photosensitive composition using maleic anhydride adduct of a 1,2 polybutadiene
GB1473194A (en) Positive working resist masks
KR20110035976A (ko) 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 상기 감광성 조성물을 이용한 패턴 형성 방법
KR19980069706A (ko) 에너지-감수성 내식막 물질 및 에너지-감수성 내식막 물질을 사용한 장치의 제작을 위한 방법
JPS57196231A (en) Mixture able to be polymerized by radiation and copying material mainly composed thereof
JPS5290269A (en) Forming method for fine resist patterns
KR910010242A (ko) 상부층을 갖는 노출된 네가티브-작용성 재생층용 현상 농축액 및 이로부터 제조된 현상액, 및 인쇄 금형의 제조 방법
JPS5378288A (en) Preparation of water in oil type polymer emulsion having improved flowability
GB1517796A (en) Method for treating resist films to form relief patterns
KR890004410A (ko) 망상조직이 없는 감광성 내식 코팅
KR940022180A (ko) 양성 감광성 조성물
GB1513388A (en) Process for development of electron-beam-sensitive resist films
ES399317A1 (es) Procedimiento para la fabricacion de foto-resistores.
EP0076565B1 (en) Single exposure positive-working photopolymer element
KR910010237A (ko) 광중합성 조성물 및 지지체에 대한 감광성 조성물의 라미네이팅 방법
JPS533216A (en) Diazo photosensitive composition
KR930016830A (ko) 플렉소 인쇄판용 감광성 수지 조성물
KR860003532A (ko) 포토레지스터 현상액
GB1500607A (en) Photopolymerizable resin composition
JPS561934A (en) Manufacture of resist image
JPS5498613A (en) Photosensitive composition
JPS5324782A (en) Forming method of high molecular film patterns by negative resist
JP5276821B2 (ja) レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2005016982A1 (ja) レジスト用樹脂、ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITB Written withdrawal of application