KR910005234A - 자기헤드용 금속박막 및 그 제조방법 - Google Patents

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송호섭
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서주인
삼성전기 주식회사
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films

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Abstract

내용 없음

Description

자기헤드용 금속박막 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 금속박막 가공에 대한 공정도
제3도는 Cr로 중간층을 형성시킨 강자성 금속박막의 개략도
제4도는 SiO2를 하부 중간층으로, Cr을 상부 중간층으로 형성시킨 금속박막의 개략도.

Claims (6)

  1. 자기 갭 근방 부위가 강자성 금속박막으로 형성된 MIG(Metal-In-Gap)헤드에 있어서, 강자성 산화물과 강자성 금속박막 사이에 Cr층으로 중간층을 형성시키거나, 또는 SiO2층으로 하부 중간층 및 Cr층으로 상부 중간층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 자기헤드용 금속박막.
  2. 제1항에 있어서, Cr층 또는 SiO2/Cr층의 두께가 500∼8000A인 것을 특징으로 하는 자기헤드용 금속박막.
  3. 제1항 또는 제2항의 금속박막 위에 부가적으로 Cr층 또는 Cr/SiO2층이 형성되는 것을 특징으로 하는 자기헤드용 금속박막.
  4. 제3항에 있어서, 부가적 Cr층 또는 Cr/SiO2층의 두께가 1000∼5000A인 것을 특징으로 하는 자기헤드용 금속박막.
  5. 강자성 산화물에 스퍼터링 방식에 의해 Cr층 또는 Cr/SiO2층을 500∼8000A 두께로 중간층을 형성한 후 그위에 강자성 금속박막을 형성시킨 다음 열처리하는 것을 특징으로 하는 자기헤드용 금속박막의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열처리가 600∼750℃에서 1∼2시간하며, 초기에는 진공상태이다가 N2가 계속적으로 유입되는 분위기하에서 행하여지는 것을 특징으로 하는 자기헤드용 금속박막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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