KR910000192B1 - 모스를 이용한 전압발진 주파수 제어회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

모스를 이용한 전압발진 주파수 제어회로

제1도는 종래의 회로도.

제2도는 본 발명의 회로도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

CM : C모스 MP : 모스

MN : N모스 NOR : 노이게이트

IN : 인버터

본 발명은 PLL(Phase Lockde Loop)에 사용되는 제어전압에 따라 발진주파수를 변화시켜 주기위한 모스를 이용한 전압발진 주파수 제어회로에 관한 것이다.

종래의 전압발진 주파수 제어회로는 제1도에 도시한 바와 같이 C 모스(가)와, OP 앰프(OP₁), 저항(R₄) 및 콘덴서(C₁)를 이용한 적분기(나)와, O 앰프(OP₂) 및 저항(R₁-R₃)을 이용한 슈미트 트리거(다)로 구성되어 있다. 즉, C 모스(가)의 제어전압(Vm₁-Vm)에 따른 적분기(나)의 충방전시간을 변화시켜 슈미트 트리거(다)에서의 출력전압 주파수를 제어하게 된다. 따라서 출력전압 주파수 제어회로를 구성하기 위해서는 2개의 OP 앰프와 저항과 콘덴서를 다수의 소수가 사용되므로 이를 집적회로화 할 경우 회로면적이 커지게 되고 도한 원가상승을 초례하게 된다.

본 발명은 이와 같은 점에 착안하여 안출한 것으로 모스 FET의 VCR(Voltaged-Controlled Resistor) 특성을 이용하여 간단한 출력전압 주파수 제어회로를 제공하는 것을 목적으로 한 것이다.

이하 첨부 도면에 따라 본 발명의 구성을 설명한다. 바이어스 전압에 따라 저항값이 변화되는 P 모스(MP₁)를 통한 전압(Vcc)이 각각 N.P 모스(MN₁, MP₂) 및 N.P 모스(MN₂, MP₃)로 구성되는 각 C 모스(CM₁, CM₂)로 인가되게 연결하고, C 모스(CM₁, CM₂)의 양출력단 사이에 콘덴서(C)을 연결하고 또한 인버터(IN₁)를 통한 C 모스(CM₁)의 출력과 인버터(IN₅, IN₆)를 통한 C 모스(CM₂)의 출력이 낸드게이트(NAND₁)로 인가되게 연결하며, 인버터(IN₁-IN₄)를 통한 C 모스(CM₁)의 출력과 인버터(IN₇)를 통한 낸드게이트(NAND₁)의 출력이 레치로 구성된 노이게이트(NOR₂, NOR₁)로 인가되게 연결하고, 상기 노어게이트(NOR₁-NOR₂)의 출력이 C 모스(CM₁, CM₂)의 입력으로 되게 연결구성 한다.

이와 같이 구성된 본 발명의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.

제2도의 노드(08)가 하이레벨이라면 N 모스(MN₁)가 온 되어 노드(05)는 로우레벨이 되고, 이때 노드(06)는 로우레벨이므로 P 모스(MP₃)가 온 되어 바이어스 전압으로 그 저항치가 결정되는 P 모스(MP₁)를 통한 전압(Vcc)으로 콘덴서(C)가 충전을 시작한다.

이 콘덴서(C)가 인버터(IN₅)를 턴온시킬 수 있는 전위로 되는 시간(tm)경과후 인버터(IN₆), 낸드게이트(NAND₁), 인버터(IN₇), 노이게이트(NOR₁)를 통하는 시간(td₁)동안 콘덴서(C)는 계속 충전이 되고, 노드(06)가 하이레벨에서 로우레벨로 될 때 노드(06)는 하이레벨로 되므로 노드(07)의 전위로 시간(tm +td₁)동안 충전된 전하를 순식간에 N 모스(MN₂)를 통하여 방전하게 된다. 노드(05)의 전위는 P 모스(MP₁)와 P 모스(MP₂)를 통하여 인버터(IN₁)를 턴온시키기 까지의 시간(tm)동안과 인버터(IN₂, IN₃, IN₄) 및 노어게이터(NOR₂)를 지나는 시간(td₂)동안 충전이 된다.

이때 다시 노드(08)가 하이레벨에서 로우레벨로 바뀌게되고 노드(06)는 하이레벨로 변하여 노드(05)의 전위는 온 상태인 N 모스(MN₁)를 통하여 방전되고, 노드(07)의 전위는 다시 콘덴서(C)에 충전되어 발진을 하게 되는 것이다.

여기에서 발진 주파수(fosc)와 지연시간을 살펴보면 다음과 같다.

여기에서 td₁은 인버터(IN₁-IN₄)와 노이게이트(NOR₂)를 통과하는 지연시간이고, td₂는 인버터(IN₅-IN₇)와 낸드게이트(NAND₁)와 노어게이트(NOR₁)를 통과하는 시간이고, VTL은 인버터(IN₁, IN₅)의 턴온 전위이고, VGS는 P 모스(MP₁)의 게이트-소스간 전압이고, VTP는 P 모스(MP₁)의 드레쉬 호울드 전압이다.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 전압발진 주파수 제어회로는 비교기 및 적분기를 사용하지 않고 모스 FET를 사용하게 되므로, 집적화가 용이하면서 그 구성소자수가 대폭 줄어들게 되므로 원가절감의 효과를 얻을 수 있는 잇점이 있다.

Claims (1)

1. P 모스(MP₁)를 통한 전압(Vcc)이 인가되는 C 모스(CM₁, CM₂)의 출력단 사이에 콘덴서(C)를 연결하고, 각각 인버터(IN₁)와 인버터(IN₅, IN₆)를 거친 상기 각 C 모스(CM₁, CM₂)의 출력이 낸드게이트(NAND₁)를 통하여 인버터(IN₇)를 거친 후 노어게이트(NOR₂)와 함께 레치로 구성되는 노어게이트(NOR₁)로 입력되게 연결하고, 또한 인버터(IN₁-IN₄)를 가진 C 모스(CM₁)의 출력이 노어게이트(NOR₂)로 입력되게 연결하고, 상기 노어게이트(NOR₁, NOR₂)의 각 출력이 C 모스(NOR₁, NOR₂)의 입력으로 되게 연결 구성함을 특징으로 하는 모스를 이용한 전압발진 주파수 제어회로.

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