KR900013649A - 부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터 - Google Patents
부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900013649A KR900013649A KR1019890002344A KR890002344A KR900013649A KR 900013649 A KR900013649 A KR 900013649A KR 1019890002344 A KR1019890002344 A KR 1019890002344A KR 890002344 A KR890002344 A KR 890002344A KR 900013649 A KR900013649 A KR 900013649A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pmos transistor
- high voltage
- negative high
- voltage resistance
- pmos
- Prior art date
Links
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 씨모스 회로도.
제2도는 본 발명 부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터의 평면도.
제3도는 본 발명 부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터의 단면도.
Claims (1)
- 형광표시관용 전압(-40- +5)이 인가되는 씨모스(CMOS)의 게이트에 접속하는 피모스(PM1)에 있어서, 공핍층(2)의 이온주입을 조정하여 부(-)극성 입력제한 전압을 결정하고, 게이트(3)를 O전위를 접지시키며, 소오스(1)와 기판(5)사이에 피웰(7)을 형성하여 구성된 피모스(PM1)로 함을 특징으호 하는 부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890002344A KR900013649A (ko) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890002344A KR900013649A (ko) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900013649A true KR900013649A (ko) | 1990-09-06 |
Family
ID=68051510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890002344A KR900013649A (ko) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900013649A (ko) |
-
1989
- 1989-02-27 KR KR1019890002344A patent/KR900013649A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1396673A (en) | Stabilizing fet devices | |
| RU94036010A (ru) | Транзистор с управлением полем с порогом ферми с пониженным затвором и диффузионной емкостью | |
| KR920010884A (ko) | 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터 | |
| KR910001993A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR860001479A (ko) | 반도체 집적 회로장치 | |
| JPS5366181A (en) | High dielectric strength mis type transistor | |
| KR880004578A (ko) | 래치업 방지회로를 가진 cmos 집적회로 장치 | |
| KR830004680A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| JPS5714216A (en) | Input protecting circuit | |
| EP0339962A3 (en) | Field effect semiconductor device | |
| KR910008863A (ko) | 반도체 집적회로 | |
| KR930006975A (ko) | 절연게이트형 전계효과 트랜지스터 | |
| KR880014675A (ko) | 정전 보호회로 | |
| KR900013649A (ko) | 부극성 고내압 차단용 피모스 트랜지스터 | |
| KR920007004A (ko) | Mos저항회로 | |
| KR900012422A (ko) | Mos 테크놀러지로 집적된 트랜지스터 회로 | |
| EP0160183A3 (en) | High voltage mos field effect transistor | |
| JPS5384571A (en) | Insulating gate type field effect transistor and its manufacture | |
| KR950021721A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터(mosfet)를 구비한 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPS54107246A (en) | Analogue switch and sample hold circuit using it | |
| KR900013655A (ko) | 반도체 회로 | |
| KR900004040A (ko) | 반도체 집적회로 디바이스 | |
| JPS55105362A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS51139273A (en) | Mis device | |
| JPS5371573A (en) | Field effect transistor of isolating gate type |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |