KR900005894Y1 - 전원오프시 램데이터 보호회로 - Google Patents
전원오프시 램데이터 보호회로 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 고안의 회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 중앙처리장치 2 : 램(RAM)
CG : 축전용 콘덴서 ND1-ND4: 낸드게이트
D1-D3: 다이오드
본 고안은 마이크로컴퓨터에 있어서 전원이 오프된 직후에 일정시간동안 램에 기록된 데이터를 보호하게 하는 전원오프시 램데이터보호회로에 관한 것이다.
종래의 마이크로컴퓨터에 있어서는 전원이 오프된 상태에서 온상태로 하는 경우에 중앙처리장치에 연결되는 초기리세트회로에 의해서 중앙처리장치의 보정범위내의 램데이터를 보정할 수 있게 되어 있지만 전원을 온상태에서 오프상태로 한 직후에는 중앙처리장치의 불확실한 동작으로 인하여 램에 기록된 데이터가 변경되고, 차후 전원을 온하여 램에 기록되었던 데이터를 사용하고자 할 경우 에러가 발생되게 되는 문제점이 있었다.
본 고안은 상기 실정을 감안하여 전원이 오프된 직후에도 중앙처리장치에서 출력되는 불확실한 펄스신호를 차단하여 램의 기록된 데이터를 보호할 수 있도록 축전용 콘덴서와 논리회로를 이용하여 간단하게 구성된 전원 오프시 램데이터 보호회로를 제공하고자 함에 그 목적이 있는 것으로, 이를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 고안의 회로도를 나타내는 것으로, 중앙처리장치(1)의 포트출력단(P)과 독출, 기록제어신호출력단에다 낸드게이트(ND1-ND4)와 다이오드(D1)(D2)를 매개하여 램(2)의 칩선택 신호단과 독출/기록신호단을 연결해서 정상적인 전원공급시에 중앙처리장치(1)의 제어신호에 따라 램(2)이 칩선택되어 인에이블되고 기록 또는 독출된다.
이때 낸드게이트(ND3)(ND4)의 일측 입력단에는 저항(R2)(R3)의 접속점이 연결되고 저항(R2)에는 B+전원단이 연결되어 있어서, 정상적인 B+전원공급시에는 낸드게이트(ND3)(ND4)의 일측입력단이 로우레벨로 되므로 항상 하이레벨신호를 출력시킨다.
또한 B+전원단과 램(2)의 전원단(Vcc) 사이에는 역류방지용 다이오드(D3)와 축전용 콘덴서(CG) 및 잡음방지용 콘덴서(C1)가 연결되어 있고, 전원오프시 축전용 콘덴서(CG)의 전원에 의해 낸드게이트(ND1-ND4)가 동작되도록 집적회로화된 낸드게이트 IC의 전원단을 축전용 콘덴서(CG)에 연결한다.
위아같이 구성된 본 고안의 동작을 설명하면 다음과 같다.
정상적인 B+전원이 공급되고 있는 상태에서는 다이오드(D3)를 통해 램(2)에 전원이 공급되면서 축전용 콘덴서(CG)가 충전되게 되고, 낸드게이트(ND3)(ND4)의 일측 입력단에는 저항(R2)를 통해 B+전원이 공급되어 게이트되므로써 마이크로프로세서(1)에서 출력되는 각 제어신호가 낸드게이트(ND3)(ND4)를 통해 램(2)에 공급되게 된다.
그런데 중앙처리장치는 전원이 오프된 직후에도 잠시동안 기록, 독출제어신호가 출력되어 이 제어신호를 램(2)에 직접 공급하게 하면 램(2)에 불필요한 데이터가 기록될 가능성이 크게 되고, 이러한 상태에서 다음에 전원 온후데이터를 독출하여 사용하게 되면 데이터처리에 에러가 유발된다.
따라서 본 고안에서는 전원오프시 낸드게이트(ND3)(ND4)의 출력을 항상 하이레벨이 되도록 하므로써 중앙처리장치(1)로부터 공급되는 제어신호를 차단함과 더불어 램(2)을 디스에이블상태로 되게 한다.
한편 램(2)에 기록된 데이터는 축전용 콘덴서(CG)에서 제공되는 전원에 의하여 계속 보호상태로 남아있게 되고, 차후에 램데이터를 이상없이 계속해서 사용할 수 있게 된다.
상기한 바와같이 본 고안은 전원이 오프된 직후에도 중앙처리장치의 동작을 안정되게 하여 램에 기록된 데이터를 계속 보존시키며, 그에따라 일단 기록된 데이터를 계속 보존시키며, 그에따라 일단 기록된 데이터는 전원이 오프되더라도 에러의 발생없이 그 데이트를 계속 사용할 수 있게 되는 효과가 있다.
Claims (1)
- 중앙처리장치(1)의 출력단(P)에다 낸드게이트(ND1-ND4)와 다이오드(D1)(D2)를 매개하여 램(2)의 제어신호단 을 연결하되, 낸드게이트(ND3)(ND4)의 입력단에는 전원오프 상태를 검출하여 램(2)을 디스에이블시키도록 B+전원단에 연결된 저항(R2)(R3)의 접속점을 연결하고, 램(2)의 전원단(Vcc)과 낸드게이트(ND1-ND4)의 전원단에는 역류방지용 다이오드(D3)와 축전용 콘덴서(CG)의 전압으로 동작상태를 유지하도록 된 전원오프시 램데이터 보호회로.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019870006915U KR900005894Y1 (ko) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 전원오프시 램데이터 보호회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019870006915U KR900005894Y1 (ko) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 전원오프시 램데이터 보호회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880022426U KR880022426U (ko) | 1988-12-26 |
KR900005894Y1 true KR900005894Y1 (ko) | 1990-06-30 |
Family
ID=19262600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019870006915U KR900005894Y1 (ko) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 전원오프시 램데이터 보호회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR900005894Y1 (ko) |
-
1987
- 1987-05-07 KR KR2019870006915U patent/KR900005894Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR880022426U (ko) | 1988-12-26 |
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