KR900005232B1 - 트랜지스터 구동회로 - Google Patents

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KR900005232B1
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미쓰비시 뎅기 가부시끼가이샤
시기 모리야
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Abstract

내용 없음.

Description

트랜지스터 구동회로
제1도 및 제2도는 본 발명에 의한 트랜지스터 구동회로의 실시예를 도시한 회로도.
제3도, 제5도 및 제7도는 제1도에 도시한 회로의 동작을 설명하기 위한 각부의 동작파형도.
제4도, 제6도 및 제8도는 제2도에 도시한 회로의 동작을 설명하기 위한 각부의 동작파형도.
제9도는 제1도에 도시한 회로의 효율 및 입력전류특성도.
제10도는 제2도에 도시한 회로의 효율 및 입력전류특성도.
제11도는 제1도의 본 발명에 의한 트랜지스터 구동회로의 타실시예를 표시한 회로도.
제12도는 제2도의 본 발명에 의한 트랜지스터 구동회로의 타실시예를 표시한 회로도.
제13도는 종래의 트랜지스터 구동회로의 일예를 표시한 회로도.
제14도는 제13도에 표시한 회로의 각부의 동작파형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
OSC : 발진기 STOP : 차단회로
COMP : 전압비교기 T1: 트랜스
T2: 가포화트랜스 L1,L1' : 평활리액터
PC1: 광결합소자 DFR : 정출력다이오드
DRR : 부출력다이오드 INV : 인버터회로
Q1: 스위칭 트랜지스터 Q2,Q2' : 온베이스 전류통전용 트랜지스터
Q3,Q3' : 오프레이스 전류통전용 트랜지스터
Q4: 단락 트랜지스터 R1,R2: 저항
Q4',Q5,Q5'a,Q5'b : 메인 트랜지스터 C1∼C3: 콘덴서
D1∼D4: 다이오드 ZD1, ZD1',ZD2: 제너다이오드
본 발명은 전력용 파워 트랜지스터를 높은 효율로 구동하는 트랜지스터 구동회로에 관한 것이다.
제13도는 예를 들면 일본국 특개소 57-151278호 공보에 표시된 종래의 트랜지스터 구동회로의 일예를 표시된 종래의 트랜지스터 구동회로의 일예를 표시한 회로도로서 도면에 있어 온용 펄스트랜드(T1) 및 오프용 펄스트랜스(T2)가 각각 1개회로중에 접속되어 있다.
즉 펄스트랜스 구동용 트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 온용 펄스트랜스(T1)에 있어 일차권선의 일방단자에 접속되며 타방의 단자는 펄스트랜스 구동용의 직류전원(VCC)에 접속되었다.
또한 2차권선의 일방단자는 다이오드(D1)에 접속되며 이 다이오드(D1)를 통과한 후에 2개의 경로로 분기되었다.
그리고 일방의 경로는 충전전류 제한용 저항(R1), 콘덴서(C)의 접속단자 및 다이오드(D2)를 경유하는 것이고 타방의 경로는 상기 저항(R1), 콘덴서(C)의 접속단자 및 다이오드(D2)를 바이패스하는 다이오드(D2)를 통하여 상기 다이오드(D2)의 출구단부에서 재차 접속되는 것이다.
양 경로는 합류접속한 후 베이스전류 제한용 저항(R2)을 통하여 주회로로서의 메인 트랜지스터(Q3)의 베이스에 접속되었다.
또한 상기 온용 펄스트랜스(T1)의 2차권선의 타방단자는 직접 메인 트랜지스터(Q3)의 에미터에 접속되어 있다.
또한 오프신호를 처리하는 회로에 있어서는 트랜지스터(Q2)에 의하여 구동되는 오프용 펄스트랜스(T2)의 2차권선의 일방단자가 분류억제 다이오드(D4) (이것은 오프용 신호의 정류도 함께 한다)를 통하여 메인트랜지스터(Q3)의 에미터에 접속되며 또한 2차권선의 타방단자는 역바이어스 전류제한 저항(R3)을 통하여 메인 트랜지스터(Q3)의 베이스에 접속되었다.
더욱이 제13도에 있어서 메인 트랜지스터(Q3)의 베이스와 에미터간에 병렬로 삽입된 소자는 다이오드(D5) 및 바이패스저항(R4)이다.
다음은 동작에 대하여 설명한다.
제14도(a)에 표시한 온지령 신호를 도시하지 않은 펄스 발생기에 주어 1개의 고주파 펄스열신호(A)를 발생시키고 이것을 트랜지스터(Q1)의 베이스에 가한다.
고주파 펄스열신호(A)가 높은 레벨이 되면 트랜지스터(Q1)는 도통되어서 온용 펄스트랜스(T1)가 구동하고 이 펄스트랜스(T1)의 2차측에 발생한 온신호가 다이오드(D1)에서 정류됨과 동시에 다이오드(D3) 및 전류제한저항(R2)을 거쳐 메인 트랜지스터(Q3)의 베이스에 입상이 신속한 제14도(e)에 표시한 베이스전류(IB1)로 공급되는 것에 의하여 메인 트랜지스터(Q3)을 온시킨다.
더욱이 이와 동시에 콘덴서(C)에는 충전 전류제한 저항(R1)을 통하여 충전이 된다.
이어서 상기 고주파 펄스열신호(A)가 저레벨이 되어 트랜지스터(Q1)가 차단되면 이에 따라 다이오드(D1),(D3)도 차단되지만 콘덴서(C)는 충전되어 있기 때문에 다이오드(D2)는 도통하고 콘덴서(C)에서의 방전전류가 다이오드(D2) 및 베이스 전류제한 저항(R2)를 거쳐 메인 트랜지스터(Q3)의 베이스에 공급된다.
그리하여 메인 트랜지스터(Q3)는 온상태를 유지한다. 더욱이 이 방전에 의하여 콘덴서(C)의 전압(Vc)은 제14도(d)에 표시한 바와 같이 저하한다.
이와 같이 반복작동에 의하여 콘덴서의 전압(Vc) 및 베이스전류(IB1)는 제14도(d)(e)에 도시한 바와같이 리플분을 포함한 연속파형이 되므로서 메인 트랜지스터(Q3)은 온상태를 유지한다. 여기에서 메인 트랜지스터(Q3)를 차단하려면 온신호에 기인한 고주파 펄스열신호(A)의 공급을 정지함과 동시에 제14도(c)에 도시한 오프용 펄스트랜스(T2)의 구도용 트랜지스터(Q2)의 베이스에 공급한다.
그리하면 펄스트랜스(T2)의 2차측에 오프신호가 얻어지므로서 이것을 분류억제기능을 가지게 한 다이오드(D4)에서 정류한 후에 메인 트랜지스터(Q3)의 에미터에 가하게 되면 제14도(e)에 표시한 급순한 역바이어스전류(IB2)가 에미터에서 베이스에 흘러서 메인 트랜지스터(Q3)가 차단된다.
이 경우 역바이어스전류의 제한저항(R2)의 저항치는 베이스전류 제한저항(R2)의 저항치보다도 충분히 작게 설정하여 메인 트랜지스터(Q3)의 차단이 신속하게 이루어지게 하여 두는 것이 바람직하다.
더욱이 상기 콘덴서(C)에 남아있는 전하는 방전전류(Ic)로서 방전되므로 콘덴서(C)의 전압(Vc)은 제14도(d)에 표시한 바와같이 클리핑한다.
종래의 트랜지스터 구동회로는 상기와 같이 구성되어 있으므로 베이스전류를 제한하는데 저항을 필요로 하기 때문에 메인 트랜지스터에서의 콜렉터전류에 의한 VBE 전압의 변동 및 전원전압의 변동에 의한 메인 트랜지스터의 베이스전류의 변동이 생겨버린다.
또한 저항을 사용한 전류제한을 이용하고 있으므로서 손실의 증대 및 발열이 생긴다. 또한 역바이어스회로에 있어서는 턴오프시만의 역바이어스회로에 의하여 부도통상태가 되므로서 노이즈(noise)에 의하여 오동작함과 동시에 주회로와의 내압을 필요로 하는 트랜스를 2개 필요하는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와같은 문제점을 해소하고자 발명된 것으로 고효율로 발열을 억제하면서 고성능의 베이스구동이 이루어지는 트랜지스터 구동회로를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 트랜지스터 구동회로는 1석식 훠워드 스위칭방식에 의하여 베이스전류를 트랜스의 1차측에서 검출하므로서 정전류화함과 동시에 2차측에 삽입된 가포화트랜스에 의하여 역바이어스하는 회로를 설치하므로서 전원전압변동, 부하변동에 대하여서도 베이스전류를 정전류화함과 동시에 역바이어스를 오프기간 전체에 걸쳐 인가 가능하게 한 것이다.
또한 상기 2차측에서 정부의 정류기와 1개의 코어에 권회된 평활리액터와를 설치하므로서 전원전압변동 및 부하변동에 대하여 베이스전류를 정전류화함과 동시에 역바이어스를 오프기간 전체에 걸쳐 인가가능하게 할 것이다.
본 발명에 의한 트랜지스터 구동회로에 있어서는 베이스전류에 함유되는 리플이 메인 트랜지스터의 응답할 수 없는 고주파 스위칭상태에 있어서 어느 정도의 리플을 함유하는 값에 평활리액터의 값을 설정하고 트랜스의 1차측에서 전류의 피크를 검출하여 ON/OFF제어를 하게하므로서 2차측 전류를 정전류화함과 동시에 오프신호시에 리액터출력단을 단락하여 전류를 바이패스하므로서 다음의 온상태로 되었을 때의 전류의 입상을 빠르게 하는 것이다.
또한 상기의 2차측의 전류를 정전류화함과 동시에 2차측에 권회된 정부의 권신에 각각 접속된 정류기와 1개의 코어에 권설된 정부용 평활리액터에 의하여 ON/OFF, OFF/ON시에 평활리액터에 흐르는 전류를 전류시키는 것에 의하여 ON/OFF시의 전류에 대한 입상을 빠르게 한다.
그리고 2차측에 직렬로 접속된 가포화트랜스에 의하여 이 트랜스가 포화될때까지의 사이는 2차측의 정류회로와 콘덴서에 전하를 축적하여 역바이어스용 전원에 사용하는 것이어서 높은 효율이고 높은 성능의 트랜지스터 구동이 가능하게 되는 것이다.
또한 정베이스전류 및 역바이어스전류가 온기간 및 오프기간의 전역에 걸쳐 인가되는 것에 의하여 높은 효율과 높은 성능의 트랜지스터 구동을 할 수 있는 것이다.
이를 본 발명의 일 실시예를 도면에 따라 설명한다.
제1도에 있어서 OSC는 발진기, STOP는 차단회로, Q1은 스위칭 트랜지스터, R2는 전류검출저항, R1,C1은 검출저항(R2)에 의하여 검출된 신호의 필터회로를 구성하는 저항과 콘덴서, Vr은 전류치 설정전압, COMP는 전압기교기로서 전류검출저항(R2)에 흐르는 전류가 전류치 설정전압(Vr)보다도 커지게된 경우에 차단회로(STOP)에 신호를 송출하여 발진기(OSC)에서의 신호를 차단하기 위하여 설치되어 있다.
T1은 트랜스, T2는 가포화트랜스, D1,D2는 제어회로의 전원을 확보하기 위한 정류기와 콘덴서이다.
D4,D3은 가포화트랜스(T2)의 2차측에 접속된 역바이러스용 전원을 확보하기 위한 정류기와 콘덴서, ZD1은 서지흡수용 제너다이오드, D2는 정류다이오드, D3는 프라이호일 다이오드, L1은 평활리액터이다.
Q2는 온베이스 전류통전용 트랜지스터, Q3은 오프베이스 역바이어스 통전용 트랜지스터, Q4는 평활리액터(L1)의 출력단 단락용 트랜지스터, R2는 역바이어스 전류제한용 저항, INV는 신호반전회로, PC1은 ON/OFF신호를 절연하므로서 베이스구동회로의 ON/OFF신호로하여 전송하는 광결합소자이다.
제2도에 있어서 OSC는 발진기, STOP는 차단회로, Q1은 스위칭 트랜지스터, R2는 전류검출저항, R1,C1은 전류검출저항(R2)에 의하여 검출된 신호의 필터회로를 구성하는 저항과 콘덴서, VRef는 전류치설정전압, COMP는 비교회로로서 전류검출저항(R2)에 흐르는 전류가 전류치설정전압(VRef)보다도 커지게된 경우에 차단회로(STOP)에 신호를 송출하여 발진기(OSC)에서의 신호를 차단하기 위하여 설치되어 있다.
T1은 스위칭 트랜지스터(Q1)에 의하여 1차전류가 단속되는 트랜스, L1'는 평활리액터, D1,D2는 제어회로의 전원을 확보하기 위한 정류기와 콘덴서이다. DFR은 트랜스(T1)은 2차측에 접속된 정출력다이오드, DFF는 정출력프라이호일다이오드, DRR은 트랜스(T1)의 2차측에 접속된 부출력다이오드, DRF는 부출력프라이호일다이오드, L1'는 평활리액터로서 동일의 코어에 정출력권선(n1)과 부출력권선(n2)이 권회되어 있다.
그리고 정출력권선(n1)과 부출력권선(n2)의 일단은 각각 정부정류회로를 구성하는 정출력다이오드(DFR) 및 부출력다이오드(DRR)의 출력측에 각각 접속되어 있다.
ZD1',ZD2는 정출력권선(n1)과 부출력권선(n2)의 출력측에서 서지를 흡수시키는 제너다이오드, Q2'는 콜렉터가 정출력권선(n1)에 접속된 온베이스 전류통전용 트랜지스터, Q3'는 에미터가 부출력권선에 접속된 오프베이스 역바이어스 통전용 트랜지스터, INV'는 신호반전회로, PC1은 ON/OFF신호를 절연하고 베이스구동회로의 ON/OFF신호로 하여 전송하는 광결합소자이다. 또한 RB,DB는 바이어스저항과 바이어스 다이오드이다.
다음 본 발명 제1도 및 제2도에 의한 동작에 대하여 설명한다.
1차측발진기(OSC)가 발진하여 제3도 및 제4도(a)에 표시한 ON/OFF를 반복하는 신호가 차단회로(STOP)를 통하여 스위칭 트랜지스터(Q1)에 ON/OFF제어신호로 하여 공급되므로서 트랜스(T1)의 2차측에 전력을 공급하고 있다.
이렇게 공급된 전력은 온신호(A)가 입력되어 있을 경우 광결합소자(PC1)을 통하여 트랜지스터(Q2)(Q2')의 베이스에 가해져 트랜지스터(Q2)(Q2')가 온되고 따라서 트랜지스터(Q3)(Q3')(Q4)는 오프하여 메인 트랜지스터(Q5)(Q4')에 정의 베이스 전류를 공급하는 동작을 하고 있다.
다음 제3도와 제4도(a)∼(j), (a)∼(h)에 표시한 각 부의 파형을 사용하여 이 경우의 동작을 설명한다.
이 상태에서 스위칭 트랜지스터(Q1)에 흐르는 전류를 전류를 전류검출저항(R2)에 의하여 제3도 및 제4도(c)에 표시한 바와 같이 검출하고 2차회로에서 필요로하는 베이스전류치에 대하여 권수비에 같은 제3도 및 제4도(d)에 표시한 전류치설정전압(Vr),(VRef)의 값과 같게 된 시점에서 전압비교기(COMP)가 정지신호를 송출하고 차단회로(STOP)의 출력신호가 제3도 및 제4도(b)에 표시한 바와 같이 그 사이클내의 스위칭 트랜지스터(Q1)의 베이스신호를 차단하도록 되어 있다.
또한 저항(R1)과 콘덴서(C1)에 의하여 구성되는 필터회로는 스위칭 트랜지스터(Q1)의 스너버회로(도시없음)나 제어전원회로에 흐르는 전류의 서지분에 의하여 전압비교기(COMP)가 오동작하지 않는 값에 설정되어 있다.
한편 제1도에서는 트랜스(T1)의 2차측에 권수비로 강압되어서 발생된 제3도(e)에 표시된 전압은 우선 가포화트랜스(T2)에 인가되어(이때는 프라이호일다이오드(D3), 평활리액터(L1)를 통하여 정의 베이스 전류가 흐르고 있다) 한편 제2도에서는 트랜스(T1)의 2차측에 권수비로 강압된 발생전압을 우선 정출력다이오드(DFR)에 인가되어서 정류된 후에 평활리액터(L1')의 정출력권선(n1)을 통하여 정의 베이스전류로 하여 출력된다.
그후 가포화트랜스(T2)가 포화하면 정류기(D2), 평활리액터(L1)를 통하여 정의 베이스전류가 흐른다.
이 상태의 동작예로서 Vcc=24V, 트랜스의 권수비 2:1, 정류용 다이오드(D2), DFR프라이호일다이오드(D3), DFF, 온베이스 전류통전용 트랜지스터(Q2)(Q2')의 드롭을 VF=1V, 메인 트랜지스터의 베이스, 에미터가 전압 VBE=2V로 하면 1사이틀내에 필요로 하는 통류비는 Va=VF+VBE=3V, 2차 전압 Vcc×권수비 1/2=1212V가 되고
Figure kpo00001
차 전압에서
Figure kpo00002
가 되어서 1사이클 중에 25%의 기간에 걸쳐 스위칭 트랜지스터가 온되면 되게 된다.
이러한 상태를 반복하여 메인 트랜지스터(Q4')에 일정의 베이스전류가 공급되게 한다.
그리고 전술한 설명에서 알 수 있는 바와같이 전원전압(Vcc)의 변동 및 부하변동(메인 트랜지스터의 콜렉터 에미터전류의 변화에 의한 베이스에미터간 전압(VBE)가 생기더라도 트랜스(T1)의 1차측에서 2차측의 전류를 검출하면서 통류비가 순시에 콘트롤되어서 정전류가 유지되게 된다.
이와 같이 구성하므로서 전류제한용 저항이 트랜스(T1)의 2차측에 삽입되어 있지 않은 것이나 1차측에서 검출되는 전류가 권수비분만큼 감소하는것 및 검출레벨을 전압비교기를 사용하여 저레벨화한 것으로 이러한 것에 의한 손실이 종래 회로에 비교하여 매우 적게 되어 있다.
그러나 상기 이외의 역바이어스 전원용 가포화트랜스(T2)의 비포화시간은 TA=1㎲로 하고 발진주파수의 주기를 T로 하면 T×0.25+TA가 된다.
예를들어 발진주파수를 100KHz로 하면 주기는 10㎲가 되고 10㎲ 0.25+1s=3.5㎲가 되어서 통류비는 0.35가 된다. 이와 같은 상태를 반복하여 메인 트랜지스터(Q5)에 일정의 베이스전류가 공급되게 된다.
이때 전술한 설명에 의하여 명백한 바와같이 전원전압(Vcc)의 변동 및 부하변동(메인 트랜지스터의 콜렉터전류의 변화에 의한 베이스에미터간 전압(VBE)의 변화)에 대하여도 1차측에서 2차측의 전류를 검출하여 전류비가 순시에 콘트롤되는 것에 의하여 정전류가 유지되게 된다.
그리고 이와같은 회로구성으로 하는 것에 의하여 전류제한용 저항이 2차측에 삽입되어 있지 않을 것, 1차측에 있어 검출하는 전류는 권수비분 감소되어 있고 또한 검출레벨은 전압비교기를 사용하는 것에 의하여 저레벨에서의 검출을 가능하게한 것에 의하여 손실은 종래회로에 비교하여 지극히 적어지게 되었다.
여기서 평활리액터의 값을 어느 정도의 리플을 포함하게 선정하고 있는 것은 이 값이 크면 스위칭 트랜지스터(Q1)에 흐르는 전류파형이 구형파에 가까워서 전류의 피크치를 검출하는 것이 불안전하게 되는 것을 방지하였고 베이스전류의 리플분이 메인 트랜지스터의 콜렉터전류의 변화로서 나타나지 않을 정도로 선정함과 함께 메인 트랜지스터의 응답속도에서 십분 높은 주파수에 발진기는 설정되어 있다.
다음 광겹합소자(PC1)에서 오프신호가 입력되어 있는 경우를 제5도(a)∼(k) 및 제6도(a)∼(h)에 표시한 각 부의 파형도와 함께 설명한다.
메인 트랜지스터(Q5)(Q4')가 온에서 오프로 바뀌는 순간에 트랜지스터(Q3)(Q3')(Q4)가 온, Q2, Q2'가 오프하여 콘덴서(C3)에 충전된 전하가 오프전류 제한용 저항(R3)에 의하여 제한되고 평활리액터(L1')에 흐르고 있던 전류가 부출력권선(n2)에 전류하여 메인 트랜지스터(Q5)(Q4')의 캐리어가 발달되어 역바이어스전류에 떨어져간다.
또한 트랜지스터(Q4)가 온하므로서 리액터(L1)에 흐르는 전류는 트랜지스터(Q4)의 콜렉터와 에미터측을 통해 바이패스되고 다음의 온동작에 대비하여 정의 베이스전류와 같은 값이 흐르고 있다.
부출력다이오드(DRR), 프라이호일다이오드(DRF) 및 오프베이스 전류통전용 트랜지스터(Q3)의 드롭을 VF=1V로 하는 외부 역바이어스용 다이오드(DB)의 드롭이 -VBE=1V로 1사이클내에 있어 필요로 하는 통류비가 Va=VF+VBE=2V가 되고 티의 조건을 온시의 예와 같게하면
Figure kpo00003
가 되어 1사이클중에 16.66...%의 기간에 걸쳐 스위칭 트랜지스터(Q1)이 온하면 되기 때문에 전술한 온동작보다도 입력전력이 적어지게 되어 있다.
그리고 이와 같이 광결합소자(PC1)에 ON, OFF하는 구동신호(A)가 공급된 경우에 있어 평활리액터(L1')의 정출력권선(n1), 부출력권선(n2), 메인 트랜지스터(Q4')의 베이스 및 바이어스다이오드(DB)에 흐르는 전류파형은 제8도(a)∼(e)에 표시한 바와 같이 된다.
여기서 온동작과 상이한 점은 역바이어스전류를 공급할 필요가 있는 것으로 가포화트랜스(T2)의 2차 역바이어스정류회로에 필요로 하는 전류가 흐르기 때문에 스위칭 트랜지스터(Q1)가 온하면 그 시점부터 전류가 흐르기 시작한다.
또한 2차측 정류용다이오드(D2)와 프라이호일다이오드(D3)는 가포화트랜스(T2)가 비포화시에 2차측에 흐르는 전류에 의하여 전류가 이루어진다.
이 상태의 동작예로서 정류용다이오드(D2)와 프라이호일다이오드(D3), 단락용 트랜지스터(Q4)의 드롭을 VF=1V로 하면 1사이클내에 필요로하는 통류비는 Va=VF=1V만이 되고 타의 조건을 온되었을때의 예와 같게 하면 1V/12V=0.083이 되고 1사이클중에 8.3%의 기간에 걸쳐 스위칭 트랜지스터(Q1)가 온되면 되는 것이 된다.
또한 가포화트랜스도 포함하여 T×0.083+1㎲=1.83㎲이 되고 통류비는 0.18이 되어 전술한 온동작시보다도 작아진다.
이상의 운동작, 오프동작이 베이스구동신호로서 광결합소자(PC1)에 ON/OFF신호로 입력된 경우의 입출력파형을 제7도(a)(b)에 표시한다. 여기에서 제너다이오드(ZD1)는 오프상태(즉, 트랜지스터(Q4)가 온시에 오프상태, 또한 트랜지스터(Q2)가 온된 상태)에 절환될 때에 메인 트랜지스터(Q5)에 배선등에 의하여 생기는 인덕턴스분으로 전류의 입상이 늦어지는 기간에 있어 평활리액터에서의 에너지를 흡수하기 위한 것으로 통상의 시간은 0.5㎲이하가 된다.
한편 제너다이오드(ZD2)는 오프상태(즉, 트랜지스터(Q4')가 온시에 오프상태, 또한 트랜지스터(Q2')가 온된 상태)에 절환될 때에 메인 트랜지스터(Q4')로의 배선부분등에서 생기는 인덕턴스분에 의하여 전류의 입상이 늦어지는 기간에 있어서 평활리액터에서의 에너지를 흡수하기 위하여 설치되어 있고 또한 제너다이오드(ZD1')는 이것의 역의 동작을 위하여 설치되어 있다. 그리고 이 시간은 통상 0.5㎲이하이다.
제10도는 3단 다아링톤 트랜지스터를 ON/OFF시켜서 전원전압을 변동시켰을 때의 전원입력전류, 효율의 관계를 표시한 특성도로서 전원변동에도 불구하고 일정한 출력전류가 유지되어 있고 효율의 변동도 2% 이내로 적게 되어 있다.
더욱이 상기 실시예에 있어서는 가포화트랜스(T2) 평활리액터(L1)를 정류다이오드의 양단에 접속한 경우에 대하여 설명하였지만 제2도에 도시한 바와 같이 공통 3이온에 넣어도 상기 실시예와 같은 효과가 기대됨과 동시에 다이오드(D2)(D3), 트랜지스터(Q4)(Q2)가 동일전위가 되므로서 공통의 방열기가 이용할 수 있고 또한 트랜지스터(Q4)(Q2)는 역의 동작을 하고 있으므로 개별 휜(fin)에 비교하여 작게 할 수 있다.
또한 제10도는 2단 다아링톤 트랜지스터를 온, 오프시킨 경우에 전원전압을 변동시킨 때의 전원입력 전류와 효율의 커브이고 전원변동인데도 불구하고 일정의 출력전류가 유지되고 있어 효율도 변동오 2% 이내였다.
또한 평활리액터(L1')의 값을 어느 정도의 리플이 포함되도록 선정하고 있는 것은 이 값이 크면 스위칭 트랜지스터(Q1)에 흐르는 전류파형이 구형파에 가깝게 되어 전류의 피크치를 검출하는 것이 불안정하게 되기 때문이다.
따라서 베이스전류의 리플분이 메인 트랜지스터의 콜렉터전류의 변화로서 나타나지 않을 정도로 선정되었다.
또한 발전기(OSC)의 주파수는 메인 트랜지스터(Q4')의 응답속도보다도 십분 높은 리플의 주파수가 되도록 선정되었다.
더욱이 상기 실시예에 있어서는 역바이어스의 전류를 바이어스다이오드(DB)에 흘리고 있지만 컴프레멘타리 트랜지스터(Q5'a)(Q5'b)(도면도시 생략)를 구동할 경우에는 제2도에서와 같이 베이스 구동회로를 공통화할 수 있는 메리트가 생긴다.
상기한 바와같이 본 발명에 의하면 베이스전류에 함유되는 리플이 메인 트랜지스터가 응답할 수 없는 고주파 스위칭상태에서 어느 정도의 리플을 포함하는 값에 평활리액터의 값을 설정하고 트랜스의 1차측에서 전류의 피크를 검출하여 온, 오프제어를 하므로서 2차측전류를 정전류화함과 함께 오프신호시에 평활리액터의 출력단을 단락하여 전류를 바이패스하는 것에 의하여 다음의 온한 때에서 전류의 입상을 다르게 하는 것이다.
또한 트랜지스터 2차측에 접속되는 가포화트랜스가 포화할 때까지의 기간은 2차측의 콘덴서에 전하를 축적하여 바이어스용 전원에 사용하는 것에 의하여 고효율이고 고성능의 트랜지스터구동을 할 수 있는 등의 여러 가지 우수한 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 트랜스(T1),(T2)의 1차측 권선에 흐르는 전류를 온,오프하는 스위칭 트랜지스터(Q1),(Q2)를 고속구동하는 것에 의하여 2차측 권선에 피구동 트랜지스터(Q3)의 동작속도 보다도 빠른 주파수의 출력전류를 발생시키어 피구동 트랜지스터(Q3)의 베이스 구동전류로 하는 포워드 스위칭방식에 의한 트랜지스터 구동회로에 있어서 상기 트랜지스터(T1)의 1차측 권선에 흐르는 전류를 검출하는 전류검출회로(R2)이 전류검출회로(R2)가 검출하는 전류치가 설정치를 넘는 것을 검출하는 비교기(COMP) 상기 스위칭 트랜지스터(Q1)를 고속구동하는 신호를 발생하는 발진기(COSC) 상기 비교기(COMP)의 출력 발생시에 상기 발진기(COSC)가 발생하는 신호를 차단하는 차단회로(STOP) 상기 트랜지스터(T1)의 2차측 권선의 일단에 그 1차측이 접속된 가포화트랜스(T2)이 가포화트랜스(T2)의 출력을 정류하는 정류회로(D2)이 정류회로(D2)의 출력에 포함되는 리플을 감소시키는 평활리액터(L1)이 평활리액터(L1)에 의하여 평활화된 상기 정류회로(D2)의 출력을 온 제어신호의 공급시에 피구동 트랜지스터(Q5) 베이스에 공급하는 온 베이스 전류통전용 트랜지스터(Q2) 오프 제어신호의 공급시의 상기 정류회로(D2)의 출력을 단락하는 단락 트랜지스터(Q4), 상기 가포화의 공급시에 상기 정류회로(D2)의 출력을 단락하는 단락 트랜지스터(Q4), 상기 가포화트랜스(T2)의 2차측에 접속되어, 상기 피구동 트랜지스터(Q5)의 온시에 충전되는 콘덴서를 가지고 역바이어스 전원회로(D4), (C3) 오프제어신호의 공급시에 역바이어스 전원회로의 콘덴서(C2)에 충전된 출력에 의하여 피구동 트랜지스터(Q5)의 베이스와 에미터간을 역바이어스하는 오프 베이스 전류통전용 트랜지스터(Q4)를 구비한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 구동회로.
  2. 상기 트랜스(T1),(T2)의 1차측 권선에 흐르는 전류를 온,오프하는 스위칭 트랜지스터(Q1),(Q2)를 고속구동하는 것에 의하여 2차측 권선에 피구동 트랜지스터(Q3)의 동작속도 보다도 빠른 주파수의 출력전류를 발생시키어 피구동 트랜지스터(Q3)의 베이스 구동전류로 하는 포워드 구동회로에 있어서 상기 트랜지스터(T1)의 1차측 권선에 흐르는 전류를 검출하는 전류검출회로(R2), 이 전류검출회로(R2)가 검출하는 전류치가 설정치를 넘는 것을 검출하는 비교기(COMP) 상기 스위칭 트랜지스터(Q1)를 고속구동하는 신호를 발생하는 발진기(COSC) 상기, 비교기(COMP)의 출력 발생시에 상기 발진기(COSC)가 발생하는 신호를 차단하는 차단회로(STOP), 상기 트랜스(T1)의 2차측의 일단 및 타단에 각각 접속된 정, 및 부정류회로(DFR),(DRR) 상기 정정류회로(DFR)에 정출력권선(N1)이 부정류회로(DRR)에 부출력권선(N2)이 접속되어, 상기 정부출력권선(N1),(N2)이 한 개의 코어에 권회된 평활리액터(L1)상기 정출력권선(N1)을 사이에 두고 공급되는 상기 정정류회로(DFR)의 출력전류를 온 제어신호의 공급시에 상기 피구동 트랜지스터(Q2')의 베이스에 공급하는 온베이스 전류용전용 트랜지스터(Q2') 오프 제어신호의 공급시에 상기 부출력권선(N2)을 사이에 두고 상기 부정류회로(DRR)의 출력에 의하여 상기 피구동 트랜지스터(Q4')의 베이스와 에미터간을 역바이어스하는 오프베이스 전류통전용 트랜지스터(Q3')를 구비한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 구동회로.
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