KR900003850B1 - 회로기판 - Google Patents

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히데끼 사또
노부유끼 미즈노야
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가부시끼가이샤 도시바
아오이 죠이찌
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Abstract

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Description

회로기판
제 1 도와 제 2 도는 본 발명에 따른 회로기판의 예를 나타내는 투시도이다.
제 3 도는 제 1 도의 선 A-A에 따른 단면도이다.
제 4 도는 제 2 도의 선 B-B에 따른 단면도이다.
제 5 도는 본 발명의 다른예의 단면도이다.
제 6 도는 회로기판의 과잉의 열 저항율 곡선을 나타내는 것이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : Al2O3판 1a : 구멍부분
2 : AlN판 9,10 : 완충층
본 발명은 회로기판, 특히 열분산성이 우수한 질화 알루미늄판이 접합되어 있고 그리고 그 접합된 부분에서 비틀림등이 발생하지 않는 알루미나판으로 구성된 복합형 회로 기판에 관한 것이다.
회로기판으로는 일반적으로 값이싼 알루미나(Al2O3)기판이 사용되고, 그위에는 회로가 형성되며 또 반도체 소자들을 포함한 여러가지의 소자들이 설치된다.
그러나 최근에 반도체 장치의 출력이 많아짐에 따라 장치로부터 열이 많이 발생하게 되므로 상기한 Al2O3기판에서는 열분산에 관해 만족스런 효과를 얻을 수 없다는 문제점이 야기되고 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 회로 기판용으로 Al2O3기판 대신 열분산성이 우수한 질화 알루미늄(AlN)기판이 사용되고 있다.
그러나 질화알루미늄 기판의 값이 비싸므로 실용성이 없다.
최근에 Al2O3판과 AlN판을 결합시켜 회로기판을 준비하고 그리고 AlN판에만 열을 많이 발생하는 소자를 설치하여 소자로 부터 열의 분산을 증진시키고 그리고 가격을 절감시키는 것을 시도하고 있다(일본 특개소 제 61-7647호 참조).
복합형 회로 기판의 구조로서 제 1 도에 도시된 구조에서, 구멍부분(1a)의 Al2O3판(1)의 요구되는 무배치되어 있고, 구멍부분(1a)에 대항하는 형상을 가진 AlN판(2)이 그속에 고정되어 있으며, AlN판(2측면은 구멍부분(1a)의 내부벽면에 접합되어있다.
제 2 도에 도시된 구조에서, Al2O3판(1)의 저면에 구멍부분(1a) 둘레의 주변 부분속에 AlN판(2)의 표의 주변부분이 접합되어있다.
Al2O3와 AlN을 포함하는 세라믹 판들이 서로 접합될 경우에는 금속화와 납땜이 접합시키기 전에 항상 예비적으로 행해진다.
그러나 상기 일본 특개소 제61-7647호와 EP-0142673 Al에 기술된 것과 같이 세라믹판은 완충층을 경유하여 어떤 금속화된층과 납땜층없이 금속판이나 다른 세라믹 판에 접합된다.
그러나 이러한 것에서는 Al2O3와 AlN의 열팽창계수가 다르므로 사용시에 응력이 야기되어 접합부분이 비틀리게 되고, 그리고 어떤 경우에는 AlN판이 떨어지게 되며, 회로기판을 용접밀봉시켜 패키지를 만들때 기밀성이 저하하게 된다.
상술한 것과 같이 실험에 의해 Al2O3/AlN 복합형 회로기판은 두 판의 열괭창 계수의 차이에 기인하여 비틀려지는 경향이 있다는 것이 판명되었다.
본 발명의 목적은 상기한 문제점이 해결된 Al2O3/AlN 복합형 회로기관을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 회로기판은 Al2O3판에다 AlN판을 접합시켜 구성한 것으로서 그것을 사용할때 접합된 부분에서 비틀림이 전혀 발생하지 않는다.
본 발명의 발명자는 Al2O3와 AlN판의 접합부분의 구조에 대해 집중적으로 연구한 결과로서 두 판의 열팽창계수의 차이에 기인하여 생기는 응력을 흡수하는 완충층의 역할을 하는 금속층을 접합될 부분사이에 설치하고 그리고 그러한 금속재질이 본 발명을 만족스럽게 성취할 수 있다는 것을 알았다.
특히, 본 발명에 따른 회로기판은 알루미나판과 질화 알루미늄판을 접합시킨 회로기판으로서, 각 알루미나판 및 질화알루미늄판의 접합면에는 각각 금속화된 층이 형성되어있고, 두개의 금속화된 층의 사이에는 a) 500℃이하에서 재결정되어 소성변형되고, b) 500℃에서 인장강도가 35kg·f/mm2이하이며, c) 500℃에서 신장율이 10% 이상으로 되어있는 금속재료로된 완충층이 삽입되어져 있다.
본 발명의 금속재료가 갖추어야 할 상기 조건(a)(b)(c)중에서, 조건 (b)에 관해 만약 인장강도가 35kg·f/mm2을 초과하게 되면 그것이 Al2O3판과 AlN관의 굽힘강도보다 더 커지기 때문에 이러한 판에서 비틀림이 발생하게된다.
금속재료의 인장강도는 실온에서 2kg·f/mm2이상인 것이 좋다.
인장강도가 2kg·f/mm2이하이면 두개의 세라믹판이 금속화된 층과 납땜층을 경유하여 서로에 접합될 경우 실온에서 금속재료가 비틀리게 된다.
조건(c)에 관해서, 500℃의 온드에서 신장율이 10% 이하이면 소자로부터 열이 발생될때 접합부분에서 비틀림이 야기되는 경향이 있다.
그리고 금속재료의 신장율이 500℃의 온도에서 50%이하인 것이 좋다.
신장율이 50%이상이 되면 접합부분에서 비틀림이 생기게 된다.
상기한 것과같이 본 발명은 Al2O3판과 AlN판의 접합부분이 구조가 그 판의 형상에 의해 제한되지 않는다는 특성을 가지고 있다.
특히 구조에 대해서는 제 1 도와 제 2 도에 도시된 것과같은 구조를 예를들어 기술할 수 있다.
그러나 AlN판이나 판들을 Al2O3의 판이나 판들에 배치시킬 수 있고, 그리고 Al2O3판의 중앙부에 또는 그것의 주변부에 배치할 수도 있다.
제 3 도는 제 1 도에 도시된 회로 기판의 접합부분의 단면도이다.
이러한 회로기판에서, Al2O3판(1)과 AlN판(2)은 Al2O3판(1)의 구멍부분(1a)에다 AlN판(2)을고정시킴에 의해 결합된다(제 1 도 참조).
AlN판이 열분산성을 개선시키기 위한 목적용으로 사용되기 때문에 AlN의 열전도가 50W/m·k 이상인것을 사용하는 것이 좋다.
접합부분의 구조에 대하여 후술하기로 한다.
먼저, Al2O3판(1)의 구멍부분(1a)의 내부벽면(1b)상에 금속화된층(3)과 도금층(4)이 차례로 형성되어 있다.
금속화된층(3)은 MO, W등으로 구성될 수 있고 그리고 이것은 "알루미나 세라믹-투-메탈시일즈 바이더 Mo-Mn 프로세서(Alumina Ceramic-to-Metal Seals by the Mo-Mn Process)", 요교-쿄카이-시, 79(9) 1971, pp 330-339, 에이치. 다까시오(Yogyo-Kyokai-Si, 79(9) 1971, pp 330-339, H.YAKASHIO)에 기술된 것과같은 종래형의 금속화시키는 방법을 사용하여 형성시킬 수 있다.
도금층(4)의 재료는 특히 한정적이 아니고, 종래형의 Ni 도금등을 사용할 수 있다.
그리고 AlN판(2)의 측면(2a)에는 금속화된 층(5)과 도금층(6)이 형성되어 있다. 내부벽면(1b)과 금속화된 층이 형성되어 있는 측면(2a)은 서로 마주보고 있고 그리고 은납땜, 고온납땜등에 의해 형성되는 납땜층(7)(8)과 금속화된 층 즉 도금층(4)(6)사이의 완충층(9)을 통해 접합되어져 있다.
본 발명의 기본인 완충층(9)은 상기한 조건(a)(b)(c)을 모두 충족시키는 금속재료로 구성되어 있다.
이러한 조건들이 완전히 충족되지 않으면 완충기능이 충분하게 발휘되지 않게되고 가끔 비틀림이 발생하게 된다.
완충층용 재료로서 Ni계 합금(예로서, 500℃에서 인장강도가 33kg·f/mm2이고, 신장율이 40%인 가부시끼가이샤 도시바의 제품인 DNT와 NICKEL 223등이 있다). Cr계 합금(예로서, 500℃에서 인장강도가 35kg·f/mm2이고, 신장율이 35%인 가부시끼가이샤 도시바 제품인 PCV-K 등이 있다). AISI 430Ti(AISI : American Iron and Steel Institute), 인청동(Sn을 3 내지 5.5%, P를 0.03 내지 0.35%을 포함하고 나머지가 등으로 되어 있으며, 500℃에서 인장강도가 약 25kg·f/mm2이고 신장율이 약 38%인 인청동), 베릴륨동, 황동 등과 같은 Cu계 합금, 동, 용접밀폐용 Fe-Ni-Co합금과 동의 크래드 금속(예로서 KOV-Cu 크래드 금속 : KOV는 가부시끼가이샤 도시바의 상표임), Mo-Cu 크래드 금속, W-Cu 크래드 금속등이 있다.
완충층용의 금속재료가 상기한 조건(a)(b)(c)외에 하기의 두 조건(d)(e)을 충촉시키면 그것의 기능을 효율적으로 개선되어진다. (d)금속재료의 열전도도는 50W/m·k 이상이다. (e)금속재료의 열팽창 계수는 2-9×10-6/℃이고, 4-7×10-6/℃가 좋으며, Al2O3의 열팽창계수와 AlN의 열팽창 계수의 중간값이 최적이다.
AlN의 열팽창계수는 4×10-6/℃이고 Al2O3의 열팽창계수는 7×10-6/℃이다.
AlN판에 사용되는 금속화된 층은 도전성이 있는 금속화된 층으로서, 그것은 i) Mo, W, Ta로 구성된 제 1 그룹으로 부터 선택된 하나 이상의 원소 ii) IIa족 윈소, IIIa 및 IIIb족 원소, IVa족 원소, 희토류 원소 그리고 악타늄족 윈소로 구성된 제 2 그룹으로 부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하고 있다.
도전성의 금속화된 층의 상기 원소중에서 Mo,W 그리고 Ta의 제 1 그룹에 속하는 원소의 열저항은 아주 양호하고 그리고 열팽창계수는 AlN의 것과 거의 비숫하다.
그러므로 이러한 원소들은 열저항 특성을 개선시키는 역할을 하고 그리고 주기적인 열저항 특성을 개선시키는 역할을 한다.
이러한 원소들은 금속화된 층의 충전재에 단일 원소 또는 두개 이상의 결합원소로 포함되어져 있다.
더 상세하기는 첫번째 그룹에 속하는 상기 원소는 각원소 각 원소가 있는 혼합물 또는 고용체, 또는 상기 원소로 구성되는 그룹에서 선택된 둘 또는 그 이상의 원소의 혼합물, 혼합물과 고용체의 형태로 금속화된 층에 존재한다.
혼합물은 상기 원소중 산화물, 질화물, 탄화물, 질화산, 탄화질화물, 탄화산화물, 탄화질화산, 붕소화물, 규화물등이 있다.
전술한 원소에 부가적으로 이러한 혼합물은 두번째 그룹(후술됨)에 속하는 적어도 하나의 원소나 두번째 그룹에 속하는 것과는 적어도 하나의 원소에 포함되는 복합 혼합물 또는 고용체이다.
원소로서 Mo를 취할 경우에 Mo는 Mo 또는 Mo-Al용체의 형태로 전도성의 금속화된 층에 존재한다. 전도성의 금속화된 층의 원소에서 IIIb족 원소(B,Al,Ga,In,Tl),IVa족 원소(Ti,Zr,Hf),IIIa족 원소(Sc,Y,Te), 희토류원소(Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu) 및 악티늄 원소(Ac,Th,Pa,U,Np,Pu,Am,Cm,Bk,Cf,Es,Fm,Md,No,Lr)에 속하는 원소는 AlN에 비해 습기진데서 전도 능력이 우수하고, 전도성의 금속화된 층과 AlN판 사이에서 점착력을 향상시킨다.
Al, Ti,Zr, Hf,Y,Ce,Dy,Th,Sm은 두번째 그룹에 속하는 원소보다 특히 전도능력이 우수하다.
첫번째 그룹에 속하는 원소에서와 동일한 방법으로 두번째 그룹에 속하는 원소도 하나의 원소 또는 둘이상 원소의 혼합물의 형태로 금속층에 포함된다.
상기 원소는 혼합물과 고용체, 이러한 원소로 구성하는 그룹에서 선택된 둘이상 원소의 혼합물 또는 각원소를 포함하는 혼합물 또는 고용체, 각 원소의 형태로 금속층에서 존재한다.
성분상(成分相)으로서 Ti의 경우에 Ti는 TiN,TiO2등의 형태로 전도성의 금속화된 층에 존재한다.
본 발명에서 첫번째 그룹과 두번째 그룹에 속하는 원소의 성분비가 상세하게 명시되어 있지 않다. 사용된 원소 또는 조합의 종류에 따라 성분비가 정확히 결정된다. 첫번째 그룹에 속하는 원소대 두번째 그룹에 속하는 원소의 비가 원자비로 90 : 10 내지 10 : 90이다. 한편 제 4 도는 제 2 도에 도시된 회로기판의 접합부분의 단면도이다.
제 4도에서, 접합부분의 구조는 Al2O3판(1)의 접합부분(1b)을 Al2O3판의 저면상에 있는 구멍부분(1a)의 주변부분(1c)으로 변경시키고 그리고 AlN판(2)의 접합부분 즉 측면(2a)을 AlN판의 표면상에 있는 주변부분(2b)으로 변경시킨것 외에는 제 3 도에 도시된 것과같다.
완충층용의 금속재료는 상기한 것과같다. 완충층의 두께는 0.1mm 이상 그리고 1.0mm 이하이며, 0.1내지 0.5mm 정도가 좋고, 0.2 내지 0.4mm 정도가 더 좋으며, 0.3mm가 실제상에 있어서 최적이다. 완충층의 두께와 열팽창 계수 사이의 관계를 기술하기로 한다.
예로서 동을 완충층으로 사용할 경우 완충층의 두께가 0.1mm 이하일때 동의 열팽창계수(7.3×10-6/℃)는 Al2O3의 열팽창계수에 거의 가깝고, 응력이 Al2O3판에 적용되어서 AlN판에서 보다 오히려 Al2O3판에서 비틀림이 야기되게 하는 경향이 있다. 반대로 완충층의 두께가 1.0mm이상이면 응력이 AlN판에 적용되어 Al2O3판에서 보다 오히려 AlN판에서 비틀림이 생기는 경향이 있다.
본 발명의 다른예에 따른 회로기판이 제 5 도에 도시되어있다. 여기서 "1"은 Al2O3판을 나타내고, "2"는 AlN판을 나타내며,"10"은 완충층을 나타내고, 완충층(10)과 Al2O3판(1)은 금속확된 층(3)(7) 및 도금층(4)을 통해 접합되어 있으며, 완충층(10)과 AlN층 (2)은 금속화된 (5)(8)과 도금층(6)을 통해 접합되어 있다.
이러한 본 발명의 회로기판에서, 열을 많이 방출시키는 반도체 소자가 AlN판에 설치되어 있을 경우에도 열분산 효과를 충분히 양호하게 얻을 수 있다. 그리고, 완충층이 AlN판과 Al2O3판의 접합부분 사이에 끼워져 있기 때문에 소자에게 발생하는 열에 기인하여 접합부분의 온도가 상승할 경우 완충층이 Al2O3의 열팽창계수와 AlN의 열팽창계수 사이의 차이에 기인하여 생기는 응력을 흡수하여 비틀림등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
[실시예 1]
먼저 제 1 도와 제 3 도에 도시된 것과같은 회로기판을 준비하였다. 즉 크기가 50mm×50mm이고 두께가 0.5mm인 Al2O3판(1)의 중앙에다 20mm×20mm인 구멍부분(1a)을 만들었다.
구멍부분(1a)에다 그것보다 약간작은 AlN판(2)을 고정시켜 접합시켰다. 즉 접합시킨 각면(1b)(2a)에 Mo의 금속화된 층(3)(5)과 니켈도금층(4)(6)을 각각 형성시켰다. 이러한 판들을 은납땜 층(7)(8)과 두께 0.3mm이고 산소가 없는 동으로 된 완충층(9)을 통해 접합시켰다.
이와같이 하여 얻어진 회로기판을 사용하여 금속화된 층을 AlN층(2)에다 Si칩을 설치하고, 종래방식대로 그 위에다 회로를 형성시키며 그리고 회로기판의 전체를 용접밀폐시켜 패키지를 만들었다. 이때 같은 방법으로 패키지를 100개 준비하였다. 상기 100개의 패키지를 관찰한 결과 Al2O3판 AlN판에 비틀림이 하나도 발생하지 않았다는 것을 알 수 있었다. 비교하기 위해 완충층을 끼워넣지 않고 상기한 것과 같은 방법으로 회로기판과 패키지를 준비하고 그리고 상기한 것과같이 관찰을 한 결과 100개의 패키지중에서 90개가 비틀어졌다는 것을 알 수 있었다.
[실시예 2]
먼저 제 2 도와 제 4 도에 도시된 것과같이 회로기판을 만들었다. 즉 두께가 0.635mm이고 크기가 50mm×50mm이며 열팽창계수가 20W/m·k인 Al2O3(1)의 중앙에다 크기가 20mm×20mm인 구멍부분을 형성시켰다. Al2O3판 저면상의 구멍부분(1a)의 주변부분(1c)에 열팽창계수가 150W/m·k인 AlN판 (2)을 접합시켰다.
접합되는 면(1c)(2b)에 Mo의 금속화된 층(3)(5)과 니켈도금층(4)(6)을 형성시켰다. 이때 은납땜층(7)(8)과 그리고 두께 0.3mm이고 산소가 없는 동으로 된 완충층(9)을 통해 이러한 판을 접합시켰다.
이 예에서는 표 1에 나타나는 것과 같이 두께가 서로 다른 7가지의 회로 기판을 만들었다. 비교하기 위해 완충층을 형성시키지 않고 금속화된 층과 도금층을 통해 접합된 회로기판을 준비하였다. 이와같이하여 얻어진 회로기판을 사용하여 금속화된 층을 통해 AlN층(2)에다 Si칩을 설치하고, 종래 방식대로 그 위에다 회로를 형성시키며 그리고 회로기판의 전체를 용접밀폐시켜 패키지를 만들었다. 이때 같은 방법으로 패키지를 100개 준비하였다. 이러한 패키지를 준비한 직후 -50℃×0.5시간과 125℃×0.5시간이 1주기로 되어있는 TCT(Thermal Cycle Test : 열주기시험)를 200회 한 후 그리고 상기와 같은 TCT를 500회 한후 실시예 1에서와 같이 관찰을 하였다.
상기한 시험과 관찰의 결과로서 100개의 회로기판중 비틀림이 발생된 회로기판의 수가 표 1에 나타나 있다.
[표 1]
(수량=100)
Figure kpo00001
[비교예 1]
500℃에서 인장강도가 60kg·f/mm2이고 신장율이 35%인 Ni-Cr합금을 금속재료로 사용하여 실시예 1에서와 같이 패키지를 만들었다.
한편으로는 500℃에서 인장강도가 30kg·f/mm2이고 신장율이 7%인 Cu-Cr-Zr 합금을 금속재료로 사용하여 실시예 1에서와 같이 패키지를 만들었다.
이러한 견본품에 대해 실시예 2에서와 같은 시험과 관찰을 하였다. 상기한 시험과 관찰의 결과로서 100개의 회로 기판중 비틀림이 발생된 회로기판의 수가 표 2에 나타나 있다.
[표 2]
Figure kpo00002
[비교예 2]
하기의 금속재료를 완충층으로 사용하여 실시예 2에서와 같이 패키지를 만들었다.
1) 500℃에서 신장율이 8%이고 두께가 0.3mm인 6% Cu-A1합금층.
2) 500℃에서 인장강도가 20kg·f/mm2이고 신장율이 55%이며 두께가 0.3mm인 규소 청동층(Cu,Si 및 Sn이 95중량 %이상 포함되어 있는 Cu-Si-Sn합금).
3) 500℃에서 인장강도가 40kg·f/mm2이고, 신장율이 60%이며, 두께가 0.3mm인 알루미늄 청동층.
4) 실온에서 인장강도가 1kg·f/mm2이고 두께가 0.3mm인 인듐층.
이러한 견본품에 대해 실시예 2에서와 같은 실험과 관찰을 하였다.
상기한 시험과 관찰의 결과로서 100개의 회로기판중 비틀림이 발생된 회로기판의 수가 표 3에 나타나 있다.
인듐을 완충층으로 사용한 패키지에서는 수직방향으로 회로기판에다 인장력을 약간 가했을때 그 회로기판 전부에 다 비틀림이 발생되었다.
[표 3]
Figure kpo00003
[비교예 3]
열전도율이 35W/m·k이고 두께가 0.3mm인 Pb층이나 열저항율이 350W/m·k이고 두께가 0.3mm인 Cu층을 금속재료로 사용하여 실시예 2에서와 같이 패키지를 만들었다.
상기 두 패키지에 대한 과잉의 열 저항을 측정하였고, 이에 따른 결과를 Al2O3와 AlN의 과잉의 열저항곡선이 기준으로 표시되어 있는 제 6 도에 나타내었다.
제 6 도로부터 분명한 것과 같이 Cu층을 금속재료로 사용하는 패키지의 과잉의 열 저항율 곡선은 AlN의 것에 유사하며, 이것은 열방출력이 양호하다는 것을 입증한다.
[실시예 3]
1시간동안 1700℃의 질소 분위기에서 AlN판에 Mo-TiN합금(Mo : TiN은 2 : 1이다)의 금속화된 층을 형성시키고, 그위에 3μm두께의 Ni를 전기도금으로 형성시키며, Al2O3판에다 8%의 Mn을 함유하고 있는 Mo-Mn합금의 금속화된 층을 형성시키고 그리고 완충층으로 두께 0.3mm인 Cu를 사용하여 실시예 2에서와 같이 패키지를 만들었다.
한편, Al2O3판위의 금속화된 층으로 8%의 Mn을 함유하고 있는 Mo-Mn합금을 사용하는 것을 제외하고는 상기의 것과 같은 패키지를 만들었다. 이러한 패키지에서 외관상으로는 차이가 없지만, AlN판에 금속화된 층으로 Mo-Mn합금을 사용한 패키지의 인장강도는 1kg·f/mm2으로 아주 작았고 그리고 Mo-Mn합금을 사용하는 모든 패키지에서는 실시예 2에서 한것과 같은 TCT를 200회 한후에 비틀림이 발생되든지 금속화된 층이 벗겨지는 현상이 발생되었다.
상술한 것으로부터 분명한 것과같이 본 발명의 회로기판을 Al2O3판과 AlN판을 결합시켜 만들기때문에 열분산성이 양호하고 그리고 가격을 절감시킬 수 있다. 그리고 또 완충층이 Al2O3판과 AlN판의 접합주부분에 삽입되어 있기 때문에 사용시에 접합부분의 온도가 상승하여도 비틀림등이 거의 발생하지 않으므로 산업적 가치가 매우 높다.

Claims (11)

  1. 알루미나판과 질화 알루미늄판이 접합되어있고, 알루미나판과 질화알루미늄판의 접합되는 표면상에 금속화된 층이 각각 형성되어 있으며, 완충층이 상기 금속화된 층 사이에 형성되어있는 회로기판에 있어서, 완충층이 500℃ 이하에서 재결정되어 소성 변형되고, 500℃에서 35kg·f/mm2이하의 인장강도를 가지며 그리고 500℃에서 10% 이상의 신장율을 가지는 금속재료로 되어 있는 것을 특징으로하는 회로기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 금속재료의 열전도율이 50W/m·k 이상인 것을 특징으로하는 회로기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 금속재료의 열팽창 계수가 2×10-6내지 9×10-6/℃인 것을 특징으로하는 회로기판.
  4. 제 3 항에 있어서, 금속재료의 열팽창 계수가 4×10-6내지 7×10-6/℃인 것을 특징으로하는 회로기판.
  5. 제 4 항에 있어서, 금속재료의 열팽창 계수가 4×10-6내지 7×10-6/℃인 것을 특징으로하는 회로기판.
  6. 제 1 항에 있어서, 완충층의 두께가 0.11mm 이상에서 부터 1.0mm 이하내의 범위로 되어 있는 것을 특징으로하는 회로기판.
  7. 제 6 항에 있어서, 완충층의 두께가 0.1 내지 0.5mm인 것을 특징으로하는 회로기판.
  8. 제 7 항에 있어서, 완충층의 두께가 0.2 내지 0.4mm인 것을 특징으로하는 회로기판.
  9. 제 8 항에 있어서, 완충층의 두께가 실질적으로 0.3mm인 것을 특징으로하는 회로기판.
  10. 제 1 항에 있어서, 금속재료가 Ni계 합금, Cr계 합금, Cu계 합금, Cu, 용접밀폐용- Fe-Ni-Co 합금과 Cu의 크래드금속, Mo-Cu 크래드금속 그리고 W-Cu 크래드금속으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 것으로 되어 있는 것을 특징으로하는 회로기판.
  11. 제 1 항에 있어서, 금속화된 층이 Mo, W 및 Ta로 구성된 제 1그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소와 IIa족 원소, IIIa 및 IIIb족 원소, IVa족 원소, 희토류 원소 그리고 악티늄족 원소로 구성된 제 2 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하고 있는 도전성의 금속화된 층인 것을 특징으로하는 회로기판.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0297511B1 (en) * 1987-07-03 2003-10-08 Sumitomo Electric Industries, Limited Connection structure between components for semiconductor apparatus
US5264388A (en) * 1988-05-16 1993-11-23 Sumitomo Electric Industries, Inc. Sintered body of aluminum nitride
JP2755958B2 (ja) * 1988-08-29 1998-05-25 アンリツ株式会社 ダブルグレーティング型分光装置
JP2952303B2 (ja) * 1988-11-15 1999-09-27 旭テクノグラス株式会社 複合型回路装置
US4951014A (en) * 1989-05-26 1990-08-21 Raytheon Company High power microwave circuit packages
DE69013124T2 (de) * 1989-09-25 1995-05-04 Gen Electric Direktverbundene Metallsubstratstrukturen.
US5100740A (en) * 1989-09-25 1992-03-31 General Electric Company Direct bonded symmetric-metallic-laminate/substrate structures
JP4483366B2 (ja) * 2004-03-25 2010-06-16 ヤマハ株式会社 半導体パッケージおよびその製造方法
WO2009095486A2 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor package
US9141157B2 (en) * 2011-10-13 2015-09-22 Texas Instruments Incorporated Molded power supply system having a thermally insulated component

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3457052A (en) * 1965-09-14 1969-07-22 Westinghouse Electric Corp High temperature,electrically conductive hermetic seals
GB1387478A (en) * 1972-07-28 1975-03-19 British Leyland Truck & Bus Method of brazing ceramic articles to one another
JPS5815241A (ja) * 1981-07-20 1983-01-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用基板
DE3247985C2 (de) * 1982-12-24 1992-04-16 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Keramischer Träger
DE3316807A1 (de) * 1983-05-07 1984-11-08 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Hartlot-legierung zum verbinden von oxidkeramiken unter sich oder mit metallen
JPS6077178A (ja) * 1983-09-30 1985-05-01 株式会社東芝 窒化物セラミックス接合体およびその製造方法
EP0153737B1 (en) * 1984-02-27 1993-07-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate having high thermal conductivity
JPS617647A (ja) * 1984-06-21 1986-01-14 Toshiba Corp 回路基板
US4770953A (en) * 1986-02-20 1988-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Aluminum nitride sintered body having conductive metallized layer
JPS62197379A (ja) * 1986-02-20 1987-09-01 株式会社東芝 窒化アルミニウム基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP0252518B1 (en) 1993-02-17
DE3784192T2 (de) 1993-08-05
JPH0680873B2 (ja) 1994-10-12
KR880002423A (ko) 1988-04-30
EP0252518A1 (en) 1988-01-13
DE3784192D1 (de) 1993-03-25
JPS6318687A (ja) 1988-01-26
US4835065A (en) 1989-05-30

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