JP2657610B2 - 金属複合材料および電子回路用部品 - Google Patents
金属複合材料および電子回路用部品Info
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- JP2657610B2 JP2657610B2 JP17669293A JP17669293A JP2657610B2 JP 2657610 B2 JP2657610 B2 JP 2657610B2 JP 17669293 A JP17669293 A JP 17669293A JP 17669293 A JP17669293 A JP 17669293A JP 2657610 B2 JP2657610 B2 JP 2657610B2
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- Japan
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- metal composite
- composite material
- layer
- molybdenum
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
用いる金属複合材料に関し、特に、パッケージ内に半導
体素子を搭載すると共に半導体素子の発する熱を放熱す
る素子搭載用基板やパッケージの放熱基板として用いる
のに適した金属複合材料、ならびに、この金属複合材料
とパッケージとが接合されてなる電子回路用部品に関す
る。
用いる金属複合材料に関し、特に、パッケージ内に半導
体素子を搭載すると共に半導体素子の発する熱を放熱す
る素子搭載用基板やパッケージの放熱基板として用いる
のに適した金属複合材料、ならびに、この金属複合材料
とパッケージとが接合されてなる電子回路用部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】素子搭載用基板や放熱基板としては、集
積回路の高密度化および高出力化に伴う発熱量の増加に
対処できるように、高い放熱効果を有するものが要求さ
れている。
積回路の高密度化および高出力化に伴う発熱量の増加に
対処できるように、高い放熱効果を有するものが要求さ
れている。
【０００３】また、素子搭載用基板や放熱基板には、高
い放熱効果に加えて、隣接する構成部品、即ち、半導体
素子やパッケージの材料に対する熱膨張率のマッチング
がとれていることが信頼性を得る上で要求されている。
ここで、半導体素子の材料としては、例えば、シリコン
（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）等が用いられてお
り、パッケージの材料としては、例えば、アルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）や最近ではプラスチックが用いられている。
い放熱効果に加えて、隣接する構成部品、即ち、半導体
素子やパッケージの材料に対する熱膨張率のマッチング
がとれていることが信頼性を得る上で要求されている。
ここで、半導体素子の材料としては、例えば、シリコン
（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）等が用いられてお
り、パッケージの材料としては、例えば、アルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）や最近ではプラスチックが用いられている。
【０００４】実際には、半導体素子の材料とパッケージ
の材料とでは、熱膨張係数が比較的大きく異るために、
その中間の範囲の熱膨張係数が素子搭載用基板や放熱基
板には要求されることが多い。具体的には、Ｓｉ（３．
５〜４．０×１０-6／℃）とＡｌ2 Ｏ3 （１．０〜９．
０×１０-6／℃）との場合では６×１０-6／℃前後、Ｇ
ａＡｓ（５．０〜６．０×１０-6／℃）とＡｌ2 Ｏ3 と
の場合では７〜８×１０-6／℃程度に設定することが要
求される。
の材料とでは、熱膨張係数が比較的大きく異るために、
その中間の範囲の熱膨張係数が素子搭載用基板や放熱基
板には要求されることが多い。具体的には、Ｓｉ（３．
５〜４．０×１０-6／℃）とＡｌ2 Ｏ3 （１．０〜９．
０×１０-6／℃）との場合では６×１０-6／℃前後、Ｇ
ａＡｓ（５．０〜６．０×１０-6／℃）とＡｌ2 Ｏ3 と
の場合では７〜８×１０-6／℃程度に設定することが要
求される。
【０００５】また、ＳｉまたはＧａＡｓとプラスチック
（約２４．０×１０-6／℃）との場合では、１２．０〜
１４．０×１０-6／℃である。さらに、パッケージがＡ
ｌ2Ｏ3 の場合には、特に、製造工程におけるろう付け
温度での熱膨張係数のマッチングも必要とされ、８００
℃〜８５０℃で９．０〜１０．０×１０-6／℃程度の熱
膨張係数が要求される。
（約２４．０×１０-6／℃）との場合では、１２．０〜
１４．０×１０-6／℃である。さらに、パッケージがＡ
ｌ2Ｏ3 の場合には、特に、製造工程におけるろう付け
温度での熱膨張係数のマッチングも必要とされ、８００
℃〜８５０℃で９．０〜１０．０×１０-6／℃程度の熱
膨張係数が要求される。
【０００６】一方、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）と
を積層した金属複合材料が注目を浴びている。例えば、
特許第１５７６３２４号（特開昭６０−２３９０３２号
公報）では、熱間圧延と冷間圧延との組み合わせによっ
て製造された金属複合材料が提案されており、特開平２
−１０２５５１号公報では、冷間圧延あるいは蒸着法や
電気めっき法によって製造され、大電力用半導体装置に
使用される金属複合材料が提案されている。
を積層した金属複合材料が注目を浴びている。例えば、
特許第１５７６３２４号（特開昭６０−２３９０３２号
公報）では、熱間圧延と冷間圧延との組み合わせによっ
て製造された金属複合材料が提案されており、特開平２
−１０２５５１号公報では、冷間圧延あるいは蒸着法や
電気めっき法によって製造され、大電力用半導体装置に
使用される金属複合材料が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特許第
１５７６３２４号で提案されている金属複合材料は、Ｍ
ｏ層に部分的に巨視的せん断帯やコロニーが形成され、
プラスチックから成るパッケージ用の材料としては、特
殊な加工を施さない限り、密着強度の点で不十分であっ
た。また、ＣｕとＭｏとを圧延した場合、熱間圧延時に
バイメタル効果による著しい変形や、Ｍｏの酸化膜が形
成されるため、上記パッケージ用の基板または放熱基板
として十分なものは得られなかった。
１５７６３２４号で提案されている金属複合材料は、Ｍ
ｏ層に部分的に巨視的せん断帯やコロニーが形成され、
プラスチックから成るパッケージ用の材料としては、特
殊な加工を施さない限り、密着強度の点で不十分であっ
た。また、ＣｕとＭｏとを圧延した場合、熱間圧延時に
バイメタル効果による著しい変形や、Ｍｏの酸化膜が形
成されるため、上記パッケージ用の基板または放熱基板
として十分なものは得られなかった。
【０００８】さらに、特開平２−１０２５５１号公報で
は、セラミックスとの熱膨張整合性のみが考慮されてお
り、プラスチックのパッケージにも適用できるような金
属複合材料およびその製造法について、何等示唆されて
いない。
は、セラミックスとの熱膨張整合性のみが考慮されてお
り、プラスチックのパッケージにも適用できるような金
属複合材料およびその製造法について、何等示唆されて
いない。
【０００９】したがって、特開平２−１０２５５１号公
報から、プラスチックのパッケージに適した金属複合材
料の熱膨張係数を見い出すことはできない。
報から、プラスチックのパッケージに適した金属複合材
料の熱膨張係数を見い出すことはできない。
【００１０】本発明者等の実験によれば、プラスチック
のパッケージに適した放熱基板等の材料としては、熱膨
張係数が１０．０〜１７．０×１０-6／℃の範囲にあれ
ばよいことが判った。
のパッケージに適した放熱基板等の材料としては、熱膨
張係数が１０．０〜１７．０×１０-6／℃の範囲にあれ
ばよいことが判った。
【００１１】本発明の課題は、プラスチックのパッケー
ジとの熱膨張整合性を有し、高い熱伝導率を有し、半導
体回路装置に応じて熱膨張係数を調整でき、かつ、密着
強度においても優れている金属複合材料を提供すること
である。
ジとの熱膨張整合性を有し、高い熱伝導率を有し、半導
体回路装置に応じて熱膨張係数を調整でき、かつ、密着
強度においても優れている金属複合材料を提供すること
である。
【００１２】本発明の他の課題は、種々のパッケージに
適用して熱的整合性を持たせることができる金属複合材
料を有する電子回路用部品を提供することである。
適用して熱的整合性を持たせることができる金属複合材
料を有する電子回路用部品を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、Ｃｕ／
Ｍｏの２層構造、あるいは、ＣｕおよびＭｏを交互に積
層してＣｕ／Ｍｏ／ＣｕおよびＭｏ／Ｃｕ／Ｍｏのうち
の一方の３層構造を有し、全体の熱膨張係数が１０．０
×１０-6／℃より大きく１７．０×１０-6／℃より小さ
い範囲にあり、積層方向での引張りによる破断強度試験
によって密着強度を測定した場合に前記モリブデン層中
で破断することを特徴とする金属複合材料が得られる。
Ｍｏの２層構造、あるいは、ＣｕおよびＭｏを交互に積
層してＣｕ／Ｍｏ／ＣｕおよびＭｏ／Ｃｕ／Ｍｏのうち
の一方の３層構造を有し、全体の熱膨張係数が１０．０
×１０-6／℃より大きく１７．０×１０-6／℃より小さ
い範囲にあり、積層方向での引張りによる破断強度試験
によって密着強度を測定した場合に前記モリブデン層中
で破断することを特徴とする金属複合材料が得られる。
【００１４】この金属複合材料では、銅層およびモリブ
デン層の各厚さ偏差は±５％以内であることが好まし
い。
デン層の各厚さ偏差は±５％以内であることが好まし
い。
【００１５】本発明者等の実験によれば、上述のよう
に、Ｃｕ／Ｍｏ、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ、Ｍｏ／Ｃｕ／Ｍｏ
いずれかの構成を採用し、適切な密着法を援用すれば、
素子搭載用基板または放熱基板として、十分な密着強度
を有するものが得られることが判明した。例えば、クラ
ッド材の板厚が１．０ｍｍ以上であれば、爆発圧着法に
よって必要な密着強度を比較的容易に得ることができ
る。
に、Ｃｕ／Ｍｏ、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ、Ｍｏ／Ｃｕ／Ｍｏ
いずれかの構成を採用し、適切な密着法を援用すれば、
素子搭載用基板または放熱基板として、十分な密着強度
を有するものが得られることが判明した。例えば、クラ
ッド材の板厚が１．０ｍｍ以上であれば、爆発圧着法に
よって必要な密着強度を比較的容易に得ることができ
る。
【００１６】また、クラッド材の板厚が１．０ｍｍ以下
の場合は、爆発圧着法と冷間圧延法とを組み合わせるこ
とによって、必要な密着強度を得ることが出る。また、
Ｃｕ／Ｍｏの層厚比が６：１以上、かつクラッド材の板
厚が２．０ｍｍ以下を必要とする場合も、爆発圧着法と
冷間圧延法とを組み合わせればよい。
の場合は、爆発圧着法と冷間圧延法とを組み合わせるこ
とによって、必要な密着強度を得ることが出る。また、
Ｃｕ／Ｍｏの層厚比が６：１以上、かつクラッド材の板
厚が２．０ｍｍ以下を必要とする場合も、爆発圧着法と
冷間圧延法とを組み合わせればよい。
【００１７】尚、圧延法のみにより接合する場合には、
ＣｕとＭｏとの接合境界面での密着強度を保証すること
が困難であり、特に、Ｃｕ／Ｍｏの層厚比が６：１以上
である場合には、所定の構成比と各層の板厚公差を安定
して得ることが困難である。
ＣｕとＭｏとの接合境界面での密着強度を保証すること
が困難であり、特に、Ｃｕ／Ｍｏの層厚比が６：１以上
である場合には、所定の構成比と各層の板厚公差を安定
して得ることが困難である。
【００１８】一方、爆発圧着法によれば、Ｃｕ／Ｍｏ層
厚比が自由に設定でき、組み合わせる板厚も数十μｍか
ら数十ｍｍまで広範囲に設定することができる。また、
ＣｕとＭｏとの接合境界面での密着強度が十分に保証で
き、さらにこの後に圧延加工を施すときにも、密着強度
を低下させることなく、所定の構成比と各層の板厚公差
を安定して得ることができる。例えば、板厚公差を±５
％以内とすることが可能である。
厚比が自由に設定でき、組み合わせる板厚も数十μｍか
ら数十ｍｍまで広範囲に設定することができる。また、
ＣｕとＭｏとの接合境界面での密着強度が十分に保証で
き、さらにこの後に圧延加工を施すときにも、密着強度
を低下させることなく、所定の構成比と各層の板厚公差
を安定して得ることができる。例えば、板厚公差を±５
％以内とすることが可能である。
【００１９】密着強度の測定については、クラッド材の
積層方向での引張りによる破断強度試験によって行う。
ここで、ＣｕとＭｏとの接合状態が保持される一方、Ｍ
ｏ層中で破断することが好ましい。Ｃｕ単体の破断強度
は２０〜２３Ｋｇ／ｍｍ2 、Ｍｏ単体の破断強度は３〜
８Ｋｇ／ｍｍ2 であるが、接合境界面での密着強度は、
Ｍｏ単体の破断強度に比べ強固に接合し、したがってＭ
ｏ層中で破断することが好ましい。
積層方向での引張りによる破断強度試験によって行う。
ここで、ＣｕとＭｏとの接合状態が保持される一方、Ｍ
ｏ層中で破断することが好ましい。Ｃｕ単体の破断強度
は２０〜２３Ｋｇ／ｍｍ2 、Ｍｏ単体の破断強度は３〜
８Ｋｇ／ｍｍ2 であるが、接合境界面での密着強度は、
Ｍｏ単体の破断強度に比べ強固に接合し、したがってＭ
ｏ層中で破断することが好ましい。
【００２０】耐蝕性を向上させるためには、クラッド材
の外表面にＮｉめっきを形成するか、耐蝕性層の厚さを
数〜１０μｍとするのであれば、爆発圧着法によりチタ
ン（Ｔｉ）層を形成することができる。
の外表面にＮｉめっきを形成するか、耐蝕性層の厚さを
数〜１０μｍとするのであれば、爆発圧着法によりチタ
ン（Ｔｉ）層を形成することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例による金属複合材料を
説明する。
説明する。
【００２２】［実施例１］基材用素材として厚さ０．５
ｍｍのＭｏ板を用意し、合せ材用素材に厚さ１．５ｍｍ
のＣｕ板を用意した。基材の両面に合せ材を配し、即
ち、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕの３層形態になる様に位置させ、
爆発圧着法により接合させた。
ｍｍのＭｏ板を用意し、合せ材用素材に厚さ１．５ｍｍ
のＣｕ板を用意した。基材の両面に合せ材を配し、即
ち、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕの３層形態になる様に位置させ、
爆発圧着法により接合させた。
【００２３】上記の素材は、特に表面粗度などの調整は
行わず、冷間圧延肌のままのものを脱脂して使用した。
また、爆発圧着は、３層同時爆着の手法を用い、一回の
施行で３層を一度に接合する工法とした。
行わず、冷間圧延肌のままのものを脱脂して使用した。
また、爆発圧着は、３層同時爆着の手法を用い、一回の
施行で３層を一度に接合する工法とした。
【００２４】次いで、この接合体に冷間圧延を若干施し
た。
た。
【００２５】以上のようにして得られた金属複合材料
は、総厚で３．４５ｍｍ、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕの３層が、
層厚比で３：１：３である複合材であった。この複合材
の表面粗さはＲmax.２μｍとなった。
は、総厚で３．４５ｍｍ、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕの３層が、
層厚比で３：１：３である複合材であった。この複合材
の表面粗さはＲmax.２μｍとなった。
【００２６】また、図１に示すように、中間に位置付け
られるＭｏ層の厚さの偏差は、０．０８ｍｍであった。
図１からも明らかなように、上記した偏差は、金属複合
材料を各層の積層方向に直角な方向に切断して、工具顕
微鏡で３０ｍｍの範囲内でＭｏ層の厚さを測定し、その
最大値ｔmax と最小値ｔmin との差を算出したものであ
る。
られるＭｏ層の厚さの偏差は、０．０８ｍｍであった。
図１からも明らかなように、上記した偏差は、金属複合
材料を各層の積層方向に直角な方向に切断して、工具顕
微鏡で３０ｍｍの範囲内でＭｏ層の厚さを測定し、その
最大値ｔmax と最小値ｔmin との差を算出したものであ
る。
【００２７】さらに、本金属複合材料の室温〜８５４．
５℃での熱膨張係数の変化と長さの変化をデラトメータ
（ＤＬＴ）を用いて測定した結果、本実施例による金属
複合材料は、１００℃以上の広い範囲にわたってほぼ一
定の熱膨張係数を有し、かつ、その長さの変化も室温か
ら８５０℃までほぼ線形であった。尚、熱膨張係数は１
３．９３×１０-6／℃、熱伝導率は０．８３７ｃａｌ／
ｃｍ・ｓｅｃ・℃であった。
５℃での熱膨張係数の変化と長さの変化をデラトメータ
（ＤＬＴ）を用いて測定した結果、本実施例による金属
複合材料は、１００℃以上の広い範囲にわたってほぼ一
定の熱膨張係数を有し、かつ、その長さの変化も室温か
ら８５０℃までほぼ線形であった。尚、熱膨張係数は１
３．９３×１０-6／℃、熱伝導率は０．８３７ｃａｌ／
ｃｍ・ｓｅｃ・℃であった。
【００２８】また、この金属複合材料を２０ｍｍ×２０
ｍｍのサイズに切り出し、図２に示す構成により密着強
度を測定した。即ち、図２に示すように、互いに対向す
る、ステンレスから成る治具上片１と治具下片２との間
に金属複合材料ａの上下板面をろう材（ＢＡｇ−８）に
よってろう付けし、金属複合材料の各層の積層方向（図
中上下方向）に引張り、破断時の荷重を測定して破断強
度試験を行った。この結果、Ｃｕ／Ｍｏの接合境界面で
破断は起こらず、Ｍｏ層内にて破断が生じ、そのときの
値は、６．０Ｋｇ／ｍｍ2 であった。これにより、接合
境界面はＭｏ単体の強度以上に強固に接合していること
が実証された。
ｍｍのサイズに切り出し、図２に示す構成により密着強
度を測定した。即ち、図２に示すように、互いに対向す
る、ステンレスから成る治具上片１と治具下片２との間
に金属複合材料ａの上下板面をろう材（ＢＡｇ−８）に
よってろう付けし、金属複合材料の各層の積層方向（図
中上下方向）に引張り、破断時の荷重を測定して破断強
度試験を行った。この結果、Ｃｕ／Ｍｏの接合境界面で
破断は起こらず、Ｍｏ層内にて破断が生じ、そのときの
値は、６．０Ｋｇ／ｍｍ2 であった。これにより、接合
境界面はＭｏ単体の強度以上に強固に接合していること
が実証された。
【００２９】さらに、実施例１による金属複合材料に冷
間圧延を施し、総厚３．４５ｍｍから総厚１．７０ｍｍ
にまで約５０％の加工率で加工したところ、層厚比は、
２．８：１：２．８であった。
間圧延を施し、総厚３．４５ｍｍから総厚１．７０ｍｍ
にまで約５０％の加工率で加工したところ、層厚比は、
２．８：１：２．８であった。
【００３０】以上説明した実施例１による金属複合材料
の各特性を表１に示す。
の各特性を表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】［実施例２〜５］ ［比較例１および２］次に、材料板の厚さその他の条件
を変えて複合材を製造し、実施例２〜５、ならびに、比
較例１および２とした。表１に各特性を示す。
を変えて複合材を製造し、実施例２〜５、ならびに、比
較例１および２とした。表１に各特性を示す。
【００３３】表１から明らかなように、全体の熱膨張係
数について、実施例２〜５は、実施例１と同様に１０．
０×１０-6／℃より大きく１７．０×１０-6／℃より小
さい範囲にある一方、比較例１および２は、１０．０×
１０-6／℃より小さい熱膨張係数を有していた。また、
密着強度試験では、各実施例および比較例とも、Ｍｏ層
内にて破断が生じた。尚、表面粗さはＲmax.２〜５μｍ
となった。
数について、実施例２〜５は、実施例１と同様に１０．
０×１０-6／℃より大きく１７．０×１０-6／℃より小
さい範囲にある一方、比較例１および２は、１０．０×
１０-6／℃より小さい熱膨張係数を有していた。また、
密着強度試験では、各実施例および比較例とも、Ｍｏ層
内にて破断が生じた。尚、表面粗さはＲmax.２〜５μｍ
となった。
【００３４】熱膨張係数に関する上記結果から、本発明
による金属複合材料では、熱膨張係数の大きい銅（１
７．１×１０-6／℃）と熱膨張係数の小さいモリブデン
（５．２×１０-6／℃）との構成比を変えることによっ
て、所望の熱膨張係数を有する金属複合材料が得られる
ことがわかる。
による金属複合材料では、熱膨張係数の大きい銅（１
７．１×１０-6／℃）と熱膨張係数の小さいモリブデン
（５．２×１０-6／℃）との構成比を変えることによっ
て、所望の熱膨張係数を有する金属複合材料が得られる
ことがわかる。
【００３５】以上説明したように、本発明よる金属複合
材料はいずれも、高い熱伝導率を有すると共に、半導体
回路装置に応じて熱膨張係数を調整でき、熱的なマッチ
ングをとることが可能であると共に、密着強度に優れて
いる。
材料はいずれも、高い熱伝導率を有すると共に、半導体
回路装置に応じて熱膨張係数を調整でき、熱的なマッチ
ングをとることが可能であると共に、密着強度に優れて
いる。
【００３６】尚、以上説明した金属複合材料は、接合す
るパッケージに応じて熱膨張係数を変化させ、パッケー
ジに熱的に整合させることができるため、この金属複合
材料とパッケージとを接合して得られる電子回路用部品
は、熱的特性に優れると共に密着強度に優れ、かつ、熱
的に破損等が生じることがない。
るパッケージに応じて熱膨張係数を変化させ、パッケー
ジに熱的に整合させることができるため、この金属複合
材料とパッケージとを接合して得られる電子回路用部品
は、熱的特性に優れると共に密着強度に優れ、かつ、熱
的に破損等が生じることがない。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による金属
複合材料は、高い熱伝導率を有すると共に、半導体回路
装置に応じて熱膨張係数のマッチングがとれることは勿
論、密着強度に優れているという利点を有している。ま
た、この金属複合材料とパッケージとを接合すれば、熱
的特性に優れると共に密着強度に優れ、かつ、熱的に破
損等が生じることのない電子回路用部品が得られる。即
ち、これら金属複合材料あるいは電子回路用部品を用い
れば、接合境界面に剥離等が生ずることなく、信頼性の
高い半導体回路装置が得られる。
複合材料は、高い熱伝導率を有すると共に、半導体回路
装置に応じて熱膨張係数のマッチングがとれることは勿
論、密着強度に優れているという利点を有している。ま
た、この金属複合材料とパッケージとを接合すれば、熱
的特性に優れると共に密着強度に優れ、かつ、熱的に破
損等が生じることのない電子回路用部品が得られる。即
ち、これら金属複合材料あるいは電子回路用部品を用い
れば、接合境界面に剥離等が生ずることなく、信頼性の
高い半導体回路装置が得られる。
【図１】本発明の実施例１による金属複合材料の中央層
の厚さ偏差の算出方法を説明するための図である。
の厚さ偏差の算出方法を説明するための図である。
【図２】引張りによる破断強度試験によって密着強度を
測定するための構成を示す図である。
測定するための構成を示す図である。
１ 治具上片 ２ 治具下片 ａ 金属複合材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 典男 東京都葛飾区青戸六丁目40番１号 東京 タングステン株式会社東京製作所内 (72)発明者 氏本 泰弘 福岡県筑紫野市大字山家5447番地 旭化 成工業株式会社内 (72)発明者 松下 忠美 福岡県筑紫野市大字山家5447番地 旭化 成工業株式会社内 (72)発明者 小林 聡 東京都千代田区内幸町１丁目１番地１号 旭化成工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−102551（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−186869（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−200353（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−187285（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−46050（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−21032（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291425（ＪＰ，Ａ) 特公 平２−852（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (5)
- 【請求項１】 銅／モリブデンの２層構造を有し、全体
の熱膨張係数が１０．０×１０-6／℃より大きく１７．
０×１０-6／℃より小さい範囲にあり、積層方向での引
張りによる破断強度試験によって密着強度を測定した場
合に前記モリブデン層中で破断することを特徴とする金
属複合材料。 - 【請求項２】 銅およびモリブデンを交互に積層して銅
／モリブデン／銅およびモリブデン／銅／モリブデンの
うちのどちらか一方の３層構造を有し、全体の熱膨張係
数が１０．０×１０-6／℃より大きく１７．０×１０-6
／℃より小さい範囲にあり、積層方向での引張りによる
破断強度試験によって密着強度を測定した場合に前記モ
リブデン層中で破断することを特徴とする金属複合材
料。 - 【請求項３】 前記銅層および前記モリブデン層は、各
厚さ偏差が上下５％以内であることを特徴とする請求項
１または２記載の金属複合材料。 - 【請求項４】 表面にめっき層を有することを特徴とす
る請求項１乃至３いずれか記載の金属複合材料。 - 【請求項５】 パッケージと、該パッケージに対して熱
的整合性を有する金属複合材料とを備えた電子回路用部
品において、前記金属複合材料は、銅／モリブデンの少
なくとも２層構造を有し、全体の熱膨張係数が１０．０
×１０-6／℃より大きく１７．０×１０-6／℃より小さ
い範囲にあり、積層方向での引張りによる破断強度試験
によって密着強度を測定した場合に前記モリブデン層中
で破断するものである電子回路用部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17669293A JP2657610B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 金属複合材料および電子回路用部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17669293A JP2657610B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 金属複合材料および電子回路用部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738216A JPH0738216A (ja) | 1995-02-07 |
| JP2657610B2 true JP2657610B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=16018073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17669293A Expired - Fee Related JP2657610B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 金属複合材料および電子回路用部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2657610B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6233677B1 (ja) * | 2016-08-31 | 2017-11-22 | Jfe精密株式会社 | 放熱板及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP17669293A patent/JP2657610B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738216A (ja) | 1995-02-07 |
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