JP5771951B2 - パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
このようなセラミックス基板に回路層又は放熱層となるアルミニウム金属層を積層状態に形成する方法として、セラミックス基板に、Al−Si系又はAl−Ge系のろう材を介在させてアルミニウム金属層を重ね合わせ、その積層体を加圧、加熱することにより、ろう材を溶融させて、セラミックス基板とアルミニウム金属層とを接合するようにしている。
また、一般に、複数個のパワーモジュール用基板を製作できる大きさのセラミックス平板に、アルミニウムの金属板をろう付けにより接合した後、個々のパワーモジュール用基板とするために、金属板をエッチングにより所望の外形の複数の金属層に加工し、その後、その金属層を含む個々のセラミックス基板に分割することにより、パワーモジュール用基板が形成される。
セラミックス基板の表裏で異なる厚さの金属層を用いる場合、厚肉の金属層のエッチング時間に合わせると薄肉の金属層のエッチングしろSが大きくなるので、その分、薄肉の金属層用のエッチングマスクの隙間をその厚さに対応する通常の設計値よりも小さく設定しておくことにより、薄肉の金属層が所望の外形に仕上げられるのとほぼ同じタイミングで、厚肉の金属層のエッチング加工を終了させることができるはずである。
また、前記セラミックス基板を複数個製作できるセラミックス平板を用意するとともに、前記第1金属層となる金属板及び前記第2金属層となる金属板をそれぞれ前記第1金属層及び前記第2金属層を複数個製作できる大きさに形成しておき、前記セラミックス平板の両面にそれぞれ前記金属板を接合した後、両金属板を同時にエッチングして前記第1金属層及び前記第2金属層の外形に形成し、その後、前記セラミックス平板を分割することを特徴とする。
ろう付け前の組成で前記第1金属層として、アルミニウム純度が99.80%以上のアルミニウム、第2金属層として、アルミニウム純度が99.0〜99.5%のアルミニウムを用いるとよい。
エッチング液としては、塩化第二鉄を主成分とするものであることが好ましい。
図1は、本発明に係るパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示している。この図1に示されるパワーモジュール1は、セラミックス等からなるセラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3の裏面に接合されたヒートシンク5とから構成されている。
また、セラミックス基板2は、例えばAlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、若しくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスにより形成される。
JIS規格品では、第1金属層7として1N99、第2金属層8として1000番台のアルミニウムを用いることができる。
また、第1金属層8の厚さは0.2mm〜0.6mmとされ、第2金属層7の厚さは0.3mm〜0.9mmとされる。第2金属層7の方が第1金属層8よりも0.1mm〜0.3mm厚く形成される。
なお、セラミックス基板2の厚さは限定されるものではないが、例えば0.635mmとされる。
そして、両金属板22,23の表面にエッチングマスク24,25を形成した後、これらをエッチング液に浸漬する。エッチング液としては、塩化第二鉄を主成分とするものが用いられ、例えばFeCl3≧44%、FeCl2≦0.13%、HCl≦0.15%の濃度の溶液とされる。
この一連の工程によってパワーモジュール1が完成する。
エッチング液としては、FeCl3:40%、FeCl2:0.1%、HCl:0.15%濃度の溶液を用いた。
このエッチング液にセラミックス基板と各金属層との積層体をそれぞれ浸漬し、金属層のエッチング所要時間を調べたところ、第1金属層が8分、第2金属層が8分であった。
比較例として、第1金属層と第2金属層とを同じアルミニウム純度が99.0wt%のアルミニウムとする以外は、上記の実験条件と同じ条件でエッチングをした場合、エッチング所要時間は、第1金属層が8分、第2金属層が12分であった。
したがって、本実施形態の構成とすることにより、両金属層をほぼ同じタイミングでエッチング終了させることができることが確認された。
実施形態では、回路層側を厚さの小さい第1金属層、放熱層側を厚さの大きい第2金属層としたが、逆に、回路層側を厚さが大きい第2金属層、放熱層側を厚さの小さい第1金属層とするものにも適用することができる。
2 セラミックス基板
3 パワーモジュール用基板
4 電子部品
5 ヒートシンク
7 第1金属層
8 第2金属層
15 筒体
16 流路
17 縦壁
18 はんだ接合層
21 セラミックス平板
22,23 金属板
24,25 エッチングマスク
26,27 隙間
Claims (3)
- セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に積層されたアルミニウムからなる第1金属層と、前記セラミックス基板の他方の面に積層されたJIS規格の1000番台のアルミニウムからなる第2金属層とを備え、前記第1金属層の厚さよりも前記第2金属層の厚さの方が大きく形成されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記第2金属層となる金属板として、前記第1金属層となる金属板よりもFe及びSiの含有量が多く、前記第2金属層となる金属板はFe及びSiの合計で0.45質量%〜0.95質量%含有しており、エッチングレートが両金属板の厚さに対応して第1金属層となる金属板のエッチングレートの1.4倍〜1.6倍速い金属板を用い、両金属板を前記セラミックス基板に接合した後、両金属板をエッチングすることにより前記第1金属層及び前記第2金属層を形成することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記セラミックス基板を複数個製作できるセラミックス平板を用意するとともに、前記第1金属層となる金属板及び前記第2金属層となる金属板をそれぞれ前記第1金属層及び前記第2金属層を複数個製作できる大きさに形成しておき、前記セラミックス平板の両面にそれぞれ前記金属板を接合した後、両金属板を同時にエッチングして前記第1金属層及び前記第2金属層の外形に形成し、その後、前記セラミックス平板を分割することを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記第1金属層は、厚さが0.2mm〜0.6mmで、前記第1金属層となる金属版はFeの含有量が0.15質量%以下、Siの含有量が0.15質量%以下であり、第2金属層は、厚さが0.3mm〜0.9mmであることを特徴とする請求項1又は2記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
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