KR900000076B1 - 금속-반도체-금속 포토다이오드 - Google Patents
금속-반도체-금속 포토다이오드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900000076B1 KR900000076B1 KR1019860011576A KR860011576A KR900000076B1 KR 900000076 B1 KR900000076 B1 KR 900000076B1 KR 1019860011576 A KR1019860011576 A KR 1019860011576A KR 860011576 A KR860011576 A KR 860011576A KR 900000076 B1 KR900000076 B1 KR 900000076B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal
- semiconductor
- photodiode
- electrode
- layer
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/07—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the Schottky type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
- H01L31/1085—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type the devices being of the Metal-Semiconductor-Metal [MSM] Schottky barrier type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 암 전류(dark current)와 장벽 높이와의 관계.
제2도는 종래의 MSM 포토다이오드의 에너지 밴드를 도시한 다이어 그램.
제3도는 본 발명에 따른 MSM 포토다이오드의 실시예의 요부 평면도.
제4도는 제3도의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 MSM 포토다이오드의 단면도.
제5도는 제3도와 제4도에 도시된 MSM 포토다이오드의 에너지 밴드를 나타낸 다이어그램.
제6도는 본 발명에 따른 MSM 포토다이오드의 응용을 나타낸 단면도이다.
제7도는 본 발명에 따른 MSM 포토다이오드의 또다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
본 발명은 일반적으로 금속-반도체-금속 포토다이오드에 관한 것으로서 특히 최소의 암 전류를 가진 금속-반도체- 금속 포토다이오드에 관한 것이다.
일반적으로 금속-반도체-금속(MSM) 포토다이오드는 트랜지스터를 집적시킨 반도체 장치를 형성하는데 적합하다. 본 발명자는 암 전류가 감소된 MSM 포토다이오드에 대하여 일본 특허 출원번호 60-111376에 일찌기 제안하였다.
종래의 MSM 포토다이오드에 의하면 암 전류를 감소시키고 만족할만한 신호대 잡음비를 가지고 신호를 수신할 수 있는 신호 수신할 수 있는 신호 수신 시스템을 얻기 위하여 실리콘 텅스텐 (WSiX)을 MSM 포토다이오드의 전극용 물질로서 사용하였다.
종래의 MSM 포토다이오드는 암 전류가 감소되고 신호 수신 시스템이 만족할만한 신호대 잡음비를 가지고 신호를 수신할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 종래의 MSM 포토다이오드에는 MSM 포토다이오드의 애노우드 및 캐소우드 전극을 위하여 같은 전극물질이 사용되고 전극물질을 선택함에 있어서, 어떤 중간물이 필요하다. 다시 말하면 전도 대역으로부터의 쇼트키 장벽이 높을대, 주입전자는 적고 주입홀은 많다. 한편, 전도대역으로부터의 쇼트키 장벽이 낮을때는 주입홀이 적지만 주입전자는 많다.
그러므로 WSiX가 MSM포토다이오드의 애노우드 및 캐소우드 전극을 위한 전극물질로서 사용되어진다. 그러나 암 전류를 더욱 감소시킬 수 있다면 더욱 좋다. 따라서 상기 언급된 요구사항이 충족된 새롭고 유용한 MSM 포토다이오드를 제공하는 것이 본 발명의 일반적인 목적이다.
본 발명의 또 하나의 더 구체적인 목적은 MSM 포토다이오드의 애노우드 전극 및 캐소우드 전극을 구성하는 전극물질이 암 전류가 최소인 서로 상이하고 적당한 물질로 선택되는 MSM 포토다이오드를 제공하는 것이다. 본 발명의 MSM 포토다이오드에 따르면 만족할만한 신호대 잡음비를 가지고서 신호를 수신하는 신호수신 시스템을 얻을 수 있다.
본 발명의 또 하나의 목적은 캐소우드 전극이 ψbn〉Eg/2를 충족하는 쇼트키 장벽 높이 ψbn을 가지고 있고, 애노우드 전극 ψbn〉Eg/2를 충족하는 쇼트키 장벽 높이 ψbp를 가지는 서로 다른 전극물질로 구성된 애노우드 전극 및 캐소우드 전극을 가지는 MSM 포토다이오드를 제공하는 것이고 여기에서 Eg는 에너지 밴드 갭을 나타낸다. 본 발명의 MSM 포토다이오드에 의하면 MSM 포토다이오드가 광신호를 수신할때, 큰 전류를 얻을 수 있다. 그러므로 암 전류를 크게 줄일 수가 있고 만족할만한 신호대 잡음비를 가지고 신호를 수신하는 신호 수신 시스템을 얻을 수 있다.
본 발명의 더 나아서의 목적은 적어도 하나의 캐소우드 전극과 애노우드 전극이 비교적 적은 두께의 막을 가지고 있고, 인듐산화 주석(ITO) 또는 산화인듐(Inox)층이 비교적 적은 두께의 막을 가진 전극상에 형성되는 MSM 포토다이오드를 제공하는 것이다. 본 발명의 MSM 포토다이오드에 따르면 MSM 포토다이오드의 감도를 개선할 수가 있다.
본 발명의 다른 목적 및 더 나아간 특징들은 첨부 도면을 참조하여 다음 명세서를 읽음으로써 나타난다. 전기 언급한 종래의 MSM 포토다이오드의 전극을 구성하는 물질로서 WSix가 사용되어 암 전류가 감소되고 만족할만한 신호대 잡음비를 가지고서 신호를 수신할 수 있는 신호 수신 시스템을 얻을 수 있다. 제1도는 종래의 MSM 포토다이오드가 개발되었을때, 얻어진, 실험 결과인 쇼투키 장벽 높이와 암 전류 사이의 관게도이다. 제1도에서 가로좌표는 MSM 포토다이오드의 전극을 구성하는 금속에 의존하는 장벽 높이를 나타내고 세로 좌표는 MSM 포토다이오드의 암 전류를 나타낸다. 더우기 쇼트키 장벽 높이는 각 금속 전극이 n형의 갈륨 아세나이드(GaAs) 층상에 형성되고 바이어스 전압이 10V인 경우를 나타낸다. 제1도에서 알 수 있는 바와 같이 암 전류는 WSix가 전극물질로써 사용될때, 최소치를 갖는다. 제1도에서 점선 Ⅰ와 Ⅱ는 각종 전극물질에 대하여 암 전류의 최소치를 연결함으로써 얻어지는 특성을 나타낸다.
제2도는 종래의 제안된 MSM 포토다이오드의 에너지 밴드 다이어 그램이다. 제2도에서 M은 금속 전극, S는 반도체층, V는 바이어스 전압, φbn은 전도대로부터의 쇼트키 장벽 높이, ie는 주입 전자 그리고 jh는 주입홀을 나타낸다. 장벽 높이 φbn이 높으면 φbn=Eg-φbn'이기 때문에 주입 전자 je는 적은 반면, jh는 많고, 여기에서 Eg는 에너지 밴드 갭이다. 반면에 장벽 높이 φbn이 낮으면 주입홀 jh가 적지만 주입 전자 je는 많다.
따라서 φbn≒Eg/2 일때, 최상의 결과가 얻어질 수 있고, WSix는 이 조건을 만족시키는 물질이 된다. MSM 포토다이오드의 전극물질로서 WSix를 사용함으로써 알루미늄(Al)같은 금속을 전극물질로서 사용하는 경우에 비하여 암 전류를 상당히 줄일 수 가 있다.
종래의 MSM 포토다이오드는 암 전류가 감소되고 신호 수신 시스템이 만족할만한 신호대 잡음비를 가지고서 신호를 수신할 수 있다는 점에서 장점이 있었다. 그러나 종래의 MSM 포토다이오드에서는 MSM 포토다이오드의 애노우드 및 캐소우드의 두 전극을 위하여 같은 전극물질이 사용되었고 전극물질을 선택할때에 매개물을 필요로 하였다. 따라서 WSix가 MSM 포토다이오드의 애노우드 및 캐소우드의 두 전극을 위한 전극물질로써 사용되었다. 그러나 만일에 암 전류를 더 줄일 수만 있다면 더 유리하다.
본 발명은 MSM 포토다이오드의 애노우드 및 캐소우드 전극을 위하여 서로 다른 전극물질을 사용함으로 종래의 MSM 포토다이오드에 비하여 암 전류를 더 줄일 수가 있다. 일반적으로 MSM 포토다이오드내의 주입전자 je와 주입홀 jh는 다음 관계식으로 나타낼 수 있고, 여기에서 An*과 Ap*는 리차드슨 상수, T는 절대 온도, q는 전하량, k는 볼쯔만 상수, 그리고 △φbn과 △φbp는 각각의 장벽 높이 φbn과 φbp에서의 편차를 나타낸다.eq△φbn/kT와eq△φbp/kT항은 바이어스 전압이 변할때에 장벽 높이가 감소하기 때문에 생기는 것이고 실적으로 아무런 영향도 없다.
상기 식으로부터 알 수 있는 바와 같이 암 전류를 줄이기 위하여 주입 전자와 주입홀을 증가시키기 위해서는 장벽 높이 φbn과 φbp 가 높아져야만 한다. 종래의 MSM 포토다이오드에서는 장벽 높이가 약 Eg/2이었고, 이 경우에 비하여 주입 전자와 주입률를 증가시키기 위해서는 장벽 높이 φbn과 φbp가 φbn〉Eg/2와 φbp〉Eg/2를 만족시켜야만 한다. 그러므로 본 발명에 다른 MSM 포토다이오드에서 MSM 포토다이오드의 캐소우드 및 애노우드 전극은 캐소우드 전극이 φbn〉Eg/g2를 만족시키는 장벽 높이 φbn을 가지고 있고, 애노우드전극이 φbp〉Eg/2를 만족시키는 장벽 높이 φbp를 가지고 있는 서로 다른 전극물질(예를 들면 Au와 In)으로 만들어진다. 본 발명의 MSM포토다이오드에 의하면 장벽 높이 φbn과 φbp가 je와 jh같은 개리어의 열 방출을 피할 만큼 충분히 높기 때문에 암 전류를 크게 줄일 수 있다. 반면에 장벽 높이 φbn과 φbp는 MSM 포토다이오드가 광신호를 받을때에 생성된 전류와 별로 관계가 없기 때문에 광신호에 따르면 전류를 감소시킴이 없이 암 전류를 줄일 수가 있다. 그러므로 만족할만한 시호대 잡음비를 가지고서 신호를 수신하는 신호수신 시스템을 얻을 수 있다.
MSM 포토다이오드의 캐소우드 측의 장벽 높이 φbn을 Eg/2 이상으로 하기 위해서는 금(Au) 백금(Pt), 티타늄(Ti)와 Al 같은 물질이 캐소우드 전극을 구성하는 전극물질로써 사용된다. 반면에 MSM 포토다이오드의 애노우드측의 장벽 높이 φbp를 Eg/2이상으로 하기 위해서는 인듐(In)과 WSix같은 물질이 애노우드 전극을 구성하는 전극물질로써 사용되고, 여기에서 x는 0.5 내지 0.8정도이고, 예를 들면 x=0.64이다.
제3도는 본 발명에 따른 MSM 포토다이오드의 실시예의 요부 평면도이다. 제3도에서 MSM 포토다이오드는 GaAs 액티브층 12, Au로 만들어진 캐소우드 전극 14와 In으로 만들어진 애노우드 전극 15를 포함한다.
제4도는 제3도의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라서 나타낸 MSM 포토다이오드의 단면도이다. 제4도에서 제3도의 상응하는 부분과 같은 부분은 같은 참조 숫자로 나타내었다.
제4도에서 액티브 GaAs층 12는 반절연 GaAs 기판 11상에 형성되고, 실리콘 니트라이드(SiN)층 13은 액티브 GaAs 층 12상에 형성된다. 바이어스 전압 V는 보이는 바와 같이 애노우드 및 캐소우드를 통하여 인가된다. 제3도와 제4도에서 보인 MSM 포토다이오드에서 콤(comb)의 이빨 모양으로 배열된 캐소우드 및 애노우드 전극 14와 15 사이의 부분에 빛을 투사한다.
제5도는 제3도와 제4도에서 보인 MSM 포토다이오드의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸다. 제5도에서 제2도와 상응하는 부분은 같은 참조 문자로 표시하였다. 제5도에서 알 수 있는 바와 같이 캐소우드 전극은 φbn〉Eg/2를 만족시키는 장벽 높이 φbn을 가지며 애노우드 전극은 φbp〉Eg/2를 만족시키는 장벽 높이 φbp를 갖는다. 바이어스 전압 V는 도면에서 알 수 있는 바와 같이 애노우드 및 캐소우드를 통하여 인가된다. 따라서 MSM 포토다이오드가 빛을 받을 때 흐르는 전류량은 커지고 암 전류는 크게 감소된다. 종래의 MSM 포토다이오드에 비하여 본 발명에 따른, MSM 포토다이오드에서의 암 전류는 종래의 MSM 포토다이오드의 암 전류의 적어도
로 감소된다. 결과적으로 만족할만한 신호대 잡음비를 가지고서 신호를 수신하는 신호 시스템을 얻을 수가 있다.
제6도는 제3도와 제4도에서 보인 MSM 포토다이오드가 반도체 장치를 구성하기 위하여 금속 반도체 전계효과트랜지스터(MESFET)같은 트랜지스터와 결합된 경우를 나타낸다. 제6도에서 제4도와 상응하는 부분은 같은 참조 숫자로 표시하고 그에 대한 설명은 생략한다. 제6도에서 추가적인 GaAs 액티브층 20이 GaAs 액티브층 12상에 형성되고, 쇼트키 게이트 전극 21, 오오믹 콘택트 소오스(ohmic contact source) 22와 오오믹콘택트 드레인 23이 추가적인 GaAs 액티브층 20위에 형성된다. 이 경우에 MESFET부 24 사에서의 GaAs 액티브층 12가 버퍼층으로써 작용한다.
제7도는 본 발명에 따른 MSM 포토다이오드의 다른 하나의 실시예를 나타낸다. 제7도에서 제4도와 상응하는 부분은 같은 참조 숫자로 나타내었고 이에 대한 설명은 생략한다. 이 실시예에서 캐소우드와 애노우드 전극 14와 15는 50Å 내지 100Å 정도의 적은 두께의 막을 가지며, 인듐산화 주석(ITO) 또는 산화인듐(InOx)으로 만들어지고, 2000Å 정도의 두께를 가진 막이 있는 추가층 26이 캐소우드와 애노우드 전극 14와 15위에 형성되어 MSM 포토다이오드의 감도를 효과적으로 증가시킨다.
전술한 실시예의 경우에서와 마찬가지로 본 실시예에서도 암 전류와 최소로 될 수 있다. 비록 캐소우드와 애노우드 전극 14와 15의 양쪽위에 추가층 26을 제공하는 것이 더 좋지만, 추가층 26은 캐소우드와 애노우드전극 14와 15의 단지 하나 위에서만 형성될 수도 있다.
더우기 본 발명은 이들 실시예로 제한되는 것이 아니고 본 발명의 범위에서 벗어남이 없이 여러가지 변화 및 수정이 가능하다.
Claims (8)
- 금속-반도체-금속 포토다이오드에 있어서, 반도체층(12), 상기 반도체층(12)상에 형성되고, Eg가 에너지 밴드갭을 나타낼때에 φbn〉Eg/2의 관계를 만족시키는 전도대로부터의 쇼트키 장벽 높이 φbn을 가지는 첫번째 전극물질로 만들어진 캐소우드 전극(14)과, 상기 반도체층상에 형성되고 φbp〉Eg/2의 관계를 만족시키는 가전자대로부터의 쇼트키 장벽 높이 φbp를 가지는 다른 두번째 전극물질로 만들어진 애노우드 전극(15)을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체-금속 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 첫번째 전극물질이 금, 백금, 티타늄 및 알루미늄의 그룹으로부터 선택되고 상기 두번째 전극물질이 인듐과 실리콘 텅스텐의 그룹으로부터 선택되는 금속-반도체-금속 포토다이오드.
- 청구범위 제2항에 있어서, 상기 두번째 전극물질이 WSix이고, 여기에서 x는 0.5내지 0.8정도인 금속-반도체-금속 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 더우기 상기 캐소우드 전극(14)과 상기 애노우드 전극(15)중의 적어도 하나위에 형성된 추가층(26)을 포함하고 상기 추가층을 인듐산화 주석과 산화인듐으로부터 선택된 물질로 만들어 지는 금속-반도체-금속 포토다이오드.
- 청구범위 제4항에 있어서, 상기 추가층(26)에 2000Å 정도의 두께를 가진 막이 있고, 상기 추가층(26)이 형성된 상기 캐소우드 전극(14) 및/또는 상기 애노우드 전극(15)에 50Å 내지 100Å 정도의 두께를 가진 막이 있는 금속-반도체-금속 포토다이오드.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 반도체층(12)이 액티브층이고, 상기 액티브층이 반절연 기판상(11)에 형성되는 금속-반도체-금속 포토다이오드.
- 청구범위 제6항에 있어서, 상기 액티브층(12)이 갈륨 아세나이드로 만들어진 금속-반도체-금속 포토다이오드.
- 청구범위 제6항에 있어서, 상기 캐소우드 전극(14)과 상기 애노우드 전극(15)의 콤의 이빨 형태로 상기 액티브층(12) 위에 배열되고 상기 캐소우드 전극(14) 및 상기 애노우드 전극(15)의 이빨 형태로 나타나는 금속-반도체-금속 포토다이오드.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-000776 | 1986-01-08 | ||
| JP61000776A JPH0624251B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 光半導体装置 |
| JP776 | 1986-01-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR870007574A KR870007574A (ko) | 1987-08-20 |
| KR900000076B1 true KR900000076B1 (ko) | 1990-01-19 |
Family
ID=11483102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860011576A KR900000076B1 (ko) | 1986-01-08 | 1986-12-30 | 금속-반도체-금속 포토다이오드 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4763176A (ko) |
| EP (1) | EP0229040B1 (ko) |
| JP (1) | JPH0624251B2 (ko) |
| KR (1) | KR900000076B1 (ko) |
| DE (1) | DE3779765T2 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180129698A (ko) * | 2018-07-16 | 2018-12-05 | 아주대학교산학협력단 | 태양광-블라인드 uv-c 광센서 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022179A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | メタル・セミコンダクタ・ｆｅｔ |
| JP2637476B2 (ja) * | 1988-06-17 | 1997-08-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体受光素子 |
| JP2527791B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1996-08-28 | 三菱電機株式会社 | Ｍｓｍ型半導体受光素子 |
| US5115294A (en) * | 1989-06-29 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Optoelectronic integrated circuit |
| US5019530A (en) * | 1990-04-20 | 1991-05-28 | International Business Machines Corporation | Method of making metal-insulator-metal junction structures with adjustable barrier heights |
| US7084423B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-08-01 | Acorn Technologies, Inc. | Method for depinning the Fermi level of a semiconductor at an electrical junction and devices incorporating such junctions |
| US6833556B2 (en) | 2002-08-12 | 2004-12-21 | Acorn Technologies, Inc. | Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel |
| CN101171691B (zh) * | 2005-09-26 | 2010-11-17 | 香港应用科技研究院有限公司 | 光探测器及其光设备 |
| JP4247263B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2009-04-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体放射線検出器および放射線検出装置 |
| US7750426B2 (en) * | 2007-05-30 | 2010-07-06 | Intersil Americas, Inc. | Junction barrier Schottky diode with dual silicides |
| GB2526951B (en) | 2011-11-23 | 2016-04-20 | Acorn Tech Inc | Improving metal contacts to group IV semiconductors by inserting interfacial atomic monolayers |
| US9620611B1 (en) | 2016-06-17 | 2017-04-11 | Acorn Technology, Inc. | MIS contact structure with metal oxide conductor |
| DE112017005855T5 (de) | 2016-11-18 | 2019-08-01 | Acorn Technologies, Inc. | Nanodrahttransistor mit Source und Drain induziert durch elektrische Kontakte mit negativer Schottky-Barrierenhöhe |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1082358A (en) * | 1965-05-20 | 1967-09-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Double injecting semiconductor |
| US3700980A (en) * | 1971-04-08 | 1972-10-24 | Texas Instruments Inc | Schottky barrier phototransistor |
| GB1535367A (en) * | 1975-04-02 | 1978-12-13 | Exxon Research Engineering Co | Photovoltaic device |
| JPS5450288A (en) * | 1977-09-28 | 1979-04-20 | Hokusan Kk | Solar battery |
| US4345107A (en) * | 1979-06-18 | 1982-08-17 | Ametek, Inc. | Cadmium telluride photovoltaic cells |
| US4289920A (en) * | 1980-06-23 | 1981-09-15 | International Business Machines Corporation | Multiple bandgap solar cell on transparent substrate |
| DE3276287D1 (en) * | 1981-04-20 | 1987-06-11 | Hughes Aircraft Co | High speed photoconductive detector |
| JPS59175166A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルファス光電変換素子 |
| US4514579A (en) * | 1984-01-30 | 1985-04-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Large area photovoltaic cell and method for producing same |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP61000776A patent/JPH0624251B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-30 KR KR1019860011576A patent/KR900000076B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-01-07 US US07/001,031 patent/US4763176A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-08 DE DE8787400025T patent/DE3779765T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-08 EP EP87400025A patent/EP0229040B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180129698A (ko) * | 2018-07-16 | 2018-12-05 | 아주대학교산학협력단 | 태양광-블라인드 uv-c 광센서 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4763176A (en) | 1988-08-09 |
| DE3779765D1 (de) | 1992-07-23 |
| EP0229040B1 (en) | 1992-06-17 |
| JPS62159478A (ja) | 1987-07-15 |
| EP0229040A3 (en) | 1989-09-06 |
| DE3779765T2 (de) | 1993-01-28 |
| KR870007574A (ko) | 1987-08-20 |
| EP0229040A2 (en) | 1987-07-15 |
| JPH0624251B2 (ja) | 1994-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900000076B1 (ko) | 금속-반도체-금속 포토다이오드 | |
| US3767984A (en) | Schottky barrier type field effect transistor | |
| US5130763A (en) | Integrated semiconductor device with an insulated-gate field effect transistor having a negative transconductance zone | |
| JP2928535B2 (ja) | 集積された多量子井戸光子及び電子デバイス | |
| JPH0652785B2 (ja) | 検出器の間に検出すべき波長の光を透過させない領域を備えた感光性デバイス及びその製造方法 | |
| US5608255A (en) | FET optical receiver using backside illumination, indium materials species | |
| US5663075A (en) | Method of fabricating backside illuminated FET optical receiver with gallium arsenide species | |
| US4200877A (en) | Temperature-compensated voltage reference diode with intermediate polycrystalline layer | |
| EP0207968A1 (en) | UNIPOLAR HOT ELECTRON TRANSISTOR. | |
| JP3093774B2 (ja) | 電極構造 | |
| JP2001135814A (ja) | 縦型ｍｏｓ電界効果トランジスタ | |
| JP2592232B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| Tseng et al. | Stable tantalum silicide Schottky barrier on n-type gallium arsenide evaluated at elevated temperatures | |
| JPS6035834B2 (ja) | 輻射線検出用半導体装置 | |
| JPH0637346A (ja) | 光センサ用ｍｅｓｆｅｔ | |
| JPS6220382A (ja) | 光半導体装置 | |
| US4860066A (en) | Semiconductor electro-optical conversion | |
| US4918508A (en) | Vertical photoconductive detector | |
| JPH0851223A (ja) | 半導体装置 | |
| US20240363787A1 (en) | Metal-semiconductor-metal photodetectors | |
| JPS61276274A (ja) | シヨツトキ−フオトダイオ−ド | |
| RU2676185C1 (ru) | Способ изготовления свч фотодетектора | |
| Jackson et al. | Monolithically integrable high speed photodetectors | |
| Porges et al. | Asymmetric (Schottky-ohmic) MSM photodetector | |
| JP2741763B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19940113 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |