JPH0652785B2 - 検出器の間に検出すべき波長の光を透過させない領域を備えた感光性デバイス及びその製造方法 - Google Patents
検出器の間に検出すべき波長の光を透過させない領域を備えた感光性デバイス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0652785B2 JPH0652785B2 JP59282134A JP28213484A JPH0652785B2 JP H0652785 B2 JPH0652785 B2 JP H0652785B2 JP 59282134 A JP59282134 A JP 59282134A JP 28213484 A JP28213484 A JP 28213484A JP H0652785 B2 JPH0652785 B2 JP H0652785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- wavelength
- detected
- photosensitive device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSJBKPNSLRKRNR-UHFFFAOYSA-N $l^{2}-stannanylidenetin Chemical compound [Sn].[Sn] GSJBKPNSLRKRNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYEOSUFWPIXZOR-UHFFFAOYSA-N [bis(selanylidene)-$l^{5}-arsanyl]selanyl-bis(selanylidene)-$l^{5}-arsane Chemical compound [Se]=[As](=[Se])[Se][As](=[Se])=[Se] FYEOSUFWPIXZOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/118—Oxide films
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/906—Dram with capacitor electrodes used for accessing, e.g. bit line is capacitor plate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、検出器の間に検出すべき光を透過させない領
域を備えた感光性デバイスに関する。また、本発明はか
かる感光性デバイスの製造方法に関する。
域を備えた感光性デバイスに関する。また、本発明はか
かる感光性デバイスの製造方法に関する。
従来の技術 この種の公知の検出器は一般に単一半導体基板上に集積
されたフォトダイオード又はフォト−ＭＯＳである。
されたフォトダイオード又はフォト−ＭＯＳである。
1979年８月31日にTHOMSON-CSFの名で出願され、仏国特
許出願公開第2,464,563号として公開された仏国特許出
願第7,921,903号は、或る適用分野では、検出器の直径
を小さくすることが必要であることを明らかにしてい
る。
許出願公開第2,464,563号として公開された仏国特許出
願第7,921,903号は、或る適用分野では、検出器の直径
を小さくすることが必要であることを明らかにしてい
る。
赤外線の照射により、基板中のフォトダイオードの下側
およびフォトダイオードの周辺には、電子／正孔対が発
生する。これら基板中で発生した電荷のうちで、最も近
いフォトダイオードに到達しなかったものが、再び基板
に結合される前に他のフォトダイオードに到達すると寄
生信号の原因となる。フォトダイオードが互いに近接し
ている場合、この寄生信号によりクロストークが生ず
る。ある検出領域に属する電荷が、隣接する検出領域の
フォトダイオードに集まるからである。フォトダイオー
ドが非常に小さく、近接して配置されている場合には、
この寄生信号は強くなる。これを「エッジ効果」と称す
る。
およびフォトダイオードの周辺には、電子／正孔対が発
生する。これら基板中で発生した電荷のうちで、最も近
いフォトダイオードに到達しなかったものが、再び基板
に結合される前に他のフォトダイオードに到達すると寄
生信号の原因となる。フォトダイオードが互いに近接し
ている場合、この寄生信号によりクロストークが生ず
る。ある検出領域に属する電荷が、隣接する検出領域の
フォトダイオードに集まるからである。フォトダイオー
ドが非常に小さく、近接して配置されている場合には、
この寄生信号は強くなる。これを「エッジ効果」と称す
る。
この「エッジ効果」により、検出器の受けた光の効果が
生じる領域は検出器の表面よりも実質的に広くなること
が観察され、それにより各検出器に当てることのできる
最小直径が制限された。
生じる領域は検出器の表面よりも実質的に広くなること
が観察され、それにより各検出器に当てることのできる
最小直径が制限された。
この「エッジ効果」は、特に赤外線に対して感度の高い
半導体基板で観察することができる。これは、アンチモ
ン化インジウムInSb、テルル化鉛PbTe等のような二元系
物質か、又はテルル化水銀カドミウムHgCdTe、テルル化
すず鉛SnPbTeのような三元系物質かのいづれにも関係が
ある。確かに、この「エッジ効果」は、高移動度の半導
体基板を使用した場合に幅広く観察され、例えば第III
族及び第Ｖ族の化合物で構成された砒化ガリウムGaAs又
は燐化インジウムInPのような半導体の場合に「エッジ
効果」が観察された。
半導体基板で観察することができる。これは、アンチモ
ン化インジウムInSb、テルル化鉛PbTe等のような二元系
物質か、又はテルル化水銀カドミウムHgCdTe、テルル化
すず鉛SnPbTeのような三元系物質かのいづれにも関係が
ある。確かに、この「エッジ効果」は、高移動度の半導
体基板を使用した場合に幅広く観察され、例えば第III
族及び第Ｖ族の化合物で構成された砒化ガリウムGaAs又
は燐化インジウムInPのような半導体の場合に「エッジ
効果」が観察された。
検出器の寸法を小さく保ちながらこの「エッジ効果」を
解決するために、検出器の間に、検出すべき光を通さな
い領域をつくることを目的とした種々の解決策が先行技
術で提案された。
解決するために、検出器の間に、検出すべき光を通さな
い領域をつくることを目的とした種々の解決策が先行技
術で提案された。
仏国特許出願公開第2,464,563号として発行された前記
仏国特許出願によれば、感光性樹脂（これは、前記仏国
特許の第１図及び第２図に符号３で示されている）が、
光不透過性領域をつくるためのマスクとして利用されて
おり、この感光性樹脂はメサ形ホトダイオードに用意さ
れる領域を画定するようになっている。
仏国特許出願によれば、感光性樹脂（これは、前記仏国
特許の第１図及び第２図に符号３で示されている）が、
光不透過性領域をつくるためのマスクとして利用されて
おり、この感光性樹脂はメサ形ホトダイオードに用意さ
れる領域を画定するようになっている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、この解決策は以下の欠点をもっている。
(1)感光性樹脂で被覆された領域の形状寸法が必然的
に、光不透過性領域の寸法及び検出器の寸法を決定す
る。
に、光不透過性領域の寸法及び検出器の寸法を決定す
る。
(2)光を通さない薄い層が例えば蒸着により付着してお
り、この層は絶縁層であるが、この付着層は、絶縁体が
帯電することを意味し、また検出器の光電気接合部が電
気的に、極限までは安定しないことを意味している。
り、この層は絶縁層であるが、この付着層は、絶縁体が
帯電することを意味し、また検出器の光電気接合部が電
気的に、極限までは安定しないことを意味している。
(3)光を通さない層の付着は自動マスク合せ技術により
感光性樹脂で被覆された領域の上に行なわれるので、接
合部のエッジを隠すことができない。そのため、検出器
は接合部のエッジで感度が上がり、これは動作上の欠点
である。
感光性樹脂で被覆された領域の上に行なわれるので、接
合部のエッジを隠すことができない。そのため、検出器
は接合部のエッジで感度が上がり、これは動作上の欠点
である。
先行技術によりもう１つの解決策は「フィールド電極」
と呼ばれる電極を形成することであった。
と呼ばれる電極を形成することであった。
この場合、接合部を、酸化物で被覆された半導体基板の
中に形成する。そして、酸化物に形成された孔を通って
基板と接触するように電極を付着させる。これらの電極
は或る電位を持ち、同時にこれら電極の形状寸法が、光
を通さず且つ検出器を分離している領域の形状寸法を決
定する。
中に形成する。そして、酸化物に形成された孔を通って
基板と接触するように電極を付着させる。これらの電極
は或る電位を持ち、同時にこれら電極の形状寸法が、光
を通さず且つ検出器を分離している領域の形状寸法を決
定する。
この解決策の欠点は、別々の電位にされている半導体基
板とフィールド電極との間の酸化物がブレクダウンする
危険があることである。
板とフィールド電極との間の酸化物がブレクダウンする
危険があることである。
そこで、本発明は、先行技術で知られた解決策が本来持
っている欠点を解決した、検出器の間に光を通さない領
域を備えている感光性デバイスを提供せんとするもので
ある。
っている欠点を解決した、検出器の間に光を通さない領
域を備えている感光性デバイスを提供せんとするもので
ある。
問題点を解決するための手段 すなわち、本発明によるならば、共通の半導体基板上に
集積され、検出すべき波長の光を透過させない領域で分
離された複数のフォトダイオードと、前記半導体基板に
電気的に接続された外部との電気的接続のための金属接
続部とを備える感光性デバイスにおいて、 前記基板の表面が、 基板の表面全体を覆っている陽極酸化物による第１の層
と、 前記第１の層上で、検出すべき波長の光を通さない少な
くとも１つの金属層によって構成され、且つ前記光を通
さない領域だけを覆っている第２の層と、 表面全体を覆っている誘電体で形成された第３の層と、 で被覆され、 前記金属接続部が、前記第３の層上に配置され、前記第
１および第３の層を貫通して前記基板に電気的に接続さ
れており、 前記第２の層が、前記基板および前記金属接続部のいず
れとも絶縁されていることを特徴とする感光性デバイス
が提供される。
集積され、検出すべき波長の光を透過させない領域で分
離された複数のフォトダイオードと、前記半導体基板に
電気的に接続された外部との電気的接続のための金属接
続部とを備える感光性デバイスにおいて、 前記基板の表面が、 基板の表面全体を覆っている陽極酸化物による第１の層
と、 前記第１の層上で、検出すべき波長の光を通さない少な
くとも１つの金属層によって構成され、且つ前記光を通
さない領域だけを覆っている第２の層と、 表面全体を覆っている誘電体で形成された第３の層と、 で被覆され、 前記金属接続部が、前記第３の層上に配置され、前記第
１および第３の層を貫通して前記基板に電気的に接続さ
れており、 前記第２の層が、前記基板および前記金属接続部のいず
れとも絶縁されていることを特徴とする感光性デバイス
が提供される。
作用及び発明の効果 本発明によるデバイスは、仏国特許出願公開第2,464,56
3号によるデバイスの場合におけるような自動マスク合
せ技術によっては得られない。本発明により、感光性検
出器の表面を容易に変えることができる。
3号によるデバイスの場合におけるような自動マスク合
せ技術によっては得られない。本発明により、感光性検
出器の表面を容易に変えることができる。
半導体基板全体を覆う第１の陽極酸化物層の使用によ
り、光電気接合部を完全に安定させることができる。こ
れは陽極酸化物自体の品質で決まり、特に、かかる効果
を奏するためには、例えば厚さがわずか約100Å乃至600
Åの酸化物層が必要である。
り、光電気接合部を完全に安定させることができる。こ
れは陽極酸化物自体の品質で決まり、特に、かかる効果
を奏するためには、例えば厚さがわずか約100Å乃至600
Åの酸化物層が必要である。
本発明によるデバイスでは、第１の絶縁層が基板全体に
わたって広がっており、且つ、検出すべき光を通さない
第２の層がホトリソグラフィ技術によって形成される。
この技術により、この第２の層を形成したい領域に自由
に形成できるので、難なく接合部のエッジを覆うことが
できる。
わたって広がっており、且つ、検出すべき光を通さない
第２の層がホトリソグラフィ技術によって形成される。
この技術により、この第２の層を形成したい領域に自由
に形成できるので、難なく接合部のエッジを覆うことが
できる。
本発明によるデバイスでは、第２の金属層が電圧を受け
ず、また絶縁層によって覆われているので第１の絶縁層
のブレークダウンの危険がない。
ず、また絶縁層によって覆われているので第１の絶縁層
のブレークダウンの危険がない。
さらに、本発明の１つの利点は、光を通さない領域が、
絶縁性の表面を有しており、この絶縁性の表面には、種
々の接合のための導体線路を、短絡の危険なく形成する
ことができる。
絶縁性の表面を有しており、この絶縁性の表面には、種
々の接合のための導体線路を、短絡の危険なく形成する
ことができる。
１つの好ましい実施例において、本発明によるデバイス
では、２つのフォトダイオードをクロストークの問題を
それほど多くしないで互いに50μ以内に近づけることが
でき、これに対し、先行技術では、少なくとも100μの
距離が必要であった。
では、２つのフォトダイオードをクロストークの問題を
それほど多くしないで互いに50μ以内に近づけることが
でき、これに対し、先行技術では、少なくとも100μの
距離が必要であった。
これらの数値は、Ｎ形アンチモン化インジウムでつくら
れ、-196.16゜C（77°Ｋ）に保たれ、かつ１cm3あたり５
×1015個の多数電荷キャリアをもつ半導体基板の例に対
応し、この例にあっては、正孔寿命は約２×10-7秒であ
り、またこれらの正孔の移動度は約4000cm2／Ｖ・秒で
あり、これは、約26cm2／秒の拡散係数及び約23μの拡
散距離Ｌｐに一致している。
れ、-196.16゜C（77°Ｋ）に保たれ、かつ１cm3あたり５
×1015個の多数電荷キャリアをもつ半導体基板の例に対
応し、この例にあっては、正孔寿命は約２×10-7秒であ
り、またこれらの正孔の移動度は約4000cm2／Ｖ・秒で
あり、これは、約26cm2／秒の拡散係数及び約23μの拡
散距離Ｌｐに一致している。
光子の吸収点に対する距離Ｘの関数としての信号減小法
則Ｉ＝Ｉ０・ｅ-x/Lpが成立する。接合部のエッジから6
0μ離れたところでは信号は0.07Ｉ０であり、かくして
本発明によるデバイスでは２つのフォトダイオードを問
題なく互いに50μ以内に近づけることができる。
則Ｉ＝Ｉ０・ｅ-x/Lpが成立する。接合部のエッジから6
0μ離れたところでは信号は0.07Ｉ０であり、かくして
本発明によるデバイスでは２つのフォトダイオードを問
題なく互いに50μ以内に近づけることができる。
Ｐ形でアンチモン化インジウム基板に対する同一の例で
は、少数キャリアは電子であり、拡散距離Ｌｐはおよそ
５μである。従って、上記の式により、接合部のエッジ
から60μ離れたところでは信号は事実上ゼロであり、15
μはなれたところでは信号は、0.05Ｉ０である。従っ
て、５％のクロストークが許容できるならば、本発明の
よるデバイスでは、２個のフォトダイオードを互いに約
15μ以内に近づけることができる。
は、少数キャリアは電子であり、拡散距離Ｌｐはおよそ
５μである。従って、上記の式により、接合部のエッジ
から60μ離れたところでは信号は事実上ゼロであり、15
μはなれたところでは信号は、0.05Ｉ０である。従っ
て、５％のクロストークが許容できるならば、本発明の
よるデバイスでは、２個のフォトダイオードを互いに約
15μ以内に近づけることができる。
かくして本発明によるデバイスでは、検出器を互いに接
近させるとともに検出器の間の光学的結合を制限するこ
とにより分解能を高めることができる。
近させるとともに検出器の間の光学的結合を制限するこ
とにより分解能を高めることができる。
本発明のほかの目的、特徴及び効果は非限定的な例示と
して与えられ、添付の第１ａ図乃至第１ｅ図及び第２ａ
図乃至第２ｅ図で説明される以下の説明から明らかにな
ろう。
して与えられ、添付の第１ａ図乃至第１ｅ図及び第２ａ
図乃至第２ｅ図で説明される以下の説明から明らかにな
ろう。
全ての図面において同一の符号は同一の要素を示すが、
明確さを期すために種々の要素の寸法形状及び比率は考
慮しなかった。
明確さを期すために種々の要素の寸法形状及び比率は考
慮しなかった。
実施例 第１ａ図乃至第１ｅ図は、本発明によるデバイスの一実
施例の製造方法の種々の段階を示している。
施例の製造方法の種々の段階を示している。
第１ａ図に破線で象徴的に示すｎｐ形またはｐｎ形の光
起電接合部２が半導体基板上に形成されている。
起電接合部２が半導体基板上に形成されている。
第１ａ図はメサ形ダイオードを示している。
酸化物を、陽極の酸化により、基板の表面全体にわたっ
て成長させる（第１ｂ図参照）。この第１の酸化物層に
は符号３が付けてある。第１酸化物層３の厚さは約100
Å乃至約600Åである。陽極の酸化物の成長は例えば電
解で起こる。アンチモン化インジウムでつくられた半導
体基板の場合、例えば基板をカリ溶液に浸漬すのが良
く、このカリ溶液中で基板は陽極を構成し、これに対
し、陰極として例えばプラチナの電線を用いる。得られ
た酸化物はインジウム酸化物に富んでいる。注目すべき
ことは、得られた生成物の分析の結果、酸化物の析出が
陽極の酸化によって行なわれたことが確認された。特
に、蒸着により付着させた酸化インジウムは導体であ
り、一方、陽極の酸化インジウムは非常に良好な誘電体
である。
て成長させる（第１ｂ図参照）。この第１の酸化物層に
は符号３が付けてある。第１酸化物層３の厚さは約100
Å乃至約600Åである。陽極の酸化物の成長は例えば電
解で起こる。アンチモン化インジウムでつくられた半導
体基板の場合、例えば基板をカリ溶液に浸漬すのが良
く、このカリ溶液中で基板は陽極を構成し、これに対
し、陰極として例えばプラチナの電線を用いる。得られ
た酸化物はインジウム酸化物に富んでいる。注目すべき
ことは、得られた生成物の分析の結果、酸化物の析出が
陽極の酸化によって行なわれたことが確認された。特
に、蒸着により付着させた酸化インジウムは導体であ
り、一方、陽極の酸化インジウムは非常に良好な誘電体
である。
しかる後、検出すべき光を通さない第２の層４を第１の
陽極酸化物層３上に付着させる（第１ｃ図参照）。
陽極酸化物層３上に付着させる（第１ｃ図参照）。
可視光の場合、この第２の層は必ずしも金属ではない。
五セレン化砒素As2Se5のような物質は可視光を通さな
い。
五セレン化砒素As2Se5のような物質は可視光を通さな
い。
赤外線の場合、第２の層は金属でなければならず、これ
は例えば金又はアルミニウムであるのが良い。
は例えば金又はアルミニウムであるのが良い。
確かに、陽極酸化物層への金属の付着は、金が酸化物に
それぼと「密着」しないので必ずしも十分ではないとい
うことが分った。少なくとも第１及び第２の金属元素層
を重ね合わせることによって構成される第２の層４を利
用することができる。第１の金属元素層は陽極酸化物層
及び第２の金属元素層と良好な接触、すなわち良好な
「密着」を行なう金属によって構成される。例えば、ク
ロム、チタン、ニッケル、モリブデンから成る群から選
ばれた１つを利用することができる。これらの金属は赤
外線を通すことができ、それにより例えば赤外線の検出
を希望する場合、金又はアルミニウムの第２の金属元素
層を使用する必要がある。
それぼと「密着」しないので必ずしも十分ではないとい
うことが分った。少なくとも第１及び第２の金属元素層
を重ね合わせることによって構成される第２の層４を利
用することができる。第１の金属元素層は陽極酸化物層
及び第２の金属元素層と良好な接触、すなわち良好な
「密着」を行なう金属によって構成される。例えば、ク
ロム、チタン、ニッケル、モリブデンから成る群から選
ばれた１つを利用することができる。これらの金属は赤
外線を通すことができ、それにより例えば赤外線の検出
を希望する場合、金又はアルミニウムの第２の金属元素
層を使用する必要がある。
検出すべき光を通さない第２の層４を、金属元素層をい
くつか重ね合わせることによって構成してもよい。
くつか重ね合わせることによって構成してもよい。
この第２の層４を、検出すべき光を透さないようにする
のを望む領域だけを覆うために例えばホトリソグラフィ
によって形成する。
のを望む領域だけを覆うために例えばホトリソグラフィ
によって形成する。
第１ｃ図はこの形成の結果を示している。
第２の層４を検出器の間にのみ残すのが良い。また、第
２の層４を検出器の一部に広げることもできる。
２の層４を検出器の一部に広げることもできる。
この第２の層の厚さは例えば約1000Å乃至6000Åであ
る。第２の層を、例えば真空蒸着又は陰極スパッタリン
グにより付着させてもよい。
る。第２の層を、例えば真空蒸着又は陰極スパッタリン
グにより付着させてもよい。
この第２の層４には、表面全体を覆う、誘電体でつくら
れた第３の層５（第１ｄ図参照）を付着させる。この誘
電体は有機又は無機の絶縁体、例えばネガ形の感光性樹
脂又は一酸化珪素SiOであるのが良い。
れた第３の層５（第１ｄ図参照）を付着させる。この誘
電体は有機又は無機の絶縁体、例えばネガ形の感光性樹
脂又は一酸化珪素SiOであるのが良い。
この最終の層を例えば真空蒸着、陰極スパッタリング、
イオン付着、浸漬被覆、遠心付着等によって付着させる
ことができる。
イオン付着、浸漬被覆、遠心付着等によって付着させる
ことができる。
この第３の層の厚さは約１μであるのがよい。
第１ｅ図は、第１の層及び第３の層を貫通した孔によ
り、金属接続部６を接合部２と接触させることができる
ということを示している。これらの接続部６を第３の層
５の上に配置する。検出すべき光を通さない金属で作ら
れた接続部を使用することができ、かくしてこれらの接
続部は感光領域の形状寸法を修正する。
り、金属接続部６を接合部２と接触させることができる
ということを示している。これらの接続部６を第３の層
５の上に配置する。検出すべき光を通さない金属で作ら
れた接続部を使用することができ、かくしてこれらの接
続部は感光領域の形状寸法を修正する。
第２ａ図乃至第２ｅ図は、これらがプレナー構造のダイ
オードを示している点で第１ａ図乃至第１ｅ図と異なる
だけである。
オードを示している点で第１ａ図乃至第１ｅ図と異なる
だけである。
本発明をプレナー構造の検出器とメサ構造の検出器の両
方に均等に適用しうることはよく理解されよう。
方に均等に適用しうることはよく理解されよう。
第１ａ図乃至第１ｅ図はそれぞれ、メサ構造の場合の本
発明によるデバイスの一実施例の製造方法の種々の段階
を示す。 第２ａ図乃至第２ｅ図はそれぞれ、プレナー構造の場合
の本発明によるデバイスの一実施例の製造方法の種々の
段階を示す。 （主な参照番号） １……基板、２……接合部、 ３……第１の層、４……第２の層、 ５……第３の層、６……接続部
発明によるデバイスの一実施例の製造方法の種々の段階
を示す。 第２ａ図乃至第２ｅ図はそれぞれ、プレナー構造の場合
の本発明によるデバイスの一実施例の製造方法の種々の
段階を示す。 （主な参照番号） １……基板、２……接合部、 ３……第１の層、４……第２の層、 ５……第３の層、６……接続部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミシエル ビラール フランス国 94400 ビトリ シユール セイヌ リユ ルイーズ アジセ クリテ イ 23 (56)参考文献 特開 昭56−135983（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−43571（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−114674（ＪＰ，Ａ) 米国特許3577175（ＵＳ，Ａ)
Claims (15)
- 【請求項１】共通の半導体基板上に集積され、検出すべ
き波長の光を透過させない領域で分離された複数のフォ
トダイオードと、前記半導体基板に電気的に接続された
外部との電気的接続のための金属接続部とを備える感光
性デバイスにおいて、 前記基板の表面が、 基板の表面全体を覆っている陽極酸化物による第１の層
と、 前記第１の層上で、検出すべき波長の光を通さない少な
くとも１つの金属層によって構成され、且つ前記光を通
さない領域だけを覆っている第２の層と、 表面全体を覆っている誘電体で形成された第３の層と、 で被覆され、 前記金属接続部が、前記第３の層上に配置され、前記第
１および第３の層を貫通して前記基板に電気的に接続さ
れており、 前記第２の層が、前記基板および前記金属接続部のいず
れとも絶縁されていることを特徴とする感光性デバイ
ス。 - 【請求項２】前記第２の層が、金またはアルミニウムで
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の感光性デバイス。 - 【請求項３】前記第２の層が、互いに積層された少なく
とも第１および第２の金属元素層で構成されており、第
１の金属元素層が、陽極酸化物および検出すべき波長の
光を通さない金属で形成された第２の金属元素層の両方
と良好に接触する金属で形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の感光性デバイス。 - 【請求項４】前記陽極酸化物および検出すべき波長の光
を通さない金属で形成された金属元素層の両方と良好に
接触する金属が、クロム、チタン、ニッケルまたはモリ
ブデンであることを特徴とする特許請求の範囲第３項に
記載の感光性デバイス。 - 【請求項５】前記第３の層が、ネガ形感光性樹脂または
一酸化シリコンで形成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の感光性デバイス。 - 【請求項６】前記半導体基板が、アンチモン化インジウ
ム、テルル化すず鉛のような赤外線に感度の高い物質、
或いは砒化ガリウムまたは燐化インジウムのような第II
I−Ｖ族の化合物で形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の感光性デバイス。 - 【請求項７】前記第１の層の厚さは約100〜600Åであ
り、第２の層の厚さは約1000〜6000Åであり、第３の層
の厚さは約１μｍであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の感光性デバイス。 - 【請求項８】前記金属接続部が、検出すべき波長の光を
通さない金属で形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の感光性デバイス。 - 【請求項９】共通の半導体基板上に集積され、検出すべ
き波長の光を透過させない領域で分離された複数のフォ
トダイオードを備えるデバイスを製造する方法におい
て、 (a)複数の感光性接合を半導体基板上に、該接合が存在
しない領域で分離して形成する段階と、 (b)陽極酸化により、酸化物を基板の表面全体にわたっ
て成長させる段階と、 (c)検出すべき波長の光を通さない少なくとも１つの層
を基板上に形成する段階と、 (d)前記波長の光を通さない層の前記感光性接合上の部
分を除去し、前記接合の存在しない領域上のみを該層が
覆って検出すべき波長の光を通さない領域を定めるよ
う、該層をエッチングする段階と、 (e)誘電体の層を表面全体にわたって形成する段階と、 (f)前記誘電体層に、前記感光性接合上の基板表面が露
出するよう開口部を設ける段階と、 (g)分離した金属接続部を前記開口部により露出した表
面に設ける段階と、 を含むことを特徴とする感光性デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】前記検出すべき波長の光を透過させない
層が、金属であり、エッチングされた後には、前記酸化
物層により基板と電気的に絶縁されていることを特徴と
する特許請求の範囲第９項に記載の感光性デバイスの製
造方法。 - 【請求項１１】前記段階(c)の際、少なくとも第１およ
び第２の金属元素層を積層して形成し、第１の金属元素
層が、陽極酸化物および検出すべき波長の光を通さない
金属で形成された第２の金属元素層の両方と、良好に接
触する金属で形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第９項に記載の感光性デバイスの製造方法。 - 【請求項１２】前記段階(c)において、検出すべき波長
の光を通さない層を、真空蒸着によって形成することを
特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の感光性デバイ
スの製造方法。 - 【請求項１３】前記段階(d)において、前記金属層をホ
トリソグラフィによってエッチングすることを特徴とす
る特許請求の範囲第９項に記載の感光性デバイスの製造
方法。 - 【請求項１４】前記段階(e)において、前記誘電体層を
真空蒸着、陰極スパッタリング、イオン付着、浸漬被覆
または遠心付着により形成することを特徴とする特許請
求の範囲第９項に記載の感光性デバイスの製造方法。 - 【請求項１５】前記段階(c)において、検出すべき波長
の光を通さない層を、陰極スパッタリングによって形成
することを特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の感
光性デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8320842A FR2557371B1 (fr) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | Dispositif photosensible comportant entre les detecteurs des zones opaques au rayonnement a detecter, et procede de fabrication |
| FR8320842 | 1983-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169166A JPS60169166A (ja) | 1985-09-02 |
| JPH0652785B2 true JPH0652785B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=9295601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59282134A Expired - Lifetime JPH0652785B2 (ja) | 1983-12-27 | 1984-12-27 | 検出器の間に検出すべき波長の光を透過させない領域を備えた感光性デバイス及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4665609A (ja) |
| EP (1) | EP0148687B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0652785B2 (ja) |
| DE (1) | DE3469247D1 (ja) |
| FR (1) | FR2557371B1 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112382A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Toshiba Corp | 半導体受光装置 |
| US4720627A (en) * | 1986-11-03 | 1988-01-19 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Ion sensitive photodetector |
| JPH0391970A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子とその製造方法 |
| US5126921A (en) * | 1990-07-06 | 1992-06-30 | Akira Fujishima | Electronic component and a method for manufacturing the same |
| IL125424A0 (en) | 1998-07-20 | 1999-03-12 | New Technologies Sa Ysy Ltd | Pacing with hemodynamic enhancement |
| US9289618B1 (en) | 1996-01-08 | 2016-03-22 | Impulse Dynamics Nv | Electrical muscle controller |
| US7167748B2 (en) | 1996-01-08 | 2007-01-23 | Impulse Dynamics Nv | Electrical muscle controller |
| US8321013B2 (en) | 1996-01-08 | 2012-11-27 | Impulse Dynamics, N.V. | Electrical muscle controller and pacing with hemodynamic enhancement |
| US9713723B2 (en) | 1996-01-11 | 2017-07-25 | Impulse Dynamics Nv | Signal delivery through the right ventricular septum |
| FR2758888B1 (fr) * | 1997-01-27 | 1999-04-23 | Thomson Csf | Procede de modelisation fine du fouillis de sol recu par un radar |
| DE19848460A1 (de) * | 1998-10-21 | 2000-05-04 | Micronas Intermetall Gmbh | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips |
| US9101765B2 (en) | 1999-03-05 | 2015-08-11 | Metacure Limited | Non-immediate effects of therapy |
| US8700161B2 (en) | 1999-03-05 | 2014-04-15 | Metacure Limited | Blood glucose level control |
| US8346363B2 (en) | 1999-03-05 | 2013-01-01 | Metacure Limited | Blood glucose level control |
| US8666495B2 (en) | 1999-03-05 | 2014-03-04 | Metacure Limited | Gastrointestinal methods and apparatus for use in treating disorders and controlling blood sugar |
| US6993385B1 (en) | 1999-10-25 | 2006-01-31 | Impulse Dynamics N.V. | Cardiac contractility modulation device having anti-arrhythmic capabilities and a method of operating thereof |
| WO2001082771A2 (en) | 2000-05-04 | 2001-11-08 | Impulse Dynamics N.V. | Signal delivery through the right ventricular septum |
| CN100538292C (zh) | 2003-02-10 | 2009-09-09 | N-特莱格有限公司 | 数字化器的触摸检测 |
| EP1606011B1 (en) | 2003-03-10 | 2015-08-19 | Impulse Dynamics N.V. | Apparatus for delivering electrical signals to modify gene expression in cardiac tissue |
| US11439815B2 (en) | 2003-03-10 | 2022-09-13 | Impulse Dynamics Nv | Protein activity modification |
| US8792985B2 (en) | 2003-07-21 | 2014-07-29 | Metacure Limited | Gastrointestinal methods and apparatus for use in treating disorders and controlling blood sugar |
| US8352031B2 (en) | 2004-03-10 | 2013-01-08 | Impulse Dynamics Nv | Protein activity modification |
| US11779768B2 (en) | 2004-03-10 | 2023-10-10 | Impulse Dynamics Nv | Protein activity modification |
| WO2006119467A2 (en) | 2005-05-04 | 2006-11-09 | Impulse Dynamics Nv | Protein activity modification |
| US9821158B2 (en) | 2005-02-17 | 2017-11-21 | Metacure Limited | Non-immediate effects of therapy |
| WO2006097934A2 (en) | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Metacure Limited | Pancreas lead |
| US8934975B2 (en) | 2010-02-01 | 2015-01-13 | Metacure Limited | Gastrointestinal electrical therapy |
| FR2990562B1 (fr) * | 2012-05-09 | 2015-03-06 | Sagem Defense Securite | Procede de realisation d'un capteur infrarouge insb |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3577175A (en) | 1968-04-25 | 1971-05-04 | Avco Corp | Indium antimonide infrared detector contact |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114674A (en) * | 1977-03-16 | 1978-10-06 | Fujitsu Ltd | Manufacture for compound semiconductor device |
| FR2464563A1 (fr) * | 1979-08-31 | 1981-03-06 | Thomson Csf | Dispositif photodetecteur a semi-conducteur et procede de fabrication, et analyseur d'image comportant un tel dispositif |
| US4355456A (en) * | 1980-03-07 | 1982-10-26 | General Dynamics, Pomona Division | Process of fabricating a Schottky barrier photovoltaic detector |
| US4319258A (en) * | 1980-03-07 | 1982-03-09 | General Dynamics, Pomona Division | Schottky barrier photovoltaic detector |
| JPS5773970A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-08 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS5843571A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Toshiba Corp | カラ−用固体撮像装置 |
-
1983
- 1983-12-27 FR FR8320842A patent/FR2557371B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-12-18 DE DE8484402637T patent/DE3469247D1/de not_active Expired
- 1984-12-18 EP EP84402637A patent/EP0148687B1/fr not_active Expired
- 1984-12-21 US US06/684,469 patent/US4665609A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-27 JP JP59282134A patent/JPH0652785B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3577175A (en) | 1968-04-25 | 1971-05-04 | Avco Corp | Indium antimonide infrared detector contact |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0148687A1 (fr) | 1985-07-17 |
| EP0148687B1 (fr) | 1988-02-03 |
| FR2557371B1 (fr) | 1987-01-16 |
| DE3469247D1 (en) | 1988-03-10 |
| JPS60169166A (ja) | 1985-09-02 |
| FR2557371A1 (fr) | 1985-06-28 |
| US4665609A (en) | 1987-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0652785B2 (ja) | 検出器の間に検出すべき波長の光を透過させない領域を備えた感光性デバイス及びその製造方法 | |
| US4972244A (en) | Photodiode and photodiode array on a II-VI material and processes for the production thereof | |
| US6504178B2 (en) | Indirect back surface contact to semiconductor devices | |
| US4231149A (en) | Narrow band-gap semiconductor CCD imaging device and method of fabrication | |
| JP2954034B2 (ja) | 単一キャリア型固体放射線検出装置 | |
| US4857980A (en) | Radiation-sensitive semiconductor device with active screening diode | |
| JP3256470B2 (ja) | 原子結合された（融着された）半導体材料を使用して拡大された波長応答範囲を有する低光レベルイメージ検出装置 | |
| JPH027417B2 (ja) | ||
| US5288989A (en) | Avalanche photodiode with moisture resistant passivation coating disposed to cover the outer periphery of the photodiode body except at a selected top contact area | |
| US5494833A (en) | Backside illuminated MSM device method | |
| US4422091A (en) | Backside illuminated imaging charge coupled device | |
| KR100670828B1 (ko) | 적외선 레이저 레이다의 영상 신호를 검출하기 위한 광검출기 및 그 제조방법 | |
| US3949223A (en) | Monolithic photoconductive detector array | |
| US5580795A (en) | Fabrication method for integrated structure such as photoconductive impedance-matched infrared detector with heterojunction blocking contacts | |
| US4791467A (en) | Heterojunction HgCdTe photovoltaic detector and its production process | |
| US5410168A (en) | Infrared imaging device | |
| US20230282759A1 (en) | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector assembly | |
| US4377904A (en) | Method of fabricating a narrow band-gap semiconductor CCD imaging device | |
| US4903103A (en) | Semiconductor photodiode device | |
| US5059787A (en) | High speed broadband silicon photodetector | |
| JP2002083993A (ja) | 光半導体受光素子およびその製造方法 | |
| US4751560A (en) | Infrared photodiode array | |
| US20140264437A1 (en) | Epitaxial structure for vertically integrated charge transfer gate technology in optoelectronic materials | |
| US4462019A (en) | Photosensitive semiconductor resistor | |
| US5115295A (en) | Photodetector device |