KR890016641A - 반도체장치의 분리영역 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 분리영역 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 (A) - (F)는 본 발명을 설명하기 위한 각 공정별 반도체장치의 수직단면도이다.
Claims (6)
- 반도체장치의 분리영역 제조방법에 있어서, 실리콘기판(1)상에 옥시나이트라이드막(3)과 질화막(5)을 차례로 형성시키는 공정과, 감광제(7)를 이용하여 분리영역이 형성될 부분의 상기막(3,5)을 식각해내는 공정과, 열산화법으로 필드산화막(9)을 형성시킨후 나머지 막(3,5)을 제거시키는 공정과로 되는 것을 특징으로하는 반도체장치의 분리영역 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 산화막을 금속 열질화시켜 옥시나이트라이드막(3)을 형성하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 분리영역 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 산화막에 질소이온을 주입하여 옥시나이트라이드막 (3)을 형성하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 분리영역 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, CVD방법으로 옥시나이트라이드막(3)을 형성하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 분리영역 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한항에 있어서, 옥시나이트라이드막(3)의 두께를 100-500Å으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 분리영역 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 옥시나이트라이드막(3) 식각시 실리콘기판(1)의 0.5㎛깊이까지 식각해내는 것을 특징으로하는 반도체장치의 분리영역 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880004542A KR890016641A (ko) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 반도체장치의 분리영역 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880004542A KR890016641A (ko) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 반도체장치의 분리영역 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890016641A true KR890016641A (ko) | 1989-11-29 |
Family
ID=68241522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880004542A KR890016641A (ko) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 반도체장치의 분리영역 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890016641A (ko) |
-
1988
- 1988-04-21 KR KR1019880004542A patent/KR890016641A/ko not_active Application Discontinuation
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