KR890014652A - 열가소성 폴리에스테르수지 조성물 및 그로부터 제조된 성형물 - Google Patents

열가소성 폴리에스테르수지 조성물 및 그로부터 제조된 성형물 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

열가소성 폴리에스테르수지 조성물 및 그로부터 제조된 성형물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 실시예 1,2 및 비교예 1,2에서 얻어진 폴리에스테르 수지조성물의 광투과율을 나타내는 도표이다.

Claims (14)

  1. 열가소성 폴리에스테르와 하기 일반식(I) 및 (II)로 나타내지는 1종 이상의 자외선 차단 유효량의 디이미드 화합물을 포함한 열 가소성 폴리에스테르 성형물 :
    상기식에서, m 및 m′는 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고 ; A 및 A′는 독립적으로 할로겐, -COOH 및 그의 에스테르, -OH, -O-C(=0), CH3, -NH2, -CN, -NO2, -SO3H 및 그의 금속염. (치환된) 알콕시기, (치환된) 지방족기 및 (치환된) 방향족기를 나타내고, m 및/또는 m′가 2 내지 4일 때 A 및 A′는 서로 같거나 다를 수 있고 ; X
    (여기서 Y는
    이고, X에 포함되는 방향족기는 치환체 A 도는 A′에 의해 치환될 수 있음)이고 ;
    Z는또는
    (여기서 Y는 상기에서 정의한 바와같고, Z내에 포함되는 방향족기는 치환체 A 또는 A′에 의해 치환될 수 있음)이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 성형물이 하기 일반식(III) 또는 (IV)로 나타내지는 1종 이상의 나프탈렌 디카르복시산 화합물을 포함하는 열 가소성 폴리에스테르 성형물 :
    상기식에서, R1및 R2는 독립적으로 수소원자, (치환된) 알킬기, 또는 (치환된)아릴기이고 ; D와 E는 독립적으로 할로겐, -COOH 또는 그 에스테르, -OH, -O- C(=O)CH3, -NH2, -CN, -NO2, -SO3H 또는 그의 금속염, (치환된)알콕시기, (치환된)지방족기 또는 (치환된)방향족기를 나타내고 ; 1 및 n은 독립적으로 0 내지 3의 정수를 나타내고, B는 -O- 또는 N-R3를 나타내는데 이때 R3는 수소원자, (치환된) 지방족 탄소기, (치환된) 방향족 탄소기이고, -C(=O-B-C(=O)-로 나타내지는 산 무수물기 또는 이미드기는 나프탈렌고리의 1 및 2위치, 1 및 8위치 또는 2 및 3위치에 결합된다.
  3. 제1항에 있어서, 일반식(I)의 다이미드 화합물이 하기 일반식(1)의 화합물인 열가소성 폴리에스테르 성형물 :
  4. 제1항에 있어서, 일반식(II)의 다이미드 화합물이 하기 일반식(2)이 화합물인 열가소성 폴리에스테르 성형물 :
  5. 제1항에 있어서, 일반식(I) 또는 (II)로 나타내지는 디이미드 화합물의 첨가량이 열가소성 폴리에스테르 수지 100중량부에 대해 0.001중량부 이상인 열가소성 폴리에스테르 성형물.
  6. 제1항에 있어서, 일반식(I) 또는 (II)로 나타내지는 디이미드 화합물의 첨가량이 열가소성 폴리에스테르 수지 100중량부에 대해 0.001중량부 내지 10중량부 이상인 열가소성 폴리에스테르 성형물.
  7. 열가소성 폴리에스테르와 하기 일반식(I) 및 (II)로 나타내지는 1종 이상의 자외선 차단 유효량의 디이미드 화합물을 포함한 열 가소성 포리에스테르 수지 조성물.
    상기식에서, m 및 m′는 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고 ; A 및 A′는 독립적으로 할로겐, -COOH 및 그의 에스테르, -OH, -O-C(=O) CH3, -NH2, -CN, -NO2, -SO3H 및 그의 금속염. (치환된) 알콕시기, (치환된) 지방족기 및 (치환된) 방향족기를 나타내고, m 및/또는 m′가 2 내지 4일 때 A 및 A′는 서로 같거나 다를 수 있고 ; X는
    (여기서 Y는
    이고, X에 포함되는 방향족기는 치환체 A 또는 A′에 의해 치환될 수 있음)이고 ;
    Z는또는
    (여기서 Y는 상기에서 정의한 바와같고, Z내에 포함되는 방향족기는 치환체 A 또는 A′에 의해 치환될 수 있음)이다.
  8. 제7항에 있어서, 상기 조성물이 하기 일반식(III) 또는 (IV)로 나타내지는 1종 이상의 나프탈렌 디카르복시산 화합물을 포함하는 열 가소성 폴리에스테르 수지 조성물 :
    상기식에서, R1및 R2는 독립적으로 수소원자, (치환된) 알킬기, 또는 (치환된)아릴기이고 ; D와 E는 독립적으로 할로겐, -COOH 또는 그 에스테르, -OH, -O- C(=O)CH3, -NH2, -CN, -NO2, -SO3H 또는 그의 금속염, (치환된)알콕시기, (치환된)지방족기 또는 (치환된)방향족기를 나타내고 ; 1 및 n은 독립적으로 0 내지 3의 정수를 나타내고, B는 -O- 또는 N-R3를 나타내는데 이때 R3는 수소원자, (치환된) 지방족 탄소기, (치환된) 방향족 탄소기이고, -C(=O.B.C(=O)-로 나타내지는 산 무수물기 또는 이미드기는 나프탈렌고리의 1 및 2위치, 1 및 8위치 또는 2 및 3위치에 결합된다.
  9. 제7항에 있어서, 일반식(I)의 디이미드 화합물이 하기 일반식(1)의 화합물인 열가소성 폴리에스테르 수지 조성물 :
  10. 제7항에 있어서, 일반식(I)의 디이미드 화합물이 하기 일반식(2)의 화합물인 열가소성 폴리에스테르 수지 조성물 :
  11. 제7항에 있어서, 일반식(I) 또는 (II)로 나타내지는 디이미드 화합물의 첨가량이 열가소성 폴리에스테르 수지 100중량부에 대해 0.001중량부 이상인 열가소성 폴리에스테르 수지 조성물.
  12. 제7항에 있어서, 일반식(I) 또는 (II)로 나타내지는 디이미드 하합물의 첨가량이 열가소성 폴리에스테르 수지 100중량부에 대해 0.001 내지 10중량부 이상인 열가소성 폴리에스테르 수지 조성물.
  13. 하기 일반식(I) 및 (II)로 나타내지는 1종 이상의 디이미드 화합물의 자외선 차단 유효량과 열 가소성 폴리에스테르를 건조 훈련하거나, 또는 상기 열 가소성 수지를 제조하기 위한 중축합 반응 개시전 또는 중축합 반응도중에 하기 일반식(I) 및 (II)로 나타내지는 1종 이상의 디이미드 화합물의 자외선 차단 유효량을 첨가하여 중축합 반응을 실시하는 열가소성 폴리에스테르 수지 조성물의 제조방법 :
    상기식에서, m 및 m′는 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고 ; A 및 A′는 독립적으로 할로겐, -COOH 및 그의 에스테르, -OH, -O-C(=O), CH3, -NH2, -CN, -NO2, -SO3H 및 그의 금속염, (치환된) 알콕시기, (치환된) 지방족기 및 (치환된) 방향족기를 나타내고, m 및/또는 m′가 2 내지 4일 때 A 및 A′는 서로 같거나 다를 수 있고 ; X는
    (여기서 Y는
    이고, X에 포함되는 방향족기는 치환체 A 또는 A′에 의해 치환될 수 있음)이고 ;
    Z는또는
    (여기서 Y는 상기에서 정의한 바와같고, Z내에 포함되는 방향족기는 치환체 A 또는 A′에 의해 치환될 수 있음)이다.
  14. 제13항에 있어서, 하기 일반식(III) 또는 (IV)로 나타내지는 1종이상의 나프탈렌 디카르복시산 화합물이 건조 혼합도중, 중축합 반응 개시전 또는 중축합 반응도중에 더 가해지는 방법 ;
    상기식에서, R註및 R2는 독립적으로 수소원자, (치환된)알킬기, 또는 (치환된)아릴기이고 ; D와 E는 독립적으로 할로겐, -COOH 또는 그의 에스테르, -OH, -O-C(=O)CH3,NH(SB>2, -CN, -NO2, -SO3H 또는 그의 금속염, (치환된)알콕시기, (치환된)지방족기 (치환된)방향족기를 나타내고 ; l 및 n은 독립적으로 0 내지 3의 정수를 나타내고, B는 -O- 또는 N-R3를 나타내는데 이때 R3는 수소원자, (치환된) 지방족 탄소기, (치환된)방향족 탄소기이고, -C(=O-B-C(=O)-로 나타내지는 산 무수물기 또는 이미드기는 나프탈렌고리의 1 및 2위치, 1 및 8위치 또는 2 및 3위치에 결합된다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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