KR890007617A - 플라즈마 처리방법 및 장치 - Google Patents

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요시나오 가와사끼
미노루 소라오까
쯔네히꼬 쯔보네
가즈노리 쯔지모또
신이찌 다찌
사다유끼 오꾸다이라
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미다 가쓰시게
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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 일실시예의 플라즈마 처리장치의 요부 종단면도,
제 2 도는 본 발명의 제 2 의 실시예의 제 1 도와 동일 부위의 종단면도,
제 3 도는 본 발명의 제 3 의 실시예의 제 1 도와 동일부위의 종단면도.

Claims (11)

  1. 처리가스를 감압하에서 플라즈마화 하는 스탭과, 감압하에서 0℃이하의 저온으로냉각된 시료를 상기 플라즈마를 이용하여 처리하는 스탭과 상기시료가 설치되는 시료대의 시료설치면을 제외한 적어도 상기 시료가 처리되는 분위기에의 노출면을 상기분위기에 있는 가스의 노점온도 이상의 온도로 유지하는 스탭을 가지는 플라즈마 처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 마크로파를 포함하는 전계와 자계와의 작용에 의하여 상기 처리가스를 감압하에서 플라즈마화하고, 감압하에서 0℃이하의 저온으로 냉각된 상기 시료를 상기 플라즈마를 이용하여 처리하고, 상기 시료대의 적어도 상기 노출면을 상기 분위기 가스의 노점 온도이상의 온도로 유지하는 플라즈마처리 방법
  3. 제 1 항에 있어서, 마이크로파를 포함하는 전계의 작용에 의하여 상기 처리가스를 감압하에서 플라즈마화하고 감압하에서 0℃이하의 저온으로 냉각된 상기 시료를 상기 플라즈마를 이용하여 처리하고, 상기 시료대의 상기 노출면을 상기 분위기 가스의 노점온도 이상의 온도로 유지하는 플라즈마 처리방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 고주파 전계와 자계와의 작용에 의하여 상기 처리가스를 감압하에서 플라즈마화하고, 감압하에서 0℃이하의 저온으로 냉각된 상기 시료를 상기 플라즈마를 이용하여 처리하고 상기시료대의 적어도 상기 노출면을 상기 분위기 가스의 노점온도이상의 온도를 유지하는 플라즈마 처리방법.
  5. 제 1 항에 잇어서, 고주파 전계의 작용에 의하여 상기 처리가스를 감압하에서 플라즈마화하고 감압하에서 0℃이하의 저온으로 냉각된 상기 시료를 상기플라즈마를 이용하여 처리하고 상기 시료대의 적어도 상기 노출면을 상기 분위기 가스의 노출온도 이상의 온도를 유지하는 플라즈마 처리방법.
  6. 처리실내를 감압배기하는 스탭과, 상기 처리실내에 처리가스를 도입하는 스탭과 상기 처리가스를 상기 처리실내에서 플라즈마화하는 스탭과 상기 처리실내에 설치된 시료대의 시료설치면에 시료를 설치하고 그 시료를 상기 시료대를 거쳐 0℃이하의 저온으로 냉각하는 스탭과 그 냉각된 시료를 상기 플라즈마를 이용하여 처리하는 스탭과 상기시료대의 상기 시료설치면을 제외한 적어도 상기 처리실내의 노출면을 상기 처리실내에있는 가스의 노점온도이상의 온도로 유지하는 스탭을 가지는 플라즈마 처리방법.
  7. 처리실과 그 처리실 내를 감압배기하는 수단과, 상기 처리실내에 처리가스를 도입하는 수단과, 상기 처리가스를 플라즈마화 하는 수단과 그 플라즈마를 이용하여 처리되는 시료가 상기 처리실내에서 설치되는 시료대와, 상기 시료를 0℃이하의 저온으로 냉각 가능하게 상기 시료대를 냉각하는 수단과, 그 시료대의 시료설치면을 제외한 적어도 상기 처리실내의 노출면을 상기 처리실내에 있는 가스의 노점온도 이상의 온도로 유지하는 수단을 구비한 플라즈마 처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 노출면에 단열재를 설치하고 그 단열재를 커버로 유지한 플라즈마 처리장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 단열재를 상기 처리실내의 압력하에 있어서의 상기 처리실내의 가스의 노점온도 이상의 온도로 상기 커버의 온도를 유지가능하게 상기 시료의 온도에 대응하여 선택한 플라즈마 처리장치.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 노출면에 상기 처리실내와 기밀하게 격리된 감압공간을 설치한 플라즈마 처리장치.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 노출면에 상기 처리실내와 기밀하게 격리된 감압공간을 설치하고 그 감압공간의 주위에 상기 처리실내 및 감압공간과 기밀하게 격리된 가온공간을 설치한 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880013555A 1987-10-21 1988-10-18 플라즈마 처리방법 및 장치 KR960014435B1 (ko)

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