KR890005913A - 반도체박막 적층구조의 홀소자 - Google Patents
반도체박막 적층구조의 홀소자 Download PDFInfo
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- H10N52/00—Hall-effect devices
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 적층구조의 홀소자의 정면도.
제3도는 본 발명 적층구조의 홀소자의 평면도.
Claims (3)
- 페라이트 기판(1)상에 제 1 절연막(2a)과 입력전류단자(3a)를 일측에 형성한 반도체박막(4a)을 증착하고 이 반도체박막(4a)상에는 일측면 좌우측으로 노출되는 홀출력단자(5a)(5b)를 형성한 제 2 절연막(2a) 및 제 2 반도체박막(4b) 입력단자 (3b)를 형성한 제 3 절연막(2c)을 체례로 증착하되 상기 페라이트 기판(1)에는입력전류단자(3a)하단부와 접촉되는 위치에 하나의 홀(6)을 형성하여 상기 입력전류단자(3a)와 페라이트, 기판(1)의 하단부에 접촉되는 리드 프레임단자와 접속되게 하고 이 홀(6)의 내부에는 도전성 물질을 주입하여서 된 것을 특징으로 하는 반도체 박막 적층구조의 홀소자.
- 제1항에 있어서 홀(6)의 내부에 도전성물질인 크림솔더등을 주입하여 공정다이본딩시 입력전류단자(3a)와 리드프레임단자가 직접연결토록 한 것을 특징으로 하는 반도체박막 적층구조의 홀소자.
- 제1항에 있어서, 홀(6) 내부의 크림솔더 등을 가열온도 200∼600℃로 용융시켜 직접 와이어본딩없이 리드프레임단자와 연결하도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체박막 적층구조의 홀소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870010981A KR910007121B1 (ko) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 반도체박막 적층구조의 홀소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870010981A KR910007121B1 (ko) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 반도체박막 적층구조의 홀소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890005913A true KR890005913A (ko) | 1989-05-17 |
| KR910007121B1 KR910007121B1 (ko) | 1991-09-18 |
Family
ID=19264939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870010981A KR910007121B1 (ko) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 반도체박막 적층구조의 홀소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910007121B1 (ko) |
-
1987
- 1987-09-30 KR KR1019870010981A patent/KR910007121B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910007121B1 (ko) | 1991-09-18 |
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