KR890003839A - 유동상 반응기 및 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

유동상 반응기 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부된 제 1도는 본 발명의 방법을 수행하는데 사용하기 위한 유동상 반응기 및 관련설비를 도시한 개략도이다.

Claims (8)

  1. 폴리실리콘의 제조를 위한 유동상 공정에 사용된 실리콘 입자의 상부의 자유판 내에서 실란 또는 다른 가스상 또는 증기상 실리콘 원의 바람직하지 못한 전환의 양을 감소시키는 방법에 있어서, 언급된 실리콘원을 열적으로 분해하여 유동상내의 실리콘 입자에 금속을 부착시키며, 실리콘 원의 분해 온도 이하 온도의 급 냉가스를 유동상 반응기내의 유동상 상부의 자유판에 도입시키는 것으로 이루어지며, 언급된 급냉가스의 양이 자유판내의 실리콘 원의 농도 및 가스 온도를 현저히 저하시키기에 충분하고 이에 의하여 자유판내의 실리콘 원의 열 분해량을 감소시킴을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 언급된 실리콘 원이 실란인 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 언급된 급냉가스가 수소, 헬륨, 아르곤, 네온 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 언급된 급냉가스가 수소인 방법.
  5. 제 3항에 있어서, 언급된 자유판에 도입된 수소 급냉가스가 20~200℃범위내의 온도인 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 언급된 급냉가스가 주위온도이고, 언급된 자유판 내로 도입된 급냉가스의 양이 자유판내의 가스온도를 약 400℃로 저하시키기에 충분한 방법.
  7. 상 대역 및 상 대역 상부의 자유판을 갖는 반응기내에 들어 있는 실리콘 입자의 상 ; 언급된 상 대역을부착가스중의 가스상 또는 증기상 실리콘 원의 분해온도 이상의 온도로 가열하기 위한 수단;실리콘 원을 함유하는 부착가스 및 임의로 담체가스의 구동 흐름을 반응기에 도입시키기 위한 가스 입구수단 ; 언급된 부착가수의 흐름을 통과시키고, 또 언급된 반응기 상 대역내의 유동화 현탄액에 입자를 유지시키기에 충분한 구동력으로 입자의 상내에 도입되도록 하는 다수의 도관이 구비된 입자 상 직하방의 분배수단 ; 반응기를 나오는 가스를 제거하기 위한 반응기 자유판의 상한 근방의 가스출구수단 ; 및 비교적 차가운 급냉가스의 흐름을 상 대역의 상부 경계 상부의 자유판내로 도입시키기 위한 급냉가스 도입수단으로 이루어지며, 언급된 급냉가스의 흐름은 자유판내의 실리콘 원의 온도 및 농도를 감소시키기에 충분하고 이에 의하여 자유판내의 실리콘 원의 전환량이 저하됨을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 유동상 장치.
  8. (i)실리콘 원을 함유하는 부착가스의 구동 흐름에 의하여 입자를 위한 상대역 및 이 상 대역 상부의 자유판을 갖는 반응기내에서 실리콘 입자의 상을 유도화시키는데, 언급된 상 대역은 실리콘 원의 열 분해 온도 이상의 온도이고, 이에 의하여 실리콘 원의 상 대역 내에서 분해되어 실리콘 금속이 실리콘 입자의 상에 부착하며, 실리콘 원의 잔류 부분은 반응대역을 나와서 자유판으로 들어가고 ; (ii)비교적 차가운 급냉가스의 흐름을 상 대역의 상부경계 상부의 자유판에 도입시키는데, 급냉가스의 흐름은 자유판내의 실리콘 원의 온도 및 농도를 저하시키기에 충분하고, 이에 의하여 자유판내의 실리콘 원의 분해량을 감소시킴을 특징으로 하는 폴리실리콘의 제조를 위한 유동상 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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