KR880011891A - 이온빔 조사장치 - Google Patents
이온빔 조사장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880011891A KR880011891A KR1019880002397A KR880002397A KR880011891A KR 880011891 A KR880011891 A KR 880011891A KR 1019880002397 A KR1019880002397 A KR 1019880002397A KR 880002397 A KR880002397 A KR 880002397A KR 880011891 A KR880011891 A KR 880011891A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion beam
- electron
- electrons
- sample
- emission source
- Prior art date
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 3
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명에 의한 조사장치의 제1실시예를 표시하는 개략 구성도,
제2도는 상기 실시예에 의한 중화기를 표시하는 구성도,
제3도는 이 발명의 제2실시예에 의한 중화기를 표시하는 단면적 구성도.
Claims (5)
- 가속된 이온빔을 시료에 조사하는 이온빔 조사장치에 있어서, 상기 이온빔에 열전자를 공급하는 전자 방출원과, 이 전자방출원에서 방출된 전자를 상기 시료방향으로 드리프트시켜 상기 시료의 표면부에서 이온을 중화시키는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 전자방출원에서 발생한 전자를 이온빔 궤도로 향하여 인출하는 전자 인출수단과, 인출된 전자의 에너지를 제어하는 전자에너지 수단과, 상기 전자방출원에서 발생한 전자가 외부로 확산하는 것을 방지하는 제1확산수단과 그리고 상기이온빔 궤도에 인출되어 이온빔에 사출된 전자가 상기 이온빔 진행방향과 역방향으로 확산하는 것을 방지하는 제2확산방지수단을 포함한 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자방출원, 전자인출수단, 전자에너지 제어수단은 상기 전자에너지에 의하여 감속된 전자가 상기 시료측으로 지향하는 성분을 보유하도록 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치.
- 제2항에 있어서, 제어수단에는 상기이온빔의 조사에 의하여 상기 시료에서 방출하는 2차전자를 상기 시료에 정류(停留)시키도록 상기 시료의 주위를 부전위로 포위하는 2차전자 전류수단을 설치한 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치.
- 제1항에 있어서, 전자방출원을 복수개로 분할된 필라멘트로 된 것을 특징으로 하는 이온빔 조사장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055303A JPS63224139A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | イオンビ−ム照射装置 |
| JP?62-55303 | 1987-03-12 | ||
| JP62-55303 | 1987-03-12 | ||
| JP62059523A JPS63225456A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | イオンビ−ム中性化装置 |
| JP62-59523 | 1987-03-13 | ||
| JP?62-59523 | 1987-03-13 | ||
| JP?62-64863 | 1987-03-18 | ||
| JP62-64861 | 1987-03-18 | ||
| JP?62-64861 | 1987-03-18 | ||
| JP62-64863 | 1987-03-18 | ||
| JP6486387A JPS63230876A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | イオンビ−ム照射装置 |
| JP62064861A JPS63230875A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | イオンビ−ム照射装置 |
| JP?62-180298 | 1987-07-20 | ||
| JP62-180298 | 1987-07-20 | ||
| JP62180298A JPH0754678B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | イオンビ−ム照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880011891A true KR880011891A (ko) | 1988-10-31 |
| KR910006161B1 KR910006161B1 (ko) | 1991-08-16 |
Family
ID=27463185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880002397A KR910006161B1 (ko) | 1987-03-12 | 1988-03-08 | 이온빔 조사장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910006161B1 (ko) |
-
1988
- 1988-03-08 KR KR1019880002397A patent/KR910006161B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910006161B1 (ko) | 1991-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960009822A (ko) | 대전방지방법 및 대전방지용 이온 빔장치 | |
| KR890013820A (ko) | 막막 형성 장치 및 이온원 | |
| KR920702012A (ko) | 이온 주입 시스템을 위한 전하 중화장치 | |
| KR930003248A (ko) | 확산 이차 방출 전자샤워 | |
| JPS6410563A (en) | Electric charging suppressor of ion implanter | |
| KR920003415A (ko) | 저 에너지 전자 조사 방법 및 조사 장치 | |
| KR940004752A (ko) | 중성 빔을 사용한 표면처리장치 및 드라이 에칭방법 | |
| KR960005778A (ko) | 이온빔 전자중화기 | |
| KR930017662A (ko) | 넒은 비임 선속밀도 제어장치 및 방법 | |
| KR910014998A (ko) | 이온 발생장치 | |
| KR880011891A (ko) | 이온빔 조사장치 | |
| JPS5367099A (en) | Electron beam shape accelerator | |
| FI70347C (fi) | Foerfarande och anordning foer aostadkommande av en av intensitetfoerdelning justerbar elektronridao | |
| DE102013003501B4 (de) | Verfahren zum Verwenden einer Ionenquelle | |
| JPS5693314A (en) | Ion injector | |
| JPS56116622A (en) | X-ray transcriber | |
| JPS6481185A (en) | Vacuum trigger gap | |
| JPH02112140A (ja) | 低速イオン銃 | |
| US4058667A (en) | Ion protected linear electron beam metal evaporator | |
| JPS5713178A (en) | Method and device for surface treatment | |
| JPS55104328A (en) | Macromolecular material having clear conducting film and production thereof | |
| JPS6419664A (en) | Ion beam device | |
| JPS6424347A (en) | Ion beam irradiation device | |
| JPH0145068Y2 (ko) | ||
| EP1219956A3 (en) | Method for providing a substantially uniform surface potential on an insulating specimen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |