KR880008527A - 반도체 메모리 장치의 펄스 발생기 - Google Patents
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- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 프리 차아지 펄스 발생기의 회로도.
제4도는 제3도의 각 부분의 타이밍도.
Claims (5)
- 어드레스 변화를 검출하는 어드레스 변화 검출기와 다수의 메모리 셀들과 상기 메모리 셀들과 접속된 한쌍의 비트라인들과 상기 메모리 셀들은 선택하는 다수의 워드라인들과 상기 한쌍의 버트라인의 단부에 접속된 프리차아지 회로를 구비한 반도체 메모리 장치의 프리 차아지 펄스 발생 회로에 있어서, 상기 어드레스 변화 검출기로부터 출력하는 펄스를 입력하여 상기 펄스의 최초 변화 에너지에서 즉시 상기 비트라인을 프리차아지 하며 상기 펄스의 최초 변화후의 제2에지 변화로부터 소정시간 경과 후 프리 차아지 종료를 하는 펄스를 발생한 래치 수단과, 상기 래치 수단의 출력과 상기 어드레스 변화 검출기의 출력을 입력하여 상기 프리 차아지 개시에 하이 레벨을 유지하고 상기 제2에지 변화시 로우레벨을 유지하는 게이트 수단과 접속되며상기 소정시간 지연을 발생하는 지연수단과, 지연수단과 접속되며 출력을 상기 래치 수단에 궤환시켜 상기 래치수단이 확실히 논리동작을 하도록 논리신호를 발생하는 버어퍼 수단과, 상기 어드레스 변화 검출기의 출력과 상기 래치수단의 출력을 입력하여 상기 지연 수단을 충전하여 프리 차아지 펄스폭의 오동작을 방지하는 충전수단으로 구성함을 특징으로 하는 회로.
- 제1항에 있어서, 래치수단이 출력이 서로 크로스로 접속된 2개의 게이트(26)(27)로 구성되며 한 게이트(26)에는 상기 어드레스 변화 검출기의 출력이 입력되며 타 게이트(27)에는 상기 버어퍼 수단의 출력이 궤환됨을 특징으로 하는 회로.
- 제1항에 있어서, 지연수단이, 상기 게이트 수단의 출력단에 접속된 상기 워드라인 제조공정시 동일하게 제조되는 폴리 실리콘 저항(29)과 저항과 접지 사이에 접속된 캐패시터(30)로 구성됨을 특징으로 하는 회로.
- 제1항에 있어서, 충전수단이 상기 어드레스 변화 검출기 출력을 게이트로 입력하고 드레인 과소오스가 각각 버어퍼 수단의 입력단 및 전원 공급전압에 접속되는 모오스 트랜지스터와 상기 래치 수단의 출력을 게이트로 입력하고 드레인 및 소오스가 각각 상기 버어퍼 수단의 입력단과 전원 공급 전압에 접속되는 모오스 트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 회로.
- 제1항에 있어서, 버어퍼 수단이 직렬 접속된 인버어터들로 구성됨을 특징으로 하는 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019860011077A KR890004206B1 (ko) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 반도체 메모리 장치의 펄스 발생기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019860011077A KR890004206B1 (ko) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 반도체 메모리 장치의 펄스 발생기 |
Publications (2)
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KR880008527A true KR880008527A (ko) | 1988-08-31 |
KR890004206B1 KR890004206B1 (ko) | 1989-10-27 |
Family
ID=19254230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019860011077A KR890004206B1 (ko) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 반도체 메모리 장치의 펄스 발생기 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR890004206B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100568535B1 (ko) * | 1999-08-13 | 2006-04-06 | 삼성전자주식회사 | 펄스 발생기 |
-
1986
- 1986-12-22 KR KR1019860011077A patent/KR890004206B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100568535B1 (ko) * | 1999-08-13 | 2006-04-06 | 삼성전자주식회사 | 펄스 발생기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR890004206B1 (ko) | 1989-10-27 |
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