Claims (10)
물리적인 스퍼터링 약제와 산소를 포함하는 플라즈마를 가진 반도체 기판의 물질층을 부식하는 동안에 연부외형 경사를 제어하기 위한 방법에 있어서, 적어도 산소비의 3배의 비로 플라즈마의 물리적인 스퍼터링을 사용하는 것을 특징으로 하는 아르곤을 이용한 테이퍼형 접촉 부식 방법.A method for controlling the soft contour gradient during corrosion of a material layer of a semiconductor substrate with a physical sputtering agent and a plasma comprising oxygen, the method comprising using physical sputtering of the plasma at a ratio of at least three times the oxygen ratio. Tapered contact corrosion method using argon.
제1항에 있어서, 물리적인 스퍼터링 약제는 원자량 39 이상을 갖는 것을 특징으로 하는 아르곤을 이용한 테이퍼형 접촉 부식 방법.The method of claim 1, wherein the physical sputtering agent has an atomic weight of 39 or more.
제2항에 있어서,물리적인 스퍼터링 약제는 화학적으로 반도체 기판에 관련되는 불활성인 것을 특징으로 하는 아르곤을 이용한 테이퍼형 접촉 부식 방법.The method of claim 2, wherein the physical sputtering agent is chemically inert relative to the semiconductor substrate.
제2항에 있어서, 물리적인 스퍼터링 약제는 아르관과 크세논으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 아르곤을 이용한 테이퍼형 접촉 부식 방법.The method of claim 2, wherein the physical sputtering agent is selected from the group consisting of ar tubes and xenon.
아르곤과 산소를 포함하는 플라즈마를 가진 반도체 기판의 물질의 층을 부식시키는 단계를 구비하는 공정에 의해 제조된 집적 회로 접촉 개구면에 있어서, 플라즈마의 아르곤비가 적어도 산소비의 약 3배인 것을 특징으로 하는 집적 회로 접촉 개구.An integrated circuit contact opening made by a process comprising the step of corroding a layer of material of a semiconductor substrate with a plasma comprising argon and oxygen, wherein the argon ratio of the plasma is at least about three times the oxygen ratio. Integrated circuit contact opening.
제5항에 있어서, 물질층은 이산화규소인 것을 특징으로 하는 집적 회로 접촉 개구.6. The integrated circuit contact opening of claim 5, wherein the material layer is silicon dioxide.
아르곤, 할로카본 및 산소를 포함하는 플라즈마를 가진 반도체 기판의 물질층을 부식시키는 동안에 연부외형 경사를 제어하는 방법에 있어서, 플라즈마의 산소비는 적어도 산소비의 3배인 것을 특징으로 하는 아르곤을 이용한 테이퍼형 접촉 부식 방법.A method of controlling the soft contour gradient during corrosion of a material layer of a semiconductor substrate having a plasma comprising argon, halocarbon and oxygen, wherein the oxygen ratio of the plasma is at least three times the oxygen ratio. Mold contact corrosion method.
제7항에 있어서 할로카본을 CHF3인 것을 특징으로 하는 아르곤을 이용한 테이퍼형 접촉 부식 방법.The tapered contact corrosion method using argon according to claim 7, wherein the halocarbon is CHF 3 .
물리적인 스퍼터링 약제 및 산소를 포함하는 플라즈마를 가진 반도체 기판의 물질층을 부식하는 동안에 연부외형 경사를 제어하는 방법에 있어서, 멀리 부식될 수 있는 물질층의 면은 각이진 경사를 가지며 이것의 경사각을 조절할 수 있고, 적어도 산소비의 3배의 비로 플라즈마의 물리적인 스퍼터링 약제를 사용할수 있으며, 상기 물리적인 스퍼터링 약제는 원자량 39 그 이상을 갖는 것을 특징으로 하는 아르곤을 이용한 테이퍼형 접촉 부식 방법.In a method of controlling the soft contour slope during corrosion of a material layer of a semiconductor substrate with a plasma comprising a physical sputtering agent and oxygen, the surface of the material layer that can be corroded away has an angled slope and its inclination angle Tapered contact corrosion method using argon, wherein the physical sputtering agent of the plasma can be controlled, and the physical sputtering agent has an atomic weight of 39 or more.
집적 회로 접촉 개구를 제조하는데 있어, 플라즈마를 가진 반도체 기판의 물질층을 부식하는 동안에 연부외형 경사를 제어하기 위한 방법에 있어서, 할로 카본, 산소 및 플라즈마의 물리적인 스퍼터링 약제를 사용하고, 플라즈마의 물리적인 스퍼터링 약제의 비가 적어도 산소비의 3배인 것을 구비하는, 제1부식 단계를 수행하는 단계, 상기 부식 플라즈마가 할로 카본, 산소 및 물리적인 스퍼터링을 포함하고, 플라즈마의 상기 물리적인 스퍼터링 약제의 비가 적어도 산소비의 3배이며 할로 카본비가 제1부식 단계의 할로 카본비보다 더 큰, 제2부식 단계를 수행하는 단계, 및 물리적인 스퍼터링 약제가 부식 플라즈마에 존재하지 않는, 제3부식 단계를 수행하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 아르곤을 이용한 테이퍼형 접촉 부식 방법.A method for controlling soft outline inclination during corrosion of a material layer of a semiconductor substrate with plasma in the manufacture of integrated circuit contact openings, the method comprising the use of physical sputtering agents of halo carbon, oxygen, and plasma, Performing a first corrosion step, wherein the corrosive plasma comprises halo carbon, oxygen, and physical sputtering, wherein the ratio of the phosphorus sputtering agent is at least three times the oxygen ratio; Performing a second corrosion step, three times the oxygen ratio and the halo carbon ratio being greater than the halo carbon ratio of the first corrosion step, and performing a third corrosion step, wherein no physical sputtering agent is present in the corrosive plasma. Tapered contact corrosion method using argon characterized in that it comprises a step.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.