KR880001800B1 - 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로 - Google Patents

뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로 Download PDF

Info

Publication number
KR880001800B1
KR880001800B1 KR1019850009266A KR850009266A KR880001800B1 KR 880001800 B1 KR880001800 B1 KR 880001800B1 KR 1019850009266 A KR1019850009266 A KR 1019850009266A KR 850009266 A KR850009266 A KR 850009266A KR 880001800 B1 KR880001800 B1 KR 880001800B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
voltage
muting
circuit
turned
Prior art date
Application number
KR1019850009266A
Other languages
English (en)
Other versions
KR870006717A (ko
Inventor
신영호
강대봉
이화숙
Original Assignee
삼성반도체통신 주식회사
강진구
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성반도체통신 주식회사, 강진구 filed Critical 삼성반도체통신 주식회사
Priority to KR1019850009266A priority Critical patent/KR880001800B1/ko
Publication of KR870006717A publication Critical patent/KR870006717A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR880001800B1 publication Critical patent/KR880001800B1/ko
Priority to KR2019890009633U priority patent/KR900001320Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers without distortion of the input signal
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/34Muting amplifier when no signal is present or when only weak signals are present, or caused by the presence of noise signals, e.g. squelch systems
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/26Modifications for temporary blocking after receipt of control pulses

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로
제1도는 본 발명의 구성을 나타내는 블럭도.
제2도는 본 발명의 실시예를 나타내는 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
A1: 전력증폭부 A2: 비교부
A3: 뮤팅회로 A4: 방전수단
Q1-Q7: 트랜지스터 R1-R3: 저항
C : 콘덴서
본 발명의 뮤팅회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로에 관한 것이다.
일반적인 오디오 시스템의 출력단에 설치된 전력 증폭기에서는, 전원스위치를 ON하는 순간 스위치에서 발생하는 단속음이 상기 전력 증폭기에서 그대로 증폭되어 스피커에 전달됨으로써 스피커에서 "찌륵"하는 불쾌한 클릭잡음이 나게된다.
종래에는 이러한 클릭 잡음을 제거하기 위하여 기구적 스위치를 사용하였기 때문에, 뮤팅 회로를 포함한 절력증폭단의 구성에 있어서 점유 공간이 커 이를 하나의 집적외로내에 내장하여 제작할 수 없었을 뿐만 아니라 제작원가도 비싼 문제가 있었다.
이에 본 발명에서는 기구적 스위치나 릴레이를 사용하지 않고 전자적인 회로를 이용하여 전원 스위치의 조작 후 일정시간 동안 전력증폭기의 출력을 뮤팅 시킴으로써 전원 스위치의 조작에 다른 클릭 잡음이 스피커에 전달되지 않도록 하는 뮤팅회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로를 제공하는데 그 목적을 두고 있다.
다음은 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한 것이다.
제1도는 본 발명에 의한 소전력 증폭용 집적회로의 구성을 나타내는 블럭도이다. 도면에서, 참조 부호 A1은 입력단자(Vin)에 인가되는 오디오 신호를 전력증폭하여 스피커(SP)에 출력하는 전력증폭부이다. 그리고 부호 A2는 전원스위치(SW)의 ON시 전원전압(Vcc)에 의해 전류원(I)으로 부터 공급되어 콘덴서(c)에 충전된 전압(Vx)과 기준전압(VR)을 비교하는 비교부이다.
그리고, 부호 A3는 능동소자로 구성된 뮤팅 회로로서, 상기한 비교부(A2)의 출력신호에 따라 전력증폭부(A1)의 출력(Vout)을 뮤팅, 즉 스피커(SP)측으로 흐르지 않고 접지로 흐르게 하는 역할을 한다. 미설명 부호 A4는 비교부(A2)의 일단에 접속되어 있는 콘덴서(C)의 충전전압을 전원스위치(SW)의 OFF시 방전시켜 0볼트상태로 만드는 방전수단이다.
이와 같은 구성하에서, 콘덴서(C)는 초기에는 완전히 방전된 상태에 있으며 전원스위치(SW)가 ON되는 순간부터 충전되기 시작한다. 이 때 콘덴서(C)가 충전되는 속도는 전류원(I)와 콘덴서(C)의 용량값의 크기에 의해 결정된다.
콘덴서(C)에 충전되는 전압(Vx)는 최대Vx>VR(기준전압)이 되도록 선정한다.
만약, 전압(Vx)가 Vx<VR일 때에는, 비교부(A2)의 출력은 하이가 되어 뮤팅회로(A3)를 동작시켜 전력증폭부(A1)의 출력을 뮤팅시킨다.
소정시간이 경과되어 Vx>VR이 되면, 비교부(A2)의 출력이 로우가 되어 뮤팅 회로(A3)는 동작하지않으며, 따라서 전력증폭부(A1)의 출력(Vout)은 스피커(SP)로 전달된다.
방전수단(A4)은 전원스위치(SW)를 OFF시켰을 때 다음의 동작을 위하여 콘덴서(C)에 충전된 전압을 방전시키기 위한 방전경로를 형성한다.
제2도는 제1도의 블럭도를 실제로 구현한 본 발명의 실시예로서, 제2도의 구성요소 중에서 제1도의 구성 요소에 해당하는 것은 동일한 부호를 부여하여 표시하였다.
제2도에서, 점선으로 구획된 비교부(A2)는 능동소자인 트랜지스터(Q2-Q5)로 구성된 차동증폭기로 이루어져 있어며, 비교부(A2)에 대한 기준전압(VR)을 설정하기 위한 수단으로서는 전류원(I2)과 전압공급원(VB)와 트랜지스터(Q6)의 베이스-에미터간의 NP다이오드부를 이용하고 있다.
그리고, 뮤팅 회로(A3)는 능동소자인 트랜지스터(Q7)와, 이 트랜지스터(Q7)의 베이스와 비교부(A2)내의 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 사이에 연결되는 저항(R3)으로 구성되어 있다.
한편, 방전수단(A4)은 트랜지스터(Q1) 및 저항(R1)(R2)으로 구성되어 있는 바, 저항(R1)(R2)의 값은 전원스위치(SW)가 ON되어 있을 때에는 트랜지스터(Q1)가 부도통상태로 되도록 설정한다.
이와 같은 구성하에서, 전원스위치(SW)를 ON하는 순간 콘덴서(C)는 초기에 트랜지스터(Q3)의 베이스 전압(기준전압)보다 낮게 리세트되어 있으므로 트랜지스터(Q3)는 OFF되는 반면에, 트랜지스터(Q2)는 전류원(I1)에 의해 ON된다.
이에 의해 트랜지스터(Q4)(Q5)는 OFF되고, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 전류는 뮤팅 회로(A3)내의 트랜지스터(Q7)의 베이스로 흘러 트랜지스터(Q7)를 포화시켜 전력증폭부(A1)의 출력을 뮤팅시킨다.
소정시간이 경과하여 콘덴서(C)에 충전된 전압이 트랜지스터(Q3)의 베이스전압보다 높게되면 트랜지스터(Q2)는 OFF되어 트랜지스터(Q7)도 OFF된다. 이에 따라 전력증폭단(A1)의 출력(Vout)은 클릭음이 완전히 제거된 상태에서 스피커(SP)에 전달되는 것이다.
전원 스위치(SW)를 OFF하면, 콘덴서(C)에 충전된 전압은 트랜지스터(Q1)의 에미터-베이스간의 PN다이오드부와 저항(R2)으로 형성되는 방전 경로를 통하여 방전 됨으로써 다음 동작을 위해 리세트 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 전원 스위치의 ON동작시 전력 중폭부에서 출력되는 클릭음(스위치 단속음)을 뮤팅하는 회로로서, 종래의 복잡한 기구적 스위치를 사용하던 시스템 대신에 전자적인 회로를 사용하여 단일의 집적회로내에 전력증폭부와 함께 내장할 수 있어 간단하게 회로를 구성할 수 있고 제조 원가가 현저히 절감되는 이점을 지니고 있다.

Claims (3)

  1. 입력오디오신호를 전력증폭하여 스피커(SP)에 인가하는 전력증폭부(A1)와, 전원스위치(SW)의 ON시 전원 전압(Vcc)에 의해 전류원(I1)으로부터 공급되어 콘덴서(C)에 충전된 전압(Vx)과 기준전압(VR)을 비교하는 비교부(A2)와, 비교부(A2)의 출력신호에 따라 전력증폭부(A1)의 출력(Vout)을 뮤팅하는 능동소자로 구성된 뮤팅회로(A3)와, 비교부(A2)의 일단에 접속되어 있는 상기한 콘덴서(C)의 충전 전압을 전원스위치(SW)의 OFF시 방전시켜 리세트 시키는 방전수단(A4)등을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 기준전압(VR)의 설정수단이 전류원(I2)과 전압공급원(VB) 및 트랜지스터(Q6)의 베이스-에미터간의 NP형 다이오드부로 구성되는 것을 특징으로 하는 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기한 콘덴서(C)의 방전수단(A4)이 트랜지스터(Q1) 및 저항(R1)(R2)으로 이루어져 있으며, 저항(R1)(R2)값이 전원스위치(SW)의 ON시 트랜지스터 (Q1)가 부도통 상태로 되도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로.
KR1019850009266A 1985-12-10 1985-12-10 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로 KR880001800B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019850009266A KR880001800B1 (ko) 1985-12-10 1985-12-10 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로
KR2019890009633U KR900001320Y1 (ko) 1985-12-10 1989-06-30 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019850009266A KR880001800B1 (ko) 1985-12-10 1985-12-10 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019890009633U Division KR900001320Y1 (ko) 1985-12-10 1989-06-30 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870006717A KR870006717A (ko) 1987-07-14
KR880001800B1 true KR880001800B1 (ko) 1988-09-17

Family

ID=19244065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850009266A KR880001800B1 (ko) 1985-12-10 1985-12-10 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR880001800B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430906B1 (ko) 2001-03-10 2004-05-17 주식회사 파이로 방검 및 방탄용 패널

Also Published As

Publication number Publication date
KR870006717A (ko) 1987-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4788508A (en) Pop noise suppression circuit for audio amplifier
JPH06261386A (ja) ミューティング制御回路
US7940940B2 (en) Muting circuit and semiconductor integrated circuit
US7579878B2 (en) High gain, high speed comparator operable at low current
US4063185A (en) Direct coupling type power amplifier circuit
JP2609723B2 (ja) 増幅回路
KR880001800B1 (ko) 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로
KR950003136B1 (ko) 전력증폭장치
JP2000194431A (ja) 安定化電源回路
KR900001320Y1 (ko) 뮤팅 회로를 내장한 소전력 증폭용 집적회로
JPS59154805A (ja) 増幅回路
US6014060A (en) Voltage supply circuit for amplifier
JPS5921531Y2 (ja) 直接結合増幅器のミユ−テイング回路
EP0328180A1 (en) Amplifier arrangement with output-swing limitation
KR920005100Y1 (ko) 음향 기기의 뮤팅 회로
JPH01264405A (ja) 切換回路
KR940002970B1 (ko) 쇼크음 방지회로
US10965264B2 (en) Bias circuit for supplying a bias current to an RF power amplifier
JP4183957B2 (ja) ミュート回路および基準電圧発生回路
JPS6122345Y2 (ko)
JPH0722898Y2 (ja) ポップ音防止回路
JPS6327457Y2 (ko)
KR890006639Y1 (ko) 음향기기의 뮤팅 회로
JPH0513047Y2 (ko)
JPH11163648A (ja) 音声ミュート回路

Legal Events

Date Code Title Description
G160 Decision to publish patent application
O035 Opposition [patent]: request for opposition

Free format text: OPPOSITION NUMBER: 001988001123; OPPOSITION DATE: 19881018

WICV Withdrawal of application forming a basis of a converted application