KR860009088A - 인- 붕소- 실라놀 중간층 유전박막 및 그 제법 - Google Patents

인- 붕소- 실라놀 중간층 유전박막 및 그 제법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

인- 붕소-실라놀 중간층 유존박막 및 그 제법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명의 제조공정을 나타내는 개략 플로우차아트.
제2도는 본원 발명의 제1 실시예에 대하여 얻어진 박막두께와 사용된 스핀코우팅 조건의 상호관계를 나타낸 그래프.
제3도는 본원 발명의 제1실시예에 대하여 온도와 경화시간의 관례를 나타내는 그래프

Claims (46)

  1. 용매(S)에 용해된 올리고머(L) 용액으로 이루어지는 경화 가능한 코우팅 조성물(C1)에 있어서, (ⅰ) L은 인 도우프 처리된 및/또는 붕소 도우프 처리된 실세스퀴옥산 올리고머로 이루어지며; (ⅱ) S는 L에 대한용매이며, 다만 S는 L와 반응이 되지않는 것을 조건으로 하며; (ⅲ) L는 C2중량에 대하여 10-60중량% 범위내의 양으로 존재하며; (ⅳ) L는, (a) 규소원자와, (b)인 원자 및/또는 붕소 원자로서, 그 원자비가 k/m/n으로 이루어지며, m/k비는 0-2범위; 7n/k 비는 0-0.14범위; (m＋n)/k 비는 0.02-0.30범위로 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화 가능한 코우팅 조성물.
  2. 제1항에 있어서, L은 20-40중량% 범위의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 인원자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 붕 소원자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 조성물
  5. 제1항에 있어서, 인 원자와 붕소 원자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 조성물
  6. 제1항에 있어서,m/k는 0.01-0.07범위; n/k는 0.01-0.13범위; (m＋n)/k는 0.04-0.20범위에 있는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  7. 제6항에 있어서, m/k는 0.02-0.03범위; n/k는 0.02-0.07범위:(m＋n)/k는 0.06-0.15범위에 있는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  8. 제1항에 있어서, S는 방향족 탄화수소 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  9. 제8항에 있어서, S는 크실렌으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  10. 제9항에 있어서, S는 또한 시클로헥산올로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 실온에서 1-200센티포이즈 범위의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 상기조성물.
  12. 제11항에 있어서, L은 1500이상의 평균분자량을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  13. 제11항에 있어서, C2 20-50중량% 범위의 L로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  14. 아래의 일반식을 가진 올리고머 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 조성물.
    다만, Ar1,Ar2및 Ar3은 각각 1000이하의 분자량을 가진 Ar1H,Ar2H 및 Ar3H로 표시되는 화합물과 같은 치환 또는 비치환 아릴에서 선택되며; R1,R2및 R3은 OCtH2t+1또는 OH이며, 다만 t는 1-10 범위의 전체 수이며; p는 0 또는 1; x는 0,1,2 또는 3; y는 0.1 또는 2; z는 p가 0일 때, 0,1,2 또는 3; p가 1일 때, 0,1 또는 2; k,m 및 n은 다음과 같은 비로 성립되며, (i) m/k비는 0-0.27범위; (ⅱ) n/k 비는 0-014범위; (ⅲ) (m＋n)/k 비는 0.02-0.03범위내이다.
  15. 제14항에 있어서, 분말상인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 용매(S)와 용질로서 올리고머로 이루어지는 용액형상인 것을 특징으로 하는상기 조성물.
  17. (a) 규소 함유 단체(M1)와, (b)인 함유 단체(M2) 및/또는 붕소 함유 단체(M3)를 응축하여 올리고머(L) 혼합물을 형성하는 것으로 이루어지는 특허청구의 범위 제1항의 경화 가능한 코우팅 조성물의 제법에 있어서, 다만, M1은 Ar1Si(R1)3, M2는 Ar2P(O)(R2)2, M3은 Ar3B(R3)2또는 B(R3)3이며, 다만, Ar,Ar2및 Ar3은 각각 1000이하의 분자량을 가진 Ar2H,Ar2H 및 Ar3H 표시되는 화합물 같은 치환비 치환에서 아릴 선택되며; R1,R2및 R3은 OCtH2t+1또는 OH이며, 다만 t는 1-10 범위의 전체 수인 것을 조건으로 하며; 이 조성물의 제조단계는:
    (ⅰ) 수산기와 반응이 불가능한 제1용매(S1)내에서 M1 또는 저올리고머를 용해하며; (ⅱ) S1의 비등점 보다 낮은 비등점을 가진 제2용매 (S1)내에서 M2 또는 저올리고머를 용해하며; (ⅲ) S1의 비등점보다 낮은 비등점을 가진 제3용매(S3)내에서 M3 또는 저올리고머를 용해하며; (ⅳ) S1의 비등점보다 낮은비등점을 가진 제4용매(S4)내에서 수산기의 응축을 위하여 촉매를 용해하며; (ⅴ) 응축을 행하는 데 충분한 미리 선택된 비율과 미리선택된 순서와 미리 선택된 온도에 의햐여 단계(ⅰ),(ⅱ),(ⅲ)의 생성물을 혼합하여 올리고머(L)를 형성하며; (ⅵ) 단계(ⅴ)의 반응생성물의 나머지에서 L 및S1을 분리시키는 단계로 이루어지는 경화 가능한 코우팅조성물의 제법.
  18. 제17항에 있어서, M1은 페닐트리실라놀인 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  19. 제17항에 있어서, M2은 페닐인산인 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  20. 제17항에 있어서, M3은 트리이소프로필 붕산염인 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  21. 제17항에 있어서, M3은 트리부틸붕산염인 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  22. 제17항에 있어서, M3은 페닐보론 디히드록시드인 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  23. 제17항에 있어서, S1은 방향족 탄화수소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  24. 제17항에 있어서, S1은 코실렌으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  25. 제24항에 있어서, S1은 또한 시클로헥산올로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  26. 제17항에 있어서, 상기 단계(ⅴ)에서 단체의 미리 선택된 비율은 규소/인 붕소의 분자비가 k/m/n이고, 다만 k,m 및 n은 다음과 같은 비율로 이루어지며:
    (ⅰ) m/k 비는 0-0.27범위; (ⅱ) n/k 비는 0-0.14범위; (ⅲ) (m＋n)/k 비는 0.02-0.30범위내인 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  27. 제17항에 있어서, 단계(ⅱ)의 생성물은 단계(ⅰ)의 생성물을 첨가하기 전에 단계(ⅲ)의 생성물과 혼합되는 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  28. 제17항에 있어서, S2 ,S3 및 S4는 알코올인 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  29. 제28항에 있어서, S2,S3 및 S4는 이소프로판올인 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  30. 제 17항에 있어서, 상기 촉매는 수산화 테트라메틸암모늄인 것을 특징으로 하는 것을 상기 제법.
  31. 제 17항에 있어서, 단계(ⅴ)에서 촉매는 반응물의 2중량%까지의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  32. 개량 결합 특성을 지닌 개량중간층 유전박막을 제조하는 방법은 기판(B)상에 얇은 박막(C3)을 형성하기 위하여 기관(B)에 특허청구의 범위 제1항의 조성물(C2)을 가하여, 기판(B)에 접착되는 경화물(C5)을 형성하는 것을 특징으로 하는 중간층 유전박막의 제법.
  33. 제32항에 있어서, 박막을 형성하기 위해서 10,000rpm까지의 각속도로 기판(B)에 조성물(C2)을 스핀코우팅하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  34. 제33항에 있어서, 또한 300°C-400°C범위의 온도에서 박막을 경화하는 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  35. 제33항에 있어서, 상기 기관(B)는 특허청구의 범위 제34항의 생성물로서, 다중 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 제법.
  36. 아래 일반식을 가진 경화수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 조성물.
    (Ar1SiO1.5)k(Ar2PO2.0)m(Ar3 pBOq)n
    다만,Ar1,Ar2및 Ar3은 각각 1000이하의 분자량을 가진 Ar1H,ArH 및 Ar3H로 표시되는 화합물과 같은 치환 또는 비치환 아릴에서 선택되며; p 및 q는 각각 0 및 1.5, 또는 각각 1.0 및 1.0의 값을 가지며; k,m 및 n은 다음과 같은 비로 성립되며, (ⅰ)m/k비는 0-0.27범위; (ⅱ)n/k비는0-0.014범위;(ⅲ) (m＋n)/k는 0.02-0.30범위내이다.
  37. 제 36항에 있어서, 상기 수지는 박막형상인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  38. 제 36항에 있어서, 상기 박막은 중간층 유전박막인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  39. 제36항에 있어서, 상기 박막은 스핀코우팅 박막인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  40. 제36항에 있어서, 상기 박막은 다층 스핀코우팅 박막인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  41. 제36항에 있어서, 상기 박막은 집적회로의 반도체에 부착되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  42. 제41항에 있어서, 상기 반도체는 규소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  43. 재36항에 있어서, IR분석에 의하여 표시된 바와 같이 매우 적은 -OH성질을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  44. 제36항에 있어서, 분해온도가, TGA분석에 의하여 결정된 바와 같이 500°C이상인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  45. 제 44항에 있어서, 분해온도가 550°C이상인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
  46. 제 45항에 있어서, 분해온도가 570°C이상인 것을 특징으로 하는 상기 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860002316A 1985-05-14 1986-03-28 인- 붕소- 실라놀 중간층 유전박막 및 그 제법 KR860009088A (ko)

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2591587A1 (fr) * 1985-12-17 1987-06-19 Saint Gobain Vitrage Film organo-mineral depose sur un substrat en verre eventuellement revetu d'une ou plusieurs couches metalliques minces.
US4758620A (en) * 1987-07-02 1988-07-19 Akzo America Inc. Blend of solvent and arylsiloxane interlayer dielectric materials
US4765866A (en) * 1987-07-02 1988-08-23 Akzo America Inc. Energy ray curing of arylsiloxane/silicate compositions and subsequent etching thereof
US4801507A (en) * 1987-07-02 1989-01-31 Akzo American Inc. Arylsiloxane/silicate compositions useful as interlayer dielectric films
US5089303A (en) * 1989-04-24 1992-02-18 Akzo America Inc. Blend of solvent and photocurable arylsiloxane materials
US5527872A (en) * 1990-09-14 1996-06-18 At&T Global Information Solutions Company Electronic device with a spin-on glass dielectric layer
KR100804873B1 (ko) * 1999-06-10 2008-02-20 얼라이드시그날 인코퍼레이티드 포토리소그래피용 ｓｏｇ 반사방지 코팅
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
SE521977C2 (sv) * 2002-06-20 2003-12-23 Mobile Media Group Stockholm A Metod och apparat för att formatera en webbtjänst
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
US9006101B2 (en) * 2012-08-31 2015-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structure and method
US9947858B2 (en) 2012-12-28 2018-04-17 Dow Corning Corporation Curable organopolysiloxane composition for transducers and applications of such curable silicone composition for transducers
KR101868780B1 (ko) * 2012-12-28 2018-06-20 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 변환기용 경화성 유기폴리실록산 조성물 및 그러한 변환기용 경화성 실리콘 조성물의 응용
US9076719B2 (en) 2013-08-21 2015-07-07 The Regents Of The University Of California Doping of a substrate via a dopant containing polymer film
JP6072129B2 (ja) 2014-04-30 2017-02-01 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ドーパント含有ポリマー膜を用いた基体のドーピング
JP6803842B2 (ja) 2015-04-13 2020-12-23 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3414463A (en) * 1968-01-04 1968-12-03 Owens Illinois Inc Organopolysiloxane modified with an organophosphorus compound and use thereof
DE2040180B2 (de) * 1970-01-22 1977-08-25 Intel Corp, Mountain View, Calif. (V.St.A.) Verfahren zur verhinderung von mechanischen bruechen einer duennen, die oberflaeche eines halbleiterkoerpers ueberdeckende isolierschichten ueberziehenden elektrisch leitenden schicht
US4218571A (en) * 1975-12-08 1980-08-19 Mobil Oil Corporation Olefin hydrogenation over synthetic amorphous silica
JPS56129261A (en) * 1980-03-17 1981-10-09 Hitachi Ltd Thin film-forming coating liquid composition
JPS5760330A (en) * 1980-09-27 1982-04-12 Fujitsu Ltd Resin composition
DE3213247A1 (de) * 1981-04-13 1982-12-02 Showa Electric Wire & Cable Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Polyborsiloxan-ueberzugsmasse und isolierter elektrischer leiter
JPS59199756A (ja) * 1983-04-27 1984-11-12 Toshiba Silicone Co Ltd 導電性シリコ−ンゴム組成物

Also Published As

Publication number Publication date
EP0202108A3 (en) 1988-06-15
IL78383A0 (en) 1986-07-31
EP0202108A2 (en) 1986-11-20
US4663414A (en) 1987-05-05
JPS61261370A (ja) 1986-11-19

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