KR840008212A - 유효핵 비등표면 테이프 및 전자소자 냉각 방법 - Google Patents
유효핵 비등표면 테이프 및 전자소자 냉각 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR840008212A KR840008212A KR1019840001527A KR840001527A KR840008212A KR 840008212 A KR840008212 A KR 840008212A KR 1019840001527 A KR1019840001527 A KR 1019840001527A KR 840001527 A KR840001527 A KR 840001527A KR 840008212 A KR840008212 A KR 840008212A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal
- boiling surface
- tape
- foam
- thin
- Prior art date
Links
- 238000009835 boiling Methods 0.000 title claims description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 32
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
- F28F13/18—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
- F28F13/185—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings
- F28F13/187—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings especially adapted for evaporator surfaces or condenser surfaces, e.g. with nucleation sites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 유효핵 비등 표면을 사용하여 냉각된 칩의 온도와 그렇지 않았을 때의온도를 비교하기 위한 수식적예제에 사용할 관계식을 도시한다.
제2도는 기판의 일부분에 장치된 단일 칩의 일부를 도시한다.
제3도는 본 발명의 실험에 사용된 유효핵 비등 표면을 제조하기 위해 전기 도금 용액내에 놓여진 물체의 횡단면도.
Claims (13)
- 금속의 얇은층과 이것의 일측면에 인기된 개방셀의 격자형 유기질거품과, 도금에 의해 상기 거품에 침전된 금속으로 구성된 유효 핵비등 표면 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 도금된 금속은 첫째 상기 거품위에 비전기도금 처리로 놓여지고, 두 번째, 금속의 얇은층 표면위에 덮여지고 단단히 부착되는 격자형 금속 표면을 형성하도록 전기도금 처리로 놓여지는 것을 특징으로 하는 유효 핵 비등 표면 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 도금된 금속은 격자형 거품의 기공밑에 붙어있는 상기 금속의 노출된 표면을 전기도금 함으로써 놓여지고 단단히 부착되며, 거품의 기공을 통해 상기 노출된 표면으로 부터 밖으로 연장된 것을 특징으로 하는 유효 핵 비등표면 테이프.
- 제1항에 있어서, 점착성의 흑연 코팅은 상기 도금된 금속이 금속의 얇은층과 흑연에 달라붙도록 상기 도금된 금속이 침전되기 전에 상기 거품에 인가되고, 금속의 얇은층 표면에 놓여진 개방된 격자를 가지는 격자형 금속 표면을 형성하여 단단히 부착되게 한 것을 특징으로 한 유효 핵 비등 표면 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 거품에 적어도 부분적으로 열을 가하여 이전에 형성된 격자형 금속 구조가 상기 비등표면이 액체 비등매체내에 놓여지고 증가 상태의 핵이 자리하는 골격내의 다수의 개구 또는 기공을 통하여 얼마간의 증기를 내보냈을 때 증기를 잡아둘 수 있는 공동형 금속을 포함하는 공동의 금속 골격을 형성케 하는 것을 특징으로 한 유효 핵 비등 표면 테이프.
- 제5항에 있어서, 상기 비등 표면의 공동형 금속의 적어도 일부분이 충분한 압력을 가지고 다수의 고체 입자와 결합하고, 상기 공동형금속을 일부분 손상시켜 그 내부직경과 기능을 저감시키고 그 길이를 따라 간격지워진 개구 사이에 액체를 운반할 수 있게 한 것을 특징으로 하는 유효 핵 비등 표면 테이프.
- 전기도금법으로 침전된 금속과 상기 침전된 금속 내에 싸여진 다수의 분말형의 도전성 입자로구성된 코팅을 가지는 얇은 금속층을 포함한 핵 비등표면 테이프.
- 제7항에 있어서, 상기 테이프는, 상기 도전성 입자가 포함된 도금 용액내에 놓여지고 원천 금속에 근접시켜 상기 얇은 금속위에 도금되게 하고; 전류원이 상기 얇은 금속과 원천금속에 연결되어 원천금속이 상기 얇은 금속위에 도금되며; 판금 용액이 도전성 입자가 상기 얇은 금속에 전기적으로 달라붙을 때까지 상기 도전성 입자를 용액내에 유지하기 위해 뒤섞게하며; 도금은 상기 금속이 얇은 금속에 달라붙은 도전성 입자 주위에 형성될 때까지 계속되는 일련의 단계를 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 유효 핵비등 표시 테이프.
- 제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 비등표면은 그 높이를 저감시키기 위해 기계적인 처리가 가해지는 것이 특징인 핵 비등 표면 테이프.
- 제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 금속의 얇은 층은 구리로 형성한 것을 특징으로 하는 핵 비등 표면 테이프.
- 제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 침전된 금속은 구리인 것을 특징으로 하는 유효 핵 비등 표면 테이프
- 집적 회로 소자에 대한 패키지 방법으로서, 상기 비등표면과 열이 발생되는 패키지의 부위 사이의 열 통로가 끝나기에 적합한 위치에서 집접회로 소자의 표면의 일부분에 부착된 제1항 또는 제7항에 기술된 바와같은 유효 핵 비등 표면 테이프를 포함하여 개선시킨 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 패키지 방법.
- 집적 회로소자에 의해 발생된 열의 제거를 위한 냉각 시스템에 있어서, 집적회 소자와, 제1항 또는 7항에 기술한 바와 같은 유효 핵 비등 표면 테이프와, 상기 집적회로 소자에 발생한 열을 상기 비등 표면으로 전달하기 위한 열 통로를 한정하는 수단과, 상기 비등 표면에 의해 접촉해서 가열되는 액체 냉각제와, 상기 냉각제로부터 열을 제거하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각 시스템.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47819883A | 1983-03-24 | 1983-03-24 | |
US47819783A | 1983-03-24 | 1983-03-24 | |
US478197 | 1983-03-24 | ||
US478198 | 1983-03-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR840008212A true KR840008212A (ko) | 1984-12-13 |
Family
ID=27045817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019840001527A KR840008212A (ko) | 1983-03-24 | 1984-03-24 | 유효핵 비등표면 테이프 및 전자소자 냉각 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR840008212A (ko) |
AU (1) | AU2607384A (ko) |
DE (1) | DE3410767A1 (ko) |
ES (1) | ES8507731A1 (ko) |
FR (1) | FR2547906A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3734327A1 (de) * | 1987-10-10 | 1989-04-27 | Hochtief Ag Hoch Tiefbauten | Durchschusssicheres plattenfoermiges bauteil |
US4995451A (en) * | 1989-12-29 | 1991-02-26 | Digital Equipment Corporation | Evaporator having etched fiber nucleation sites and method of fabricating same |
JP3964580B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2007-08-22 | 富士通株式会社 | 冷却ユニット |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2458789A1 (de) * | 1974-08-30 | 1976-06-16 | Licentia Gmbh | Halbleiteranordnung |
FR2288396A1 (fr) * | 1974-10-17 | 1976-05-14 | Gen Electric | Dispositif a semi-conducteur refroidi au moyen de tubes de refroidissement |
US4047198A (en) * | 1976-04-19 | 1977-09-06 | Hughes Aircraft Company | Transistor cooling by heat pipes having a wick of dielectric powder |
JPS5487959A (en) * | 1977-12-19 | 1979-07-12 | Ibm | Base plate for cooling |
US4182412A (en) * | 1978-01-09 | 1980-01-08 | Uop Inc. | Finned heat transfer tube with porous boiling surface and method for producing same |
FR2443515A1 (fr) * | 1978-12-06 | 1980-07-04 | Uop Inc | Surface de transmission de chaleur et son procede de fabrication |
GB2013243B (en) * | 1979-01-08 | 1982-10-06 | Uop Inc | Method for producing heat transfer surface and heat transfer member |
-
1984
- 1984-03-23 ES ES530918A patent/ES8507731A1/es not_active Expired
- 1984-03-23 DE DE19843410767 patent/DE3410767A1/de not_active Withdrawn
- 1984-03-23 AU AU26073/84A patent/AU2607384A/en not_active Abandoned
- 1984-03-24 KR KR1019840001527A patent/KR840008212A/ko not_active Application Discontinuation
- 1984-03-26 FR FR8404668A patent/FR2547906A1/fr active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES530918A0 (es) | 1985-09-01 |
FR2547906A1 (fr) | 1984-12-28 |
AU2607384A (en) | 1984-09-27 |
DE3410767A1 (de) | 1984-10-04 |
ES8507731A1 (es) | 1985-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4383270A (en) | Structure for mounting a semiconductor chip to a metal core substrate | |
US4606788A (en) | Methods of and apparatus for forming conductive patterns on a substrate | |
JPS5550646A (en) | Integrated circuit device | |
US3725566A (en) | Evaporative cooling and heat extraction system | |
US4053942A (en) | Device for removing low level contaminants from a liquid | |
US3775838A (en) | Integrated circuit package and construction technique | |
KR840008212A (ko) | 유효핵 비등표면 테이프 및 전자소자 냉각 방법 | |
KR970064329A (ko) | 회로 기판 및 그 형성 방법 | |
JPS56126951A (en) | Semicondutor device | |
JPS62165901A (ja) | 極低温装置 | |
JPS62254499A (ja) | 中に収容された電子機器構成部品のごとき部材を熱的に安定化させる箱 | |
JPS55160453A (en) | Hybrid integrated circuit | |
EP0195612A2 (en) | Printed circuit arrangement | |
JPS5780719A (en) | Semiconductor device | |
JPS6489547A (en) | Board for mounting semiconductor element | |
JPS5544737A (en) | Hybrid integrated circuit device | |
JPS59188198A (ja) | 電子回路パツケ−ジの冷却構造 | |
JPS54113895A (en) | Insulator supported with resin mold | |
JPS5513994A (en) | Integrated circuit device | |
JPS56155394A (en) | Heat conductive surface | |
DE8320682U1 (de) | Elektronisches regel- und kontrollgeraet | |
JPS5525863A (en) | Magnetic bubble memory chip | |
JPS568825A (en) | Semiconductor device | |
JPH01192152A (ja) | 電気発熱体の冷却装置 | |
PL77980B2 (ko) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |