KR840006985A - N-치환플라본-8-카르복사미드유도체 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR840006985A
KR840006985A KR1019830005164A KR830005164A KR840006985A KR 840006985 A KR840006985 A KR 840006985A KR 1019830005164 A KR1019830005164 A KR 1019830005164A KR 830005164 A KR830005164 A KR 830005164A KR 840006985 A KR840006985 A KR 840006985A
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flavone
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이또오 겐지
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Abstract

내용 없음

Description

N―치환플라본―8―카르복사미드유도체 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (23)

  1. 일반식
    (식중, R1은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기를 R2는 수소원자, 저급알콜실기, 할로겐원자 또는 니트로기를, R3는 수소원자 또는 저급알킬기를, K는 0, 1, 2 또는 3의 정수를, m은 0 또는 1의 정수를, X 및 Y는 다른 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, 기 A는 아미노기또는를 나타내고, R4및 R5가 동일 또는 다른 저급알킬기를 나타내거나 산소원자의 개재 또는 불개재하에 질소원자와 더불어 환상아미노기를, R6은 저급알킬기를 그리고 n은 2 또는 3의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체 및 그 약리학적으로 허용되는 산부가염.
  2. 일반식
    (식중, R1은 수소원자, 메틸기, 또는 에틸기를, R2는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕시기, 할로겐원자 또는 니트로기를, R3는 수소원자 또는 저급알킬기를, K는 2 또는 3의 정수를, 기는, R4및 R5이동일 또는 다른 저급알킬기인 아미노기를 나타내거나 또는 R4와 R5가 산소원자의 개재 또는 불개재하에 함께 환상으로 된 아미노기를 나타낸다.)로 표시되는 특허청구의 범위 1기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  3. 일반식
    (식중, R1은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기를, R2는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕실기, 할로겐원자 또는 니트로기를, K는 0, 1 또는 2이 정수를 기는 n이 2 또는 3의 정수이고 R6이 저급알킬기인 아미노기를 나타낸다.)로 표시되는 특허청구의 범위 1기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  4. 일반식
    (식중, R1은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기를, R2는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕실기, 할로겐원자 또는 니트로기를, X 및 Y는 다른 수소원자 또는 메틸기를 나타내고 기는 R4및 R5이 동일 또는 다른 저급알킬기인 아미노기를 나타내거나 또는 R4와 R5가 산소원자의 개재 또는 불개재하에 함께 되어 환상으로 된 아미노기를 나타낸다.)로 표시되는 특허청구의 범위 1기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  5. 일반식
    (식중, R1은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기를, R2는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕실기, 할로겐원자 또는 니트로기를, R3는 수소원자 또는 저급알킬기를, K는 2 또는 3의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 특허청구의 범위 2기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  6. 일반식
    으로 표시되는 특허청구의 범위 5기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  7. 일반식
    으로 표시되는 특허청구의 범위 5기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  8. 일반식:
    으로 표시되는 특허청구의 범위 5기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  9. 일반식
    (식중, R1은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기를, R2는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕실기, 할로겐원자 또는 니트로기를, R3는 수소원자 또는 저급알킬기를, K는 2 또는 3의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 특허청구의 범위 2기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  10. 일반식:
    으로 표시되는 특허청구의 범위 9기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  11. 일반식
    (식중, R1은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기를, R2는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕실기, 할로겐원자 또는 니트로기를 나타내고 기는, R4및 R5이 동일 또는 다른 저급알킬기인 아미노기를 나타내거나 또는 R4와 R5가 산소원자의 개재 또는 불개재하에 함께 되어 환상으로 된 아미노기를 나타낸다.)로 표시되는 특허청구의 범위 4기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  12. 일반식:
    으로 표시되는 특허청구의 범위 11기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  13. 일반식
    으로 표시되는 특허청구의 범위 11기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  14. 일반식
    (식중, R1은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기를, R2는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕실기, 할로겐원자 또는 니트로기를 나타내며, 기는, R4및 R5이 동일 또는 다른 저급알킬기인 아미노기를 나타내거나 또는 R4와 R5이 산소원자의 개재 또는 불개재하에 함께 되어 환상으로 된 아미노기를 나타낸다.)로 표시되는 특허청구의 범위 4기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  15. 일반식
    으로 표시되는 특허청구의 범위 4기재의 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체.
  16. 일반식
    (식중, R1및 R2는 상기의 뜻과 같으며, R7은 수산기, 할로겐원자, 기 A인 ―O―R8또는 ―O―CO―O―R9에 있어서, R8및 R9는 저급알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 카르본산 유도체와 다음 일반식 (식중, R3, X, Y, m 및 A는 상기의 뜻과 같으며, K는 0,1,2 또는 3을 나타낸다.)로 표시되는 디아민유도체를 반응시켜 N―치환플라본―8―카르복사미드유도체를 제조하는 방법.
  17. 상기 플라본―8―카르본산 유도체로서 다음 일반식
    (식중, R1및 R2는 상기의 뜻과 같은 것을 나타낸다.)로 표시되는 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 16기재의 제조방법.
  18. 상기 플라본―8―카르본산 유도체로서 다음의 일반식
    (식중, R1및 R2는 상기와 같으며, Xa는 할로겐원자를 나타낸다.)로 표시되는 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 16기재의 제조방법.
  19. 상기 플라본―8―카르본산 유도체로서 다음의 일반식
    (식중, R1, R2및 R8은 상기와 같은 뜻을 나타낸다.)로 표시되는 특허청구의 범위 16기재의 제조방법.
  20. 상기 플라본―8―카르본산 유도체로서, 다음의 일반식
    (식중, R1, R2및 R9는 상기와 같은 뜻을 나타낸다.)로 표시되는 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 16기재의 제조방법.
  21. 상기 특허청구의 범위 1기재의 화합물을 약리학적으로 허용되는 담체와 결합함에 있어서 빈뇨장해를 치료하는데 적합한 유효량으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 약리학적 조성물.
  22. 상기 빈뇨장해의 제거에 있어서 상기 특허청구의 범위 1기재의 화합물의 양을 투여하는 것을 특징으로 하는 치료법.
  23. 상기 특허청구의 범위 1기재의 화합물은 약리학적으로 허용되는 담체와 결합시켜 투여하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 22기재의 치료법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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