KR20240096046A - Apparatus for processing substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 기판과 스테이지 간의 충돌을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것으로써, 기판을 부상시킬 수 있도록, 상기 기판의 하면을 향하여 제 1 에어를 분사하는 제 1 분사구가 형성되는 로딩 스테이지; 상기 로딩 스테이지와 나란하게 배치되고, 상기 로딩 스테이지로부터 상기 기판이 부상된 상태로 진입할 수 있도록, 상기 기판의 하면으로 제 2 에어를 분사하는 제 2 분사구가 형성되는 도포 스테이지; 상기 도포 스테이지의 상부에 설치되어, 상기 기판의 상면을 향하여 약액을 분사하는 도포 유닛; 및 상기 로딩 스테이지와 상기 도포 스테이지 사이에 형성되어, 상기 도포 스테이지로 진입하는 상기 기판의 하면을 향하여 제 3 에어를 분사하는 제 3 분사구가 형성되는 에지 부상 유닛; 을 포함할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of preventing collision between a substrate and a stage, comprising: a loading stage where a first injection hole is formed to spray first air toward a lower surface of the substrate so as to levitate the substrate; an application stage disposed in parallel with the loading stage and having a second injection hole for spraying second air to a lower surface of the substrate so that the substrate can enter a floating state from the loading stage; an application unit installed on top of the application stage to spray a chemical solution toward the upper surface of the substrate; and an edge levitation unit formed between the loading stage and the application stage and having a third injection hole for spraying third air toward the lower surface of the substrate entering the application stage. may include.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 유체를 분사하여 스테이지로부터 기판을 부상시키고, 이송 및 약액 도포를 진행할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus capable of levitating a substrate from a stage by spraying fluid, and performing transfer and chemical application.
반도체 공정 중 포토 공정은, 기판(웨이퍼) 상에 원하는 패턴을 형성할 수 있는 공정으로, 기판 상에 포토레지스트액(Photo Resist, PR) 등과 같은 약액을 도포하는 도포 공정, 기판을 열처리하는 열처리 공정, 기판 상의 막을 노광시키는 노광 공정, 노광된 부분을 현상하는 현상 공정을 포함한다.Among semiconductor processes, the photo process is a process that can form a desired pattern on a substrate (wafer). It includes a coating process that applies a chemical solution such as photo resist (PR) on the substrate, and a heat treatment process that heat-treats the substrate. , an exposure process of exposing the film on the substrate, and a development process of developing the exposed portion.
이러한 공정들 중 도포 공정은, 기판이 스테이지 상에 형성된 분사구로 제공되는 유체를 통하여 부상되어, 로딩 스테이지로부터 도포 스테이지까지 이송된다. 이에 따라, 부상된 상태로 이송되는 기판 상에 코팅액과 같은 약액을 도포할 수 있다.Among these processes, in the application process, the substrate is levitated through a fluid provided through a jet orifice formed on the stage and is transferred from the loading stage to the application stage. Accordingly, a chemical solution, such as a coating solution, can be applied on the substrate being transported in a floating state.
이러한 방식은, 평평한 상태의 기판이 투입될 경우 문제가 없으나, 열에 의하여 휨 현상이 발생한 기판이 로딩 스테이지에서 도포 스테이지로 진입하는 경우에는, 기판과 도포 스테이지 간의 충돌이 발생한다는 문제점이 있었다.This method has no problem when a flat substrate is input, but when a substrate warped by heat enters the coating stage from the loading stage, there is a problem in that a collision occurs between the substrate and the coating stage.
이러한 문제는, 로딩 스테이지와 도포 스테이지 간의 유체 공급 거리로 인하여, 기판의 이송 시 충분한 부상이 이루어지지 못하기 때문에 발생하였다.This problem occurred because the substrate was not sufficiently lifted during transfer due to the fluid supply distance between the loading stage and the application stage.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기존의 로딩 스테이지 및 도포 스테이지의 분사구 이외의 추가적인 분사구를 통하여 유체를 공급함으로써, 기판과 스테이지 간의 충돌 현상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is intended to solve various problems including the problems described above, and provides a substrate that can prevent collision between the substrate and the stage by supplying fluid through an additional injection port other than the injection port of the existing loading stage and application stage. The purpose is to provide a processing device. However, these tasks are illustrative and do not limit the scope of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 부상시킬 수 있도록, 상기 기판의 하면을 향하여 제 1 에어를 분사하는 제 1 분사구가 형성되는 로딩 스테이지; 상기 로딩 스테이지와 나란하게 배치되고, 상기 로딩 스테이지로부터 상기 기판이 부상된 상태로 진입할 수 있도록, 상기 기판의 하면으로 제 2 에어를 분사하는 제 2 분사구가 형성되는 도포 스테이지; 상기 도포 스테이지의 상부에 설치되어, 상기 기판의 상면을 향하여 약액을 분사하는 도포 유닛; 및 상기 로딩 스테이지와 상기 도포 스테이지 사이에 형성되어, 상기 도포 스테이지로 진입하는 상기 기판의 하면을 향하여 제 3 에어를 분사하는 제 3 분사구가 형성되는 에지 부상 유닛; 을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a loading stage in which a first injection hole is formed to spray first air toward a lower surface of the substrate so as to levitate the substrate; an application stage disposed in parallel with the loading stage and having a second injection hole for spraying second air to a lower surface of the substrate so that the substrate can enter a floating state from the loading stage; an application unit installed on top of the application stage to spray a chemical solution toward the upper surface of the substrate; and an edge levitation unit formed between the loading stage and the application stage and having a third injection hole for spraying third air toward the lower surface of the substrate entering the application stage. may include.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 3 분사구는, 상기 기판의 이동 방향을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성되어, 상기 기판의 하면을 향하여 상기 제 3 에어를 경사지게 분사할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the third injection hole is formed to be inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate, and can inject the third air at an angle toward the lower surface of the substrate.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제 3 분사구는, 상기 기판의 이동 방향을 기준으로 수직으로 형성되어, 상기 기판의 하면을 향하여 상기 제 3 에어를 수직하게 분사할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the third injection hole is formed vertically based on the moving direction of the substrate, and can spray the third air vertically toward the lower surface of the substrate.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 3 분사구는, 홀(Hole) 형상으로 형성되어, 상기 에지 부상 유닛에 복수의 행과 열을 가지는 소정의 패턴으로 배치될 수 있도록, 복수개가 상기 에지 부상 유닛의 폭 방향 및 길이 방향으로 소정의 간격으로 이격되도록 배치되거나, 슬릿(Slit) 형상으로 형성되어, 상기 에지 부상 유닛에 상기 기판의 이송 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있도록, 복수개가 상기 에지 부상 유닛의 상기 폭 방향으로 소정의 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the third injection nozzle is formed in the shape of a hole, so that a plurality of the third injection nozzles can be arranged in a predetermined pattern having a plurality of rows and columns in the edge levitation unit. A plurality of edge floating units are arranged to be spaced apart at predetermined intervals in the width and length directions of the unit, or are formed in a slit shape so that they can be arranged in a row along the transfer direction of the substrate in the edge floating unit. They may be arranged to be spaced apart at predetermined intervals in the width direction of the unit.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 에지 부상 유닛은, 내부에 상기 제 3 분사구가 형성되는 상부 유닛; 및 상기 제 3 분사구와 연통되어, 에어 공급 장치를 통해 공급받은 에어를 각각의 제 3 분사구로 전달하는 공급 유로가 형성되는 하부 유닛; 을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the edge flotation unit includes an upper unit in which the third injection hole is formed; and a lower unit in communication with the third injection port to form a supply passage for delivering air supplied through the air supply device to each third injection port. may include.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 하부 유닛은, 상기 제 3 분사구에 상기 에어를 동일한 압력으로 공급할 수 있도록, 상기 공급 유로의 적어도 일부분에 상기 에어를 일시적으로 보관하는 버퍼 공간이 형성할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the lower unit may form a buffer space for temporarily storing the air in at least a portion of the supply passage so that the air can be supplied to the third injection hole at the same pressure. .
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 에지 부상 유닛은, 상기 제 3 분사구를 형성할 수 있도록, 적어도 일부분이 다공성 재질로 형성되는 상부 유닛; 및 상기 제 3 분사구와 연통되어, 에어 공급 장치를 통해 공급받은 에어를 각각의 제 3 분사구로 전달하는 공급 유로가 형성되는 하부 유닛; 을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the edge flotation unit includes an upper unit formed at least in part of a porous material to form the third injection hole; and a lower unit in communication with the third injection port to form a supply passage for delivering air supplied through the air supply device to each third injection port. may include.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 에지 부상 유닛은, 그 길이가 상기 로딩 스테이지 및 상기 도포 스테이지의 길이 보다 작게 형성되어, 적어도 하나가 상기 로딩 스테이지와 상기 도포 스테이지 사이의 적어도 일부분에 설치될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the edge flotation unit is formed to have a length smaller than the length of the loading stage and the application stage, and at least one may be installed in at least a portion between the loading stage and the application stage. there is.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 부상시킬 수 있도록, 상기 기판의 하면으로 제 1 에어를 분사하는 제 1 분사구가 형성되는 로딩 스테이지; 상기 로딩 스테이지와 나란하게 배치되고, 상기 로딩 스테이지로부터 상기 기판이 부상된 상태로 진입할 수 있도록, 상기 기판의 하면으로 제 2 에어를 분사하는 제 2 분사구가 형성되는 도포 스테이지; 및 상기 도포 스테이지의 상부에 설치되어, 상기 기판의 상면을 향하여 약액을 분사하는 도포 유닛; 을 포함하고, 상기 로딩 스테이지는, 상기 도포 스테이지와 마주보는 일단부를 따라 형성되어, 상기 기판의 하면을 향하여 제 3 에어를 분사하는 제 3 분사구가 형성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a loading stage in which a first injection hole is formed to spray first air to a lower surface of the substrate so as to levitate the substrate; an application stage disposed in parallel with the loading stage and having a second injection hole for spraying second air to a lower surface of the substrate so that the substrate can enter a floating state from the loading stage; and an application unit installed on top of the application stage to spray a chemical solution toward the upper surface of the substrate. The loading stage may be formed along one end facing the application stage to form a third injection hole for spraying third air toward the lower surface of the substrate.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제 3 분사구는, 상기 기판의 이동 방향을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성되어, 상기 기판의 하면을 향하여 상기 제 3 에어를 경사지게 분사할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the third injection hole is formed to be inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate, and can inject the third air at an angle toward the lower surface of the substrate.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 스테이지로부터 기판의 충분한 부상이 이루어질 수 있도록, 기존의 로딩 스테이지 및 도포 스테이지의 분사구 이외의 추가적인 분사구를 통하여 유체를 공급함으로써, 휨 등이 발생한 기판 및 스테이지 간의 충돌 문제를 방지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention as described above, the substrate is bent, etc. by supplying fluid through an additional injection port other than the injection port of the existing loading stage and application stage to ensure sufficient levitation of the substrate from the stage. and collision problems between stages can be prevented.
이로 인하여, 기판의 충돌로 발생할 수 있는 기판의 손상 및 공정의 불량을 예방할 수 있으며, 도포 공정을 안정적으로 진행하여 기판의 처리 효율 및 품질을 증가시키는 효과를 가지는 기판 처리 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.As a result, it is possible to prevent damage to the substrate and process defects that may occur due to collision of the substrate, and to implement a substrate processing device that has the effect of increasing the processing efficiency and quality of the substrate by stably proceeding with the coating process. Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1100)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1200)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1300)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1400)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1500)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1600)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1700)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1800)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1900)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타낸 측면도이다.Figure 1 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1100 according to another embodiment of the present invention.
Figure 4 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1200 according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1300 according to another embodiment of the present invention.
Figure 6 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1400 according to another embodiment of the present invention.
Figure 7 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1500 according to another embodiment of the present invention.
Figure 8 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1600 according to another embodiment of the present invention.
Figure 9 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1700 according to another embodiment of the present invention.
Figure 10 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1800 according to another embodiment of the present invention.
Figure 11 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1900 according to another embodiment of the present invention.
Figure 12 is a side view schematically showing a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Additionally, the thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will now be described with reference to drawings that schematically show ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, for example, depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shape of the area shown in this specification, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타낸 정면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1100)를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1200)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.FIG. 1 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1100 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1200 according to another embodiment of the present invention.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는, 로딩 스테이지(100), 도포 스테이지(200) 및 에지 부상 유닛(300)을 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention may include a loading stage 100, an application stage 200, and an edge flotation unit 300.
로딩 스테이지(100)는, 기판(G)을 부상시킬 수 있도록, 기판(G)의 하면을 향하여 제 1 에어를 분사하는 복수의 제 1 분사구(110)가 형성될 수 있다.The loading stage 100 may be formed with a plurality of first injection holes 110 that spray first air toward the lower surface of the substrate G so as to levitate the substrate G.
구체적으로, 복수의 제 1 분사구(110)는, 에어 공급 장치 등과 같은 부재와 연결되어 제 1 에어를 공급받거나 제 1 에어의 압력을 조절할 수 있도록 구비될 수 있다.Specifically, the plurality of first injection holes 110 may be connected to a member such as an air supply device to receive first air or to adjust the pressure of the first air.
도포 스테이지(200)는, 로딩 스테이지(100)와 나란하게 배치될 수 있다. 이때, 도포 스테이지(200)에는, 로딩 스테이지(100)로부터 기판(G)이 부상된 상태로 진입할 수 있도록, 기판(G)의 하면으로 제 2 에어를 분사하는 복수의 제 2 분사구(210)가 형성될 수 있다.The application stage 200 may be arranged in parallel with the loading stage 100. At this time, the application stage 200 is provided with a plurality of second injection holes 210 that spray second air to the lower surface of the substrate G so that the substrate G can enter the floating state from the loading stage 100. can be formed.
구체적으로, 복수의 제 2 분사구(210)는, 에어 공급 장치 등과 같은 부재와 연결되어 제 2 에어를 공급받거나 제 2 에어의 압력을 조절할 수 있도록 구비될 수 있다.Specifically, the plurality of second injection holes 210 may be connected to a member such as an air supply device to receive second air or to adjust the pressure of the second air.
예컨대, 복수의 제 2 분사구(210)와 연결되는 에어 공급 장치 등의 부재는, 앞서 상술한 복수의 제 1 분사구(110)와 연결되는 에어 공급 장치 등의 부재와 동일하거나 별개로 설치된 부재일 수 있다.For example, the member such as the air supply device connected to the plurality of second injection holes 210 may be the same as the member such as the air supply device connected to the plurality of first injection holes 110 described above, or may be a member installed separately. there is.
도 1에 도시된 바와 같이, 에지 부상 유닛(300)은, 로딩 스테이지(100)와 도포 스테이지(200) 사이에 형성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the edge flotation unit 300 may be formed between the loading stage 100 and the application stage 200.
예컨대, 에지 부상 유닛(300)은, 직사각형의 바(bar) 형상으로 형성되어, 그 폭이 로딩 스테이지(100) 및 도포 스테이지(200) 간의 간격과 같거나 작을 수 있다.For example, the edge flotation unit 300 is formed in a rectangular bar shape, and its width may be equal to or smaller than the gap between the loading stage 100 and the application stage 200.
그러나, 이에 국한되지 않으며, 원형, 다각형 등 로딩 스테이지(100) 및 도포 스테이지(200) 사이에 설치될 수 있다면 어떠한 형상도 가질 수 있다.However, it is not limited to this, and may have any shape, such as circular or polygonal, as long as it can be installed between the loading stage 100 and the application stage 200.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 에지 부상 유닛(300,360)은, 그 길이가 로딩 스테이지(100) 및 도포 스테이지(200)의 길이 보다 작게 형성되어, 적어도 하나가 로딩 스테이지(100)와 도포 스테이지(200) 사이의 적어도 일부분에 설치될 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 3, the edge flotation units 300 and 360 are formed with a length smaller than the length of the loading stage 100 and the application stage 200, so that at least one of the edge flotation units 300 and 360 is formed with the loading stage 100 and the application stage 200. It may be installed at least partially between the stages 200.
도 2을 참고하면, 에지 부상 유닛(300)은, 그 길이가 로딩 스테이지(100) 및 도포 스테이지(200)의 길이와 같게 형성되어, 로딩 스테이지(100) 및 도포 스테이지(200)의 끝단과 일치하도록 설치될 수 있다.Referring to FIG. 2, the edge flotation unit 300 is formed to have a length equal to the length of the loading stage 100 and the application stage 200, and coincides with the ends of the loading stage 100 and the application stage 200. It can be installed to do so.
또한, 도 3을 참고하면, 에지 부상 유닛(360)은, 그 길이가 로딩 스테이지(100) 및 도포 스테이지(200)의 길이 보다 작게 형성되어, 복수의 로딩 스테이지(100)와 도포 스테이지(200) 사이의 적어도 일부분에 설치될 수 있다.In addition, referring to Figure 3, the edge flotation unit 360 is formed to have a length smaller than the length of the loading stage 100 and the application stage 200, and a plurality of loading stages 100 and the application stage 200 It may be installed in at least a portion of the space.
이에 따라, 에지 부상 유닛의 길이를 다양하게 형성할 수 있으며, 로딩 스테이지(100) 및 도포 스테이지(200) 사이의 전 구역, 양쪽 끝단부, 중앙부 등 원하는 위치에 설치하여 기판(G)을 향해 에어를 공급할 수 있다.Accordingly, the length of the edge floating unit can be formed in various ways, and it can be installed in a desired location such as the entire area between the loading stage 100 and the application stage 200, both ends, and the center to direct air toward the substrate (G). can be supplied.
도 2에 도시된 바와 같이, 에지 부상 유닛(300)에는, 도포 스테이지(200)로 진입하는 기판(G)의 하면을 향하여 제 3 에어를 분사하는 복수의 제 3 분사구(311)가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 2, a plurality of third injection holes 311 may be formed in the edge floating unit 300 to spray third air toward the lower surface of the substrate G entering the application stage 200. there is.
앞서 상술한 바와 같이, 복수의 제 3 분사구(311) 또한, 에어 공급 장치 등과 같은 부재와 연결되어 제 3 에어를 공급받거나 제 3 에어의 압력을 조절할 수 있도록 구비될 수 있다.As described above, the plurality of third injection holes 311 may also be connected to a member such as an air supply device to receive third air or to adjust the pressure of the third air.
예컨대, 복수의 제 3 분사구(311)와 연결되는 에어 공급 장치 등의 부재는, 상술한 복수의 제 1 분사구(110) 또는 제 2 분사구(210)와 연결되는 에어 공급 장치 등의 부재와 동일하거나 별개로 설치된 부재일 수 있다.For example, the member such as the air supply device connected to the plurality of third injection ports 311 is the same as the member such as the air supply device connected to the plurality of first injection ports 110 or the second injection port 210 described above. It may be a separately installed member.
이때, 에어 공급 장치 등의 부재를 통하여 제 3 분사구(311)를 통해 분사되는 3 에어의 압력은, 제 1 에어의 압력 및 제 2 에어의 압력과 같거나 그보다 적게 제어될 수 있다.At this time, the pressure of the 3 air injected through the third injection hole 311 through a member such as an air supply device can be controlled to be equal to or less than the pressure of the first air and the pressure of the second air.
이에 따라, 적은 압력의 에어를 이용하였을 경우, 적은 압력만으로도 기판(G)이 충분히 부상하며 도포 스테이지(200)로 진입이 가능하며, 같은 압력을 이용하였을 경우에는, 압력의 변화로 인하여 기판(G)이 흔들리는 현상을 감소시켜 정밀도를 높일 수 있다.Accordingly, when low-pressure air is used, the substrate (G) can sufficiently float and enter the application stage 200 with only a low pressure, and when the same pressure is used, the substrate (G) is ) can increase precision by reducing the shaking phenomenon.
에지 부상 유닛(300,360)에는, 복수의 제 3 분사구(311)가 홀(Hole) 형상으로 형성될 수 있다.In the edge floating units 300 and 360, a plurality of third injection holes 311 may be formed in a hole shape.
구체적으로, 복수의 제 3 분사구(311)는, 에지 부상 유닛(300)에 복수의 행과 열을 가지는 소정의 패턴으로 배치될 수 있도록, 복수개가 에지 부상 유닛(300)의 폭 방향 및 길이 방향으로 소정의 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다.Specifically, the plurality of third injection nozzles 311 are arranged in a predetermined pattern having a plurality of rows and columns in the edge flotation unit 300, in the width direction and longitudinal direction of the edge flotation unit 300. It can be arranged to be spaced apart at a predetermined interval.
이때, 복수의 제 3 분사구(311)의 홀(Hole) 형상은 원형으로 도시되어 있으나, 이에 국한되는 것이 아니라 타원형, 다각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있다.At this time, the hole shape of the plurality of third injection nozzles 311 is shown as circular, but is not limited to this and may be formed in various shapes such as oval or polygon.
도 4를 참고하면, 에지 부상 유닛(370)에는, 복수의 제 3 분사구(312)가 슬릿(Slit) 형상으로도 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, in the edge flotation unit 370, a plurality of third injection holes 312 may be formed in a slit shape.
구체적으로, 복수의 제 3 분사구(312)는, 에지 부상 유닛(370)에 기판(G)의 이송 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있도록, 복수개가 에지 부상 유닛(370)의 폭 방향으로 소정의 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다.Specifically, the plurality of third injection holes 312 are arranged in a line in the edge floating unit 370 along the transfer direction of the substrate G, and a plurality of the third injection holes 312 are arranged in a predetermined direction in the width direction of the edge floating unit 370. It may be arranged to be spaced apart at intervals.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1300)를 개략적으로 나타낸 정면도이고, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1400)를 개략적으로 나타낸 정면도이고, 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1500)를 개략적으로 나타낸 정면도이고, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1600)를 개략적으로 나타낸 정면도이고, 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1700)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.FIG. 5 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1300 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1400 according to another embodiment of the present invention. FIG. 7 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1500 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1600 according to another embodiment of the present invention. Figure 9 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1700 according to another embodiment of the present invention.
도 5에 도시된 바와 같이, 에지 부상 유닛(400)은, 상부 유닛(310) 및 하부 유닛(380)을 포함하여 형성될 수 있다.As shown in FIG. 5, the edge flotation unit 400 may be formed including an upper unit 310 and a lower unit 380.
상부 유닛(310)은, 내부에 복수의 제 3 분사구(311)가 형성될 수 있다. 이때, 상부 유닛(310)은, 다양한 형상의 분사구를 가공할 수 있는 적절한 강도와 내구성을 갖는 재질로 구성될 수 있다. 예컨대, 스틸, 스테인레스, 알루미늄, 마그네슘 및 유리 중 어느 하나 이상의 재질을 선택하여 구성될 수 있다.The upper unit 310 may have a plurality of third injection holes 311 formed therein. At this time, the upper unit 310 may be made of a material with appropriate strength and durability that can process injection holes of various shapes. For example, it may be made of one or more materials selected from steel, stainless steel, aluminum, magnesium, and glass.
또한, 도면에는 도시되지 않았으나, 상부 유닛은, 복수의 제 3 분사구를 형성할 수 있도록, 적어도 일부분이 다공성 재질로 형성될 수 있다. 이때, 별도의 가공으로 분사구를 형성할 필요 없이 다공성 재질의 다공이 복수의 제 3 분사구의 역할을 할 수 있다.Additionally, although not shown in the drawing, at least a portion of the upper unit may be formed of a porous material so as to form a plurality of third injection holes. At this time, pores made of porous material can serve as a plurality of third injection holes without the need to form injection holes through separate processing.
그러나, 상부 유닛(310)의 재질은, 이에 반드시 국한되지 않으며, 분사구가 형성될 수 있는 매우 다양한 재질의 부재들이 적용될 수 있다.However, the material of the upper unit 310 is not necessarily limited to this, and members of a wide variety of materials from which the injection nozzle can be formed may be applied.
도 5를 참고하면, 상부 유닛(310)에 생성되는 복수의 제 3 분사구(311)는, 기판(G)의 이동 방향을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성되어, 기판(G)의 하면을 향하여 제 3 에어를 경사지게 분사할 수 있다.Referring to FIG. 5, the plurality of third injection holes 311 formed in the upper unit 310 are formed to be inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate G, and are directed toward the lower surface of the substrate G. 3 Air can be sprayed at an angle.
이때, 소정의 각도는 도면에 도시된 것으로 한정되는 것이 아니라, 기판(G)의 하면을 향하여 제 3 에어를 분사할 수 있는 다양한 각도를 포함할 수 있다.At this time, the predetermined angle is not limited to that shown in the drawing, but may include various angles at which third air can be sprayed toward the lower surface of the substrate G.
도 6을 참고하면, 상부 유닛(320)에 생성되는 복수의 제 3 분사구(321)는, 기판(G)의 이동 방향을 기준으로 수직으로 형성되어, 기판(G)의 하면을 향하여 제 3 에어를 수직하게 분사할 수 있다.Referring to FIG. 6, the plurality of third injection holes 321 generated in the upper unit 320 are formed perpendicularly based on the moving direction of the substrate G, and emit third air toward the lower surface of the substrate G. can be sprayed vertically.
이러한 복수의 제 3 분사구(311,321)를 이용하여 다양한 실시예가 가능하며, 이하에서는, 본 발명의 여러 실시예에 따른 상부 유닛(330~350)에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.Various embodiments are possible using the plurality of third injection nozzles 311 and 321, and hereinafter, the upper units 330 to 350 according to various embodiments of the present invention will be described in detail.
도 7을 참고하면, 복수의 제 3 분사구(311,321)는, 그 중의 일부가 기판(G)의 이동 방향을 기준으로 소정의 각도로 경사지게 형성되고, 나머지가 수직으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7 , some of the plurality of third injection holes 311 and 321 may be formed inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate G, and the remainder may be formed vertically.
도 8을 참고하면, 복수의 제 3 분사구(311,321,331)는, 그 중의 일부가 기판(G)의 이동 방향을 기준으로 제 1 소정의 각도 및 제 2 소정의 각도로 경사지게 형성되고, 나머지가 수직으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, a plurality of third injection holes 311, 321, and 331 are formed, some of which are inclined at a first predetermined angle and a second predetermined angle based on the moving direction of the substrate G, and the remainder are formed vertically. can be formed.
도 9를 참고하면, 복수의 제 3 분사구(311)는, 기판(G)의 이동 방향을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성되어, 기판(G)의 하면을 향하여 제 3 에어를 경사지게 분사할 수 있다.Referring to FIG. 9, the plurality of third injection holes 311 are formed to be inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate G, so that third air can be injected at an angle toward the lower surface of the substrate G. .
이때, 복수의 제 3 분사구(311)와 소정 간격 이격되어, 복수의 흡입구(341)가 형성될 수 있다.At this time, a plurality of suction ports 341 may be formed at a predetermined distance from the plurality of third injection ports 311.
구체적으로, 복수의 흡입구(341)는, 복수의 제 3 분사구(311)와 마찬가지로, 기판(G)의 이동 방향을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성되어, 기판(G)의 하면을 향하여 진공을 공급할 수 있다.Specifically, the plurality of suction ports 341, like the plurality of third injection ports 311, are formed to be inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate G, and supply vacuum toward the lower surface of the substrate G. You can.
이에 따라, 복수의 흡입구(341)는, 제 3 분사구(311)로 분사되는 제 3 에어를 흡입하여 에어 흐름이 원활하도록 제어하거나, 기판(G)의 하면에 진공을 공급하여 기판(G)의 이동 시 흔들림이 발생하지 않도록 제어할 수 있다.Accordingly, the plurality of suction ports 341 suck in the third air sprayed through the third injection port 311 and control the air flow to be smooth, or supply vacuum to the lower surface of the substrate G to It can be controlled to prevent shaking when moving.
다만, 상부 유닛은 앞서 상술한 예시에 한정되는 것이 아니라 이외에도 다양한 구조로 형성될 수 있다.However, the upper unit is not limited to the examples described above and may be formed in various other structures.
이에 따라, 사용자의 요구에 맞춰 다양한 구조의 제 3 분사구를 설치 가능하여, 에지 부상 유닛의 설계 자유도를 높일 수 있으며, 흡입구 등의 추가적인 구성 또한 포함하도록 구성할 수 있다.Accordingly, it is possible to install a third nozzle of various structures according to the user's needs, thereby increasing the degree of design freedom of the edge floating unit, and it can be configured to include additional components such as an intake port.
도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 하부 유닛(380)은, 복수의 제 3 분사구(311)와 연통되어, 에어 공급 장치를 통해 공급받은 에어를 각각의 제 3 분사구로 전달하는 공급 유로(381)가 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 5 to 8, the lower unit 380 is in communication with a plurality of third injection ports 311 and has a supply flow path ( 381) can be formed.
구체적으로, 하부 유닛은, 복수의 제 3 분사구(311)에 에어를 동일한 압력으로 공급할 수 있도록, 공급 유로(381)의 적어도 일부분에 에어를 일시적으로 보관하는 버퍼 공간(382)이 형성될 수 있다.Specifically, the lower unit may be formed with a buffer space 382 to temporarily store air in at least a portion of the supply passage 381 so that air can be supplied to the plurality of third injection holes 311 at the same pressure. .
이에 따라, 복수의 제 3 분사구(311)에 에어를 동일한 압력으로 공급할 수 있어, 기판(G) 이송 시 발생하는 흔들림을 방지하여 기판 처리 공정의 정밀도를 높일 수 있다.Accordingly, air can be supplied to the plurality of third injection holes 311 at the same pressure, thereby preventing shaking that occurs when transferring the substrate G and increasing the precision of the substrate processing process.
도 9를 참고하면, 하부 유닛(390)은, 복수의 흡입구(341)와 연통되어, 진공 공급 장치를 통해 진공을 각각의 복수의 흡입구(341)로 전달하는 흡입 유로(391)가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9, the lower unit 390 may be in communication with a plurality of suction ports 341 to form a suction flow path 391 that transmits vacuum to each of the plurality of suction ports 341 through a vacuum supply device. there is.
예컨대, 흡입 유로(391)는, 원형의 홀(hole) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 국한되는 것은 아니며, 타원형, 다각형 등 진공을 전달할 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.For example, the suction passage 391 may be formed in a circular hole shape, but is not limited thereto and may be formed in various shapes capable of transmitting vacuum, such as oval or polygon.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1800)를 개략적으로 나타낸 정면도이고, 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1900)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.FIG. 10 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1800 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 1900 according to another embodiment of the present invention.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1800,1900)에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, substrate processing devices 1800 and 1900 according to another embodiment of the present invention will be described in detail.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1800)는, 로딩 스테이지(100') 및 도포 스테이지(200)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 10, a substrate processing apparatus 1800 according to another embodiment of the present invention may include a loading stage 100' and an application stage 200.
로딩 스테이지(100')는, 기판(G)을 부상시킬 수 있도록, 기판(G)의 하면으로 제 1 에어를 분사하는 복수의 제 1 분사구(110)가 형성될 수 있다.The loading stage 100' may be formed with a plurality of first injection holes 110 that spray first air to the lower surface of the substrate G so as to levitate the substrate G.
구체적으로, 로딩 스테이지(100')는, 도포 스테이지(200)와 마주보는 일단부를 따라 형성되어, 기판의 하면(G)을 향하여 제 3 에어를 분사하는 복수의 제 3 분사구(120)가 형성될 수 있다.Specifically, the loading stage 100' is formed along one end facing the application stage 200, and a plurality of third injection holes 120 for spraying third air toward the lower surface G of the substrate are formed. You can.
보다 더 구체적으로, 도 11을 참고하면, 복수의 제 3 분사구(130)는, 기판(G)의 이동 방향을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성되어, 기판(G)의 하면을 향하여 제 3 에어를 경사지게 분사할 수 있다.More specifically, referring to FIG. 11, the plurality of third injection holes 130 are formed to be inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate G, and spray third air toward the lower surface of the substrate G. It can be sprayed obliquely.
이외에도, 다양한 구조의 분사구가 형성될 수 있으며, 흡입구가 형성되어 기판(G)의 하면에 진공을 공급할 수 있는 등의 추가적인 구성을 포함하여 형성될 수 있다.In addition, injection ports of various structures may be formed, and additional features such as a suction port capable of supplying vacuum to the lower surface of the substrate G may be formed.
이에 따라, 기판 처리 공정 중 복수의 제 3 분사구(120,130)를 사용하여 도포 스테이지(200)로 진입하는 기판(G)을 부상시킴으로써, 종래의 로딩 스테이지와 도포 스테이지에 의하여 부상 및 이송되는 과정에서 발생하였던 기판(G)의 충돌 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.Accordingly, during the substrate processing process, the substrate G entering the application stage 200 is levitated using the plurality of third nozzles 120 and 130, thereby causing the substrate G to be levitated and transported by the conventional loading stage and application stage. There is an effect of preventing collision of the substrate (G) that was used.
이때, 도포 스테이지(200)는, 앞서 상술하였던 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 도포 스테이지(200)와 동일한 구성으로 구비될 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.At this time, the coating stage 200 may be provided with the same configuration as the coating stage 200 of the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention described in detail above. Therefore, detailed description is omitted.
결론적으로, 본 발명의 여러 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000~1900)에 따르면, 복수의 제 3 분사구(120, 130, 311~331)를 추가함으로써, 도포 스테이지(200)로 진입하는 기판(G)이 충분한 부상을 이루도록 할 수 있다. 이에 따라, 휘어짐의 발생 유무와 관계없이 올바른 기판 처리 공정을 실행할 수 있다.In conclusion, according to the substrate processing devices 1000 to 1900 according to various embodiments of the present invention, by adding a plurality of third injection holes 120, 130, 311 to 331, the substrate entering the coating stage 200 ( G) can achieve sufficient injury. Accordingly, a correct substrate processing process can be performed regardless of whether warping occurs or not.
그러므로, 기판 처리 공정 실행 시, 기판(G)과 도포 스테이지(200)의 충돌을 방지하여, 기판(G) 및 도포 스테이지(200) 등의 손상을 방지할 수 있으며, 공정의 불량을 최소화할 수 있다.Therefore, when performing a substrate processing process, collision between the substrate G and the coating stage 200 can be prevented, damage to the substrate G and the coating stage 200 can be prevented, and process defects can be minimized. there is.
또한, 복수의 제 3 분사구(120, 130, 311~331)를 사용자의 요구에 따라 다양하게 형성할 수 있다. 이러한, 복수의 제 3 분사구(120, 130, 311~331)로 기판(G)이 흔들림 없이 도포 스테이지(200)로 진입할 수 있도록 하여, 도포 공정을 안정적으로 진행할 수 있다. 이에 따라, 설계 자유도가 높으며, 기판의 처리 효율 및 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치(1000~1900)를 구현할 수 있다.Additionally, the plurality of third injection nozzles 120, 130, 311 to 331 can be formed in various ways according to the user's needs. The plurality of third injection holes 120, 130, 311 to 331 allow the substrate G to enter the coating stage 200 without shaking, so that the coating process can be carried out stably. Accordingly, it is possible to implement a substrate processing device (1000 to 1900) that has a high degree of design freedom and can improve substrate processing efficiency and quality.
이하 본 발명의 이해를 돕기 위해서 상술한 기판 처리 장치(1000~1900)의 구성에 대해 설명한다. 다만, 이는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명의 구성이 아래의 예에 의해서 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, to facilitate understanding of the present invention, the configuration of the above-described substrate processing apparatuses 1000 to 1900 will be described. However, this is only to aid understanding of the present invention, and the configuration of the present invention is not limited to the examples below.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타낸 측면도이다.Figure 12 is a side view schematically showing a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention.
도 12에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1000)는, 기판(G)을 향하여 약액을 분사할 수 있는 도포 유닛(220)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 12 , the substrate processing apparatus 1000 may include an application unit 220 capable of spraying a chemical solution toward the substrate G.
구체적으로, 도포 유닛(220)은, 도포 스테이지(220)의 상부에 설치되어, 기판(G)의 상면을 향하여 약액을 분사할 수 있다.Specifically, the application unit 220 is installed on the upper part of the application stage 220 and can spray the chemical solution toward the upper surface of the substrate G.
또한, 기판 처리 장치(1000)는, 기판(G)을 이동시킬 수 있는 이송 유닛(230)이 구비될 수 있다. 구체적으로, 이송 유닛(230)은, 기판(G)의 적어도 일부분을 파지하여 기판(G)의 이송 방향으로 이동시킬 수 있다.Additionally, the substrate processing apparatus 1000 may be provided with a transfer unit 230 capable of moving the substrate G. Specifically, the transfer unit 230 may hold at least a portion of the substrate G and move it in the transfer direction of the substrate G.
예컨대, 이송 유닛(230)은, 로딩 스테이지(100) 및 도포 스테이지(200)를 따라 기판(G)을 이송할 수 있도록, 가이드 레일을 포함할 수 있다.For example, the transfer unit 230 may include a guide rail to transfer the substrate G along the loading stage 100 and the application stage 200.
이때, 이송 유닛(230)은, 기판(G)의 적어도 일부분을 파지할 수 있도록, 파지부를 포함할 수 있다.At this time, the transfer unit 230 may include a gripper so as to grip at least a portion of the substrate G.
예컨대, 파지부는, 'ㄷ'자 형상으로 형성되어 그 사이로 기판(G)을 파지하도록 구비될 수 있다. 다만, 파지부의 형상은 이에 한정되는 것이 아니라, 기판(G)을 파지하고 지지할 수 있는 다양한 형상들로 형성될 수 있다.For example, the holding part may be formed in a 'ㄷ' shape and may be provided to hold the substrate G therebetween. However, the shape of the gripper is not limited to this, and may be formed in various shapes capable of gripping and supporting the substrate G.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.
100, 100', 100'': 로딩 스테이지
110: 복수의 제 1 분사구
200: 도포 스테이지
210: 복수의 제 2 분사구
220: 도포 유닛
230: 이송 유닛
300~800, 360, 370: 에지 부상 유닛
310~350: 상부 유닛
120, 130, 311~331: 복수의 제 3 분사구
341: 복수의 흡입구
380, 390: 하부 유닛
381: 공급 유로
382: 버퍼 공간
391: 흡입 유로
1000~1900: 기판 처리 장치
G: 기판100, 100', 100'': loading stage
110: plural first nozzles
200: application stage
210: plurality of second nozzles
220: application unit
230: transfer unit
300~800, 360, 370: Edge levitation unit
310~350: Upper unit
120, 130, 311~331: plural third nozzles
341: Multiple intakes
380, 390: lower unit
381: Supply Euro
382: Buffer space
391: Suction flow path
1000~1900: Substrate processing device
G: substrate
Claims (10)
상기 로딩 스테이지와 나란하게 배치되고, 상기 로딩 스테이지로부터 상기 기판이 부상된 상태로 진입할 수 있도록, 상기 기판의 하면으로 제 2 에어를 분사하는 제 2 분사구가 형성되는 도포 스테이지;
상기 도포 스테이지의 상부에 설치되어, 상기 기판의 상면을 향하여 약액을 분사하는 도포 유닛; 및
상기 로딩 스테이지와 상기 도포 스테이지 사이에 형성되어, 상기 도포 스테이지로 진입하는 상기 기판의 하면을 향하여 제 3 에어를 분사하는 제 3 분사구가 형성되는 에지 부상 유닛; 을 포함하는, 기판 처리 장치.a loading stage in which a first injection hole is formed to spray first air toward a lower surface of the substrate to levitate the substrate;
an application stage disposed in parallel with the loading stage and having a second injection hole for spraying second air to a lower surface of the substrate so that the substrate can enter a floating state from the loading stage;
an application unit installed on top of the application stage to spray a chemical solution toward the upper surface of the substrate; and
An edge floating unit formed between the loading stage and the application stage and having a third injection hole for spraying third air toward the lower surface of the substrate entering the application stage. A substrate processing device comprising:
상기 제 3 분사구는,
상기 기판의 이동 방향을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성되어, 상기 기판의 하면을 향하여 상기 제 3 에어를 경사지게 분사하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The third nozzle is,
A substrate processing device that is inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate and injects the third air inclined toward the lower surface of the substrate.
상기 제 3 분사구는,
상기 기판의 이동 방향을 기준으로 수직으로 형성되어, 상기 기판의 하면을 향하여 상기 제 3 에어를 수직하게 분사하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The third nozzle is,
A substrate processing device that is formed vertically based on the moving direction of the substrate and sprays the third air vertically toward the lower surface of the substrate.
상기 제 3 분사구는,
홀(Hole) 형상으로 형성되어, 상기 에지 부상 유닛에 복수의 행과 열을 가지는 소정의 패턴으로 배치될 수 있도록, 복수개가 상기 에지 부상 유닛의 폭 방향 및 길이 방향으로 소정의 간격으로 이격되도록 배치되거나,
슬릿(Slit) 형상으로 형성되어, 상기 에지 부상 유닛에 상기 기판의 이송 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있도록, 복수개가 상기 에지 부상 유닛의 상기 폭 방향으로 소정의 간격으로 이격되도록 배치되는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The third nozzle is,
Formed in the shape of a hole, a plurality of units are arranged to be spaced apart at predetermined intervals in the width and length directions of the edge flotation unit so that they can be arranged in a predetermined pattern having a plurality of rows and columns in the edge flotation unit. Or,
Formed in the shape of a slit, a plurality of pieces are arranged to be spaced apart at predetermined intervals in the width direction of the edge flotation unit so that they can be arranged in a row along the transfer direction of the substrate in the edge flotation unit, substrate processing Device.
상기 에지 부상 유닛은,
내부에 상기 제 3 분사구가 형성되는 상부 유닛; 및
상기 제 3 분사구와 연통되어, 에어 공급 장치를 통해 공급받은 에어를 각각의 제 3 분사구로 전달하는 공급 유로가 형성되는 하부 유닛; 을 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The edge flotation unit is,
an upper unit in which the third injection hole is formed; and
a lower unit that communicates with the third injection port and forms a supply passage for delivering air supplied through the air supply device to each third injection port; A substrate processing device comprising:
상기 하부 유닛은,
상기 제 3 분사구에 상기 에어를 동일한 압력으로 공급할 수 있도록, 상기 공급 유로의 적어도 일부분에 상기 에어를 일시적으로 보관하는 버퍼 공간이 형성되는, 기판 처리 장치.According to claim 5,
The lower unit is,
A substrate processing apparatus in which a buffer space for temporarily storing the air is formed in at least a portion of the supply passage so that the air can be supplied to the third injection hole at the same pressure.
상기 에지 부상 유닛은,
상기 제 3 분사구를 형성할 수 있도록, 적어도 일부분이 다공성 재질로 형성되는 상부 유닛; 및
상기 제 3 분사구와 연통되어, 에어 공급 장치를 통해 공급받은 에어를 각각의 제 3 분사구로 전달하는 공급 유로가 형성되는 하부 유닛; 을 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The edge flotation unit,
an upper unit formed at least in part of a porous material to form the third injection hole; and
a lower unit that communicates with the third injection port and forms a supply passage for delivering air supplied through the air supply device to each third injection port; A substrate processing device comprising:
상기 에지 부상 유닛은,
그 길이가 상기 로딩 스테이지 및 상기 도포 스테이지의 길이 보다 작게 형성되어, 적어도 하나가 상기 로딩 스테이지와 상기 도포 스테이지 사이의 적어도 일부분에 설치되는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The edge flotation unit,
A substrate processing device whose length is formed to be smaller than the lengths of the loading stage and the application stage, and at least one of which is installed in at least a portion between the loading stage and the application stage.
상기 로딩 스테이지와 나란하게 배치되고, 상기 로딩 스테이지로부터 상기 기판이 부상된 상태로 진입할 수 있도록, 상기 기판의 하면으로 제 2 에어를 분사하는 제 2 분사구가 형성되는 도포 스테이지; 및
상기 도포 스테이지의 상부에 설치되어, 상기 기판의 상면을 향하여 약액을 분사하는 도포 유닛; 을 포함하고,
상기 로딩 스테이지는,
상기 도포 스테이지와 마주보는 일단부를 따라 형성되어, 상기 기판의 하면을 향하여 제 3 에어를 분사하는 제 3 분사구가 형성되는, 기판 처리 장치.a loading stage in which a first injection hole is formed to spray first air to a lower surface of the substrate to levitate the substrate;
an application stage disposed in parallel with the loading stage and having a second injection hole for spraying second air to a lower surface of the substrate so that the substrate can enter a floating state from the loading stage; and
an application unit installed on top of the application stage to spray a chemical solution toward the upper surface of the substrate; Including,
The loading stage is,
A substrate processing apparatus, wherein a third injection hole is formed along one end facing the application stage and sprays third air toward a lower surface of the substrate.
상기 제 3 분사구는,
상기 기판의 이동 방향을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성되어, 상기 기판의 하면을 향하여 상기 제 3 에어를 경사지게 분사하는, 기판 처리 장치.
According to clause 9,
The third nozzle is,
A substrate processing device that is inclined at a predetermined angle based on the moving direction of the substrate and injects the third air inclined toward the lower surface of the substrate.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240096046A true KR20240096046A (en) | 2024-06-26 |
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