KR20240091165A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240091165A
KR20240091165A KR1020247017916A KR20247017916A KR20240091165A KR 20240091165 A KR20240091165 A KR 20240091165A KR 1020247017916 A KR1020247017916 A KR 1020247017916A KR 20247017916 A KR20247017916 A KR 20247017916A KR 20240091165 A KR20240091165 A KR 20240091165A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
cup
processing
nozzle
Prior art date
Application number
KR1020247017916A
Other languages
English (en)
Inventor
가즈히로 아이우라
요시후미 아마노
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20240091165A publication Critical patent/KR20240091165A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

기판 처리 장치(1)는, 기판을 보유 지지해서 회전시키는 기판 회전부(20)와, 외측 컵(51)과, 내측 컵(52)과, 환상 드레인(64)과, 배기 통로(62)를 구비한다. 외측 컵(51)은, 기판 회전부(20)에 보유 지지되는 기판의 주위를 환상으로 덮는다. 내측 컵(52)은, 외측 컵(51)의 내측에 배치됨과 함께, 기판 회전부(20)에 보유 지지되는 기판의 하방에 배치된다. 환상 드레인(64)은, 외측 컵(51)과 내측 컵(52)의 사이에 형성되어, 기판에 공급된 처리액을 외부로 배출한다. 배기 통로(62)는, 내측 컵(52)의 내측에 형성된다. 내측 컵(52)은, 내측 컵(52)과 외측 컵(51)으로 형성되는 액받이 공간(60)과 배기 통로(62)의 사이를 연통하는 배기 구멍(61)을 갖는다. 배기 구멍(61)은, 내측 컵(52)의 외면(52c)으로부터 내면(52d)까지 비스듬히 아래 방향을 향해서 형성된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
개시의 실시 형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판의 주연부를 처리액으로 에칭하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2016-54170호 공보
본 개시는, 기판의 주위에 체류하는 처리액의 미스트 등에 의해 기판이 오염되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 기판 회전부와, 외측 컵과, 내측 컵과, 환상 드레인과, 배기 통로를 구비한다. 기판 회전부는, 기판을 보유 지지해서 회전시킨다. 외측 컵은, 상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판의 주위를 환상으로 덮는다. 내측 컵은, 상기 외측 컵의 내측에 배치됨과 함께, 상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판의 하방에 배치된다. 환상 드레인은, 상기 외측 컵과 상기 내측 컵의 사이에 형성되고, 상기 기판에 공급된 처리액을 외부로 배출한다. 배기 통로는, 상기 내측 컵의 내측에 형성된다. 상기 내측 컵은, 상기 내측 컵과 상기 외측 컵으로 형성되는 액받이 공간과 상기 배기 통로의 사이를 연통하는 배기 구멍을 갖는다. 상기 배기 구멍은, 상기 내측 컵의 외면으로부터 내면까지 비스듬히 아래 방향을 향해서 형성된다.
본 개시에 의하면, 기판의 주위에 체류하는 처리액의 미스트 등에 의해 기판이 오염되는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 3은 실시 형태에 관한 회수부의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 4는 실시 형태에 관한 제2 부재의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 5는 실시 형태에 관한 제1 부재의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 6은 실시 형태에 관한 환상 드레인의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 7은 실시 형태에 관한 환상 드레인의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 8은 실시 형태에 관한 환상 드레인의 세정 처리의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 9는 실시 형태에 관한 환상 드레인의 세정 처리의 다른 일례를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 10은 실시 형태에 관한 배기 덕트의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 11은 실시 형태의 변형예 1에 관한 상측 환상 부재의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 12는 실시 형태의 변형예 2에 관한 상측 환상 부재의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 13은 실시 형태의 변형예 3에 관한 상측 환상 부재의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 14는 실시 형태의 변형예 4에 관한 회수부의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 15는 실시 형태의 변형예 5에 관한 회수부의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 16은 실시 형태의 변형예 6에 관한 회수부의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 17은 실시 형태의 변형예 7에 관한 회수부의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 18은 실시 형태의 변형예 8에 관한 회수부의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 19는 실시 형태의 변형예 8에 관한 커버의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 20은 실시 형태의 변형예 8에 관한 커버의 구성을 도시하는 다른 사시도이다.
도 21은 실시 형태의 변형예 9에 관한 커버의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 22는 실시 형태의 변형예 9에 관한 커버의 구성을 도시하는 다른 사시도이다.
도 23은 실시 형태의 변형예 10에 관한 커버의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 24는 실시 형태의 변형예 10에 관한 커버의 구성을 도시하는 다른 사시도이다.
도 25는 실시 형태의 변형예 11에 관한 커버의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 26은 실시 형태의 변형예 11에 관한 커버의 구성을 도시하는 다른 사시도이다.
도 27은 실시 형태의 변형예 12에 관한 커버의 구성을 도시하는 사시도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원의 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 각 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실과 다른 경우가 있음에 유의할 필요가 있다. 또한, 도면의 상호간에 있어서도, 서로의 치수 관계나 비율이 다른 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.
또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다. 또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판의 주연부를 처리액으로 에칭하는 기술이 알려져 있다. 이러한 주연부의 에칭 처리에서는, 기판을 고속으로 회전시킴으로써, 기판 표면의 내측으로부터 외측으로 흐르는 선회류를 빠르게 할 수 있다는 점에서, 에칭액의 액적이 주연부보다 내측으로 비산하는 것을 억제할 수 있다.
한편, 상기한 종래 기술에서는, 컵 내부터 컵의 밖까지 형성되는 유로의 압손이 비교적 크므로, 기판을 고속으로 회전시키면, 선회류에 의해 흐름이 빨라진 컵 내의 기체를 컵 밖까지 원활하게 배출하는 것이 곤란하였다. 그 때문에, 기판의 주위에 체류하는 처리액의 미스트 등에 의해 기판이 오염될 우려가 있었다.
그래서, 상술한 과제를 해결하여, 기판의 주위에 체류하는 처리액의 미스트 등에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 억제할 수 있는 기술이 기대되고 있다.
<기판 처리 장치의 전체 구성>
먼저, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 구성에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1 및 도 2는, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 처리 용기(10)와, 기판 회전부(20)와, 상면 공급부(30)와, 하면 공급부(40)와, 회수부(50)와, 가열 기구(70)를 구비한다.
처리 용기(10)는, 기판 회전부(20), 상면 공급부(30), 하면 공급부(40), 회수부(50) 및 가열 기구(70)를 수용한다.
기판 회전부(20)는, 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 보유 지지한다. 구체적으로는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 회전부(20)는, 배큠 척(21)과, 축부(22)와, 구동부(23)를 구비한다. 배큠 척(21)은, 웨이퍼(W)를 진공화에 의해 흡착 보유 지지한다. 배큠 척(21)은, 웨이퍼(W)보다 소경이며, 웨이퍼(W)의 하면 중앙부를 흡착 보유 지지한다.
축부(22)는, 선단부에서 배큠 척(21)을 수평하게 지지한다. 구동부(23)는, 축부(22)의 기단부에 접속된다. 구동부(23)는, 축부(22)를 연직축 주위로 회전시킴과 함께, 축부(22) 및 이러한 축부(22)에 지지되는 배큠 척(21)을 승강시킨다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 상면 공급부(30)는, 웨이퍼(W)의 상면 주연부에 대해 처리액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 상면 주연부를 에칭한다. 이에 의해, 예를 들어 웨이퍼(W)의 상면 주연부에 형성된 막을 제거하거나, 웨이퍼(W)의 상면 주연부를 세정하거나 할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 상면 주연부란, 웨이퍼(W)의 상면에 있어서, 단부면으로부터 예를 들어 폭 1 내지 5mm 정도의 환상의 영역이다.
상면 공급부(30)는, 노즐 암(31)과, 노즐(32)과, 이동 기구(33)를 구비한다. 노즐 암(31)은, 수평 방향(여기서는, Y축 방향)으로 연장되어, 선단부에서 노즐(32)을 지지한다.
노즐(32)은, 웨이퍼(W)보다 상방에서 토출구를 하향으로 한 상태로 배치되어, 웨이퍼(W)의 상면에 약액이나 린스액 등의 처리액을 토출한다. 약액으로서는, 예를 들어 불산(HF), 희불산(DHF), 불질산 등을 사용할 수 있다. 또한, 불질산이란, 불산(HF)와 질산(HNO3)의 혼합액이다. 또한, 린스액으로서는, 예를 들어 DIW(탈이온수)를 사용할 수 있다.
이동 기구(33)는, 노즐 암(31)의 기단부에 접속된다. 이동 기구(33)는, 노즐 암(31)을 예를 들어 수평 방향(여기서는, X축 방향)을 따라 이동시킨다. 이에 의해, 이동 기구(33)는, 웨이퍼(W)의 주연부 상방에서의 처리 위치와, 이러한 처리 위치보다 외측의 대기 위치의 사이에서 노즐(32)을 이동시킬 수 있다.
하면 공급부(40)는, 웨이퍼(W)의 하면 주연부에 대해 처리액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 하면 주연부를 에칭한다. 이에 의해, 예를 들어 웨이퍼(W)의 하면 주연부에 형성된 막을 제거하거나, 웨이퍼(W)의 하면 주연부를 세정하거나 할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 하면 주연부란, 웨이퍼(W)의 하면에 있어서, 단부면으로부터 예를 들어 폭 1 내지 5mm 정도의 환상의 영역이다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 하면 공급부(40)는, 하면 노즐(41)과, 배관(42)과, 밸브(43)와, 유량 조정기(44)와, 처리액 공급원(45)을 구비한다. 하면 노즐(41)은, 웨이퍼(W)의 하방에 배치되어, 웨이퍼(W)의 하면 주연부를 향해서 처리액을 상향으로 토출한다.
배관(42)은, 하면 노즐(41)과 처리액 공급원(45)을 접속한다. 밸브(43)는, 배관(42)의 중도부에 마련되어, 배관(42)을 개폐한다. 유량 조정기(44)는, 배관(42)의 중도부에 마련되어, 배관(42)을 흐르는 처리액의 유량을 조정한다. 처리액 공급원(45)은, 예를 들어 처리액을 저류하는 탱크이다.
또한, 하면 공급부(40)는, 하면 노즐(41)을 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 하면 공급부(40)는, 웨이퍼(W)의 하방에서의 처리 위치와 웨이퍼(W)의 외측에서의 대기 위치의 사이에서 하면 노즐(41)을 이동시킬 수 있다.
회수부(50)는, 웨이퍼(W)의 외측을 둘러싸도록 마련되어, 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액의 액적을 회수한다. 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)로부터 비산한 액적을 빠짐없이 받아내기 위해서, 회수부(50)에는 외측 컵(51) 및 내측 컵(52)이 마련된다. 외측 컵(51)은, 컵의 일례이다.
외측 컵(51)은, 기판 회전부(20)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 주위를 환상으로 덮는다. 외측 컵(51)은, 예를 들어 웨이퍼(W)의 측방을 둘러싸도록 마련됨과 함께, 웨이퍼(W)보다 외측의 상방을 둘러싸도록 마련된다.
내측 컵(52)은, 외측 컵(51)의 내측에 배치됨과 함께, 기판 회전부(20)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 하방에 배치된다. 내측 컵(52)은, 예를 들어 가열 기구(70)의 외측에 배치된다.
외측 컵(51) 및 내측 컵(52)은, 예를 들어 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)나 PFA(퍼플루오로알콕시알칸) 등의 불소 수지 등의 내약품성이 높은 부재로 형성된다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 펌프(80)(도 3 참조)를 사용하여, 회수부(50)로부터 웨이퍼(W) 주위의 기체를 흡인함으로써, 웨이퍼(W)의 주위로부터 비산한 액적을 효율적으로 회수한다. 이러한 기체의 흡인 기구의 상세에 대해서는 후술한다.
가열 기구(70)는, 웨이퍼(W)의 하방이면서 또한 기판 회전부(20)의 외측에 배치된다. 구체적으로는, 가열 기구(70)는, 기판 회전부(20)와 내측 컵(52)의 사이에 배치된다.
가열 기구(70)는, 기판 회전부(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하면에 대해서, 가열된 유체를 공급함으로써 웨이퍼(W)의 하면 주연부를 가열한다. 구체적으로는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 가열 기구(70)는, 웨이퍼(W)의 둘레 방향으로 나란히 배치된 복수의 토출구(71)를 구비하고 있고, 이들 복수의 토출구(71)로부터 웨이퍼(W)의 하면에 대해서 가열된 유체를 공급한다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 제어 장치(11)를 구비한다. 제어 장치(11)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 제어부(12)와, 기억부(13)를 구비한다.
기억부(13)는, 예를 들어 RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현되며, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램을 기억한다.
제어부(12)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 제어부(12)는, 기억부(13)에 기억된 프로그램을 판독해서 실행함으로써 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(11)의 기억부(13)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
<실시 형태>
이어서, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 상세한 구성 및 동작에 대해서, 도 3 내지 도 10을 참조하면서 설명한다. 도 3은, 실시 형태에 관한 회수부(50)의 구성을 도시하는 단면도이며, 구체적으로는 도 1에 도시하는 A-A선의 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 회수부(50)는, 외측 컵(51)과, 내측 컵(52)과, 액받이 공간(60)과, 배기 구멍(61)과, 배기 통로(62)와, 배기구(63)와, 환상 드레인(64)을 구비한다. 또한, 배기구(63)에는 펌프(80)가 접속된다.
그리고 기판 처리 장치(1)는, 이러한 펌프(80)를 동작시킴으로써, 외측 컵(51) 및 내측 컵(52)으로 구성되는 액받이 공간(60)을, 배기 구멍(61), 배기 통로(62) 및 배기구(63)를 통해서 배기한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 주위를, 외측 컵(51) 및 내측 컵(52)으로 구성되는 액받이 공간(60)을 통해서 배기할 수 있다.
외측 컵(51)은, 웨이퍼(W)보다 외측의 측방 및 웨이퍼(W)보다 외측의 상방을 둘러싸도록 마련된다. 외측 컵(51)은, 컵 기초부(53)와, 상측 환상 부재(54)와, O링(57)을 갖는다.
컵 기초부(53)는, 회수부(50)의 최외주에서 기판 회전부(20)의 전체 둘레를 둘러싼다. 컵 기초부(53)는, 내측 컵(52)의 상단부와 동일 정도의 높이까지 대략 연직으로 상승된다.
상측 환상 부재(54)는, 웨이퍼(W)에서의 외측의 상방을 둘러싸도록 마련된다. 상측 환상 부재(54)는, 컵 기초부(53)의 상단부로부터, 내측으로 갈수록(즉, 웨이퍼(W)에 접근할수록) 높아지게 경사진다.
O링(57)은, 상측 환상 부재(54)와 컵 기초부(53)의 사이에 마련되어, 이러한 상측 환상 부재(54)와 컵 기초부(53)의 사이를 밀폐한다. 또한, 본 개시에 있어서, 상측 환상 부재(54)와 컵 기초부(53)의 사이는, O링 이외의 부재에 의해 밀폐되어도 된다.
또한, 상측 환상 부재(54)는, 제1 부재(55)와, 제2 부재(56)를 갖는다. 제1 부재(55)는, 컵 기초부(53)의 상단부에 탈착 가능하게 설치되고, 웨이퍼(W)의 외주를 환상으로 둘러싼다. 제1 부재(55)의 내면(55a)은, 친수성을 갖고, 후술하는 내측 컵(52)의 경사부(52a)를 따라 경사진다. 즉, 제1 부재(55)의 내면(55a)은, 친수면이다.
또한, 본 개시에 있어서, 「표면이 친수성을 갖는다」란, 이러한 표면에 부착된 처리액의 접촉각이 90° 이하라는 의미이며, 「표면이 소수성을 갖는다」란, 이러한 표면에 부착된 처리액의 접촉각이 90° 이상이라는 의미이다.
제2 부재(56)는, 적어도 제1 부재(55)의 내주 단부에 탈착 가능하게 설치되고, 표면(56a)이 소수성이다. 즉, 제2 부재(56)의 표면(56a)은 소수면이다. 또한, 제2 부재(56)는, 지지부(56b)와, 꺾임부(56c)를 갖는다.
지지부(56b)는, 제1 부재(55)에 지지되는 부위이며, 예를 들어 제1 부재(55)의 상단부에 지지된다. 꺾임부(56c)는, 지지부(56b)의 내주 단부로부터 소여의 폭(예를 들어, 3(mm) 정도)을 갖고 하방으로 굴곡되어, 웨이퍼(W)의 주연부에 가까워지는 방향으로 연장된다.
꺾임부(56c)의 하단부는, 웨이퍼(W)가 위치하는 높이에 대해서 소여의 높이(예를 들어, 2(mm) 정도)만큼 높은 위치에 마련된다. 또한, 꺾임부(56c)의 하단부는, 웨이퍼(W)의 주연부에 대해서 수평 방향으로 소여의 거리(예를 들어, 5(mm) 정도)만큼 외주측에 마련된다.
이와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부와 꺾임부(56c)의 하단부의 사이에 소여의 크기의 간극이 마련됨으로써, 웨이퍼(W)의 상면이 노출되는 공간과, 외측 컵(51) 및 내측 컵(52)으로 구성되는 액받이 공간(60)을 연결시킬 수 있다.
여기서, 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 측방에 위치하고, 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액이 직접 닿는 제2 부재(56)의 표면(56a)이 소수성을 갖는다. 이에 의해, 제2 부재(56)에 부착된 처리액의 액적이 모여서 커지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 이 큰 액적에 대해서 새롭게 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액이 충돌함으로써, 웨이퍼(W)에 처리액이 튀어 오르는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액을 직접 받는 제1 부재(55) 및 제2 부재(56)가, 인접하는 다른 부재로부터 모두 탈착 가능하게 구성된다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)에 있어서 웨이퍼(W)의 표면 상태나 처리액의 종류가 다양하게 변경된 경우에도, 변경된 각종 파라미터에 대해서 제1 부재(55) 및 제2 부재(56)의 표면 상태를 최적화함으로써, 웨이퍼(W)에의 처리액의 튀어오름을 억제할 수 있다.
따라서, 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 표면 상태나 처리액의 종류에 관계 없이, 외측 컵(51)으로부터의 처리액의 튀어오름을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 경사면인 제1 부재(55)의 내면(55a)이 친수성이면 된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)로부터 비산하여, 제1 부재(55)의 내면(55a)에 부착된 처리액이 이러한 내면(55a)에 남는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 실시 형태에 따르면, 내면(55a)에 남은 처리액이 웨이퍼(W)에 역류하는 것을 억제할 수 있으므로, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 컵 기초부(53)의 내면(53a)이 소수성이면 된다. 이에 의해, 컵 기초부(53)의 내면(53a)까지 도달한 처리액을, 내면(53a)의 하방에 위치하는 환상 드레인(64)에 원활하게 흘릴 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 외측 컵(51)에 있어서 가장 웨이퍼(W)에 근접하는 제2 부재(56)가 꺾임부(56c)를 가지면 된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부와 외측 컵(51)의 사이에 소여의 크기의 간극을 형성할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 주위를 액받이 공간(60)을 통해서 원활하게 배기할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 제2 부재(56)가 꺾임부(56c)를 가지므로, 웨이퍼(W)의 주연부에 근접하는 제1 부재(55) 및 제2 부재(56)의 면적을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 제1 부재(55) 및 제2 부재(56)에 부착되는 처리액의 양을 적게 할 수 있다.
따라서, 실시 형태에 따르면, 제1 부재(55)의 내면(55a) 및 제2 부재(56)의 표면(56a)에 남은 처리액이 웨이퍼(W)에 역류하는 것을 억제할 수 있으므로, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
도 4는, 실시 형태에 관한 제2 부재(56)의 구성을 도시하는 사시도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 실시 형태에 관한 제2 부재(56)의 꺾임부(56c)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 환상으로 마련된다.
그리고 실시 형태에 관한 꺾임부(56c)는, 노즐(32)로부터 공급되어 비산한 처리액을 제1 부재(55)를 향해서 통류시키는 개구부(56d)를 갖는다.
이에 의해, 노즐(32)로부터 공급되어 비산한 처리액이 꺾임부(56c)에 직접 닿는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 꺾임부(56c)로부터의 처리액의 튀어오름을 억제할 수 있다.
이러한 개구부(56d)는, 예를 들어 제2 부재(56)에서의 노즐(32)의 근방으로부터, 노즐(32)로부터 공급되어 비산한 처리액이 직접 닿지 않는 위치까지 형성되면 된다. 이에 의해, 꺾임부(56c)로부터의 처리액의 튀어오름을 억제할 수 있음과 함께, 제1 부재(55)의 내면(55a)으로부터의 처리액의 역류를 억제할 수 있다.
따라서, 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 더욱 억제할 수 있다.
도 5는, 실시 형태에 관한 제1 부재(55)의 구성을 도시하는 사시도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 실시 형태에 관한 제1 부재(55)의 내면(55a)에는, 복수의 홈(55b)이 마련된다. 이러한 홈(55b)은, 회전하는 웨이퍼(W)에 공급된 처리액이 외측으로 비산하는 흐름의 방향을 따라 형성된다.
이에 의해, 제1 부재(55)의 내면(55a)에 부착된 처리액을, 웨이퍼(W)의 선회류를 사용하여 환상 드레인(64)에 원활하게 끌어들일 수 있다.
또한, 내면(55a)에 복수의 홈(55b)이 마련됨으로써, 내면(55a)에 부착된 처리액의 액적이 모여서 커지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 이러한 큰 액적에 대해서 새롭게 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액이 충돌함으로써, 웨이퍼(W)에 처리액이 튀어 오르는 것을 억제할 수 있다.
도 3의 설명으로 돌아간다. 내측 컵(52)은, 외측 컵(51)의 내측에서, 이러한 외측 컵(51)의 내면(컵 기초부(53)의 내면(53a) 및 제1 부재(55)의 내면(55a))을 따라 마련된다.
즉, 내측 컵(52)은, 경사면인 제1 부재(55)의 내면(55a)을 따라 마련되는 경사부(52a)와, 연직면인 컵 기초부(53)의 내면(53a)을 따라 마련되는 연직부(52b)를 갖는다.
경사부(52a)는, 웨이퍼(W)의 주연부 근방으로부터 외측을 향함에 따라서 서서히 낮아진다. 연직부(52b)는, 경사부(52a)의 외주 단부로부터 하방을 향해서 대략 연직 방향으로 연장된다.
액받이 공간(60)은, 외측 컵(51)과 내측 컵(52)의 사이에 형성된다. 배기 구멍(61)은, 내측 컵(52)을 관통하도록 형성된다. 배기 통로(62)는, 내측 컵(52)의 내측에 형성된다.
배기 통로(62)는, 예를 들어 내측 컵(52)과, 이러한 내측 컵(52)의 내측 및 하측에 위치하는 벽부(58)의 사이에 형성된다. 이러한 배기 통로(62)와 액받이 공간(60)의 사이는, 배기 구멍(61)에 의해 연결되어 있다.
배기구(63)는, 배기 통로(62)에 접속된다. 배기구(63)는, 예를 들어 벽부(58)에서의 소정의 위치에 마련된다. 또한, 배기구(63)는, 벽부(58)에 1개소 마련되어도 되고, 복수 개소 마련되어도 된다. 또한, 배기구(63)보다 하류측의 배기 덕트(100)(도 10 참조)의 상세에 대해서는 후술한다.
환상 드레인(64)은, 외측 컵(51)과 내측 컵(52)의 사이(예를 들어, 외측 컵(51)의 하단부와 내측 컵(52)의 하단부의 사이)에 형성된다. 환상 드레인(64)은, 웨이퍼(W)에 공급된 처리액을 외부로 배출한다. 이러한 환상 드레인(64)의 상세에 대해서는 후술한다.
여기서, 실시 형태에서는, 배기 구멍(61)이, 내측 컵(52)의 외면(52c)으로부터 내면(52d)까지 비스듬히 아래 방향을 향해서 형성된다. 이에 의해, 액받이 공간(60)으로부터 배기 통로(62)를 향하는 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 주위를 효율적으로 배기할 수 있다.
따라서, 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 주위에 체류하는 처리액의 미스트 등에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 배기 구멍(61)이, 내측 컵(52)의 연직부(52b)에 배치되면 된다. 이에 의해, 내측 컵(52)의 외면(52c)을 타고 떨어지는 처리액이, 환상 드레인(64)이 아니라 배기 구멍(61)으로 흐르는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 실시 형태에 따르면, 내측 컵(52)을 타고 떨어지는 처리액을 양호하게 분리할 수 있다.
도 6은, 실시 형태에 관한 환상 드레인(64)의 구성을 도시하는 단면도이며, 도 7은, 실시 형태에 관한 환상 드레인(64)의 구성을 도시하는 평면도이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 환상 드레인(64)은, 평면으로 보아 환상(예를 들어, 원환상)이다.
또한, 환상 드레인(64)에서의 소여의 위치의 저면에는, 배액구(64a)가 마련된다. 이러한 배액구(64a)는, 배액로(90)를 통해서 드레인부(DR)에 접속된다.
또한, 실시 형태에서는, 도 6 등에 도시하는 바와 같이, 하면 공급부(40)에 세정액 노즐(46)이 마련된다. 이러한 세정액 노즐(46)은, 하면 노즐(41)의 근방에 마련되어, 하측 방향으로 세정액(CL)을 토출한다.
세정액 노즐(46)로부터 토출된 세정액(CL)은, 내측 컵(52) 내에 형성되는 홈부(47)를 통해서, 환상 드레인(64)의 세정액 공급부(64b)에 공급된다. 실시 형태에 관한 세정액(CL)은, 예를 들어 DIW 등이다.
또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(46)은 배액구(64a)와 대향하는 위치에 마련되므로, 세정액 공급부(64b)는 배액구(64a)와 대향하는 위치에 마련된다.
여기서, 실시 형태에서는, 환상 드레인(64)에 있어서 배액구(64a)가 가장 낮은 위치에 마련됨과 함께, 세정액 공급부(64b)가 가장 높은 위치에 마련된다. 그리고 환상 드레인(64)은, 세정액 공급부(64b)로부터 배액구(64a)를 향함에 따라서 서서히 낮아지도록 형성된다.
이에 의해, 세정액 노즐(46)로부터 세정액 공급부(64b)에 공급된 세정액(CL)은, 도 7에 도시하는 바와 같이, 환상 드레인(64) 전체를 흘러서 배액구(64a)로부터 배출된다. 즉, 실시 형태에서는, 배액구(64a)와 대향하는 위치에 마련되는 세정액 노즐(46)로부터, 세정액 공급부(64b)를 향해서 세정액(CL)을 공급함으로써, 환상 드레인(64) 전체를 양호하게 세정할 수 있다.
그리고 실시 형태에서는, 세정액 노즐(46)을 동작시켜 환상 드레인(64)을 세정함으로써, 액받이 공간(60) 내에 체류하는 처리액의 미스트 양을 저감할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 액받이 공간(60) 내에 체류하는 미스트가 역류하여, 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
도 8은, 실시 형태에 관한 환상 드레인(64)의 세정 처리의 일례를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)(도 1 참조)에서는, 1매의 웨이퍼(W)에 대해서 각종 처리가 행해진다.
예를 들어, 제어부(12)(도 1 참조)는, 먼저, 각종 처리가 완료된 웨이퍼(W)를 처리 용기(10)(도 1 참조)로부터 반출함과 함께, 다음 웨이퍼(W)를 처리 용기(10)에 반입하는 반송 처리를 실시한다(스텝 S101).
이어서, 제어부(12)는, 처리 용기(10)에 반입된 웨이퍼(W)의 주연부에 대해서, 각종 액 처리를 실시한다(스텝 S102). 그리고 제어부(12)는, 각종 액 처리가 실시된 웨이퍼(W)에 대해서 린스 처리를 실시한다(스텝 S103). 이러한 린스 처리는, 예를 들어 웨이퍼(W)에 대해서 노즐(32) 및 하면 노즐(41)로부터 DIW를 공급함으로써 실시된다.
이어서, 제어부(12)는, 린스 처리가 실시된 웨이퍼(W)에 대해서 건조 처리를 실시한다(스텝 S104). 이러한 건조 처리는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시킴으로써 실시된다.
마지막으로, 제어부(12)는, 상술한 각 처리가 완료된 웨이퍼(W)를 처리 용기(10)로부터 반출함과 함께, 다음 웨이퍼(W)를 처리 용기(10)에 반입하는 반송 처리를 실시한다(스텝 S105).
여기서, 도 8의 예에서는, 제어부(12)가, 웨이퍼(W)의 반송 처리(스텝 S101, S105)와 병행하여, 환상 드레인(64)의 세정 처리를 실시한다(스텝 S111).
이와 같이, 웨이퍼(W)의 반송 처리와 병행해서 환상 드레인(64)의 세정 처리를 실시함으로써, 드레인 세정 처리에 있어서 액받이 공간(60) 내에 체류하는 처리액의 미스트 양이 일시적으로 증대하였다고 해도, 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
도 9는, 실시 형태에 관한 환상 드레인(64)의 세정 처리의 다른 일례를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 9의 예에서는, 제어부(12)가, 웨이퍼(W)의 린스 처리(스텝 S103)와 병행하여, 환상 드레인(64)의 세정 처리를 실시한다(스텝 S121). 이러한 도 9의 예에서는, 예를 들어 노즐(32), 하면 노즐(41) 및 세정액 노즐(46)로부터 DIW가 동시에 토출된다.
이와 같이, 웨이퍼(W)의 린스 처리와 병행해서 환상 드레인(64)의 세정 처리를 실시함으로써, 드레인 세정 처리가 종료될 때까지 웨이퍼(W)의 각종 처리를 대기시킬 필요가 없어지므로, 웨이퍼(W)의 전체 처리 시간을 단축시킬 수 있다.
도 10은, 실시 형태에 관한 배기 덕트(100)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 10에서는, 기판 회전부(20), 회수부(50), 가열 기구(70) 및 배기 덕트(100) 이외의 부위에 대해서는 도시를 생략하고 있다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 배기 덕트(100)는, 회수부(50)의 배기구(63)(도 3 참조)에 접속되어, 배기 통로(62) 내의 배기를 펌프(80)(도 3 참조)에 배출한다. 배기 덕트(100)는, 상류측부터 순서대로 하강부(101)와, 수평부(102)와, 상승부(103)를 갖는다.
원통상의 하강부(101)는, 회수부(50)의 배기구(63)에 접속되어, 하방을 향해서 연장되는 부위이다. 상자상의 수평부(102)는, 하강부(101)의 하류측에 접속되어, 수평 방향이면서 또한 회수부(50)로부터 이격되는 방향으로 연장되는 부위이다.
원통상의 상승부(103)는, 수평부(102)의 하류측에 접속되어, 상방을 향해서 연장되는 부위이다. 또한, 상승부(103)는, 회수부(50)보다 위까지 연신되어 있다. 또한, 배기 덕트(100)는, 평면으로 보아, 수평부(102)의 하류측이 회수부(50)보다 외측까지 연신되어 있으므로, 상승부(103)가 회수부(50)보다 위까지 연신되어도, 회수부(50)와 간섭하지 않는다.
여기까지 설명한 바와 같이, 실시 형태에 관한 배기 덕트(100)는, 회수부(50)의 하측에 접속됨과 함께, 회수부(50)보다 위까지 연신되어 있으면 된다. 이에 의해, 배기 통로(62)까지 도달한 액적이, 배기구(63)로부터 배기 덕트(100)를 통해서 외부로 배출되는 것을 억제할 수 있다.
즉, 실시 형태에서는, 배기 통로(62)까지 도달한 액적을 배기 덕트(100)에서 양호하게 분리할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 수평부(102)의 저면에, 드레인부(DR)에 연결되는 배액로(104)가 접속되면 된다. 이에 의해, 수평부(102)까지 도달한 액적을 드레인부(DR)에 배출할 수 있으므로, 수평부(102)까지 도달한 액적을 배기 덕트(100)에서 더욱 양호하게 분리할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 배기 덕트(100)의 수평부(102)가 상자상이면 된다. 이에 의해, 상자상의 수평부(102)에 직선상의 배관인 하강부(101) 및 상승부(103)를 연결함으로써 배기 덕트(100)를 구성할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 배기 덕트(100)의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 상자상의 수평부(102)에 있어서, 하강부(101)와 접속되는 부위의 하측에 경사부(102a)가 마련되면 된다. 이에 의해, 하강부(101)와 접속되는 부위에서, 배기의 방향이 하측 방향에서 수평 방향으로 변할 때 생기는 와류의 발생을 억제할 수 있다.
따라서, 실시 형태에 따르면, 배기 덕트(100)에서의 압손을 더욱 저감할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 주위로부터 펌프(80)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더욱 저감할 수 있다.
또한, 실시 형태에서는, 상자상의 수평부(102)에 있어서, 상승부(103)와 접속되는 부위의 하측에 경사부(102b)가 마련되면 된다. 이에 의해, 상승부(103)와 접속되는 부위에서, 배기의 방향이 수평 방향에서 상측 방향으로 변할 때 생기는 와류의 발생을 억제할 수 있다.
따라서, 실시 형태에 따르면, 배기 덕트(100)에서의 압손을 더욱 저감할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 주위로부터 펌프(80)까지 연결되는 배기로 전체의 유로 저항을 더욱 저감할 수 있다.
또한, 실시 형태에 있어서, 상승부(103)의 내경은, 하강부(101)의 내경과 대략 동등해도 되고, 하강부(101)의 내경보다 커도 된다. 실시 형태에서는, 상승부(103)의 내경을 하강부(101)의 내경보다 크게 함으로써, 배기 덕트(100)에서의 압손을 더욱 저감할 수 있다.
또한, 실시 형태에 있어서, 상자상의 수평부(102)의 안쪽 치수는, 원통상의 하강부(101) 및 상승부(103)의 내경보다 큰 편이 좋다. 이에 의해, 하강부(101) 및 상승부(103)를 문제 없이 수평부(102)에 접속할 수 있다.
한편, 수평부(102)의 안쪽 치수가 하강부(101) 및 상승부(103)의 내경보다 지나치게 클 경우, 하강부(101)와 수평부(102)의 접속부 및 수평부(102)와 상승부(103)의 접속부에서, 유로의 단면적이 급격하게 확대 축소함으로 인한 와류가 많이 발생해버린다. 따라서, 실시 형태에서는, 수평부(102)의 단면적이, 하강부(101) 및 상승부(103)의 단면적의 2배 이하이면 된다.
<변형예 1>
계속해서, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 각종 변형예에 대해서, 도 11 내지 도 17을 참조하면서 설명한다. 도 11은, 실시 형태의 변형예 1에 관한 상측 환상 부재(54)의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 11에 도시한 바와 같이, 변형예 1에 관한 상측 환상 부재(54)는, 제2 부재(56)의 구성이 상기 실시 형태와 다르다. 구체적으로는, 변형예 1에서는, 제2 부재(56)에서의 꺾임부(56c)의 선단부가, 더욱 외측을 향해서 굴곡된다.
이에 의해, 변형예 1에서는, 꺾임부(56c)의 선단부에 부착되는 처리액의 액적을 웨이퍼(W)로부터 멀리 떨어지게 할 수 있다. 따라서, 변형예 1에 의하면, 꺾임부(56c)의 선단부에 부착되는 액적에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 1에서는, 꺾임부(56c)의 선단부가, 제1 부재(55)의 내주 단부를 하방으로부터 덮어도 된다. 이에 의해, 친수면인 내면(55a)과 소수면인 표면(56a)의 경계이므로, 액적이 모이기 쉬운 제1 부재(55)의 내주 단부에, 처리액의 액적이 비산하는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 변형예 1에 의하면, 제1 부재(55)의 내주 단부에 부착되는 액적에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
<변형예 2>
도 12는, 실시 형태의 변형예 2에 관한 상측 환상 부재(54)의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 변형예 2에 관한 상측 환상 부재(54)는, 제1 부재(55)의 구성이 상기 실시 형태와 다르다.
구체적으로는, 변형예 2에서는, 제1 부재(55)의 내면(55a)이, 수평부(55a1) 및 경사부(55a2)를 포함한다. 수평부(55a1)는, 제2 부재(56)의 내면으로부터 대략 수평하게 연장되는 면이다.
경사부(55a2)는, 수평부(55a1)의 최외주로부터, 외측으로 갈수록 낮아지도록 경사진다. 또한, 변형예 2에서의 경사부(55a2)의 경사각은, 실시 형태에서의 내면(55a)의 경사각과 대략 동등하다.
이에 의해, 변형예 2에서는, 제1 부재(55)의 내면(55a)에 부착되는 처리액의 액적을 웨이퍼(W)로부터 멀리 떨어지게 할 수 있다. 따라서, 변형예 2에 의하면, 내면(55a)에 부착되는 액적에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
<변형예 3>
도 13은, 실시 형태의 변형예 3에 관한 상측 환상 부재(54)의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 13에 도시하는 바와 같이, 변형예 3에 관한 상측 환상 부재(54)는, 제1 부재(55)의 구성이 상기 변형예 2와 다르다.
변형예 3의 수평부(55a1)는, 변형예 2의 수평부보다 더욱 외주측으로 연장된다. 또한, 변형예 3에서의 경사부(55a2)의 경사각은, 변형예 2에서의 경사부(55a2)의 경사각보다 크다.
이에 의해, 변형예 3에서는, 제1 부재(55)의 내면(55a)에 부착되는 처리액의 액적을 웨이퍼(W)로부터 더욱 멀리 떨어지게 할 수 있다. 따라서, 변형예 3에 의하면, 내면(55a)에 부착되는 액적에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
<변형예 4>
도 14는, 실시 형태의 변형예 4에 관한 회수부(50)의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 14에 도시하는 바와 같이, 변형예 4에 관한 회수부(50)는, 상측 환상 부재(54)의 구성이 상기 실시 형태와 다르다.
구체적으로는, 변형예 4에서는, 제2 부재(56)의 꺾임부(56c)의 돌출 길이가 실시 형태보다 짧게 되어 있다. 예를 들어, 변형예 4에서는, 꺾임부(56c)(도 3 참조)의 하방으로의 돌출 길이가 3(mm) 정도로 되어 있다.
이에 의해, 변형예 4에서는, 꺾임부(56c)의 이측에 과잉의 액받이 공간(60)이 형성되는 것을 억제할 수 있으므로, 이러한 잉여의 액받이 공간(60)에 생기는 와류의 크기를 작게 할 수 있다. 따라서, 변형예 4에 의하면, 웨이퍼(W)로부터 배기 구멍(61)을 향하는 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있다.
<변형예 5>
도 15는, 실시 형태의 변형예 5에 관한 회수부(50)의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 변형예 5에 관한 회수부(50)는, 상측 환상 부재(54)의 구성이 상기 실시 형태와 다르다.
구체적으로는, 변형예 5에서는, 제2 부재(56)의 꺾임부(56c)가 하방으로 돌출되어 있지 않고, 꺾임부(56c)의 하단부로부터 직접 제1 부재(55)의 내면(55a)이 외측으로 연장되어 있다.
이에 의해, 변형예 5에서는, 꺾임부(56c)의 이측에 과잉의 액받이 공간(60)이 형성되는 것을 더욱 억제할 수 있으므로, 이러한 잉여의 액받이 공간(60)에 생기는 와류의 크기를 더욱 작게 할 수 있다. 따라서, 변형예 5에 의하면, 웨이퍼(W)로부터 배기 구멍(61)을 향하는 기체의 흐름을 더욱 원활하게 할 수 있다.
<변형예 6>
도 16은, 실시 형태의 변형예 6에 관한 회수부(50)의 구성을 도시하는 단면도이다. 여기까지 설명한 실시 형태 및 각종 변형예에서는, 액받이 공간(60)과 배기 통로(62)의 사이를 연결하는 배기 구멍(61)이 내측 컵(52)에 마련되는 예에 대해서 나타냈지만, 본 개시는 이러한 예에 한정되지 않는다.
예를 들어, 도 16에 도시하는 바와 같이, 배기 구멍(61)이 외측 컵(51)에 마련되어도 된다. 이러한 배기 구멍(61)은, 상승부(61a)와, 굴곡부(61b)와, 하강부(61c)를 갖는다. 상승부(61a)는, 액받이 공간(60)에서의 최외주의 상단으로부터, 컵 기초부(53)와 상측 환상 부재(54)의 사이를 상방을 향해서 연장된다.
굴곡부(61b)는, 상승부(61a)에서의 하류측의 단부로부터, 컵 기초부(53)와 상측 환상 부재(54)의 사이를 하방을 향해서 굴곡한다. 하강부(61c)는, 굴곡부(61b)에서의 하류측의 단부로부터, 컵 기초부(53)의 내부를 하방을 향해서 연장된다. 또한, 하강부(61c)의 하류측은, 배기 통로(62)에 접속된다.
배기 구멍(61)이 이러한 구성이어도, 제1 부재(55) 및 제2 부재(56)가 모두 다른 부재로부터 탈착 가능하게 구성됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상태나 처리액의 종류가 다양하게 변경된 경우에도, 제1 부재(55) 및 제2 부재(56)의 표면 상태를 최적화할 수 있다.
따라서, 변형예 6에 의하면, 웨이퍼(W)의 표면 상태나 처리액의 종류에 관계 없이, 외측 컵(51)으로부터의 처리액의 튀어오름을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 6에서는, 배기 구멍(61)의 상류측에 상승부(61a)가 마련되므로, 배기 구멍(61)에 처리액의 액적이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따르면, 배기 구멍(61)까지 도달한 액적을 상승부(61a)에서 양호하게 분리할 수 있다.
<변형예 7>
도 17은, 실시 형태의 변형예 7에 관한 회수부(50)의 구성을 도시하는 단면도이다. 여기까지 설명한 실시 형태 및 각종 변형예에서는, 외측 컵(51)의 상측 환상 부재(54)가 탈착 가능하게 구성되는 예에 대해서 나타냈지만, 본 개시는 이러한 예에 한정되지 않는다.
예를 들어, 도 17에 도시하는 바와 같이, 외측 컵(51)이 일체로 구성되어도 된다. 이러한 외측 컵(51)은, 기초부(51a)와, 상측 환상부(51b)와, 꺾임부(51c)를 갖는다.
기초부(51a)는, 회수부(50)의 최외주에서 기판 회전부(20)의 전체 둘레를 둘러싼다. 기초부(51a)는, 내측 컵(52)의 상단부와 동일 정도의 높이까지 연직으로 상승된다.
상측 환상부(51b)는, 웨이퍼(W)에서의 외측의 상방을 둘러싸도록 마련된다. 상측 환상부(51b)는, 기초부(51a)의 상단부로부터 내측으로 갈수록(즉, 웨이퍼(W)에 가까워질수록) 높아지게 경사진다.
꺾임부(51c)는, 상측 환상부(51b)의 내주 단부로부터 소여의 폭(예를 들어, 3(mm) 정도)을 갖고 굴곡되어, 웨이퍼(W)의 주연부에 가까워지는 방향으로 연장된다.
외측 컵(51)이 이러한 구성이어도, 배기 구멍(61)이 내측 컵(52)의 외면(52c)으로부터 내면(52d)까지 비스듬히 아래 방향을 향해서 형성됨으로써, 액받이 공간(60)으로부터 배기 통로(62)를 향하는 기체의 흐름을 원활하게 할 수 있다.
따라서, 변형예 7에 의하면, 웨이퍼(W)의 주위를 효율적으로 배기할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 주위에 체류하는 처리액의 미스트 등에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 7에서는, 상기 실시 형태와 마찬가지로, 배기 구멍(61)이 내측 컵(52)의 연직부(52b)에 배치되면 된다. 이에 의해, 내측 컵(52)의 외면(52c)을 타고 떨어지는 처리액이, 환상 드레인(64)이 아니라 배기 구멍(61)에 흐르는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 변형예 7에 의하면, 내측 컵(52)을 타고 떨어지는 처리액을 양호하게 분리할 수 있다.
<변형예 8>
도 18은, 실시 형태의 변형예 8에 관한 회수부(50)의 구성을 도시하는 단면도이다. 여기까지 설명한 실시 형태 및 각종 변형예에서는, 외측 컵(51)에 꺾임부(56c) 또는 꺾임부(51c)가 마련되는 예에 대해서 나타냈지만, 본 개시는 이러한 예에 한정되지 않는다.
예를 들어, 도 18에 도시하는 바와 같이, 일체로 구성되는 외측 컵(51)에 있어서, 이러한 외측 컵(51)이 기초부(51a) 및 상측 환상부(51b)로 구성되어도 된다.
또한, 변형예 8에서는, 외측 컵(51)의 내면(51d)이, 웨이퍼(W)에 가장 가까운 개소(예를 들어, 외측 컵(51)의 내주 단부)로부터 외측을 향해서 수평하게 연장되는 수평부(51d1)를 갖는다.
이에 의해, 웨이퍼(W)로부터 외측을 향하는 웨이퍼(W)의 선회류를 수평부(51d1)를 따르게 할 수 있기 때문에, 이러한 수평부(51d1)에 부착된 처리액을, 웨이퍼(W)의 선회류를 사용하여 환상 드레인(64)에 원활하게 끌어들일 수 있다.
따라서, 변형예 8에 의하면, 수평부(51d1)에 남은 처리액이 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있으므로, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
도 19 및 도 20은, 실시 형태의 변형예 8에 관한 커버(59)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 19는, 노즐(32)을 내측에서 본 경우의 사시도이며, 도 20은, 노즐(32)을 상방에서 본 경우의 사시도이다. 또한, 도 19 및 도 20은, 노즐(32)이 웨이퍼(W)의 주연부 상방의 처리 위치에 있는 경우에 대해서 나타내고 있다.
도 19 및 도 20에 도시하는 바와 같이, 변형예 8에서는, 노즐(32)이 커버(59)를 갖는다. 커버(59)는, 노즐(32)의 주위에 배치된다. 커버(59)는, 측벽부(59a, 59b, 59c)와, 상벽부(59d)와, 돌출부(59e)를 갖는다.
측벽부(59a, 59b, 59c)는, 각각 노즐(32)의 측부에 근접해서 배치되고, 연직 방향으로 연장된다. 측벽부(59a)는, 기판 회전부(20)의 중심에서 보아 노즐(32)의 내측에 배치된다. 측벽부(59b)는, 기판 회전부(20)의 중심에서 보아 노즐(32)의 외측에 배치된다. 측벽부(59c)는, 측벽부(59a)와 측벽부(59b)를 연결하는 위치에 마련된다.
상벽부(59d)는, 노즐(32)의 상방에 근접해서 배치되고, 수평 방향으로 연장된다. 상벽부(59d)는, 노즐(32)의 상방에서, 측벽부(59a)와 측벽부(59b)를 연결하는 위치에 배치된다. 돌출부(59e)는, 측벽부(59b)의 외측에 배치되고, 수평 방향으로 연장된다. 즉, 돌출부(59e)는, 측벽부(59b)의 외측의 면으로부터 외측으로 수평 방향으로 돌출된다.
또한, 변형예 8에서는, 외측 컵(51)의 상측 환상부(51b)가, 개구부(51e, 51f)를 갖는다. 개구부(51e)는, 노즐(32)로부터 공급되어 비산한 처리액을 액받이 공간(60)(도 18 참조)을 향해서 통류시킨다.
이에 의해, 노즐(32)로부터 공급되어 비산한 처리액이 외측 컵(51)의 내주 단부에 직접 닿는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 8에 의하면, 외측 컵(51)의 내주 단부으로부터의 처리액의 튀어오름을 억제할 수 있다.
이러한 개구부(51e)는, 예를 들어 외측 컵(51)의 내주 단부에서의 노즐(32)의 근방으로부터, 노즐(32)로부터 공급되어 비산한 처리액이 직접 닿지 않는 위치까지 형성되면 된다. 이에 의해, 외측 컵(51)의 내주 단부로부터의 처리액의 튀어오름을 억제할 수 있음과 함께, 외측 컵(51)의 내면(51d)(도 18 참조)으로부터의 처리액의 역류를 억제할 수 있다.
따라서, 변형예 8에 의하면, 웨이퍼(W)로부터 비산한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 더욱 억제할 수 있다.
개구부(51f)는, 처리 위치와 대기 위치의 사이에서 노즐(32)을 이동 가능하게 하기 위해서 형성된다. 즉, 노즐(32)이 대기 위치에 있을 경우, 노즐(32)은 개구부(51f)에 수용된다. 한편, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우, 노즐(32)은 개구부(51f)보다 내측에 위치한다.
여기서, 변형예 8에서는, 도 19에 도시하는 바와 같이, 노즐(32)이 처리 위치에 있는 경우에, 측벽부(59b)에 의해 개구부(51f)의 적어도 일부가 막히면 된다. 이에 의해, 노즐(32)이 처리 위치에 있는 경우에, 개구부(51f)의 개구 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 8에서는, 웨이퍼(W)의 액 처리 중에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 8에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 8에서는, 도 20에 도시하는 바와 같이, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 돌출부(59e)에 의해 개구부(51f)의 적어도 일부가 막히면 된다. 이에 의해, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 개구 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 8에서는, 웨이퍼(W)의 액 처리 중에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 8에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 8에서는, 도 20에 도시하는 바와 같이, 돌출부(59e)와 측벽부(59b)의 사이에 슬릿(59f)이 마련되면 된다. 이에 의해, 돌출부(59e)의 하방에 형성되는 공간에, 슬릿(59f)으로부터의 하방류를 형성할 수 있다.
따라서, 변형예 8에 의하면, 돌출부(59e)의 하방에 형성되는 공간이 정체하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 이러한 공간에 체류하는 처리액의 미스트에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
<변형예 9>
도 21 및 도 22는, 실시 형태의 변형예 9에 관한 커버(59)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 21은, 노즐(32)을 내측에서 본 경우의 사시도이며, 도 22는, 노즐(32)을 상방에서 본 경우의 사시도이다. 또한, 도 21 및 도 22는, 노즐(32)이 웨이퍼(W)의 주연부 상방의 처리 위치에 있을 경우에 대해서 나타내고 있다.
도 21 및 도 22에 도시하는 바와 같이, 변형예 9에서는, 상술한 변형예 8과 비교하여, 측벽부(59a) 및 측벽부(59c)의 면적이 작게 되어 있다. 이 경우에도, 상술한 변형예 8과 마찬가지로, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 측벽부(59b)에 의해 개구부(51f)의 적어도 일부가 막힘으로써, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 9에서는, 웨이퍼(W)의 액 처리 중에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 9에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 9에서는, 상술한 변형예 8과 마찬가지로, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 돌출부(59e)에 의해 개구부(51f)의 적어도 일부가 막히면 된다. 이에 의해, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 개구 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 9에서는, 웨이퍼(W)의 액 처리 중에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 9에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 9에서는, 상술한 변형예 8과 마찬가지로, 돌출부(59e)와 측벽부(59b)의 사이에 슬릿(59f)이 마련되면 된다. 이에 의해, 돌출부(59e)의 하방에 형성되는 공간에, 슬릿(59f)으로부터의 하방류를 형성할 수 있다.
따라서, 변형예 9에 의하면, 돌출부(59e)의 하방에 형성되는 공간이 정체하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 이러한 공간에 체류하는 처리액의 미스트에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
<변형예 10>
도 23 및 도 24는, 실시 형태의 변형예 10에 관한 커버(59)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 23은, 노즐(32)을 내측에서 본 경우의 사시도이며, 도 24는, 노즐(32)을 상방에서 본 경우의 사시도이다. 또한, 도 23 및 도 24는, 노즐(32)이 웨이퍼(W)의 주연부 상방의 처리 위치에 있는 경우에 대해서 나타내고 있다.
도 23 및 도 24에 도시하는 바와 같이, 변형예 10에서는, 측벽부(59a) 및 측벽부(59b)의 구성이 상술한 변형예 8과 다르다. 구체적으로는, 변형예 10에서는, 노즐(32)이 처리 위치가 아니라 대기 위치에 있을 경우에, 측벽부(59a)에 의해 개구부(51f)의 적어도 일부가 막힌다.
이에 의해, 노즐(32)이 대기 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 개구 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 10에서는, 노즐(32)의 대기 중에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 10에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 10에서는, 상술한 변형예 8과 마찬가지로, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 돌출부(59e)에 의해 개구부(51f)의 적어도 일부가 막히면 된다. 이에 의해, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 개구 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 10에서는, 웨이퍼(W)의 액 처리 중에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 10에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 10에서는, 상술한 변형예 8과 마찬가지로, 돌출부(59e)와 측벽부(59b)의 사이에 슬릿(59f)이 마련되면 된다. 이에 의해, 돌출부(59e)의 하방에 형성되는 공간에, 슬릿(59f)으로부터의 하방류를 형성할 수 있다.
따라서, 변형예 10에 의하면, 돌출부(59e)의 하방에 형성되는 공간이 정체하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 이러한 공간에 체류하는 처리액의 미스트에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
<변형예 11>
도 25 및 도 26은, 실시 형태의 변형예 11에 관한 커버(59)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한 도 25는, 노즐(32)을 내측에서 본 경우의 사시도이며, 도 26은, 노즐(32)을 상방에서 본 경우의 사시도이다. 또한, 도 25 및 도 26은, 노즐(32)이 웨이퍼(W)의 주연부 상방의 처리 위치에 있는 경우에 대해서 나타내고 있다.
도 25 및 도 26에 도시하는 바와 같이, 변형예 11에서는, 측벽부(59a) 및 측벽부(59b)의 구성이 상술한 변형예 8 및 변형예 10과 다르다. 구체적으로는, 변형예 11에서는, 측벽부(59a) 및 측벽부(59b)의 면적이 작기 때문에, 측벽부(59a, 59b)로는 개구부(51f) 전체를 막을 수 없다.
이에 의해서도, 노즐(32)이 처리 위치 또는 대기 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 개구 면적을 어느 정도는 작게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 11에서는, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 어느 정도는 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 11에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 11에서는, 상술한 변형예 8과 마찬가지로, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 돌출부(59e)에 의해 개구부(51f)의 적어도 일부가 막히면 된다. 이에 의해, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 개구 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 11에서는, 웨이퍼(W)의 액 처리 중에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 11에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 11에서는, 상술한 변형예 8과 마찬가지로, 돌출부(59e)와 측벽부(59b)의 사이에 슬릿(59f)이 마련되면 된다. 이에 의해, 돌출부(59e)의 하방에 형성되는 공간에, 슬릿(59f)으로부터의 하방류를 형성할 수 있다.
따라서, 변형예 11에 의하면, 돌출부(59e)의 하방에 형성되는 공간이 정체하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 이러한 공간에 체류하는 처리액의 미스트에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
<변형예 12>
도 27은, 실시 형태의 변형예 12에 관한 커버(59)의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 27은, 노즐(32)을 상방에서 본 경우의 사시도이며, 노즐(32)이 웨이퍼(W)의 주연부 상방의 처리 위치에 있는 경우에 대해서 나타내고 있다.
도 27에 도시하는 바와 같이, 변형예 12에서는, 커버(59)에 슬릿(59f)이 마련되지 않는 점이 상술한 변형예 11과 다르다. 이에 의해서도, 커버(59)에 측벽부(59a, 59b)가 마련됨으로써, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 12에서는, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 어느 정도는 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 12에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 변형예 12에서는, 상술한 변형예 11과 마찬가지로, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 돌출부(59e)에 의해 개구부(51f)의 적어도 일부가 막히면 된다. 이에 의해, 노즐(32)이 처리 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 개구 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극 면적을 작게 할 수 있다.
즉, 변형예 12에서는, 웨이퍼(W)의 액 처리 중에, 웨이퍼(W)와 외측 컵(51)의 사이의 간극에 있어서, 웨이퍼(W)의 선회류의 유속을 빠르게 할 수 있기 때문에, 내면(51d)에 남은 처리액이나 액받이 공간(60)에 체류하는 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)로 역류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 변형예 12에 의하면, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기판 회전부(20)와, 외측 컵(51)과, 내측 컵(52)과, 환상 드레인(64)과, 배기 통로(62)를 구비한다. 기판 회전부(20)는, 기판(웨이퍼(W))을 보유 지지해서 회전시킨다. 외측 컵(51)은, 기판 회전부(20)에 보유 지지되는 기판(웨이퍼(W))의 주위를 환상으로 덮는다. 내측 컵(52)은, 외측 컵(51)의 내측에 배치됨과 함께, 기판 회전부(20)에 보유 지지되는 기판(웨이퍼(W))의 하방에 배치된다. 환상 드레인(64)은, 외측 컵(51)과 내측 컵(52)의 사이에 형성되어, 기판(웨이퍼(W))에 공급된 처리액을 외부로 배출한다. 배기 통로(62)는, 내측 컵(52)의 내측에 형성된다. 내측 컵(52)은, 내측 컵(52)과 외측 컵(51)으로 형성되는 액받이 공간(60)과 배기 통로(62)의 사이를 연통하는 배기 구멍(61)을 갖는다. 배기 구멍(61)은, 내측 컵(52)의 외면(52c)으로부터 내면(52d)까지 비스듬히 아래 방향을 향해서 형성된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 주위에 체류하는 처리액의 미스트 등에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 내측 컵(52)은, 외측을 향함에 따라서 서서히 낮아지는 경사부(52a)와, 경사부(52a)의 외주 단부로부터 환상 드레인(64)을 향해서 연직 방향으로 연장되는 연직부(52b)를 갖는다. 또한, 배기 구멍(61)은, 연직부(52b)에 배치된다. 이에 의해, 내측 컵(52)을 타고 떨어지는 처리액을 양호하게 분리할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 외측 컵(51)은, 내측 컵(52)의 경사부(52a)를 따라 내면이 경사지는 상측 환상 부재(54)를 갖는다. 또한, 상측 환상 부재(54)의 내면은, 평면으로 보아, 내주 단부에 소여의 폭을 갖는 소수면(표면(55c))과, 소수면(표면(55c))의 외측에 위치하는 친수면(내면(55a))을 갖는다. 이에 의해, 상측 환상 부재(54)의 내면으로부터 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 수평 방향으로 이동 가능하고, 기판 회전부(20)에 보유 지지되는 기판(웨이퍼(W))에 처리액을 공급하는 처리액 노즐(노즐(32))을 더 구비한다. 또한, 외측 컵(51)은, 기판(웨이퍼(W))의 주연부 상방의 처리 위치와, 처리 위치보다 외측의 대기 위치의 사이에서 처리액 노즐(노즐(32))을 이동 가능하게 하기 위해서 형성되는 개구부(51f)를 갖는다. 또한, 처리액 노즐(노즐(32))은, 개구부(51f)의 적어도 일부를 막는 커버(59)를 갖는다. 이에 의해, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 커버(59)는, 측벽부(59a, 59b, 59c) 및 상벽부(59d)를 갖는다. 측벽부(59a, 59b, 59c)는, 처리액 노즐(노즐(32))의 측부에 근접해서 배치된다. 상벽부(59d)는, 처리액 노즐(노즐(32))의 상방에 배치된다. 이에 의해, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 측벽부(59b)는, 기판 회전부(20)의 중심에서 보아 처리액 노즐(노즐(32))의 외측에 배치되어, 처리액 노즐(노즐(32))이 처리 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 적어도 일부를 막는다. 이에 의해, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 측벽부(59a)는, 기판 회전부(20)의 중심에서 보아 처리액 노즐(노즐(32))의 내측에 배치되어, 처리액 노즐(노즐(32))이 대기 위치에 있을 경우에, 개구부(51f)의 적어도 일부를 막는다. 이에 의해, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 외측 컵(51)의 내면(51d)은, 기판(웨이퍼(W))에 가장 가까운 개소로부터 외측을 향해서 수평하게 연장되는 수평부(51d1)를 갖는다. 이에 의해, 역류한 처리액에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 환상 드레인(64)에 세정액(CL)을 공급하는 세정액 노즐(46)을 더 구비한다. 또한, 환상 드레인(64)은, 세정액 노즐(46)이 마련되는 위치에 대향하는 위치의 저면에 배액구(64a)를 갖는다. 이에 의해, 환상 드레인(64) 전체를 양호하게 세정할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 환상 드레인(64)은, 배액구(64a)가 가장 낮아지는 경사를 갖는다. 이에 의해, 환상 드레인(64) 전체를 양호하게 세정할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 각 부를 제어하는 제어부(12)를 더 구비한다. 또한, 제어부(12)는, 앞의 기판(웨이퍼(W))을 처리액으로 처리한 후, 다음 기판(웨이퍼(W))을 처리액으로 처리하기 전에 세정액 노즐(46)로부터 환상 드레인(64)에 세정액(CL)을 공급한다. 이에 의해, 드레인 세정 처리에 있어서 액받이 공간(60) 내에 체류하는 처리액의 미스트 양이 일시적으로 증대하였다고 해도, 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 각 부를 제어하는 제어부(12)를 더 구비한다. 또한, 제어부(12)는, 노즐(32)로부터 기판(웨이퍼(W))에 린스액을 공급하는 처리와 동일한 타이밍에 세정액 노즐(46)로부터 환상 드레인(64)에 세정액(CL)을 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 전체 처리 시간을 단축시킬 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 방법은, 상기 기판 처리 장치(1)에 있어서, 환상 드레인(64)에 세정액(CL)을 공급하는 공정(스텝 S111)을 포함한다. 이러한 세정액(CL)을 공급하는 공정(스텝 S111)은, 앞의 기판(웨이퍼(W))을 처리액으로 처리한 후, 다음 기판(웨이퍼(W))을 처리액으로 처리하기 전에 세정액 노즐(46)로부터 환상 드레인(64)에 세정액(CL)을 공급한다. 이에 의해, 드레인 세정 처리에 있어서 액받이 공간(60) 내에 체류하는 처리액의 미스트 양이 일시적으로 증대하였다고 해도, 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시 형태에 관한 기판 처리 방법은, 상기 기판 처리 장치(1)에 있어서, 환상 드레인(64)에 세정액(CL)을 공급하는 공정(스텝 S121)을 포함한다. 이러한 세정액(CL)을 공급하는 공정(스텝 S121)은, 노즐(32)로부터 기판(웨이퍼(W))에 린스액을 공급하는 공정(스텝 S103)과 동일한 타이밍에 세정액 노즐(46)로부터 환상 드레인(64)에 세정액(CL)을 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 전체 처리 시간을 단축시킬 수 있다.
이상, 본 개시의 각 실시 형태에 대해서 설명하였지만, 본 개시는 상기 각 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 취지를 일탈하지 않는 한 다양한 변경이 가능하다.
금회 개시된 각 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 각 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 각 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
W: 웨이퍼(기판의 일례) 1: 기판 처리 장치
12: 제어부 20: 기판 회전부
32: 노즐 46: 세정액 노즐
50: 회수부 51: 외측 컵
51d: 내면 51d1: 수평부
51f: 개구부 52: 내측 컵
52a: 경사부 52b: 연직부
52c: 외면 52d: 내면
53: 컵 기초부 53a: 내면
54: 상측 환상 부재 55: 제1 부재
55a: 내면(친수면의 일례) 56: 제2 부재
56a: 표면(소수면의 일례) 56b: 지지부
56c: 꺾임부 59: 커버
59a, 59b, 59c: 측벽부 59d: 상벽부
59e: 돌출부 60: 액받이 공간
61: 배기 구멍 62: 배기 통로
63: 배기구 64: 환상 드레인
64a: 배액구 64b: 세정액 공급부
CL: 세정액

Claims (14)

  1. 기판을 보유 지지해서 회전시키는 기판 회전부와,
    상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판의 주위를 환상으로 덮는 외측 컵과,
    상기 외측 컵의 내측에 배치됨과 함께, 상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판의 하방에 배치되는 내측 컵과,
    상기 외측 컵과 상기 내측 컵의 사이에 형성되어, 상기 기판에 공급된 처리액을 외부로 배출하는 환상 드레인과,
    상기 내측 컵의 내측에 형성되는 배기 통로
    를 구비하고,
    상기 내측 컵은, 상기 내측 컵과 상기 외측 컵으로 형성되는 액받이 공간과 상기 배기 통로의 사이를 연통하는 배기 구멍을 갖고,
    상기 배기 구멍은, 상기 내측 컵의 외면으로부터 내면까지 비스듬히 아래 방향을 향해서 형성되는,
    기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내측 컵은, 외측을 향함에 따라서 서서히 낮아지는 경사부와, 상기 경사부의 외주 단부로부터 상기 환상 드레인을 향해서 연직 방향으로 연장되는 연직부를 갖고,
    상기 배기 구멍은, 상기 연직부에 배치되는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 외측 컵은, 상기 내측 컵의 상기 경사부를 따라 내면이 경사지는 상측 환상 부재를 갖고,
    상기 상측 환상 부재의 내면은, 평면으로 보아, 내주 단부에 소여의 폭을 갖는 소수면과, 상기 소수면의 외측에 위치하는 친수면을 갖는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 수평 방향으로 이동 가능하고, 상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 노즐을 더 구비하고,
    상기 외측 컵은, 상기 기판의 주연부 상방의 처리 위치와, 상기 처리 위치보다 외측의 대기 위치의 사이에서 상기 처리액 노즐을 이동 가능하게 하기 위해서 형성되는 개구부를 갖고,
    상기 처리액 노즐은, 상기 개구부의 적어도 일부를 막는 커버를 갖는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 커버는, 측벽부 및 상벽부를 갖고,
    상기 측벽부는, 상기 처리액 노즐의 측부에 근접해서 배치되고,
    상기 상벽부는, 상기 처리액 노즐의 상방에 배치되는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 측벽부는, 상기 기판 회전부의 중심에서 보아 상기 처리액 노즐의 외측에 배치되고, 상기 처리액 노즐이 상기 처리 위치에 있을 경우에, 상기 개구부의 적어도 일부를 막는, 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 측벽부는, 상기 기판 회전부의 중심에서 보아 상기 처리액 노즐의 내측에 배치되고, 상기 처리액 노즐이 상기 대기 위치에 있을 경우에, 상기 개구부의 적어도 일부를 막는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 외측 컵의 내면은, 상기 기판에 가장 가까운 개소로부터 외측을 향해서 수평하게 연장되는 수평부를 갖는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 환상 드레인에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 더 구비하고,
    상기 환상 드레인은, 상기 세정액 노즐이 마련되는 위치에 대향하는 위치의 저면에 배액구를 갖는, 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 환상 드레인은, 상기 배액구가 가장 낮아지는 경사를 갖는, 기판 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서, 각 부를 제어하는 제어부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    앞의 상기 기판을 처리액으로 처리한 후, 다음 상기 기판을 처리액으로 처리하기 전에 상기 세정액 노즐로부터 상기 환상 드레인에 세정액을 공급하는, 기판 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서, 각 부를 제어하는 제어부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    노즐로부터 상기 기판에 린스액을 공급하는 처리와 동일한 타이밍에 상기 세정액 노즐로부터 상기 환상 드레인에 세정액을 공급하는, 기판 처리 장치.
  13. 기판을 보유 지지해서 회전시키는 기판 회전부와, 상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판의 주위를 환상으로 덮는 외측 컵과, 상기 외측 컵의 내측에 배치됨과 함께, 상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판의 하방에 배치되는 내측 컵과, 상기 외측 컵과 상기 내측 컵의 사이에 형성되어, 상기 기판에 공급된 처리액을 외부로 배출하는 환상 드레인과, 상기 내측 컵의 내측에 형성되는 배기 통로와, 상기 환상 드레인에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 구비하고, 상기 내측 컵은, 상기 내측 컵과 상기 외측 컵으로 형성되는 액받이 공간과 상기 배기 통로의 사이를 연통하는 배기 구멍을 갖고, 상기 배기 구멍은, 상기 내측 컵의 외면으로부터 내면까지 비스듬히 아래 방향을 향해서 형성되는 기판 처리 장치에 있어서,
    앞의 상기 기판을 처리액으로 처리한 후, 다음 상기 기판을 처리액으로 처리하기 전에 상기 세정액 노즐로부터 상기 환상 드레인에 세정액을 공급하는 공정을 포함하는,
    기판 처리 방법.
  14. 기판을 보유 지지해서 회전시키는 기판 회전부와, 상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판의 주위를 환상으로 덮는 외측 컵과, 상기 외측 컵의 내측에 배치됨과 함께, 상기 기판 회전부에 보유 지지되는 상기 기판의 하방에 배치되는 내측 컵과, 상기 외측 컵과 상기 내측 컵의 사이에 형성되어, 상기 기판에 공급된 처리액을 외부로 배출하는 환상 드레인과, 상기 내측 컵의 내측에 형성되는 배기 통로와, 상기 환상 드레인에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 구비하고, 상기 내측 컵은, 상기 내측 컵과 상기 외측 컵으로 형성되는 액받이 공간과 상기 배기 통로의 사이를 연통하는 배기 구멍을 갖고, 상기 배기 구멍은, 상기 내측 컵의 외면으로부터 내면까지 비스듬히 아래 방향을 향해서 형성되는 기판 처리 장치에 있어서,
    노즐로부터 상기 기판에 린스액을 공급하는 공정과 동일한 타이밍에 상기 세정액 노즐로부터 상기 환상 드레인에 세정액을 공급하는 공정을 포함하는,
    기판 처리 방법.
KR1020247017916A 2021-11-04 2022-09-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20240091165A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-179937 2021-11-04
JP2021179937 2021-11-04
PCT/JP2022/036638 WO2023079872A1 (ja) 2021-11-04 2022-09-30 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240091165A true KR20240091165A (ko) 2024-06-21

Family

ID=85401485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247017916A KR20240091165A (ko) 2021-11-04 2022-09-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2023079872A1 (ko)
KR (1) KR20240091165A (ko)
CN (2) CN218602388U (ko)
TW (1) TW202336846A (ko)
WO (1) WO2023079872A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016054170A (ja) 2014-09-02 2016-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147672A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転式処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016054170A (ja) 2014-09-02 2016-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202336846A (zh) 2023-09-16
JPWO2023079872A1 (ko) 2023-05-11
WO2023079872A1 (ja) 2023-05-11
CN118160074A (zh) 2024-06-07
CN218602388U (zh) 2023-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5331865B2 (ja) 基板処理においてメニスカスを用いるための装置および方法
US7431038B2 (en) Wet processing device and wet processing method
KR102566736B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US6954993B1 (en) Concentric proximity processing head
EP1583136A1 (en) Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
KR20130115143A (ko) 액 처리 장치
JP4722570B2 (ja) 基板洗浄方法，記録媒体及び基板洗浄装置
KR102294940B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
KR102377848B1 (ko) 기판 액처리 장치
KR102635385B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20160012076A (ko) 현상 장치
US20200388511A1 (en) Substrate processing apparatus
JP5954195B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR20240091165A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20240095258A (ko) 기판 처리 장치
CN111630634A (zh) 处理液吐出配管以及基板处理装置
JP2012204451A (ja) 基板処理装置
JP7454989B2 (ja) 基板処理装置
KR102418934B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230159266A (ko) 기판 처리 장치 및 액받이 용기의 세정 방법