KR20240044923A - 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법 - Google Patents

포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240044923A
KR20240044923A KR1020220124527A KR20220124527A KR20240044923A KR 20240044923 A KR20240044923 A KR 20240044923A KR 1020220124527 A KR1020220124527 A KR 1020220124527A KR 20220124527 A KR20220124527 A KR 20220124527A KR 20240044923 A KR20240044923 A KR 20240044923A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
formula
compound
represented
photosensitive compound
Prior art date
Application number
KR1020220124527A
Other languages
English (en)
Inventor
김정탁
박동경
천승진
서도원
Original Assignee
송원산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 송원산업 주식회사 filed Critical 송원산업 주식회사
Priority to KR1020220124527A priority Critical patent/KR20240044923A/ko
Publication of KR20240044923A publication Critical patent/KR20240044923A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
    • C07C67/30—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group
    • C07C67/31—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by introduction of functional groups containing oxygen only in singly bound form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/66—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety
    • C07C69/67—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety of saturated acids
    • C07C69/675—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety of saturated acids of saturated hydroxy-carboxylic acids
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법은 폴리하이드록시 화합물과 비닐산 무수물을 극성 용매에 용해시킨 상태에서 아민계 촉매를 적가하여 아크릴레이트 화합물을 합성하는 에스테르화 반응 단계, 상기 아크릴레이트 화합물과 아크릴레이트산을 알코올계 용매에 용해시킨 상태에서 염기성 촉매를 적가하여 하기 포토레지스트용 감광성 화합물을 포함하는 혼합물을 생성하는 가수분해 단계 및 상기 혼합물에서 포토레지스트용 감광성 화합물만을 회수하는 단계를 포함하는 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법.

Description

포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법{PHOTOSENSITIVE COMPOUND FOR PHOTORESIST AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 포토레지스트용 감광성 화합물 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하이드로퀴논과 메타크릴 무수물의 에스테르화 반응을 통해 포토레지스트용 감광성 화합물을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
반도체 리소그래피 공정은 포토레지스트를 도포한 실리콘 웨이퍼 위에 마스크를 통하여 회로를 노광하고 이후 열처리 과정을 거쳐 이를 현상함으로써 패턴을 형성하는 공정이다.
포토레지스트는 노광에 의한 화학적 변화를 이용하여 노광부분 또는 비노광을 선택적으로 용해 가능하게 함으로써 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는데 중요한 역할을 한다.
한편, 리소그래피 공정에서 사용되는 노광 광원의 파장이 짧아질수록 웨이퍼상에 형성할 수 있는 패턴의 해상도도 미세하게 되는바 리소그래피 공정에서 사용되는 노광 광원의 파장은 KrF laser(248nm), ArF laser(193nm), F2 laser(157nm)로 점점 짧아지고 있는 추세이다.
특히, 최근에는 극자외선 파장의 광원을 적용한 EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피 장비가 상용화됨에 따라 EUV 공정용 포토레지스트에 대한 수요도 증가하고 있는 추세이다.
본 발명의 목적은 EUV 리소그래피 공정에서 사용될 수 있는 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법은, 화학식 (II)으로 표시되는 폴리하이드록시 화합물과 화학식 (III)으로 표시되는 비닐산 무수물을 극성 용매에 용해시킨 상태에서 아민계 촉매를 적가하여 화학식 (IV)로 표시되는 아크릴레이트 화합물을 합성하는 에스테르화 반응 단계, 상기 아크릴레이트 화합물과 아크릴레이트산을 알코올계 용매에 용해시킨 상태에서 염기성 촉매를 적가하여 하기 화학식 (I)로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물을 포함하는 혼합물을 생성하는 가수분해 단계 및 상기 혼합물에서 하기 화학식 (I)로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물만을 회수하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화학식 (II)으로 표시되는 폴리하이드록시 화합물은 하이드로퀴논이고, 상기 화학식 (III)으로 표시되는 비닐산 무수물은 메타크릴산무수물일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 에스테르화 반응에서의 반응 용매는 메틸 터트-부틸 에테르이고, 상기 아민계 촉매는 트리에틸아민일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 에스테르화 반응에서 합성한 상기 아크릴레이트 화합물은, 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 가수분해 단계에서 상기 아크릴레이트산은 상기 R3이 메틸인 메타크릴산일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 가수분해 단계에서 상기 알코올계 용매는 에탄올이고, 상기 염기성 촉매는 수산화 암모늄일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 화학식 (I)로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물은, p-하이드록시페닐 메타크릴레이트일 수 있다.
상술한 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법과 같이 산의 부재하에 아민계 촉매와 극성 용매를 이용하여 감광성 화합물을 제조하면 산성 조건에서 반응을 진행하는 경우 대비 반응 온도를 낮추어 상온에서 반응을 진행할 수 있게 된다는 효과를 달성할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
또한, 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함될 수 있다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트용 감광성 화합물은 하기 화학식 1로 표시 되는 화합물일 수 있다. 또한, 하기 화학식 1을 기본 구조로 하여 상기 기본 구조가 반복되는 포토레지스트를 구성할 수 있다.
상기 식에서 R1은 탄소수 1 이상 8이하의 직쇄상 혹은 분지상의 알킬기일 수 있다. 바람직하게 화학식 1로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물은 R1이 메틸인 p-하이드록시페닐 메타크릴레이트일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법은 제1 반응인 에스테르화 반응화 제2 반응인 가수분해 반응을 포함한다. 제1 반응과 제2 반응은 순차적으로 진행될 수 있다. 구체적으로, 제1 반응과 제2 반응은 하나의 반응 용기 내에서 연속적으로 진행될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
이하에서는 포토레지스트용 감광성 화합물을 제조하기 위한 제1 반응과 제2 반응을 상세하게 설명하도록 한다.
제1 반응 : 에스테르화 반응
본 발명의 일 실시예에 다른 제1 반응은 화학식 2로 표시되는 폴리하이드록시 화합물과 화학식 3으로 표시되는 비닐산 무수물을 에스테르화 반응을 통해 아크릴레이트 화합물을 생성하는 반응이다.
여기에서, R2는 동일하거나 상이하며 수소, 탄소수 1~20인 분기상, 직쇄상 또는 환상의 알킬기, 수산화기이되 적어도 하나는 반드시 수산화기일 수 있다.
여기에서, R1은 화학식 1에서의 R1과 동일하다.
구체적으로, 폴리하이드록시 화합물과 비닐산 무수물을 극성 용매에 용해시킨 상태에서 아민계 촉매를 적가하여 산의 부재하에 상온에서 10시간 내지 20시간동안 반응시킨다. 바람직하게, 반응시간은 16시간 내지 20시간 이며, 더욱 바람직하게는 18시간일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 극성 용매는 에테르(ether) 계열의 용매로서, 메틸 tert-부틸에테르(methyl tert-butyl ehter, MTBE), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF), 디에틸 에테르, 디메톡시 에탄(dimethoxy ethane, DME)이거나 이들의 혼합물일 수 있다.
바람직하게, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 반응인 에스테르화 반응에서는 메틸 tert-부틸에테르(methyl tert-butyl ehter, MTBE)가 주용매로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 아민계 촉매로는 일차, 이차 및 삼차 아민, 천영 발생 치환 아민, 사이클릭 아민을 포함하는 치환 아민 및 염기성 이온 교환 수지, 가령 아이소프로필아민, 트라이메틸아민, 다이에틸아민, 트라이에틸아민, 트라이프로필아민, 에탈올아민, 트라이메타민, 다이사이클로헥실아민, 에틸린렌다이아민 중 하나일 수 있다. 바람직하게, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 반응인 에스테르화 반응에서 사용되는 아민계 촉매는 트라이에틸아민일 수 있다.
상술한 바와 같이, 산의 부재하에 아민계 촉매와 극성 용매를 이용하여 에스테르화 반응을 진행하면 산성 조건에서 반응을 진행하는 경우 대비 반응 온도를 낮추어 상온에서 반응을 진행할 수 있게 된다는 효과를 달성할 수 있다.
또한, 중간체인 아크릴레이트로의 전환률 및 최종 산물인 포토레지스트용 감광성 화합물의 수율을 증대시킬 수 있다는 효과를 달성할 수 있다.
상술한 에스테르와 반응을 통해 합성한 아크릴레이트 화합물은 화학식 4로 표시되는 화합물일 수 있다.
여기에서, R1은 화학식 1에서의 R1과 동일하다. 바람직하게, 화학식 4의 아크릴레이트 화합물은 R1에 메틸인 일 수 있다.
제2 반응 : 가수분해 반응
에스테르화 반응을 통해 수득한 중간체인 화학식 4의 아크릴레이크 화합물로부터 최종 산물인 포토레지스트용 감광성 화합물을 합성하기 위해 화학식 4의 아크릴레이트 화합물에 대한 가수분해 반응을 진행한다.
구체적으로, 알코올계 용매에 화학식 4의 아크릴레이트 화합물과 화학식 5의 아크릴레이트산을 용해시킨 상태에서 염기성 촉매를 적가하여 20oC 내지 40 oC에서 20시간 내지 28시간 동안 반응시킨다. 바람직하게는 반응은 상온에서 22시간 동안 이루어질 수 있다.
여기에서, R3은 수소 도는 알킬, 예컨데, C1-C6인 알킬일 수 있다. 바람직하게, 화학식 5로 표시되는 아크릴레이트산은 R3이 메틸인 메타크릴산(Methyl Methacrylate Acid, MAA)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가수분해 반응에서 사용될 수 있는 알코올계 용매로는 에탄올, 이소프로필알코올, 아밀알코올, 4-메틸2-펜탄올, 시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 디아세톤 알코올 등의 탄소수 1 내지 18의 1가의 알코올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디포르필렌글리콜, 트리에틸글리콜, 트리프로필렌글리콜 등의 탄소수 2 내지 12의 2가의 알코올이나 이들의 부분 에테르 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가수분해 반응에서 알코올계 용매의 바람직한 함량은 화학식 4로 표시되는 화합물 중량 대비 10~100 배이며, 더욱 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중량 대비 20 ~ 50배이다. 알코올계 용매의 비율이 상기 수치를 상회하는 경우 부반응물이 생성될 수 있고, 상기 수치를 하회하는 경우 미반응물이 존재할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 가수분해 반응에서 사용될 수 있는 염기성 촉매는 암모니아(ammonia), 메틸아민(methyl amine), 에틸아민(ethyl amine), n-프로필아민(n-propyl amine), n-부틸아민(n-bytyl amine), 디메틸아민(dimethyl amine), 디에틸아민(dietyl amine), 디프로필아민(dipropyl amine), 디부틸아민(dibutyl amine), 트리메틸아민(trimetyl amine), 트리에틸아민(trietyl amine), 트리프로필아민(tripropyl amine), 트리부틸아민(tributyl amine) 및 수산화암모늄(ammonium hydroxide)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 상기 염기성 촉매는 가수분해 속도를 조절하도록 도움을 주어 입자의 구형화도 및 균일성을 확보할 수 있다. 바람직하게는, 상기 염기성 용매는, 수산화암모늄(ammonium hydroxide)일 수 있다.
상술한 가수분해 반응이 완료되면 반응기 내부에는 최종 산물인 화학식 1로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물 이외에 미반응물인 화학식 4의 아크릴레이트 화합물과 화학식 5의 아크릴레이트산 잔존해있고 부산물인 화학식 2의 폴리하이드록시 화합물이 생성된다.
이후, 화학식 1로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물의 순도를 높이기 위해 후속적인 분리 공정 또는 분별 증류 공정이 더 수행될 수도 있다.
구체적으로, 가수분해 후 잔류 수산화암모늄을 제거하기 위해 아세트산을 투입하여 중화한다. 또한, 잔여물의 수세를 위해 가수분해 용매인 에탄올을 증류로 제거하고 추출용매인 톨루엔을 투입한다. 이후 탄산수소나트륨 수용액과 황산수용액을 순차적으로 투입하여 교반 후 정치 및 분리하여 불순물을 제거한다. 불순물 제거가 완료되면 잔류 산을 제거하기 위해 물을 투입하여 교반한 후 이를 정치 및 분리하고 황산을 수세한다.
최종 산물을 결정화 하기 전 불순물을 추가적으로 제거하기 위해 실리카겔 여과를 실시하고 이후 수세 용매인 톨루엔을 증류로 제거하면서 결정을 석출한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 여과 및 건조가 용이하도록 헵탄을 투입할 수 있다.
상술한 과정을 통해 합성한 포토레지스트용 감광성 화합물은 EUV 노과용 포토레지스트의 구성 성분인 폴리머의 단량체로 사용될 수 있다.
이하에서는, 구체적인 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하도록 한다. 다만, 본 발명에 따른 화합물들은 하기 실시예 또는 비교예로 제한되지는 않는다.
실시예 1
하이드로퀴논(Hydroquinone, HQ)(0.18mol, 20.0g)과 메타크릴산무수물(Methacrylic Anhydride, MAAN) (0.45mol, 70.0g)을 메틸 터트-부틸 에테르(Methyl tertiary-butyl ether, MTBE) 140g에 넣고 잘 섞은 후, 트리에틸아민(Triethyamine) (0.49mol, 49.6g)을 상온에서 2시간 동안 적가 하였다. 적가 후 하이드로퀴논을 모두 소진 시키기 위해 30oC에서 18시간 동안 교반하였다.
상기 반응을 통해 합성한 중간체인 di-체와 메타아크릴레이트 화합물 (0.15mol, 38.0g)을 에탄올(455.9g)에 넣고 잘 섞은 후, 수산화 암모늄(Ammonium Hydroxide)수용액 (0.15mol, 21.6g)과 증류수(171.6g)을 상온에서 적가 하였다.
적가 후 40oC에서 22시간 동안 교반하면서 가수 분해한다. 가수 분해가 완료되면 아세트산을 투입하여 잔류 수산화 암모늄을 제거하고 반응용매를 증류로 제거한 후 수세하여 최종 산물을 수득한다. 상술한 방법을 통해 합성한 포토레지스트용 감광성 화합물의 수율은 57%이다.
비교예 1
하이드로퀴논(Hydroquinone, HQ)(0.18mol, 20.0g)과 황산나트륨(Sodium sulfate, Na2SO4)(0.02mol, 1.7g)을 톨루엔 30g에 넣고 교반한다. 메타크릴산(Methyl Methacrylate Acid, MAA) (0.18mol, 15.6g)과 황산(0.02mol, 1.7g)을 40℃에서 2시간 동안 적가 하였다. 적가 후 110도에서 8시간 동안 탈수 반응을 한다.
추출 용매인 톨루엔(200.0g)을 투입한다. 초순수(75.0g)을 투입하여 40℃에서 1시간 동안 교반하여 폐수를 분리한다. 탄산수소나트륨 수용액(79.0g)을 투입하여 40oC에서 1시간 교반 후 정치/분리하여 불순물을 제거한다. 탄산수소나트륨 수용액(51.1g)을 투입하여 40oC에서 1시간 교반 후 정치/분리하여 불순물을 제거한다. 황산수용액(51.6g)을 투입하여 40oC에서 1시간 교반 후 정치/분리하여 불순물을 제거한다. 초순수(50.0g)을 투입하여 40oC에서 1시간 교반 후 정치/분리하여 잔류하는 황산을 씻어낸다(3회반복). 실리카겔 여과 후 톨루엔을 감압 증류로 제거하면서 결정을 석출 시킨다. 여과 및 건조가 용이하도록 헵탄(40.0g)을 투입하여 여과를 실시한다. 탈액 후 24시간 동안 진공 건조를 실시한다. 수율은 36%이다.
이하, 본 발명의 따른 포토레지스트용 감광성 화합물 제조방법과 비교에 따른 화합물 제조방법의 전환률 및 수율을 비교하였다. 여기에서, 전환률은 중간체인 화학식 4 표시되는 아크릴레이트 화합물을 기준으로 산출하였고, 수율을 최종 산물인 화학식 1로 표시되는 p-하이드록시페닐 메타크릴레이트를 기준으로 산출하였다.
중간체
(아크릴레이트 화합물)		 최종 산물
(p-하이드록시페닐 메타크릴레이트)
전환율 전환율 수율
실시예 1 85% 67% 57%
비교예 1 - 36% 36%
이상 본 개시의 실시예들을 설명하였지만, 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 본 개시가 다른 구체적인 형태로도 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시에 의해 정의되는 기술적 사상의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 화학식 (I)로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법에 있어서,
    (I)
    화학식 (II)으로 표시되는 폴리하이드록시 화합물과 화학식 (III)으로 표시되는 비닐산 무수물을 극성 용매에 용해시킨 상태에서 아민계 촉매를 적가하여 화학식 (IV)로 표시되는 아크릴레이트 화합물을 합성하는 에스테르화 반응 단계;
    (II)

    (III)

    (IV)

    상기 아크릴레이트 화합물과 아크릴레이트산을 알코올계 용매에 용해시킨 상태에서 염기성 촉매를 적가하여 하기 화학식 (I)로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물을 포함하는 혼합물을 생성하는 가수분해 단계; 및
    상기 혼합물에서 하기 화학식 (I)로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물만을 회수하는 단계를 포함하는 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 (II)으로 표시되는 폴리하이드록시 화합물은 하이드로퀴논이고,
    상기 화학식 (III)으로 표시되는 비닐산 무수물은 메타크릴산무수물인 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 에스테르화 반응에서의 반응 용매는 메틸 터트-부틸 에테르이고, 상기 아민계 촉매는 트리에틸아민은 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 에스테르화 반응에서 합성한 상기 아크릴레이트 화합물은, 인 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가수분해 단계에서 상기 아크릴레이트산은 상기 R3이 메틸인 메타크릴산인 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가수분해 단계에서 상기 알코올계 용매는 에탄올이고, 상기 염기성 촉매는 수산화 암모늄인 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    화학식 (I)로 표시되는 포토레지스트용 감광성 화합물은,
    p-하이드록시페닐 메타크릴레이트인 포토레지스트용 감광성 화합물의 제조 방법.
KR1020220124527A 2022-09-29 2022-09-29 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법 KR20240044923A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220124527A KR20240044923A (ko) 2022-09-29 2022-09-29 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220124527A KR20240044923A (ko) 2022-09-29 2022-09-29 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240044923A true KR20240044923A (ko) 2024-04-05

Family

ID=90714386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220124527A KR20240044923A (ko) 2022-09-29 2022-09-29 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20240044923A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005075406A1 (ja) アダマンタン誘導体及びその製造方法
KR20110131904A (ko) 광산발생제, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101795825B1 (ko) 아다만틸(메트)아크릴계 모노머 및 그것을 반복 단위로 함유하는 (메트)아크릴계 중합체
CN111704601A (zh) 一种由3,5-二羟基环己酮合成的可降解型光刻胶产酸树脂单体及其制备方法
KR20240044923A (ko) 포토레지스트용 감광성 화합물 제조 방법
JP4429754B2 (ja) アダマンタン誘導体及びその製造方法
TWI423948B (zh) 光酸產生劑及其製造方法，以及含有該光酸產生劑的光阻組合物
JP5137982B2 (ja) アダマンタン誘導体及びその製造方法
CN112969965A (zh) 噻吨酮衍生物、包含其的组合物和包含所述组合物的图案形成方法
JP4866517B2 (ja) （メタ）アクリル酸無水物の製造方法および（メタ）アクリル酸エステルの製造方法
JP2006063061A (ja) アダマンタン誘導体及びその製造方法
JP7322716B2 (ja) アルコール化合物の製造方法及び（メタ）アクリレート化合物の製造方法
CN105143291B (zh) 新型脂环式酯化合物、(甲基)丙烯酸类共聚物以及包含它的感光性树脂组合物
EP1764356B1 (en) Process for producing (meth)acrylic anhydride
CN112920098A (zh) 一种光致产酸剂及其合成方法
US6359153B1 (en) Photoresist monomers and preparation thereof
CN115594790B (zh) 一种含光致酸产生剂光敏聚合物及其制备方法
CN113816885B (zh) 一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的制备方法
KR101274477B1 (ko) 유기용제의 정제방법
KR20230156223A (ko) 크리센 화합물을 포함하는 ArF 노광용 포토레지스트 조성물, 이를 이용하는 패턴 형성 방법 및 6-니트로크리센의 합성 방법
KR101509197B1 (ko) 신규한 광산발생제, 이를 포함하는 감광성 고분자 및 이의 제조방법
CN113801042B (zh) 一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂
CN115819237A (zh) 一种含氟光刻胶树脂单体的制备方法
JP2010018566A (ja) アダマンチル（メタ）アクリレート類の製造方法
KR100400299B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 모노머 및 그 제조방법