KR20240038071A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20240038071A
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laser irradiation
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요시히로 카와구치
세이지 나카노
요헤이 야마와키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판에 레이저광을 조사하여 당해 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판에 상기 레이저광을 조사하는 레이저 조사부와, 분진을 수집하는 집진부를 가지고, 상기 집진부에는, 상기 레이저 조사부의 적어도 일부를 수용하고, 당해 레이저 조사부가 이동 가능한 수용부가 마련되어 있다. 상기 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은, 상기 레이저 조사부의 적어도 일부를 상기 수용부에 이동 가능하게 수용하는 것과, 상기 레이저 조사부로부터 상기 기판에 상기 레이저광을 조사하면서, 상기 집진부와 상기 기판과의 사이의 분위기를 당해 집진부에서 흡인하여 분진을 수집하는 것을 가진다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 레이저 가공 장치가 개시되어 있다. 레이저 가공 장치는, 피가공물을 레이저 가공하기 위한 집광기를 구비한 레이저광 조사 수단과, 레이저광의 조사에 의해 생성되는 분진을 수집하여 배출하는 분진 배출 수단을 구비한다.
일본특허공개공보 2007-069249호
본 개시에 따른 기술은, 기판에 레이저광을 조사하여 당해 기판을 처리할 시, 생성되는 분진을 적절하게 수집한다.
본 개시의 일태양은, 기판에 레이저광을 조사하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판에 상기 레이저광을 조사하는 레이저 조사부와, 분진을 수집하는 집진부를 가지고, 상기 집진부에는, 상기 레이저 조사부의 적어도 일부를 수용하고, 상기 레이저 조사부가 이동 가능한 수용부가 마련되어 있다.
본 개시에 따르면, 기판에 레이저광을 조사하여 당해 기판을 처리할 시, 생성되는 분진을 적절하게 수집할 수 있다.
도 1은 웨이퍼 처리 시스템에서 처리되는 중합 웨이퍼의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 2는 웨이퍼 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 설명도이다.
도 4는 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 5는 제 1 웨이퍼의 내부에 형성된 주연 개질층의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 6은 막 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 7은 막 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 8은 막 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 9는 레이저 조사부와 상부 집진부의 일부의 구성의 개략을 나타내는 단면 사시도이다.
도 10은 상부 집진부의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 11은 상부 집진부의 구성의 개략을 나타내는 단면 사시도이다.
도 12는 상부 집진부의 일부의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 13은 상부 집진부의 일부의 구성의 개략을 나타내는 단면 사시도이다.
도 14는 상부 집진부에 있어서의 분위기의 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 15는 상부 집진부에 있어서의 분위기의 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 16은 하부 집진부의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 17은 하부 집진부의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 18은 비교예로서 하부 집진부를 마련하지 않는 경우를 나타내는 설명도이다.
도 19는 하부 집진부의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 20은 막 처리의 주요 공정을 나타내는 설명도이다.
도 21은 막 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
최근, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 표면에 복수의 전자 회로 등의 디바이스가 형성된 반도체 기판(이하, '웨이퍼'라 함)끼리가 접합된 중합 웨이퍼에 대한 처리가 행해지고 있다. 예를 들면, 중합 웨이퍼를 형성하는 제 1 웨이퍼를 박화하는 것, 및 제 1 웨이퍼에 형성된 디바이스를, 중합 웨이퍼를 형성하는 제 2 웨이퍼에 전사하는 것이 행해진다.
통상, 웨이퍼의 주연부는 면취 가공이 되어 있는데, 상술한 바와 같이 중합 웨이퍼에 있어서 박화 처리 및 전사 처리를 행하면, 박화 후의 제 1 웨이퍼 및 전사 후의 중합 웨이퍼의 주연부가 날카롭게 뾰족한 형상(이른바 나이프 엣지 형상)이 되는 경우가 있다. 그러면, 이들 웨이퍼의 주연부에서 치핑이 발생하여, 웨이퍼가 손상을 입을 우려가 있다. 이에, 처리 전의 제 1 웨이퍼의 주연부를 제거, 이른바 엣지트림을 행한다.
여기서, 엣지트림 후의 제 2 웨이퍼의 표면, 구체적으로, 제 1 웨이퍼의 제거에 의해 노출된 제 2 웨이퍼의 주연부에는, 불필요한 표면막 및 파티클이 잔류하고 있다. 이 표면막 및 파티클은, 중합 웨이퍼의 반송 중 또는 프로세스 중에 박리, 낙하, 또는 비산함으로써, 웨이퍼 처리 시스템의 내부, 카세트의 내부 또는 다른 중합 웨이퍼를 오염시키는 원인이 될 수 있다. 이에, 엣지트림 후에, 제 2 웨이퍼의 주연부에 있어서의 표면막을 제거하는 것이 행해진다.
주연부의 표면막의 제거에는 각종 방법이 상정되는데, 예를 들면 당해 표면막에 대하여 레이저광을 조사함으로써 제거한다. 이와 같이 레이저광을 이용하는 경우, 레이저 가공(어블레이션 가공)에 의해 미세한 분진이 생성된다. 분진이 레이저광의 집광 렌즈에 부착하면, 가공 품질이 저하된다. 또한, 분진이 웨이퍼면에 부착하면, 제품 웨이퍼의 생산 수율이 저하된다. 또한, 분진이 웨이퍼 처리 장치에 부착하면, 가동률이 저하된다.
이에 종래, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시된 레이저 가공 장치(웨이퍼 처리 장치)에서는, 레이저 가공 시에 생성되는 분진을 수집하여 배출하는 분진 배출 수단을 구비한다. 분진 배출 수단은 집광기의 하단부에 마련되어, 즉 분진 배출 수단과 집광기는 일체로 구성되어 있다. 또한, 이들 분진 배출 수단과 집광기는 일체로 이동 가능하게 구성되어 있다.
그러나, 분진 배출 수단과 집광기가 일체가 되어 이동하는 경우, 장치 내에 큰 스페이스가 필요해진다. 또한, 분진 배출 수단에 장착되는 배기관도 이동시킬 필요가 있기 때문에, 장치 내에 더 큰 스페이스가 필요해진다. 따라서, 종래의 기판 처리에는 개선의 여지가 있다.
본 개시에 따른 기술은, 기판에 레이저광을 조사하여 당해 기판을 처리할 시, 생성되는 분진을 적절하게 수집한다. 이하, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 막 처리 장치를 구비한 웨이퍼 처리 시스템, 및 기판 처리 방법으로서의 웨이퍼 처리 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따른 후술하는 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)가 접합된 기판으로서의 중합 웨이퍼(T)에 대하여 처리를 행한다. 그리고 웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)를 제거한다. 이하, 제 1 웨이퍼(W1)에 있어서, 제 2 웨이퍼(W2)에 접합되는 측의 면을 표면(W1a)이라 하고, 표면(W1a)과 반대측의 면을 이면(W1b)이라 한다. 마찬가지로, 제 2 웨이퍼(W2)에 있어서, 제 1 웨이퍼(W1)에 접합되는 측의 면을 표면(W2a)이라 하고, 표면(W2a)과 반대측의 면을 이면(W2b)이라 한다. 또한, 제 1 웨이퍼(W1)에 있어서, 제거 대상으로서의 주연부(We)보다 직경 방향 내측의 영역을 중앙부(Wc)라 한다.
제 1 웨이퍼(W1)는, 예를 들면 실리콘 기판 등의 반도체 웨이퍼로서, 표면(W1a)에 복수의 디바이스를 포함하는 디바이스층(D1)이 형성되어 있다. 또한, 디바이스층(D1)에는 접합용 막(F1)이 더 형성되고, 당해 접합용 막(F1)을 개재하여 제 2 웨이퍼(W2)와 접합되어 있다. 접합용 막(F1)으로서는, 예를 들면 산화막(SiO2막, TEOS막), SiC막, SiCN막 또는 접착제 등을 들 수 있다. 또한, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)는 면취 가공이 되어 있고, 주연부(We)의 단면은 그 선단을 향해 두께가 작아지고 있다. 또한, 주연부(We)는 후술하는 엣지트림에 있어서 제거되는 부분이며, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)의 외단부로부터 직경 방향으로 0.5 mm ~ 5 mm의 범위이다. 또한, 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)과의 계면에는, 주연부(We)의 제거에 있어 중합 웨이퍼(T)의 내부에 조사되는 레이저광을 흡수할 수 있는 레이저 흡수층(도시하지 않음)이 더 형성되어 있어도 된다. 또한, 디바이스층(D1)에 형성된 접합용 막(F1)을 레이저 흡수층으로서 이용해도 된다.
제 2 웨이퍼(W2)는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)와 동일한 구성을 가지고 있으며, 표면(W2a)에는 디바이스층(D2) 및 접합용 막(F2)이 형성되고, 주연부는 면취 가공이 되어 있다. 또한, 제 2 웨이퍼(W2)는 디바이스층(D2)이 형성된 디바이스 웨이퍼일 필요는 없으며, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)를 지지하는 지지 웨이퍼여도 된다. 이러한 경우, 제 2 웨이퍼(W2)는 제 1 웨이퍼(W1)의 디바이스층(D1)을 보호하는 보호재로서 기능한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 제 1 웨이퍼(W1) 및 제 2 웨이퍼(W2)에 형성된 디바이스층(D1, D2), 및 접합용 막(F1, F2)의 각각을 '표면막'이라 호칭하는 경우가 있다. 환언하면, 본 실시 형태에 따른 제 1 웨이퍼(W1) 및 제 2 웨이퍼(W2)에는, 복수의 표면막이 적층되어 형성되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 반입반출 블록(G1), 반송 블록(G2), 및 처리 블록(G3)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 반입반출 블록(G1), 반송 블록(G2) 및 처리 블록(G3)은, X축 부방향측으로부터 이 순으로 배열되어 배치되어 있다.
반입반출 블록(G1)은, 예를 들면 외부와의 사이에서 복수의 중합 웨이퍼(T)를 수용 가능한 카세트(C)가 반입반출된다. 반입반출 블록(G1)에는, 카세트 배치대(10)가 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 카세트 배치대(10)에는 복수, 예를 들면 4 개의 카세트(C)를 Y축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 또한, 카세트 배치대(10)에 배치되는 카세트(C)의 개수는, 본 실시 형태에 한정되지 않으며, 임의로 결정할 수 있다.
반송 블록(G2)에는, 카세트 배치대(10)의 X축 정방향측에 있어서, 당해 카세트 배치대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송 장치(20)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(20)는, Y축 방향으로 연신하는 반송로(21) 상을 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(20)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(22, 22)을 가지고 있다. 각 반송 암(22)은, 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(22)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않으며, 임의의 구성을 취할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(20)는, 카세트 배치대(10)의 카세트(C), 및 후술하는 트랜지션 장치(30)에 대하여, 중합 웨이퍼(T)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
반송 블록(G2)에는, 웨이퍼 반송 장치(20)의 X축 정방향측에 있어서, 당해 웨이퍼 반송 장치(20)에 인접하여, 중합 웨이퍼(T)를 전달하기 위한 트랜지션 장치(30)가 마련되어 있다.
처리 블록(G3)은, 웨이퍼 반송 장치(40), 세정 장치(50), 주연 제거 장치(60), 계면 개질 장치(70), 내부 개질 장치(80), 기판 처리 장치로서의 막 처리 장치(90), 및 검사 장치(100)를 가지고 있다.
웨이퍼 반송 장치(40)는, X축 방향으로 연신하는 반송로(41) 상을 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(40)는, 중합 웨이퍼(T)를 유지하여 반송하는, 예를 들면 2 개의 반송 암(42, 42)을 가지고 있다. 각 반송 암(42)은, 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반송 암(42)의 구성은 본 실시 형태에 한정되지 않으며, 임의의 구성을 취할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(40)는, 트랜지션 장치(30), 세정 장치(50), 주연 제거 장치(60), 계면 개질 장치(70), 내부 개질 장치(80), 및 막 처리 장치(90)에 대하여, 중합 웨이퍼(T)를 반송 가능하게 구성되어 있다.
세정 장치(50)는, 중합 웨이퍼(T)를 세정한다. 주연 제거 장치(60)는, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)의 제거, 즉 엣지트림 처리를 행한다. 계면 개질 장치(70)는, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 계면에 레이저광(계면용 레이저광, 예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 후술하는 미접합 영역(Ae)을 형성한다. 내부 개질 장치(80)는, 제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 레이저광(내부용 레이저광, 예를 들면 YAG 레이저)을 조사하여, 주연부(We)의 박리의 기점이 되는 주연 개질층(M1), 및 주연부(We)의 소편화의 기점이 되는 분할 개질층(M2)을 형성한다. 막 처리 장치(90)는, 엣지트림 처리에 의해 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서 노출된 표면막(잔막)에 대하여 레이저광(막 처리용 레이저광, 예를 들면 CO2 레이저 또는 IR 레이저)을 조사한다. 또한, 막 처리 장치(90)의 상세한 구성은 후술한다. 검사 장치(100)는, 미접합 영역(Ae) 형성 후의 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부, 또는, 막 처리 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부를 검사한다.
이상의 웨이퍼 처리 시스템(1)에는, 제어 장치(110)가 마련되어 있다. 제어 장치(110)는, 예를 들면 CPU 및 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 중합 웨이퍼(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로서, 당해 기억 매체(H)로부터 제어 장치(110)에 인스톨된 것이어도 된다. 또한, 상기 기억 매체(H)는, 일시적인 것이어도 비일시적인 것이어도 된다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부의 접합 장치(도시하지 않음)에 있어서, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)가 접합되어, 미리 중합 웨이퍼(T)가 형성되어 있다.
먼저, 복수의 중합 웨이퍼(T)를 수납한 카세트(C)가, 반입반출 블록(G1)의 카세트 배치대(10)에 배치된다. 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(20)에 의해 카세트(C) 내의 중합 웨이퍼(T)가 취출된다. 카세트(C)로부터 취출된 중합 웨이퍼(T)는, 트랜지션 장치(30)를 개재하여 웨이퍼 반송 장치(40)로 전달된 후, 계면 개질 장치(70)로 반송된다. 계면 개질 장치(70)에서는, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 중합 웨이퍼(T)(제 1 웨이퍼(W1))를 회전시키면서 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면(보다 구체적으로 당해 계면에 형성된 상술한 레이저 흡수층)에 레이저광(예를 들면 8.9 μm ~ 11 μm의 파장을 가지는 CO2 레이저)을 조사하여, 미접합 영역(Ae)을 형성한다(도 4의 단계(S1)).
미접합 영역(Ae)에 있어서는 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면이 개질, 또는 박리되어, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)의 접합 강도가 저하 또는 없어진다. 이에 의해 제 1 웨이퍼(W1)와 디바이스층(D1)의 계면에는, 환상(環狀)의 미접합 영역(Ae)과, 당해 미접합 영역(Ae)의 직경 방향 내측에 있어서, 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)가 접합된 접합 영역(Ac)이 형성된다. 후술하는 엣지트림에 있어서는, 제거 대상인 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)가 제거되는데, 이와 같이 미접합 영역(Ae)이 존재함으로써, 이러한 주연부(We)의 제거를 적절하게 행할 수 있다.
미접합 영역(Ae)이 형성된 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 내부 개질 장치(80)로 반송된다. 내부 개질 장치(80)에서는, 도 3의 (b) 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 주연 개질층(M1) 및 분할 개질층(M2)을 형성한다(도 4의 단계(S2)). 주연 개질층(M1)은, 후술하는 엣지트림에 있어서 주연부(We)를 제거할 시의 기점이 되는 것이다. 분할 개질층(M2)은, 제거되는 주연부(We)의 소편화의 기점이 되는 것이다. 또한 이후의 설명에 이용하는 도면에 있어서는, 도시가 복잡해지는 것을 회피하기 위하여, 분할 개질층(M2)의 도시를 생략하는 경우가 있다.
또한, 제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 형성된 주연 개질층(M1)으로부터는, 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)의 두께 방향으로 크랙(C1)이 신전한다. 크랙(C1)의 하단부는, 예를 들면 제 1 웨이퍼(W1)의 표면(W1a) 또는 미접합 영역(Ae)에 도달시킨다.
제 1 웨이퍼(W1)의 내부에 주연 개질층(M1) 및 분할 개질층(M2)이 형성된 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 주연 제거 장치(60)로 반송된다. 주연 제거 장치(60)에서는, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)의 제거, 즉 엣지트림 처리가 행해진다(도 4의 단계(S3)). 이 때, 주연부(We)는, 주연 개질층(M1) 및 크랙(C1)을 기점으로서 제 1 웨이퍼(W1)의 중앙부(Wc)로부터 박리되고, 또한 미접합 영역(Ae)을 기점으로서 디바이스층(D1)(제 2 웨이퍼(W2))으로부터 박리된다. 또한 이 때, 제거되는 주연부(We)는 분할 개질층(M2) 및 크랙(C2)을 기점으로서 소편화된다.
주연부(We)의 제거에 있어서는, 중합 웨이퍼(T)를 형성하는 제 1 웨이퍼(W1)와 제 2 웨이퍼(W2)와의 계면에, 예를 들면 쐐기 형상으로 이루어지는 블레이드를 삽입해도 된다. 엣지트림에 있어서는 제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)에 대하여 충격을 가하는 것에 의해, 주연부(We)가 주연 개질층(M1) 및 크랙(C1)을 기점으로 적절하게 박리된다.
제 1 웨이퍼(W1)의 주연부(We)가 제거된 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 막 처리 장치(90)로 반송된다. 막 처리 장치(90)에서는, 도 3의 (d)에 나타내는 바와 같이, 주연부(We)가 제거된 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 표면막을 제거하는 처리(이하, '막 처리'라 하는 경우가 있음)가 행해진다(도 4의 단계(S4)).
주연부(We)의 제거 후의 제 2 웨이퍼(W2)의 표면, 구체적으로, 제 1 웨이퍼(W1)의 제거에 의해 노출된 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에는, 불필요한 표면막 및 파티클이 잔류하고 있다. 이 표면막 및 파티클은, 중합 웨이퍼(T)의 반송 중 또는 프로세스 중에 박리, 낙하, 또는 비산함으로써, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 내부, 카세트(C)의 내부 또는 다른 중합 웨이퍼(T)를 오염시키는 원인이 될 수 있다.
이에 단계(S4)에서는, 이 주연부(We)의 제거 후에 있어서의 표면막 및 파티클의 비산을 억제하기 위하여, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 표면막을 제거한다. 즉, 예를 들면 표면막에 대하여 레이저광(예를 들면 CO2 레이저)을 조사하여, 당해 표면막을 제거한다.
이러한 경우, 레이저광의 조사에 의해 제거되는 표면막과 함께, 당해 표면막의 표면에 잔류하고 있던 파티클도 제거되기 때문에, 이 표면막 및 파티클이 박리, 낙하, 또는 비산하는 것이 억제된다.
제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 표면막의 제거가 행해진 중합 웨이퍼(T)는, 다음으로, 웨이퍼 반송 장치(40)에 의해 세정 장치(50)로 반송된다. 세정 장치(50)에서는, 주연부(We)를 제거하고, 막 처리가 행해진 후의 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b), 및 노출 부분이 세정된다(도 4의 단계(S5)). 또한, 세정 장치(50)에서는, 제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b)과 함께, 제 2 웨이퍼(W2)의 이면(W2b)이 세정되어도 된다.
이 후, 모든 웨이퍼 처리가 실시된 중합 웨이퍼(T)는, 트랜지션 장치(30)를 개재하여 웨이퍼 반송 장치(20)에 의해 카세트 배치대(10)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
다음으로, 상술한 막 처리 장치(90)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.
도 6 ~ 도 8에 나타내는 바와 같이 막 처리 장치(90)는, 중합 웨이퍼(T)를 상면으로 유지하는, 기판 유지부로서의 척(200)을 가지고 있다. 척(200)은, 제 1 웨이퍼(W1)가 상측에 제 2 웨이퍼(W2)가 하측에 배치된 상태에서, 제 2 웨이퍼(W2)의 이면(W2b)을 흡착 유지한다. 척(200)은, 에어 베어링(201)을 개재하여, 슬라이더 테이블(202)에 지지되어 있다. 슬라이더 테이블(202)의 하면측에는, 회전부(203)가 마련되어 있다. 회전부(203)는, 구동원으로서 예를 들면 모터를 내장하고 있다. 척(200)은, 회전부(203)에 의해 에어 베어링(201)을 개재하여, 연직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다. 슬라이더 테이블(202)은, 그 하면측에 마련된 이동부(204)를 개재하여, 기대(205) 상에 있어서 Y축 방향으로 연신하여 마련되는 레일(206) 상을 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 이동부(204)의 구동원은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 리니어 모터가 이용된다.
척(200)의 상방에는, 매크로 카메라(210)가 마련되어 있다. 예를 들면 매크로 카메라(210)는, 지지 기둥(211)에 지지되어 있다. 매크로 카메라(210)는, 제 2 웨이퍼(W2)의 외측 단부를 촬상한다. 매크로 카메라(210)는, 예를 들면 동축 렌즈를 구비하고, 적외광(IR광)을 조사하여, 또한 대상물로부터의 반사광을 수광한다. 또한 예를 들면, 매크로 카메라(210)의 촬상 배율은 2 배이다. 매크로 카메라(210)로 촬상된 화상은, 제어 장치(110)에 출력된다. 제어 장치(110)에서는, 매크로 카메라(210)로 촬상된 화상으로부터, 척(200)의 중심과 제 2 웨이퍼(W2)의 중심의 편심량을 산출한다.
척(200)의 상방으로서, 매크로 카메라(210)의 Y축 부방향측에는, 척(200)에 유지된 중합 웨이퍼(T)에 레이저광을 조사하는 레이저 조사부(220)가 마련되어 있다. 레이저 조사부(220)는, 레이저광을 발진하는 레이저 발진기(도시하지 않음) 등을 내장한 레이저 헤드(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 레이저 조사부(220)는, 지지 부재(221)에 지지되어 있다. 레이저 조사부(220)는, 연직 방향으로 연신하는 레일(222)을 따라, 승강부(223)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한 레이저 조사부(220)는, 지지 기둥(211)에 있어서 Y축 방향으로 연신하는 레일(224)을 따라, 이동부(225)에 의해 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
레이저 조사부(220)는, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 표면막에 대하여 레이저광을 조사하여, 당해 표면막을 제거한다. 레이저 조사부(220)는, 집광 렌즈(231)와 노즐(232)을 가지고 있다.
도 9에 나타내는 바와 같이 집광 렌즈(231)는, 레이저 헤드의 레이저 발진기로부터 발진된 레이저광을 집광하여 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부의 표면막에 조사한다.
노즐(232)은, 집광 렌즈(231)의 하방에 마련되어 있다. 노즐(232)은, 중공의 통 형상의 부재이며, 집광 렌즈(231)로부터의 레이저광을 통과시켜 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부의 표면막에 조사한다.
노즐(232)의 상부에는, 당해 노즐(232)의 내부에 드라이 에어 등의 기체를 공급하는 제 1 급기부(233)가 마련되어 있다. 제 1 급기부(233)는, 노즐(232)의 측벽 내부에 형성된 급기로(232a)에 연통하고 있다. 제 1 급기부(233) 및 급기로(232a)로부터 공급된 기체는, 노즐(232)을 하방으로 흘러, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부의 표면막에 분사된다. 이러한 기체에 의해, 레이저 가공으로 생성되는 분진이 집광 렌즈(231)에 부착하는 것을 억제할 수 있다.
도 6 ~ 도 8에 나타내는 바와 같이 막 처리 장치(90)는, 분진을 수집하는 집진부(240)를 가지고 있다. 집진부(240)는, 상술한 단계(S4)의 막 처리 시(레이저 가공 시), 즉 레이저 조사부(220)로부터 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 표면막에 레이저광을 조사할 시에, 생성되는 미세한 분진을 수집한다. 집진부(240)는, 상부 집진부(241)와 하부 집진부(242)를 가지고 있다.
상부 집진부(241)는, 척(200)의 상방으로서, 레이저 조사부(220)의 직하(直下)에 마련되어 있다. 도 10 및 도 11에 나타내는 바와 같이 상부 집진부(241)는, 슬리브(250)와 배기 덕트(260)를 가지고 있다. 슬리브(250)는, 배기 덕트(260)의 상면에 마련되어 있다.
도 9 및 도 11에 나타내는 바와 같이 슬리브(250)는, 상방에서 하방을 향해 직경이 작아지는 대략 원뿔대 형상을 가지고 있다. 슬리브(250)의 상면 중앙부에는, 레이저 조사부(220)의 노즐(232)의 일부를 수용하는 수용부(251)가 형성되어 있다. 노즐(232)은, 수용부(251)에 대하여 승강하고, 당해 수용부(251)에 대하여 진입 또는 퇴출 가능하다. 예를 들면 레이저 헤드에는 레이저광의 출력을 확인하기 위한 파워 미터(도시하지 않음)가 마련되어 있지만, 집진부(240)에서 배기 중에는 이 레이저광의 출력을 측정할 수 없다. 이에, 이러한 경우에는, 노즐(232)을 수용부(251)로부터 퇴출시킨다. 한편, 레이저 가공 시에는, 노즐(232)을 수용부(251)에 수용시킨다.
또한, 노즐(232)은, 수용부(251)에 있어서 Y축 방향으로 이동 가능하다. 또한, 노즐(232)은, 상단을 기점으로 하단이 회전 가능하다. 또한, 노즐(232)은, 수용부(251)에 수용된 상태에서, 당해 수용부(251)에 접촉하지 않는다.
상술한 바와 같이 노즐(232)은 Y축 방향으로 이동 가능하며, 레이저 가공 시에 이동 가능하게 하기 위하여, 도 12에 나타내는 바와 같이 수용부(251)는, Y축 방향으로 장축을 구비한 긴 홀 형상을 가지고 있어도 된다. 또한, 수용부(251)의 하면에는, 노즐(232)로부터 조사된 레이저광을 통과시키기 위한 긴 홀(252)이 형성되어 있는데, 이 긴 홀(252)도 Y축 방향으로 장축을 가지고 있어도 된다. 또한, 막 처리를 행할 시, 후술하는 바와 같이 노즐(232)의 이동 거리는 예를 들면 2 mm ~ 5 mm이다. 이 때문에, 긴 홀(252)의 Y축 방향 길이는 5 mm 이상이 바람직하다.
도 9 및 도 11에 나타내는 바와 같이 슬리브(250)의 상면에 있어서 수용부(251)의 X축 정방향측에는, 후술하는 흡기 유로(262)에 드라이 에어 등의 기체를 공급하는 제 2 급기부(253)가 마련되어 있다. 제 2 급기부(253)는, 슬리브(250)를 상면으로부터 하면을 향해 관통하여 형성된 급기로(250a)에 연통하고 있다. 또한, 급기로(250a)는, 슬리브(250)의 하면에 형성된 토출부(250b)에 접속된다. 제 2 급기부(253) 및 급기로(250a)를 거쳐 토출부(250b)로부터 공급된 기체는, 흡기 유로(262)로 유출된다. 이러한 기체에 의해, 레이저 가공으로 생성되는 퓸이 날려진다. 또한, 제 2 급기부(253)로부터의 기체는, 흡기 유로(262)의 분위기를 후술하는 배기 유로(263)로 유도한다. 이 때, 상기 퓸도 배기 유로(263)로 유도된다.
또한, 후술하는 바와 같이 레이저 가공에서는, 중합 웨이퍼(T)를 회전시키면서, 당해 중합 웨이퍼(T)에 레이저광을 조사한다. 제 2 급기부(253), 급기로(250a) 및 토출부(250b)로부터의 기체는, 중합 웨이퍼(T)의 회전 방향으로 공급하는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 보다 확실하게 흡기 유로(262)의 분위기를 배기 유로(263)로 유도할 수 있다.
배기 덕트(260)는, X축 방향으로 연신하여 마련되어 있다. 도 11 및 도 13에 나타내는 바와 같이 배기 덕트(260)의 하면(260a)에 있어서 슬리브(250)의 하방에는, 노즐(232)로부터 조사된 레이저광을 통과시키기 위한 개구부(261)가 형성되어 있다. 하면(260a)은 평면에서 봤을 때 대략 원형 형상을 가진다. 배기 덕트(260)의 내부에는, 흡기 유로(262)와 배기 유로(263)가 형성되어 있다.
흡기 유로(262)는, 슬리브(250)와 개구부(261)의 사이에 형성된 유로이다. 흡기 유로(262)는, 척(200)에 유지된 중합 웨이퍼(T)와 배기 덕트(260)와의 사이의 분위기를, 개구부(261)로부터 흡인한다.
배기 유로(263)는, 흡기 유로(262)에 연통하여, 중합 웨이퍼(T)의 접선 방향, 즉 X축 방향으로 연신하는 유로이다. 배기 유로(263)는, 배기 덕트(260)의 X축 부방향측 단부에 마련된 배기관(264)에 연통하고 있다. 배기관(264)은, 배기 덕트(260)의 내부 분위기를 흡인하는 배기 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
도 9 및 도 11에 나타내는 바와 같이 배기 덕트(260)의 내부에 있어서 수용부(251)의 X축 정방향측에는, 드라이 에어 등의 기체를 공급하는 제 3 급기부(265)가 마련되어 있다. 제 3 급기부(265)는, 배기 덕트(260)의 측벽으로부터 하면을 향해 관통하여 형성된 급기로(260b)에 연통하고 있다. 또한, 급기로(260b)는, 배기 덕트(260)의 하면(260a)에 형성된 토출부(260c)에 접속된다. 토출부(260c)는, 배기 덕트(260)의 하면(260a)에 있어서 개구부(261)의 주위에 복수 마련되어 있다. 복수의 토출부(260c)는 개구부(261)와 동심원 상에 등간격으로 마련되며, 즉, 각 토출부(260c)와 하면(260a)과의 직경 방향 거리는 동일하다. 따라서, 배기 덕트(260)와 중합 웨이퍼(T)와의 사이의 분위기는, 개구부(261)를 거쳐 균일하게 흡인된다.
제 3 급기부(265), 급기로(260b) 및 토출부(260c)로부터 공급된 기체는, 개구부(261)의 주위에 있어서 하방으로 분출되어, 이른바 에어 커튼을 형성한다. 이러한 경우, 레이저 가공으로 생성되는 분진이 에어 커튼의 외부로 유출되는 것이 억제된다. 또한, 에어 커튼의 외부의 간극보다 개구부(261)의 직경이 크기 때문에, 제 3 급기부(265), 급기로(260b) 및 토출부(260c)로부터의 기체는, 개구부(261)를 거쳐 흡기 유로(262)로 유입된다. 이러한 경우, 분진도 개구부(261)를 거쳐 흡기 유로(262)로 유입되기 때문에, 배기 덕트(260)에 있어서 당해 분진을 확실하게 수집할 수 있다. 또한, 배기 덕트(260)의 하면(260a)에 있어서의 급기로(260b)의 수는 한정되지 않지만, 많은 편이, 에어 커튼으로서의 효과는 높아진다.
도 12에 나타내는 바와 같이 배기 덕트(260)의 측면에 있어서 수용부(251)의 Y축 정방향측에는, 드라이 에어 등의 기체를 공급하는 제 4 급기부(266)가 마련되어 있다. 제 4 급기부(266)는, 배기 덕트(260)의 측벽으로부터 흡기 유로(262)를 향해 관통하여 형성된 급기로(260d)에 연통하고 있다. 또한, 급기로(260d)는, 배기 덕트(260)의 내측면에 형성된 토출부(260e)에 접속된다. 급기로(260d) 및 토출부(260e)는, 예를 들면 흡기 유로(262)에 대하여 X축 정방향을 향해 형성된다. 제 4 급기부(266), 급기로(260d) 및 토출부(260e)로부터 공급된 기체는, 흡기 유로(262)로 유입되어, 당해 흡기 유로(262)에 있어서 선회류를 형성한다. 또한 급기로(260d)와 토출부(260e)의 위치는, 흡기 유로(262)에 선회류를 형성할 수 있는 위치이면, 본 실시 형태에 한정되지 않는다.
도 14 및 도 15에 나타내는 바와 같이 레이저 가공 시, 배기 덕트(260)와 중합 웨이퍼(T)와의 사이의 분위기는, 개구부(261)를 거쳐 배기 덕트(260)의 내부로 흡인되고, 또한 흡기 유로(262)와 배기 유로(263)를 흘러, 배기관(264)으로부터 배출된다. 그리고, 이 기류를 타고, 레이저 가공으로 생성되는 분진도 수집된다. 이 때, 제 2 급기부(253)로부터의 기체에 의해, 레이저 가공으로 생성되는 퓸이 날려져, 배기 유로(263)로 유도된다. 또한, 제 3 급기부(265)로부터의 기체에 의해, 분진이 외부로 유출되는 것이 억제된다. 또한, 제 4 급기부(266)로부터의 기체에 의해, 흡기 유로(262)에 있어서 선회류가 형성되고, 분위기 및 분진이 원활하게 배기 유로(263)로 유도된다.
도 6 및 도 8에 나타내는 바와 같이 하부 집진부(242)는, 집진 플레이트(270)와 지지 부재(271)를 가지고 있다. 집진 플레이트(270)는, 척(200)의 외주에 근접하여 마련되어 있다. 집진 플레이트(270)와 척(200)의 외주와의 간극은 예를 들면 0.5 mm이하이다. 이 간극은 좁을수록, 분진의 외부 유출을 억제할 수 있다.
도 16에 나타내는 바와 같이 집진 플레이트(270)의 상면의 높이는, 척(200)에 유지된 중합 웨이퍼(T)의 상면(제 1 웨이퍼(W1)의 이면(W1b))의 높이와 동일한 것이 바람직하다. 또한, 집진 플레이트(270)는, 그 하면에 있어서 지지 부재(271)에 지지되어 있다. 지지 부재(271)는, 슬라이더 테이블(202)에 고정되어 있다. 즉, 하부 집진부(242)는 척(200)과 일체로 마련되고, 척(200)의 이동에 수반하여, 하부 집진부(242)도 Y축 방향으로 이동한다.
도 17에 집진 플레이트(270)는 평면에서 봤을 때 대략 직사각형 형상을 가지고, 척(200)측의 단부(270a)는 당해 척(200)의 외주를 따라 만곡하고 있다. 단, 척(200)은 회전하기 때문에, 집진 플레이트(270)와 척(200)은 접촉하고 있지 않다. 집진 플레이트(270)의 Y축 방향 길이(A)는, 배기 덕트(260)의 개구부(261)의 직경(D)보다 크다. 또한, 집진 플레이트(270)의 X축 방향 길이(B)는, 개구부(261)의 반경(D/2)보다 크다. 그리고, 집진 플레이트(270)는, 상부 집진부(241)의 배기 덕트(260)의 하방에 배치되었을 시, 평면에서 봤을 때 개구부(261)와 겹치도록 마련되어 있다. 또한, 본 실시 형태와 달리 척(200)이 회전하지 않는 경우, 집진 플레이트(270)와 척(200)은 접촉해도 된다.
여기서, 도 18에 나타내는 바와 같이 레이저 가공 시에 있어서, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 레이저광을 조사하면, 개구부(261)에 있어서, 척(200)(중합 웨이퍼(T))의 단부보다 직경 방향 내측은 평면에서 봤을 때 척(200)으로 덮이지만, 당해 단부보다 직경 방향 외측은 노출된다. 그러면, 개구부(261)의 전둘레에 걸쳐 분진의 흡인량의 편향이 발생하여, 분진을 안정적으로 수집할 수 없을 우려가 있다.
이 점, 도 19에 나타내는 바와 같이 집진 플레이트(270)는, 배기 덕트(260)의 하방에 배치되었을 시, 평면에서 봤을 때 개구부(261)와 겹치도록 마련된다. 이러한 경우, 개구부(261)의 전둘레에 걸쳐 분진의 흡인량이 균일해져, 분진을 안정적으로 수집할 수 있다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 막 처리 장치(90)에서 행해지는 막 처리에 대하여 설명한다.
먼저, 도 20의 (a)에 나타내는 바와 같이 척(200)을 대기 위치(P1)에 배치한다. 이 때, 노즐(232)이 슬리브(250)의 수용부(251)에 수용되어 있다. 그리고, 막 처리 장치(90)로 중합 웨이퍼(T)가 반입되어, 척(200)에 유지된다(도 21의 단계(T1)).
다음으로, 척(200)을 매크로 얼라이먼트 위치로 이동시킨다. 매크로 얼라이먼트 위치는, 매크로 카메라(210)가 제 2 웨이퍼(W2)의 외측 단부를 촬상할 수 있는 위치이다. 이어서, 매크로 카메라(210)에 의해, 제 2 웨이퍼(W2)의 둘레 방향 360도에 있어서의 외측 단부의 화상이 촬상된다. 촬상된 화상은, 매크로 카메라(210)로부터 제어 장치(110)에 출력된다.
제어 장치(110)에서는, 매크로 카메라(210)의 화상으로부터, 척(200)의 중심과 제 2 웨이퍼(W2)의 중심의 편심량을 산출한다. 또한 제어 장치(110)에서는, 편심량에 기초하여, 당해 편심량의 Y축 성분을 보정하도록, 척(200)의 이동량을 산출한다. 그리고, 제 2 웨이퍼(W2m)의 중심과 척(200)의 중심이 일치하도록, 척(200)의 위치를 결정한다(u22의 단계(T2)).
다음으로, 도 20의 (b)에 나타내는 바와 같이 척(200)을 처리 위치(P2)로 이동시킨다(도 21의 단계(T3)). 처리 위치(P2)는, 레이저 조사부(220)의 노즐(232)의 직하에, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부의 Y축 정방향의 단부가 배치되는 위치이다. 이 때, 집진 플레이트(270)는, 평면에서 봤을 때 배기 덕트(260)의 개구부(261)와 겹치도록 배치된다.
다음으로, 척(200)을 회전시킨 상태에서, 노즐(232)을 X축 부방향측으로 이동시키면서, 당해 노즐(232)로부터 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 표면막에 대하여 레이저광을 조사한다. 그러면, 당해 표면막에 있어서, 레이저광은 나선 형상으로 조사된다. 노즐(232)의 이동 거리는 2 mm ~ 5 mm이며, 처리 대상인 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부는 외단으로부터 2 mm ~ 5 mm의 범위이다. 즉, 노즐(232)을 이동시키는 것에 의해, 레이저광에 의한 가공 폭이 조정된다. 그리고, 표면막이 제거된다(도 21의 단계(T4)).
단계(T4)의 레이저 가공 시에는, 분진이 생성된다. 이 분진은, 상부 집진부(241)로 수집된다. 구체적으로, 상술한 바와 같이 배기 덕트(260)와 중합 웨이퍼(T)와의 사이의 분위기는, 개구부(261)를 거쳐 배기 덕트(260)의 내부로 흡인되고, 또한 흡기 유로(262)와 배기 유로(263)를 흘러, 배기관(264)으로부터 배출된다. 그리고, 이 기류를 타고, 레이저 가공으로 생성되는 분진도 수집된다.
제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 표면막이 제거되면, 다음으로, 척(200)을 대기 위치(P1)로 이동시킨다. 그리고, 중합 웨이퍼(T)가 막 처리 장치(90)로부터 반출된다(도 21의 단계(T5)). 이렇게 하여, 막 처리 장치(90)에 있어서의 일련의 막 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 의하면, 레이저 조사부(220)와 상부 집진부(241)가 별체로 마련되어 있으므로, 종래와 같이 일체로 마련되어 있는 경우에 비해, 상부 집진부(241)의 배기 덕트(260)를 대형화할 수 있다. 따라서, 레이저 가공 시에 생성되는 분진을, 상부 집진부(241)에 의해 적절하게 또한 효율 좋게 수집할 수 있다.
레이저 조사부(220)와 상부 집진부(241)가 별체로 마련되어 있으므로, 집광 렌즈(231)를 소형화할 수 있어, 장치 스페이스를 작게 할 수 있다. 또한, 집광 렌즈(231)에 의한 초점 높이를 변경하는 것이 용이하며, 디포커스된 위치에서 레이저 가공을 행하는 것에 의해 가공 시간을 단축하는 것도 가능해진다. 또한, 초점 높이를 변경함으로써, 기기 차이에 의한 레이저 가공의 가공점 높이의 변동, 또는 중합 웨이퍼(T)의 두께의 변경이 있었을 경우에도 용이하게 대응할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 제 2 웨이퍼(W2)의 주연부에 있어서의 표면막을 제거할 시에 본 개시의 기술을 적용했지만, 당해 기술은 다른 용도에도 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판 표면에 레이저광을 조사하여, 기판 표면막을 제거하는 경우, 기판을 평탄화하는 경우, 기판의 내부에 개질층을 형성하는 경우, 기판을 파단하는 경우 등에, 본 개시에 따른 기술을 적용할 수 있다. 이러한 경우에도, 주연부에 레이저광을 조사할 시에, 상기 실시 형태와 동일한 효과를 나타낼 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
90 : 막 처리 장치
220 : 레이저 조사부
240 : 집진부
251 : 수용부
T : 중합 웨이퍼
W1 : 제 1 웨이퍼
W2 : 제 2 웨이퍼

Claims (15)

  1. 기판에 레이저광을 조사하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판에 상기 레이저광을 조사하는 레이저 조사부와,
    분진을 수집하는 집진부를 가지고,
    상기 집진부에는, 상기 레이저 조사부의 적어도 일부를 수용하고, 상기 레이저 조사부가 이동 가능한 수용부가 마련되어 있는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는, 상기 수용부에 대하여 승강하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는, 상기 수용부에 대하여 수평 방향으로 이동하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는, 상기 수용부에 대하여 진입 또는 퇴출하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는, 상기 수용부에 접촉하지 않는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수용부의 하면에는, 상기 레이저 조사부의 수평 방향의 이동 방향으로 장축을 가지는 긴 홀이 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 집진부의 하방에 있어서, 상기 기판 유지부를 이동시키는 이동부를 가지는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는,
    집광 렌즈와,
    상기 집광 렌즈로부터의 상기 레이저광을 통과시켜 상기 기판에 조사하는 노즐을 가지는, 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 집진부는,
    배기 덕트와,
    상기 배기 덕트의 상면에 마련되어, 상기 수용부가 형성된 슬리브를 가지고,
    상기 배기 덕트의 하면에는, 상기 레이저 조사부로부터 조사된 상기 레이저광을 통과시키기 위한 개구부가 형성되고,
    상기 배기 덕트의 내부에는,
    상기 개구부로부터 상기 기판과의 사이의 분위기를 흡인하는 흡기 유로와,
    상기 흡기 유로에 연통하여, 상기 분위기를 배출하는 배기 유로가 형성되는, 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 배기 유로는, 상기 기판의 접선 방향으로 형성되는, 기판 처리 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 슬리브에 마련되어, 상기 흡기 유로에 기체를 공급하는 토출부를 가지는, 기판 처리 장치.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구부의 주위에 있어서 하방을 향해 기체를 공급하는 토출부를 가지는, 기판 처리 장치.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배기 덕트에 마련되어, 상기 흡기 유로의 측벽을 따라 기체를 공급하는 토출부를 가지는, 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는, 상기 기판의 주연부에 상기 레이저광을 조사하는, 기판 처리 장치.
  15. 기판 처리 장치를 이용하여 기판에 레이저광을 조사하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 기판에 상기 레이저광을 조사하는 레이저 조사부와,
    분진을 수집하는 집진부를 가지고,
    상기 집진부에는, 상기 레이저 조사부의 적어도 일부를 수용하고, 상기 레이저 조사부가 이동 가능한 수용부가 마련되고,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 레이저 조사부의 적어도 일부를 상기 수용부에 이동 가능하게 수용하는 것과,
    상기 레이저 조사부로부터 상기 기판에 상기 레이저광을 조사하면서, 상기 집진부와 상기 기판과의 사이의 분위기를 상기 집진부에서 흡인하여 분진을 수집하는 것을 가지는, 기판 처리 방법.
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