KR20240028679A - 원단 진위 식별용 섬유 및 그를 이용하는 원단 진위 식별 시스템 - Google Patents
원단 진위 식별용 섬유 및 그를 이용하는 원단 진위 식별 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 섬유에 특수 안료를 혼합함으로써 원단 진위 식별 기능성을 발휘하는 원단 진위 식별용 섬유 및 그를 이용하는 원단 진위 식별 시스템에 관한 것으로, 본 발명의 적외선 발광체를 포함하는 원단 진위 식별용 섬유는 원사 또는 원단의 내부에 포함되어, 진위 식별 또는 위조방지 효과를 부여할 수 있다. 예를 들어, 특정 기능성 제품의 경우에, 원단 제조 후에는 분석이 복잡하고 불가능하였으나, 본 발명의 원단 진위 식별용 섬유를 통해서 빠르고 정확한 식별이 가능하다.
Description
본 발명은 원단 진위 식별용 섬유 및 그를 이용하는 원단 진위 식별 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 섬유에 적외선을 발광하는 특수한 첨가제를 혼합함으로써 원단 진위 식별 기능성을 발휘하는 원단 진위 식별용 섬유 및 그를 이용하는 원단 진위 식별 시스템에 관한 것이다.
유가증권, 고부가가치 제품 등의 위조를 방지하거나 진위를 식별하기 위한 보안섬유가 알려져 있다. 이러한 보안 섬유들은 특수물질을 포함하여 섬유를 제조하거나 섬유에 염착하거나 코팅하는 방법을 통해 전자기장의 파장이나 열적 조건에 따라 감응하여 발광, 변색, 형광 그리고 인광을 내거나 부분적인 특성을 발휘한다.
한국특허공개 제2001-0112666호는 외부자극이 있을 때 발광하는 형광물질, 상기 형광물질과 발광파장이 다르고 외부자극이 제거된 후에 발광하는 인광물질 및 열가소성 수지 또는 열경화성 수지를 포함하는 형광성 합성수지를 이용하여 위조 및 변조 방지 기능성을 부여하는 기술이 개시되어 있다. 그러나 위조 방지 기능이 다소 미흡하다는 문제점을 가지고 있다.
미국등록특허 제4655788호에는 적외선, 가시광선, 자외선에서 여기되는 형광물질을 포함하는 보안 섬유 제조방법을 개시하고 있지만, 이러한 보안 섬유들은 위조 또는 변조 여부를 판별하기 위해 특수한 장비를 사용해야 하는 한계가 있다.
국내산 리사이클 원사는 일반 원사 및 수입산 리사이클 원사와 비교하여 특징이 없는데, 의류제작업체에서 국내산 리사이클 원사를 사용하고 싶어서 원단제조업체에 원단을 구매하는 경우에, 원단제조업체에서 일반 원사로 만든 경우 해당 제품의 진위를 구별하기가 어려운 문제가 있다.
기존에 유가증권, 고부가가치 제품 등의 위조를 방지하기 위한 보안섬유에 관한 기술은 있지만, 섬유 분야에서 원사나 원단의 진위를 식별하기 위한 기술은 전무한 실정이다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 하나의 목적은 원사 또는 원단의 진위를 식별할 수 있는 원단 진위 식별용 섬유를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 원단 진위 식별용 섬유를 이용하는 원단 진위 식별 시스템을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은,
섬유 형성성 고분자로 구성되는 섬유로서, 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체를 50~1000 ppm 함유하는 원단 진위 식별용 섬유에 관한 것이다.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
상기 발광체의 컬러 L값은 50 이상인 것이 바람직하고, 상기 섬유의 섬도는 1 데니어 내지 4 데니어의 범위 내이다.
상기 섬유형성성 고분자는 폴리에스터계, 아크릴계, 폴리아미드계, 폴리비닐알콜계, 아세테이트계, 폴리프로필렌계, 폴리올레핀계, 폴리카보네이트계, 및 셀룰로오스계로 이루어진 군에서 선택되는 것이다
상기 폴리에스터가 폴리에틸렌테레프탈레이트 단독중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트 공중합체, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리사이클로헥실렌 사이클로헥산다이카복실레이트, 폴리사이클로헥실렌 테레프탈레이트, 및 폴리트라이메틸렌테레프탈레이트로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상이다.
본 발명의 다른 양상은, 중합공정에서 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체를 투입하여 적외선 발광 칩을 제조한 후, 그 칩으로 방사하여 섬유로 제조하는 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
본 발명의 또 다른 양상은, 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체 분말을 컴파운딩하여 적외선 발광 칩을 만들고 그 칩으로 방사하여 섬유로 제조하는 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
본 발명의 또 다른 양상은, 섬유형성성 고분자 칩과 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체 분말을 컴파운딩하여 발광 마스터 배치를 만드는 단계와 발광 마스터 배치와 일반 칩을 블랜딩한 후 방사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
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상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
본 발명의 또 다른 양상은, 상술한 본 발명의 원단 진위 식별용 섬유를 포함하는 원단;
상기 진위 식별 대상 원단에 적외선을 방사하는 적외선 광원부;
상기 진위 식별 대상 원단으로부터 반사되는 적외선을 수신하는 적외선 수신부;
상기 적외선 광원부 및 적외선 수신부를 제어하고, 상기 적외선 수신부에서 수신한 적외선을 이용하여 진위 식별 대상 원단의 진위를 판별하는 제어부를 포함하는 원단 진위 식별용 섬유를 이용한 원단 진위 식별 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 적외선 발광체를 포함하는 원단 진위 식별용 섬유는 원사 또는 원단의 내부에 포함되어, 진위 식별 또는 위조방지 효과를 부여할 수 있다. 예를 들어, 특정 기능성 제품의 경우에, 원단 제조 후에는 분석이 복잡하고 불가능하였으나, 본 발명의 원단 진위 식별용 섬유를 통해서 빠르고 정확한 식별이 가능하다.
또한, 본 발명의 근적외선을 발광하는 원단 진위 식별용 섬유는 방사공정성이 우수하고 원사 물성도 유지할 수 있는 현저한 이점을 제공할 수 있다.
본 발명에 의하면 포터블 장비로 원단이 필요로 하는 원사로 제작되었는지 여부를 쉽고 빠르게 진위 식별이 가능하다.
이하 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명의 하나의 양상은, 섬유 형성성 고분자로 구성되는 섬유로서, 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체를 50~1000 ppm 함유하는 원단 진위 식별용 섬유에 관한 것이다.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
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상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
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상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
본 발명의 원단 진위 식별용 섬유는 적외선 발광체를 포함하여 적외선 형광 특성을 나타내기 때문에, 원사 또는 원단의 위조방지를 위한 보안사, 방적사(yarn), 원단 진위 식별용 섬유(security fibers)로 이용될 수 있다.
본 발명에서 발광체의 발광파장은 800 ㎚ 내지 2500 ㎚이고, 더욱 바람직하게는 800 ㎚~1500 ㎚이다. 발광체의 발광파장이 800 ㎚ 미만이면 가시광선 영역이라 발광색이 눈에 띄고(형광), 2500 ㎚ 초과 시에는 파장의 에너지가 약해 검출하기 어려울 수 있다.
본 발명에서 사용되는 발광체의 평균입도는 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 더욱 바람직하게는 0.5~3 ㎛이다. 발광체의 평균입도가 0.5 ㎛ 미만이면 발광강도가 약해져 원사의 진위 식별이 어려울 수 있고, 발광체의 평균입도가 5.0 ㎛ 이상이면 방사 시에 수율이 떨어지고 원사 물성을 확보하기 어려울 수 있다.
본 발명의 원단 진위 식별용 섬유에 포함되는 발광체의 함량은 50~1000 ppm이다. 발광체의 함량이 50 ppm 미만이면 적외선 발광강도가 약해 원사에서 식별이 어렵고, 반대로 1000 ppm 초과 시에는 경제성이 없다.
본 발명의 발광체는 컬러 L값이 50 이상이고, 더욱 바람직하게는 컬러 L값이 70 이상이다. 컬러 L값이 50 미만이면 원사의 컬러가 진해져서 용도가 제한될 수 있다.
본 발명의 원단 진위 식별용 섬유의 섬도는 1 데니어 내지 4 데니어이다. 원단 진위 식별용 섬유의 섬도가 1 데니어 미만이면 방사공정성이 떨어지고, 반대로 4 데니어를 초과하면 산업용으로 부적합하다.
본 발명의 원단 진위 식별용 섬유를 구성하는 섬유형성성 고분자는 폴리에스터계, 아크릴계, 폴리아미드계, 폴리비닐알콜계, 아세테이트계, 폴리프로필렌계, 폴리올레핀계, 폴리카보네이트계, 및 셀룰로오스계로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 폴리에스터의 구체예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 단독중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트 공중합체, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리사이클로헥실렌사이클로헥산다이카복실레이트, 폴리사이클로헥실렌 테레프탈레이트, 및 폴리트라이메틸렌테레프탈레이트를 들 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 다른 양상은 발광체를 포함하는 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 하나의 양상의 방법에서는 중합공정에서 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체를 투입하여 적외선 발광 칩을 제조한 후, 그 칩으로 방사하여 섬유로 제조한다.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
본 발명에서, 상기 발광체는 약 50 내지 1000 ppm의 함량으로 첨가하여 상기 섬유형성성 수지와 충분히 혼합한 다음 압출기로 압출하여 마스터 배치를 제조할 수 있다. 이 때 압출기의 운전조건은 합성수지의 종류에 따라 조정될 수 있다. 위와 같이 압출기의 노즐을 통해 방출된 합성수지는 섬유 제조 단계인 방사공정을 위한 칩 형태로 가공할 수 있다. 상기 칩 하나당 크기는 약 5 ㎣ 내지 약 15 ㎣일 수 있으며, 보다 구체적으로는 약 8 ㎣ 내지 12 ㎣일 수 있다. 상기 제조 조건은 제조 과정에서 다소 변형되어 이용될 수 있다. 본 발명의 방법에 있어서, 섬유를 제조하는 방사 공정은 발광체와 섬유형성성 수지가 혼합된 마스터 배치를 섬유화하는 과정을 의미한다.
다른 구현예에서, 본 발명의 원단 진위 식별용 섬유는 섬유형성성 고분자 칩과 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체 분말을 컴파운딩하여 적외선 발광 칩을 만들고 그 칩으로 방사하여 섬유로 제조하는 방법에 의해 제조될 수도 있다.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
또 따른 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법은 섬유형성성 고분자 칩과 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체 분말을 컴파운딩하여 발광 마스터 배치를 만드는 단계와 발광 마스터 배치와 일반 칩을 블랜딩한 후 방사하는 단계를 포함한다.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
또한, 본 발명의 원단 진위 식별용 섬유는 방사된 섬유를 염색 또는 코팅시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 이를 위하여 섬유의 외면에 통상의 적외선 발광 발광체를 염착이나 코팅 방법을 통해 부가할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양상은, 상술한 본 발명의 원단 진위 식별용 섬유를 포함하는 원단;
상기 진위 식별 대상 원단에 적외선을 방사하는 적외선 광원부;
상기 진위 식별 대상 원단으로부터 반사되는 적외선을 수신하는 적외선 수신부;
상기 적외선 광원부 및 적외선 수신부를 제어하고, 상기 적외선 수신부에서 수신한 적외선을 이용하여 진위 식별 대상 원단의 진위를 판별하는 제어부를 포함하는 원단 진위 식별용 섬유를 이용한 원단 진위 식별 시스템에 관한 것이다.
적외선 광원부는 원사 또는 원단의 하나 이상의 지점에 적외선을 방사할 수 있고, 적외선 수신부는 원사 또는 원단으로부터 반사되는 근적외선 또는 적외선을 수신할 수 있다.
본 발명의 진위 식별 시스템은 발광체를 포함하는 원사 또는 원단의 표면에 빛을 조사하여 원사 또는 원단 시료에서 발광되는 특수 파장의 스펙트럼을 검출하므로 원사 또는 원단 시료의 발광체 존재 유무의 정확한 검출이 가능하다.
본 발명의 진위 식별 시스템은 검출량을 표시하는 디스플레이부, 사용자 입력을 받아들이기 위한 조작부, 제어부와 연결되어, 제어부와 외부 정보처리장치 사이의 통신을 담당하는 통신부, 제어부에 연결되어 전원을 공급하는 전원부 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 사용되는 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들, 및 변수들을 포함한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.
본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1~3
폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 100 중량부에 대하여 평균입도 1.0 ㎛의 YVO3:Yb (Nanocms사의 IRumina 1050S)를 1 중량부를 용융압출기로 혼합하여 마스터배치를 제조하였다. 상기 발광체를 함유하는 마스터배치를 기존의 일반 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 100 중량부에 대하여 1.0 (실시예 1), 2.5 (실시예 2), 5.0 중량부 (실시예 3)의 함량으로 혼합하여, 280℃ 온도에서 용융하여 방사구금을 통하여 3200 m/분 속도로 방사하여 반연신사를 만들었다. 이를 연신비 1.70, 연신온도 220℃, 가연속도 500m/분으로 가연하여, 75 데니어/36 필라멘트의 가연사를 얻었다.
비교예 1
발광체를 이용하지 않고 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지만 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여, 75 데니어/36 필라멘트의 가연사를 얻었다.
비교예 2
폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 100 중량부에 대하여 발광체를 함유하는 마스터배치 0.4 중량부의 함량으로 혼합한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 실시하여, 75 데니어/36 필라멘트의 가연사를 얻었다.
비교예 3~4
발광체로서 평균입도 0.1 ㎛ (비교예 3) 및 5 ㎛ (비교예4)의 YVO3:Yb를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 실시하여, 75 데니어/36 필라멘트의 가연사를 얻었다.
실험예 1
실시예 1-3 및 비교예 1-4에서 제조된 원단 진위 식별용 섬유에 대해 아래의 방법으로 물성을 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
*강도 및 신도: Instron사의 Instron 5565를 이용하여 KS K 0412 규격으로 평가하여 재생폴리에스터 장섬유의 강신도를 측정하였다.
*작업성: 투입원료 대비 생산된 원사의 비로 측정하였다.
양호: 수율 90% 이상, 불량: 수율 90% 미만
*적외선 검출량: 상기 실시예 1-3 및 비교예 1-4에서 제조된 원단 진위 식별용 섬유에 980 ㎚ 파장의 근적외선을 조사하고, 1020 ㎚의 근적외선의 강도를 검출량으로 산출하였다. 이때 측정된 값을 실시예 1에서 검출된 값에 대해서 보정하여 상대값을 기록하였다.
|
|
발광체 평균입도 (㎛) |
발광체 함량 (ppm) |
섬도 (데니어) |
강도 (g/d) |
신도 (%) |
작업성 | 적외A 검출량 |
| 실시예1 | 1.0 | 100 | 75.4 | 4.56 | 27.3 | 양호 | 113 |
| 실시예2 | 1.0 | 250 | 75.9 | 4.24 | 26.6 | 양호 | 267 |
| 실시예3 | 1.0 | 500 | 75.9 | 4.37 | 26.7 | 양호 | 537 |
| 비교예1 | - | - | 75.7 | 4.51 | 26.7 | 양호 | 0 |
| 비교예2 | 1.0 | 40 | 75.3 | 4.55 | 26.4 | 양호 | 0 |
| 비교예3 | 0.1 | 100 | 75.3 | 4.54 | 26.5 | 양호 | 0 |
| 비교예4 | 5.0 | 100 | 75.1 | 4.17 | 23.3 | 불량 | 340 |
이상에서 본 발명은 구체적인 구현예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 변경이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (9)
- 섬유 형성성 고분자로 구성되는 섬유로서, 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체를 50~1000 ppm 함유하는 원단 진위 식별용 섬유.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
- 제1항에 있어서, 상기 형광체의 컬러 L값이 50 이상인 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유.
- 제1항에 있어서, 상기 섬유의 섬도는 1 데니어 내지 4 데니어인 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유.
- 제1항에 있어서, 상기 섬유형성성 고분자는 폴리에스터계, 아크릴계, 폴리아미드계, 폴리비닐알콜계, 아세테이트계, 폴리프로필렌계, 폴리올레핀계, 폴리카보네이트계, 및 셀룰로오스계로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유.
- 제4항에 있어서, 상기 폴리에스터계가 폴리에틸렌테레프탈레이트 단독중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트 공중합체, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리사이클로헥실렌 사이클로헥산다이카복실레이트, 폴리사이클로헥실렌테레프탈레이트, 및 폴리트라이메틸렌테레프탈레이트로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상인 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유.
- 중합공정에서 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체를 투입하여 적외선 발광 칩을 제조한 후, 그 칩으로 방사하여 섬유로 제조하는 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
- 섬유형성성 고분자 칩과 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체 분말을 컴파운딩하여 적외선 발광 칩을 만들고 그 칩으로 방사하여 섬유로 제조하는 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
- 섬유형성성 고분자 칩과 평균입도가 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만이고, 발광파장이 800 ㎚ 내지 2500 ㎚인 하기 화학식 1 내지 화학식 4 가운데 어느 하나로 표시되는 발광체 분말을 컴파운딩하여 발광 마스터 배치를 만드는 단계와 발광 마스터 배치와 일반 칩을 블랜딩한 후 방사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원단 진위 식별용 섬유의 제조방법.
[화학식 1]
YXVYO3:Sb
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1임;
[화학식 2]
YbYXVYSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0.01<Y≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식3]
Yb2-xYyVZSi2O7:M
상기 식에서, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1, M은 Nd3+ 또는 Er3+임;
[화학식 4]
YbaYxVySiZO4:M
상기 식에서, 0<a≤1, 0<X≤1, 0<Y≤1, 0<Z≤1이고, M은 Nd3+ 또는 Er3+임.
-
제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항의 원단 진위 식별용 섬유를 포함하는 원단;
상기 진위 식별 대상 원단에 적외선을 방사하는 적외선 광원부;
상기 진위 식별 대상 원단으로부터 반사되는 적외선을 수신하는 적외선 수신부;
상기 적외선 광원부 및 적외선 수신부를 제어하고, 상기 적외선 수신부에서 수신한 적외선을 이용하여 진위 식별 대상 원단의 진위를 판별하는 제어부를 포함하는 원단 진위 식별용 섬유를 이용한 원단 진위 식별 시스템.
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|---|---|---|---|
| KR1020220106714A KR102697067B1 (ko) | 2022-08-25 | 2022-08-25 | 원단 진위 식별용 섬유 및 그를 이용하는 원단 진위 식별 시스템 |
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