KR20240023686A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 32
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 32
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 24
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Abstract
기판 처리 장치는, 자외선 조사부와, 유지부와, 액 공급부를 구비한다. 상기 자외선 조사부는, 텅스텐막 및 질화 티탄막이 표면에 형성된 기판의 상기 표면에 대하여 자외선을 조사하여, 상기 기판의 상기 표면에 산화막을 형성한다. 상기 유지부는, 상기 기판을 유지한다. 상기 액 공급부는, 상기 유지부에서 유지되고 있는 상기 기판의 상기 표면에 대하여 약액을 공급하여, 상기 약액에 의해 상기 산화막을 제거하고, 상기 약액에 의해 상기 텅스텐막에 대하여 상기 질화 티탄막을 선택적으로 에칭한다.The substrate processing apparatus includes an ultraviolet irradiation unit, a holding unit, and a liquid supply unit. The ultraviolet irradiation unit irradiates ultraviolet rays to the surface of the substrate on which the tungsten film and the titanium nitride film are formed, thereby forming an oxide film on the surface of the substrate. The holding portion holds the substrate. The liquid supply unit supplies a chemical liquid to the surface of the substrate held by the holding unit, removes the oxide film by the chemical liquid, and selectively etches the titanium nitride film with respect to the tungsten film by the chemical liquid. do.
Description
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.This disclosure relates to a substrate processing apparatus and substrate processing method.
허문헌 1에 기재된 에칭 방법은, 텅스텐을 포함하는 구성 요소가 마련된 기판 상에 질화 티탄막을 형성한 후에, 웨트 에칭을 행하는 공정을 포함한다. 웨트 에칭을 행하는 공정에서는, 텅스텐의 에칭 속도에 대한, 질화 티탄막의 에칭 속도의 비가 5 이상이다.The etching method described in Heo Document 1 includes the step of forming a titanium nitride film on a substrate provided with a component containing tungsten, and then performing wet etching. In the process of performing wet etching, the ratio of the etching rate of the titanium nitride film to the etching rate of tungsten is 5 or more.
본 개시의 일양태는, 텅스텐막의 에칭 속도에 대한 질화 티탄막의 에칭 속도의 비를 향상시키는, 기술을 제공한다.One aspect of the present disclosure provides a technique for improving the ratio of the etching rate of the titanium nitride film to the etching rate of the tungsten film.
본 개시의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 자외선 조사부와, 유지부와, 액 공급부를 구비한다. 상기 자외선 조사부는, 텅스텐막 및 질화 티탄막이 표면에 형성된 기판의 상기 표면에 대하여 자외선을 조사하여, 상기 기판의 상기 표면에 산화막을 형성한다. 상기 유지부는, 상기 기판을 유지한다. 상기 액 공급부는, 상기 유지부에서 유지되고 있는 상기 기판의 상기 표면에 대하여 약액을 공급하여, 상기 약액에 의해 상기 산화막을 제거하고, 상기 약액에 의해 상기 텅스텐막에 대하여 상기 질화 티탄막을 선택적으로 에칭한다.A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes an ultraviolet irradiation unit, a holding unit, and a liquid supply unit. The ultraviolet irradiation unit irradiates ultraviolet rays to the surface of the substrate on which the tungsten film and the titanium nitride film are formed, thereby forming an oxide film on the surface of the substrate. The holding portion holds the substrate. The liquid supply unit supplies a chemical liquid to the surface of the substrate held by the holding unit, removes the oxide film by the chemical liquid, and selectively etches the titanium nitride film with respect to the tungsten film by the chemical liquid. do.
본 개시의 일양태에 따르면, 텅스텐막의 에칭 속도에 대한 질화 티탄막의 에칭 속도의 비를 향상시킬 수 있다.According to one aspect of the present disclosure, the ratio of the etching rate of the titanium nitride film to the etching rate of the tungsten film can be improved.
도 1은 일실시형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 텅스텐막과 그 표면에 형성되는 산화 텅스텐막의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 산화 텅스텐막의 유무와, 텅스텐막의 에칭량의 관계의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 자외선의 스캔의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 5는 자외선의 스캔의 다른 일례를 나타내는 평면도이다.
도 6은 일실시형태에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 표 1의 결과를 나타내는 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to one embodiment.
Figure 2 is a diagram showing an example of a tungsten film and a tungsten oxide film formed on its surface.
Figure 3 is a diagram showing an example of the relationship between the presence or absence of a tungsten oxide film and the etching amount of the tungsten film.
Figure 4 is a top view showing an example of ultraviolet ray scanning.
Figure 5 is a plan view showing another example of ultraviolet ray scanning.
6 is a flowchart showing a substrate processing method according to one embodiment.
Figure 7 is a graph showing the results in Table 1.
이하, 본 개시의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 대응하는 구성에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략하는 경우가 있다. 도 1, 도 4 및 도 5에 있어서, Z축 방향은 연직 방향이다.Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In addition, in each drawing, identical or corresponding components are given the same reference numerals and descriptions may be omitted. In FIGS. 1, 4, and 5, the Z-axis direction is a vertical direction.
도 1을 참조하여, 일실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해서 설명한다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)의 표면(Wa)에 대하여 약액을 공급하여, 기판(W)을 처리한다. 기판(W)의 표면(Wa)에는, 텅스텐막 및 질화 티탄막의 양방이 형성되어 있고, 그 양방이 노출되어 있다. 기판(W)의 표면(Wa)은, 서로 다른 영역에 텅스텐막과 질화 티탄막을 갖는다. 약액은, 텅스텐막에 대하여 질화 티탄막을 선택적으로 에칭한다. 기판 처리 장치(1)는, 본 실시형태에서는 기판을 1매씩 처리하는 매엽식이다.With reference to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 1 according to one embodiment will be described. The substrate processing apparatus 1 processes the substrate W by supplying a chemical solution to the surface Wa of the substrate W. Both a tungsten film and a titanium nitride film are formed on the surface Wa of the substrate W, and both are exposed. The surface Wa of the substrate W has a tungsten film and a titanium nitride film in different regions. The chemical solution selectively etches the titanium nitride film with respect to the tungsten film. In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 is a single wafer type that processes substrates one at a time.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 복수매씩 동시에 처리하는 배치식이어도 좋다. 배치식의 기판 처리 장치(1)는 처리조를 갖고, 처리조에 저류한 약액에 복수매의 기판(W)이 일괄로 침지된다. 이 경우, 복수매의 기판(W)의 각각은, 예컨대 연직으로 세운 상태로, 약액에 침지된다.In addition, the substrate processing apparatus 1 may be of a batch type in which a plurality of substrates W are processed simultaneously. The batch-type substrate processing apparatus 1 has a processing tank, and a plurality of substrates W are immersed in a chemical solution stored in the processing tank at a time. In this case, each of the plurality of substrates W is immersed in the chemical solution, for example, in a vertically standing state.
도 1에 나타내는 바와 같이, 매엽식의 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 처리 용기(10)와, 기판(W)을 수평으로 유지하는 유지부(20)와, 연직인 회전축(22)을 중심으로 유지부(20)를 회전시키는 회전부(21)와, 유지부(20)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에 약액 등의 처리액(L)을 공급하는 액 공급부(30)와, 기판(W)에 공급된 처리액(L)을 회수하는 컵(40)을 구비한다.As shown in FIG. 1, the single wafer type substrate processing apparatus 1 includes, for example, a processing container 10, a holding portion 20 that holds the substrate W horizontally, and a vertical rotation axis 22. A rotating part (21) that rotates the holding part (20) about its center, a liquid supply part (30) supplying a processing liquid (L) such as a chemical solution to the upper surface of the substrate (W) held in the holding part (20), A cup 40 for recovering the processing liquid L supplied to the substrate W is provided.
처리 용기(10)는, 유지부(20)를 내부에 수용한다. 처리 용기(10)는, 게이트(11)와, 게이트(11)를 개폐하는 게이트 밸브(12)를 갖는다. 기판(W)은, 반송 장치(2)에 의해 게이트(11)를 통해 처리 용기(10)의 내부에 반입되어, 처리 용기(10)의 내부에서 처리액(L)으로 처리되고, 그 후, 반송 장치(2)에 의해 게이트(11)를 통해 처리 용기(10)의 외부에 반출된다.The processing container 10 accommodates the holding portion 20 therein. The processing container 10 has a gate 11 and a gate valve 12 that opens and closes the gate 11. The substrate W is brought into the processing container 10 through the gate 11 by the transfer device 2, and is treated with the processing liquid L inside the processing container 10, and then, It is transported to the outside of the processing container 10 through the gate 11 by the transfer device 2.
유지부(20)는, 처리 용기(10)의 내부에 반입된 기판(W)을 수평으로 유지한다. 유지부(20)는, 기판(W)의 표면(Wa)을 위를 향하게 하고, 기판(W)의 중심이 회전축(22)의 회전 중심선과 일치하도록, 기판(W)을 수평으로 유지한다. 유지부(20)는, 도 1에서는 메카니컬 척이지만, 진공 척 또는 정전 척 등이어도 좋다. 유지부(20)는, 회전 가능한 스핀 척이면 좋다.The holding unit 20 holds the substrate W loaded into the processing container 10 horizontally. The holding portion 20 faces the surface Wa of the substrate W upward and holds the substrate W horizontally so that the center of the substrate W coincides with the rotation center line of the rotation axis 22. The holding part 20 is a mechanical chuck in FIG. 1, but may be a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or the like. The holding portion 20 may be a rotatable spin chuck.
회전부(21)는, 예컨대, 연직인 회전축(22)과, 회전축(22)을 회전시키는 회전 모터(23)를 포함한다. 회전 모터(23)의 회전 구동력은, 타이밍 벨트 또는 기어 등의 회전 전달 기구를 통해, 회전축(22)에 전달되어도 좋다. 회전축(22)이 회전되면, 유지부(20)도 회전된다.The rotating part 21 includes, for example, a vertical rotating shaft 22 and a rotating motor 23 that rotates the rotating shaft 22. The rotational driving force of the rotation motor 23 may be transmitted to the rotation shaft 22 through a rotation transmission mechanism such as a timing belt or gear. When the rotation shaft 22 rotates, the holding portion 20 also rotates.
액 공급부(30)는, 유지부(20)에 유지되어 있는 기판(W)의 표면(Wa) 에 대하여 처리액(L)을 토출한다. 액 공급부(30)는, 예컨대, 기판(W)의 표면(Wa)을 향하여 처리액(L)을 토출하는 노즐(31)과, 노즐(31)에 대하여 처리액(L)을 공급하는 공급기(32)와, 노즐(31)을 이동시키는 노즐 이동부(33)를 포함한다.The liquid supply unit 30 discharges the processing liquid L onto the surface Wa of the substrate W held by the holding unit 20 . The liquid supply unit 30 includes, for example, a nozzle 31 that discharges the processing liquid L toward the surface Wa of the substrate W, and a supply device that supplies the processing liquid L to the nozzle 31 ( 32) and a nozzle moving unit 33 that moves the nozzle 31.
노즐(31)은, 유지부(20)에 유지되어 있는 기판(W)에 대하여, 처리액(L)을 토출하는 토출구를 포함한다. 노즐(31)은, 예컨대, 토출구를 아래를 향하게 하여 기판(W)의 상방에 배치되고, 기판(W)의 중심에, 처리액(L)을 공급한다. 처리액(L)은, 회전하는 기판(W)의 중심에 공급되고, 원심력에 의해 기판(W)의 상면 전체에 젖음 확장되어, 액막을 형성한다.The nozzle 31 includes a discharge port that discharges the processing liquid L to the substrate W held in the holding unit 20 . The nozzle 31 is, for example, disposed above the substrate W with its discharge port facing downward, and supplies the processing liquid L to the center of the substrate W. The processing liquid L is supplied to the center of the rotating substrate W, and is wetted and spread over the entire upper surface of the substrate W by centrifugal force to form a liquid film.
처리액(L)은, 예컨대, 약액과, 린스액과, 건조액을 포함한다. 하나의 노즐(31)이 복수의 처리액(L)을 순서대로 토출하여도 좋고, 복수의 노즐(31)이 다른 처리액(L)을 순서대로 토출하여도 좋다. 복수의 약액이 순서대로 기판(W)에 공급되어도 좋고, 이들 사이에 린스액이 기판(W)에 공급되어도 좋다.The treatment liquid L includes, for example, a chemical liquid, a rinse liquid, and a drying liquid. One nozzle 31 may discharge a plurality of processing liquids L in order, or a plurality of nozzles 31 may discharge different processing liquids L in order. A plurality of chemical solutions may be supplied to the substrate W in order, or a rinse solution may be supplied to the substrate W between them.
약액은, 텅스텐막에 대하여 질화 티탄막을 선택적으로 에칭하는 에칭액을 포함한다. 에칭액은, 예컨대, 황산과 물을 포함하는 혼합액이다. 혼합액은, 구체적으로는 예컨대, SPM(황산과 과산화 수소를 포함하는 수용액) 또는 희황산이다.The chemical solution contains an etching solution that selectively etches the titanium nitride film with respect to the tungsten film. The etching liquid is, for example, a mixed liquid containing sulfuric acid and water. The mixed solution is specifically, for example, SPM (aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide) or diluted sulfuric acid.
SPM은, 희황산과는 다르게, 120℃ 이하의 토출 온도에서도, 질화 티탄막에 대하여 높은 에칭 속도를 갖는다. 예컨대, 토출 온도가 45℃인 SPM에 의한 질화 티탄막의 에칭 속도와, 토출 온도가 160℃인 희황산에 의한 질화 티탄막의 에칭 속도는 같은 정도이다.SPM, unlike diluted sulfuric acid, has a high etching rate for titanium nitride films even at a discharge temperature of 120°C or lower. For example, the etching rate of a titanium nitride film by SPM with a discharge temperature of 45°C and the etching rate of a titanium nitride film by dilute sulfuric acid with a discharge temperature of 160°C are about the same.
SPM은, 상기한 바와 같이, 희황산과는 다르게, 120℃ 이하의 토출 온도에서도, 질화 티탄막에 대하여 높은 에칭 속도를 갖는다. 따라서, 상기 혼합액은, 과산화 수소를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 혼합액은, 과산화 수소 대신에, 또는 과산화 수소에 더하여, 오존을 포함하여도 좋다. 또한, SPM의 토출 온도는, 120℃를 넘어도 좋다.As mentioned above, unlike diluted sulfuric acid, SPM has a high etching rate for titanium nitride films even at a discharge temperature of 120°C or lower. Therefore, it is preferable that the mixed liquid contains hydrogen peroxide. The mixed solution may contain ozone instead of or in addition to hydrogen peroxide. Additionally, the discharge temperature of SPM may exceed 120°C.
SPM은, 예컨대, 황산과 과산화 수소수를 혼합하여 얻어진다. 황산과 과산화 수소수의 혼합비(황산:과산화 수소수)는, 체적비로, 예컨대 2:1∼20:1이다. 과산화 수소수는, 과산화 수소를 10 질량%∼40 질량% 포함한다.SPM is obtained, for example, by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide. The mixing ratio of sulfuric acid and hydrogen peroxide (sulfuric acid:hydrogen peroxide) is, for example, 2:1 to 20:1 in volume ratio. Hydrogen peroxide water contains 10 mass% to 40 mass% of hydrogen peroxide.
노즐(31)은, SPM과 수증기를 섞으면서 토출하여도 좋다. 수증기는, SPM의 토출 온도를 효율적으로 높여, 질화 티탄막의 에칭 속도를 향상시킨다. 예컨대, 노즐(31)은, 도시하지 않지만, SPM을 토출하는 제1 토출구와, 수증기를 토출하는 제2 토출구와, 제1 토출구로부터 토출한 SPM과 제2 토출구로부터 토출한 수증기의 혼합 유체를 토출하는 제3 토출구를 갖는다.The nozzle 31 may discharge SPM and water vapor while mixing them. Water vapor effectively increases the discharge temperature of the SPM and improves the etching rate of the titanium nitride film. For example, although not shown, the nozzle 31 has a first discharge port for discharging SPM, a second discharge port for discharging water vapor, and a mixed fluid of SPM discharged from the first discharge port and water vapor discharged from the second discharge port. It has a third discharge port.
노즐(31)은, 처리액(L)의 토출 온도를 조절하는 도시하지 않는 온도 조절기를 포함하여도 좋다. 온도 조절기는, 예컨대 히터이다.The nozzle 31 may include a temperature controller (not shown) that adjusts the discharge temperature of the processing liquid L. The temperature controller is, for example, a heater.
린스액은, 예컨대 DIW(탈이온수)이다. 린스액은, 약액을 제거하는 데 이용된다. 린스액은, 회전하는 기판(W)의 중심에 공급되고, 원심력에 의해 기판(W)의 상면 전체에 젖음 확장되어, 기판(W)의 상면에 남는 약액을 씻어 낸다. 그 결과, 기판(W)의 상면에, 린스액의 액막이 형성된다. 하나의 약액이 기판(W)에 공급된 후, 다른 약액이 기판(W)에 공급되기 전에, 린스액이 기판(W)에 공급되어도 좋다.The rinse liquid is, for example, DIW (deionized water). The rinse liquid is used to remove the chemical solution. The rinse liquid is supplied to the center of the rotating substrate W, wets and spreads over the entire upper surface of the substrate W due to centrifugal force, and washes away the chemical solution remaining on the upper surface of the substrate W. As a result, a liquid film of the rinse liquid is formed on the upper surface of the substrate W. The rinse liquid may be supplied to the substrate W after one chemical liquid is supplied to the substrate W and before another chemical liquid is supplied to the substrate W.
건조액은, 예컨대 IPA(이소프로필알코올) 등의 유기 용제이다. 유기 용제는, 린스액보다 낮은 표면 장력을 갖는다. 그러므로, 표면 장력에 의한 요철 패턴의 도괴를 억제할 수 있다. 건조액은, 회전하는 기판(W)의 중심에 공급되고, 원심력에 의해 기판(W)의 상면 전체에 젖음 확장되어, 기판(W)의 상면에 남는 린스액을 치환한다. 그 결과, 기판(W)의 상면에, 건조액의 액막이 형성된다. 또한, 건조액은, 사용하지 않아도 좋다.The drying liquid is, for example, an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol). The organic solvent has a lower surface tension than the rinse liquid. Therefore, collapse of the uneven pattern due to surface tension can be suppressed. The drying liquid is supplied to the center of the rotating substrate W, wets and spreads over the entire upper surface of the substrate W due to centrifugal force, and replaces the rinse liquid remaining on the upper surface of the substrate W. As a result, a liquid film of the drying liquid is formed on the upper surface of the substrate W. Additionally, the drying liquid does not need to be used.
노즐(31)은, 처리액(L)의 공급 중에, 기판(W)의 중심의 직상에서 정지되지만, 기판(W)의 직경 방향으로 이동되어도 좋다. 노즐(31)은, 기판(W)의 직경 방향으로 긴 바 노즐이어도 좋다. 바 노즐은, 예컨대, 기판(W)의 반경 정도의 길이를 갖고, 기판(W)의 중심으로부터 둘레 가장자리까지 동시에 처리액(L)을 공급한다.The nozzle 31 is stopped directly above the center of the substrate W while the processing liquid L is supplied, but may be moved in the radial direction of the substrate W. The nozzle 31 may be a bar nozzle long in the radial direction of the substrate W. The bar nozzle has a length approximately equal to the radius of the substrate W, for example, and simultaneously supplies the processing liquid L from the center of the substrate W to the peripheral edge.
공급기(32)는, 노즐(31)에 접속되는 공급 라인(32a)을 포함한다. 공급 라인(32a)의 도중에는, 도시하지 않지만, 처리액(L)의 유량을 계측하는 유량계, 처리액(L)의 유량을 제어하는 유량 제어기, 처리액(L)의 유로를 개폐하는 개폐 밸브 등이 마련된다. 공급 라인(32a)의 도중에는, 처리액(L)의 온도를 조절하는 온도 조절기가 마련되어도 좋다. 온도 조절기는, 예컨대 히터이다.The feeder 32 includes a supply line 32a connected to the nozzle 31. In the middle of the supply line 32a, although not shown, there is a flow meter that measures the flow rate of the processing liquid L, a flow rate controller that controls the flow rate of the processing liquid L, an open/close valve that opens and closes the flow path of the processing liquid L, etc. This is prepared. A temperature controller that adjusts the temperature of the processing liquid L may be provided in the middle of the supply line 32a. The temperature controller is, for example, a heater.
노즐 이동부(33)는, 예컨대 노즐(31)을 기판(W)의 직경 방향으로 이동시킨다. 노즐 이동부(33)는, 기판(W)에 대하여 처리액(L)을 공급하는 공급 위치와, 기판(W)의 직경 방향 외측에서 대기하는 대기 위치 사이에서, 노즐(31)을 이동시킨다. 노즐 이동부(33)는, 노즐(31)을 연직 방향으로 이동시켜도 좋다.The nozzle moving unit 33 moves the nozzle 31 in the radial direction of the substrate W, for example. The nozzle moving unit 33 moves the nozzle 31 between a supply position where the processing liquid L is supplied to the substrate W and a waiting position outside the substrate W in the radial direction. The nozzle moving unit 33 may move the nozzle 31 in the vertical direction.
컵(40)은, 유지부(20)에 유지되어 있는 기판(W)의 둘레 가장자리를 둘러싸고, 기판(W)의 둘레 가장자리로부터 비산하는 처리액(L)을 받는다. 컵(40)은, 본 실시형태에서는 회전축(22)과 함께 회전하지 않지만, 회전축(22)과 함께 회전하여도 좋다. 컵(40)의 바닥벽에는, 컵(40)의 내부에 저장된 액체를 배출하는 배액관(41)과, 컵(40)의 내부에 저장된 기체를 배출하는 배기관(42)이 마련된다.The cup 40 surrounds the peripheral edge of the substrate W held by the holding portion 20 and receives the processing liquid L flying from the peripheral edge of the substrate W. The cup 40 does not rotate together with the rotating shaft 22 in this embodiment, but may rotate together with the rotating shaft 22. The bottom wall of the cup 40 is provided with a drain pipe 41 for discharging the liquid stored inside the cup 40 and an exhaust pipe 42 for discharging the gas stored inside the cup 40.
기판 처리 장치(1)는, 자외선 조사부(50)를 구비한다. 자외선 조사부(50)는, 텅스텐막에 대하여 질화 티탄막을 선택적으로 에칭하기 전에, 기판(W)의 표면(Wa)에 대하여 자외선을 조사하여, 기판(W)의 표면(Wa)에 산화막을 형성한다. 처리 용기(10)의 내부 공간은 산소 가스를 포함하고, 자외선은 산소 가스로부터 오존 가스를 생성한다. 오존 가스가 기판(W)의 표면(Wa)에 산화막을 형성한다.The substrate processing apparatus 1 includes an ultraviolet ray irradiation unit 50 . The ultraviolet irradiation unit 50 irradiates ultraviolet rays to the surface Wa of the substrate W before selectively etching the titanium nitride film with respect to the tungsten film, thereby forming an oxide film on the surface Wa of the substrate W. . The internal space of the processing vessel 10 contains oxygen gas, and ultraviolet rays generate ozone gas from the oxygen gas. Ozone gas forms an oxide film on the surface Wa of the substrate W.
예컨대, 자외선 조사부(50)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 텅스텐막(W1)의 표면에 자외선을 조사하여, 그 표면에 산화 텅스텐막(W2)을 형성한다. 도시하지 않지만, 자외선 조사부(50)는, 질화 티탄막의 표면에도 자외선을 조사하여, 그 표면에 산질화 티탄막을 형성한다. 산화막의 형성에 의해, 자세히는 후술하지만, 텅스텐막의 에칭 속도에 대한 질화 티탄막의 에칭 속도의 비를 향상시킬 수 있다. 이 비를, 이하, 단순히 「선택비」라고도 부른다. 선택비는, 예컨대 7 이상이고, 바람직하게는 10 이상, 보다 바람직하게는 20 이상이다. 선택비는, 높을수록 바람직하지만, 40 이하여도 좋다.For example, as shown in FIG. 2, the ultraviolet irradiation unit 50 irradiates ultraviolet rays to the surface of the tungsten film W1 to form a tungsten oxide film W2 on the surface. Although not shown, the ultraviolet irradiation unit 50 also irradiates ultraviolet rays to the surface of the titanium nitride film to form a titanium oxynitride film on the surface. By forming an oxide film, as will be described in detail later, the ratio of the etching rate of the titanium nitride film to the etching rate of the tungsten film can be improved. This ratio is hereinafter simply referred to as “selection ratio.” The selectivity is, for example, 7 or more, preferably 10 or more, and more preferably 20 or more. The higher the selectivity ratio, the more preferable it is, but it may be 40 or less.
산화 텅스텐막(W2)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 약액에 의해 제거하는 데 시간을 요하여, 텅스텐막(W1)의 에칭 개시를 늦춘다. 산질화 티탄막은, 산화 텅스텐막(W2)에 비해서 약액에 의해 제거되기 쉬워, 질화 티탄막의 에칭 개시를 거의 늦추지 않는다. 그 결과, 텅스텐막의 에칭 속도에 대한 질화 티탄막의 에칭 속도의 비를 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 3, the tungsten oxide film W2 requires time to be removed with a chemical solution, delaying the start of etching of the tungsten film W1. The titanium oxynitride film is easier to remove with a chemical solution than the tungsten oxide film W2, and the start of etching of the titanium nitride film is hardly delayed. As a result, the ratio of the etching rate of the titanium nitride film to the etching rate of the tungsten film can be improved.
또한, 텅스텐막은, 질화 티탄막에 비해서, SPM 또는 희황산에 대하여 높은 내성을 갖지만, 전혀 에칭되지 않는 것은 아니다. 텅스텐막은, SPM 또는 희황산에 의해, 산화되면서, 에칭되어 버린다. 자외선의 조사는, SPM 또는 희황산의 공급에 비해서, 치밀한 산화 텅스텐막(W2)을 형성함으로써, 텅스텐막(W1)의 에칭 개시를 늦추고 있다고 생각된다.Additionally, the tungsten film has higher resistance to SPM or dilute sulfuric acid than the titanium nitride film, but is not completely etched. The tungsten film is oxidized and etched by SPM or diluted sulfuric acid. It is believed that irradiation of ultraviolet rays delays the start of etching of the tungsten film W1 by forming a dense tungsten oxide film W2 compared to the supply of SPM or diluted sulfuric acid.
자세히는 실시예의 란에서 설명하지만, 기판(W)의 표면(Wa)에 자외선을 조사하는 일없이, 그 표면(Wa)을 SPM으로 에칭하는 경우, 선택비는 4∼6 정도였다. 한편, 기판(W)의 표면(Wa)에 자외선을 조사한 후에, 그 표면(Wa)을 SPM으로 에칭하는 경우, 선택비는 7 이상이었다.As explained in detail in the Example section, when the surface Wa of the substrate W was etched by SPM without irradiating the surface Wa with ultraviolet rays, the selectivity ratio was about 4 to 6. On the other hand, when the surface Wa of the substrate W was irradiated with ultraviolet rays and then the surface Wa was etched by SPM, the selectivity was 7 or more.
자외선의 조사는, 기판(W)의 표면(Wa)을 희황산으로 에칭하는 경우에도 유효하다. 희황산은, SPM에 비해서 약한 산화력을 갖기 때문에, 산화 텅스텐막의 에칭 속도를 늦출 수 있어, SPM에 비해서 선택비를 향상시킬 수 있다. 또한, SPM은, 상기한 바와 같이, 희황산에 비해서, 토출 온도를 내릴 수 있다고 하는 이점이 있다.Irradiation of ultraviolet rays is also effective when etching the surface Wa of the substrate W with dilute sulfuric acid. Since diluted sulfuric acid has a weaker oxidizing power than SPM, it can slow down the etching rate of the tungsten oxide film and improve the selectivity compared to SPM. Additionally, as mentioned above, SPM has the advantage of being able to lower the discharge temperature compared to diluted sulfuric acid.
또한, 기판(W)은, 기판(W)의 표면(Wa)에, 질화 티탄막 대신에, 질화 탄탈막 등을 가져도 좋다. 즉, 기판(W)은, 기판(W)의 표면(Wa)에, 질화 금속막을 가지면 좋다. 약액이 텅스텐막에 대하여 질화 금속막을 선택적으로 에칭하기 전에, 자외선 조사부(50)가 기판(W)의 표면(Wa)을 산화하면, 텅스텐막의 에칭 속도에 대한 질화 금속막의 에칭 속도의 비를 향상시킬 수 있다.Additionally, the substrate W may have a tantalum nitride film or the like on the surface Wa of the substrate W instead of the titanium nitride film. That is, the substrate W may have a metal nitride film on the surface Wa of the substrate W. If the ultraviolet irradiation unit 50 oxidizes the surface Wa of the substrate W before the chemical solution selectively etches the metal nitride film with respect to the tungsten film, the ratio of the etching rate of the metal nitride film to the etching rate of the tungsten film can be improved. You can.
자외선 조사부(50)는, 예컨대, 도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(10)의 내부에 마련되는 자외선의 광원(51)을 갖는다. 광원(51)으로서는, 수은 램프, 엑시머 램프, 또는 자외선 LED 등이 이용된다. 자외선의 파장은, 예컨대 100 ㎚∼230 ㎚이다.The ultraviolet ray irradiation unit 50 has an ultraviolet light source 51 provided inside the processing container 10, for example, as shown in FIG. 1 . As the light source 51, a mercury lamp, excimer lamp, or ultraviolet LED is used. The wavelength of ultraviolet rays is, for example, 100 nm to 230 nm.
자외선 조사부(50)는, 광원(51)과 유지부(20)를 상대적으로 이동시키는 이동부(52)를 갖는다. 이동부(52)는, 광원(51)과 유지부(20)를 상대적으로 이동시킴으로써, 유지부(20)에서 유지되고 있는 기판(W)의 표면(Wa)에 있어서의 자외선의 조사 영역을 이동시켜, 기판(W)의 표면(Wa) 전체에 자외선을 조사한다. 자외선의 적산 조사량은, 예컨대, 30 mJ/㎠∼950 mJ/㎠이다.The ultraviolet irradiation unit 50 has a moving unit 52 that relatively moves the light source 51 and the holding unit 20. The moving unit 52 moves the ultraviolet irradiation area on the surface Wa of the substrate W held by the holding unit 20 by relatively moving the light source 51 and the holding unit 20. Then, ultraviolet rays are irradiated to the entire surface Wa of the substrate W. The cumulative irradiation amount of ultraviolet rays is, for example, 30 mJ/cm2 to 950 mJ/cm2.
도 4에 나타내는 바와 같이, 예컨대, 광원(51)은, 봉형으로서, 기판(W)의 직경 이상의 길이를 갖는다. 이동부(52)는, 광원(51) 또는 유지부(20)(도 4에서는 광원(51))를, 광원(51)의 길이 방향에 직교하는 방향으로서 기판(W)의 직경 방향으로 평행 이동시킴으로써, 기판(W)의 표면(Wa) 전체에 자외선을 조사한다.As shown in FIG. 4 , for example, the light source 51 is rod-shaped and has a length equal to or greater than the diameter of the substrate W. The moving unit 52 moves the light source 51 or the holding unit 20 (light source 51 in FIG. 4) in parallel in the radial direction of the substrate W in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the light source 51. By doing so, ultraviolet rays are irradiated to the entire surface Wa of the substrate W.
도 5에 나타내는 바와 같이, 광원(51)은, 봉형으로서, 기판(W)의 반경 이상의 길이를 가져도 좋다. 이동부(52)는, 광원(51) 또는 유지부(20)(도 5에서는 유지부(20))를, 기판(W)의 둘레 방향으로 회전 이동시킴으로써, 기판(W)의 표면(Wa) 전체에 자외선을 조사한다. 유지부(20)를 회전 이동시키는 이동부(52)로서, 회전부(21)가 이용된다.As shown in FIG. 5 , the light source 51 may be rod-shaped and may have a length equal to or greater than the radius of the substrate W. The moving unit 52 rotates the light source 51 or the holding unit 20 (holding unit 20 in FIG. 5) in the circumferential direction of the substrate W, thereby moving the surface Wa of the substrate W. Irradiate ultraviolet rays to the entire area. As the moving part 52 that rotates the holding part 20, the rotating part 21 is used.
광원(51)은, 본 실시형태에서는 도 1에 나타내는 바와 같이 처리 용기(10)의 내부에 마련되지만, 처리 용기(10)의 외부에 마련되어도 좋고, 예컨대, 반송 장치(2)의 기판(W)을 반송하는 반송로에 마련되어도 좋다. 이 경우, 광원(51)은, 기판(W)의 반송 중에, 기판(W)의 표면(Wa)에 대하여 자외선을 조사한다. 따라서, 이 경우, 반송 장치(2)가, 이동부(52)의 역할을 한다.In the present embodiment, the light source 51 is provided inside the processing container 10 as shown in FIG. 1, but may be provided outside the processing container 10, for example, on the substrate (W) of the transfer device 2. ) may be provided on the return route that returns the product. In this case, the light source 51 irradiates ultraviolet rays to the surface Wa of the substrate W while the substrate W is being transported. Therefore, in this case, the transfer device 2 serves as the moving unit 52 .
또한, 자외선 조사부(50)는, 반송 장치(2)의 기판(W)을 반송하는 반송로의 옆에, 처리 용기(10)와는 별도로 마련되어도 좋다. 이 경우, 기판(W)은, 반송 장치(2)에 의해 자외선 조사부(50)에 반입되고, 이어서 자외선 조사부(50)에 의해 처리된 후, 자외선 조사부(50)로부터 반출되어, 처리 용기(10)에 반송된다. 그 후, 처리 용기(10)의 내부에서, 에칭이 행해진다.In addition, the ultraviolet irradiation unit 50 may be provided separately from the processing container 10 next to the transport path for transporting the substrate W of the transport device 2. In this case, the substrate W is brought into the ultraviolet irradiation unit 50 by the transfer device 2, is then processed by the ultraviolet irradiation unit 50, and then is carried out from the ultraviolet irradiation unit 50, and is placed in the processing container 10. ) is returned to Afterwards, etching is performed inside the processing container 10.
기판 처리 장치(1)는, 제어부(90)를 구비한다. 제어부(90)는, 예컨대 컴퓨터이고, CPU(Central Processing Unit)(91)와, 메모리 등의 기억 매체(92)를 구비한다. 기억 매체(92)에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(90)는, 기억 매체(92)에 기억된 프로그램을 CPU(91)에 실행시킴으로써, 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다.The substrate processing apparatus 1 includes a control unit 90 . The control unit 90 is, for example, a computer and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as memory. The storage medium 92 stores a program that controls various processes performed in the substrate processing apparatus 1. The control unit 90 controls the operation of the substrate processing apparatus 1 by causing the CPU 91 to execute the program stored in the storage medium 92.
다음에, 도 6을 참조하여, 기판 처리 장치(1)의 처리의 일례에 대해서 설명한다. 도 6에 나타내는 각 단계 S101∼S107은, 제어부(90)에 의한 제어 하에서 실시된다.Next, with reference to FIG. 6, an example of processing in the substrate processing apparatus 1 will be described. Each step S101 to S107 shown in FIG. 6 is performed under control by the control unit 90.
먼저, 반송 장치(2)가, 기판(W)을 처리 용기(10)의 내부에 반입한다(단계 S101). 반송 장치(2)는, 유지부(20)에 기판(W)을 배치한 후, 처리 용기(10)의 내부로부터 퇴출한다. 유지부(20)는, 기판(W)을 유지한다.First, the transfer device 2 loads the substrate W into the processing container 10 (step S101). The transfer device 2 places the substrate W on the holding unit 20 and then withdraws it from the inside of the processing container 10 . The holding portion 20 holds the substrate W.
다음에, 자외선 조사부(50)가, 기판(W)의 표면(Wa)에 대하여 자외선을 조사하여, 기판(W)의 표면(Wa)에 산화막을 형성한다(단계 S102). 자외선 조사부(50)는, 기판(W)의 표면(Wa) 전체에 산화막을 형성한다. 그 후, 회전부(21)가 유지부(20)와 함께 기판(W)을 회전시킨다. 또한, 상기한 바와 같이, 회전부(21)가 이동부(52)로서 이용되어도 좋고, 단계 S102 이전부터 회전부(21)가 유지부(20)와 함께 기판(W)을 회전시켜도 좋다.Next, the ultraviolet irradiation unit 50 irradiates ultraviolet rays to the surface Wa of the substrate W to form an oxide film on the surface Wa of the substrate W (step S102). The ultraviolet irradiation unit 50 forms an oxide film on the entire surface Wa of the substrate W. After that, the rotating part 21 rotates the substrate W together with the holding part 20. Additionally, as described above, the rotating unit 21 may be used as the moving unit 52, and the rotating unit 21 may rotate the substrate W together with the holding unit 20 before step S102.
다음에, 노즐(31)이, 회전하고 있는 기판(W)의 중심에 약액을 공급한다(단계 S103). 약액은, 원심력에 의해 기판(W)의 상면 전체에 젖음 확장되어, 액막을 형성한다. 약액은, 상기 단계 S102에서 형성된 산화막을 제거하고, 텅스텐막에 대하여 질화 티탄막을 선택적으로 에칭한다. 상기 단계 S103 이후, 텅스텐막(W1)이 기판(W)의 표면(Wa)에 재차 노출된다.Next, the nozzle 31 supplies the chemical solution to the center of the rotating substrate W (step S103). The chemical liquid spreads wetly over the entire upper surface of the substrate W due to centrifugal force, forming a liquid film. The chemical solution removes the oxide film formed in step S102 and selectively etches the titanium nitride film with respect to the tungsten film. After step S103, the tungsten film W1 is exposed again to the surface Wa of the substrate W.
다음에, 노즐(31)이, 회전하고 있는 기판(W)의 중심에 린스액을 공급한다(단계 S104). 린스액은, 원심력에 의해 기판(W)의 상면 전체에 젖음 확장되어, 기판(W)의 상면에 남는 약액을 씻어 낸다. 그 결과, 기판(W)의 상면에, 린스액의 액막이 형성된다.Next, the nozzle 31 supplies the rinse liquid to the center of the rotating substrate W (step S104). The rinse liquid wets and spreads over the entire upper surface of the substrate W due to centrifugal force, and washes away the chemical solution remaining on the upper surface of the substrate W. As a result, a liquid film of the rinse liquid is formed on the upper surface of the substrate W.
다음에, 노즐(31)이, 회전하고 있는 기판(W)의 중심에 건조액을 공급한다(단계 S105). 건조액은, 원심력에 의해 기판(W)의 상면 전체에 젖음 확장되어, 기판(W)의 상면에 남는 린스액을 씻어 낸다. 그 결과, 기판(W)의 상면에, 건조액의 액막이 형성된다.Next, the nozzle 31 supplies the drying liquid to the center of the rotating substrate W (step S105). The drying liquid wets and spreads over the entire upper surface of the substrate W by centrifugal force, and washes away the rinse liquid remaining on the upper surface of the substrate W. As a result, a liquid film of the drying liquid is formed on the upper surface of the substrate W.
다음에, 회전부(21)가, 기판(W)을 회전시켜, 기판(W)의 상면에 남는 건조액을 털어 내어, 기판(W)을 건조시킨다(단계 S106). 기판(W)의 건조 후, 회전부(21)가 기판(W)의 회전을 정지한다. 또한, 단계 S105(건조액의 공급)는 없어도 좋고, 그 경우, 단계 S106(기판의 건조)에서는, 기판(W)의 상면에 남는 린스액을 털어 낸다.Next, the rotating unit 21 rotates the substrate W, shakes off the drying liquid remaining on the upper surface of the substrate W, and dries the substrate W (step S106). After drying the substrate W, the rotating unit 21 stops the rotation of the substrate W. Additionally, step S105 (supply of drying liquid) may be omitted, and in that case, in step S106 (drying of the substrate), the rinse liquid remaining on the upper surface of the substrate W is shaken off.
마지막으로, 유지부(20)가 기판(W)의 유지를 해제하고, 이어서 반송 장치(2)가 유지부(20)로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 처리 용기(10)의 외부에 반출한다(단계 S107). 그 후, 이번의 처리가 종료한다.Finally, the holding unit 20 releases the holding of the substrate W, and then the transfer device 2 receives the substrate W from the holding unit 20, and places the received substrate W in a processing container ( 10) Take it out to the outside (step S107). After that, this processing ends.
또한, 자외선 조사부(50)의 광원(51)은 상기한 바와 같이 처리 용기(10)의 외부에 마련되어도 좋고, 제어부(90)는 단계 S101(기판의 반입) 이전에 단계 S102(산화막의 형성)를 실시하여도 좋다.Additionally, the light source 51 of the ultraviolet irradiation unit 50 may be provided outside the processing container 10 as described above, and the control unit 90 may perform step S102 (formation of the oxide film) before step S101 (loading of the substrate). You may carry out.
[실시예][Example]
다음에, 표 1 및 도 7을 참조하여, 실험 데이터에 대해서 설명한다.Next, referring to Table 1 and FIG. 7, experimental data will be described.
실시예 1에서는, 도 1에 나타내는 기판 처리 장치(1)를 이용하여, 표 1에 나타내는 처리 조건에서, 도 6에 나타내는 단계 S101∼S107을 실시하였다. 단계 S103에서는, SPM을 기판(W)의 표면(Wa)에 공급하였다. SPM은, 황산과 과산화 수소수의 혼합비(황산:과산화 수소수)가, 체적비로, 6:1이었다. 과산화 수소수는, 과산화 수소를 31 질량% 함유하는 것을 이용하였다. SPM의 토출 온도는, 104℃였다. 실시예 1에서는, 선택비는 12.1이었다.In Example 1, steps S101 to S107 shown in FIG. 6 were performed using the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1 under the processing conditions shown in Table 1. In step S103, SPM was supplied to the surface Wa of the substrate W. In SPM, the mixing ratio of sulfuric acid and hydrogen peroxide water (sulfuric acid:hydrogen peroxide water) was 6:1 in volume ratio. The hydrogen peroxide water containing 31% by mass of hydrogen peroxide was used. The discharge temperature of SPM was 104°C. In Example 1, the selectivity was 12.1.
비교예 1에서는, 표 1에 나타내는 바와 같이, 단계 S102(산화막의 형성)를 실시하지 않은 것, 및 질화 티탄막의 에칭량이 같은 정도가 되도록 SPM의 공급 시간을 단축한 것 이외에, 실시예 1과 동일한 조건에서, 기판(W)을 처리하였다. 비교예 1에서는, 선택비는 4.7이었다.In Comparative Example 1, as shown in Table 1, the same procedure as Example 1 was performed, except that step S102 (formation of the oxide film) was not performed and the SPM supply time was shortened so that the etching amount of the titanium nitride film was the same. Under these conditions, the substrate (W) was treated. In Comparative Example 1, the selectivity ratio was 4.7.
표 1 및 도 7로부터 분명한 바와 같이, 단계 S102(산화막의 형성)를 실시하여, 텅스텐막의 표면에 산화 텅스텐막을 형성함으로써, 텅스텐막의 에칭 속도에 대한 질화 티탄막의 에칭 속도의 비를 향상시킬 수 있고, 선택비를 향상시킬 수 있는 것을 알았다.As is clear from Table 1 and FIG. 7, by performing step S102 (formation of oxide film) to form a tungsten oxide film on the surface of the tungsten film, the ratio of the etching rate of the titanium nitride film to the etching rate of the tungsten film can be improved, I found out that the selection ratio can be improved.
이상, 본 개시에 따른 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법의 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 청구범위에 기재된 범주 내에 있어서, 각종 변경, 수정, 치환, 부가, 삭제, 및 조합이 가능하다. 이들에 대해서도 당연히 본 개시의 기술적 범위에 속한다.Although embodiments of the substrate processing apparatus and substrate processing method according to the present disclosure have been described above, the present disclosure is not limited to the above embodiments. Various changes, modifications, substitutions, additions, deletions, and combinations are possible within the scope stated in the claims. These naturally fall within the technical scope of the present disclosure.
본 출원은, 2021년 7월 16일에 일본국 특허청에 출원한 특허 출원 제2021-117619호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 특허 출원 제2021-117619호의 전체 내용을 본 출원에 원용한다.This application claims priority based on Patent Application No. 2021-117619 filed with the Japan Patent Office on July 16, 2021, and the entire contents of Patent Application No. 2021-117619 are incorporated into this application.
1 기판 처리 장치
20 유지부
30 액 공급부
50 자외선 조사부
W 기판
Wa 표면1 Substrate processing device
20 maintenance department
30 liquid supply department
50 UV irradiation unit
W substrate
Wa surface
Claims (9)
텅스텐막 및 질화 티탄막이 표면에 형성된 기판의 상기 표면에 대하여 자외선을 조사하여, 상기 기판의 상기 표면에 산화막을 형성하는 자외선 조사부와,
상기 기판을 유지하는 유지부와,
상기 유지부에서 유지되고 있는 상기 기판의 상기 표면에 대하여 약액을 공급하여, 상기 약액에 의해 상기 산화막을 제거하고, 상기 약액에 의해 상기 텅스텐막에 대하여 상기 질화 티탄막을 선택적으로 에칭하는 액 공급부
를 포함하는, 기판 처리 장치.In the substrate processing device,
an ultraviolet ray irradiation unit that irradiates ultraviolet rays to the surface of a substrate on which a tungsten film and a titanium nitride film are formed to form an oxide film on the surface of the substrate;
a holding portion that holds the substrate,
A liquid supply unit that supplies a chemical solution to the surface of the substrate held by the holding unit, removes the oxide film by the chemical solution, and selectively etches the titanium nitride film with respect to the tungsten film by the chemical solution.
Including, a substrate processing device.
상기 약액은 황산과 물을 포함하는 혼합액인 것인, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing device wherein the chemical solution is a mixed solution containing sulfuric acid and water.
상기 혼합액은 과산화 수소 또는 오존을 포함하는 것인, 기판 처리 장치.According to paragraph 2,
A substrate processing device wherein the mixed solution contains hydrogen peroxide or ozone.
상기 혼합액은 황산과 과산화 수소를 포함하는 수용액인 SPM인 것인, 기판 처리 장치.According to paragraph 3,
A substrate processing device wherein the mixed solution is SPM, an aqueous solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide.
상기 액 공급부는 상기 SPM과 수증기를 섞으면서 토출하는 노즐을 포함하는 것인, 기판 처리 장치.According to paragraph 4,
The liquid supply unit includes a nozzle that discharges the SPM while mixing the water vapor.
상기 유지부를 내부에 수용하는 처리 용기를 포함하고,
상기 자외선 조사부는, 상기 처리 용기의 내부에 마련되는 상기 자외선의 광원과, 상기 광원과 상기 유지부를 상대적으로 이동시키는 이동부를 포함하는 것인, 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 5,
Comprising a processing vessel accommodating the holding unit therein,
The ultraviolet irradiation unit includes a light source of the ultraviolet rays provided inside the processing container, and a moving part that relatively moves the light source and the holding unit.
상기 자외선의 상기 광원은, 봉형으로서, 상기 기판의 직경 이상의 길이를 갖고,
상기 이동부는, 상기 광원 또는 상기 유지부를, 상기 광원의 길이 방향에 직교하는 방향으로서 상기 기판의 직경 방향으로 평행 이동시키는 것인, 기판 처리 장치.According to clause 6,
The light source of the ultraviolet rays is rod-shaped and has a length equal to or greater than the diameter of the substrate,
The substrate processing apparatus wherein the moving unit moves the light source or the holding unit in parallel in the radial direction of the substrate in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the light source.
상기 자외선의 상기 광원은, 봉형으로서, 상기 기판의 반경 이상의 길이를 갖고,
상기 이동부는, 상기 광원 또는 상기 유지부를, 상기 기판의 둘레 방향으로 회전 이동시키는 것인, 기판 처리 장치.According to clause 6,
The light source of the ultraviolet rays is rod-shaped and has a length equal to or greater than the radius of the substrate,
The substrate processing apparatus wherein the moving unit rotates and moves the light source or the holding unit in a circumferential direction of the substrate.
텅스텐막 및 질화 티탄막이 표면에 형성된 기판의 상기 표면에 대하여 자외선을 조사하여, 상기 기판의 상기 표면에 산화막을 형성하는 단계와,
상기 기판을 유지부에서 유지하는 단계와,
상기 유지부에서 유지되고 있는 상기 기판의 상기 표면에 대하여 약액을 공급하여, 상기 약액에 의해 상기 산화막을 제거하고, 상기 약액에 의해 상기 텅스텐막에 대하여 상기 질화 티탄막을 선택적으로 에칭하는 단계
를 포함하는, 기판 처리 방법.In the substrate processing method,
forming an oxide film on the surface of the substrate by irradiating ultraviolet rays to the surface of a substrate on which a tungsten film and a titanium nitride film are formed;
maintaining the substrate in a holding unit;
Supplying a chemical solution to the surface of the substrate held in the holding unit, removing the oxide film with the chemical solution, and selectively etching the titanium nitride film with respect to the tungsten film with the chemical solution.
Including, a substrate processing method.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2021-117619 | 2021-07-16 | ||
| JP2021117619 | 2021-07-16 | ||
| PCT/JP2022/026844 WO2023286672A1 (en) | 2021-07-16 | 2022-07-06 | Substrate processing device and substrate processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240023686A true KR20240023686A (en) | 2024-02-22 |
Family
ID=84920220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020247004424A KR20240023686A (en) | 2021-07-16 | 2022-07-06 | Substrate processing device and substrate processing method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240023686A (en) |
| CN (1) | CN117678056A (en) |
| TW (1) | TW202319831A (en) |
| WO (1) | WO2023286672A1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003234307A (en) | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching method, substrate cleaning method and method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077118A (en) * | 1999-06-30 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | Semiconductor device and manufacture threof |
| KR102166974B1 (en) * | 2013-11-11 | 2020-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Method and hardware for enhanced removal of post etch polymer and hardmask removal |
| WO2019235275A1 (en) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2022
- 2022-07-05 TW TW111125148A patent/TW202319831A/en unknown
- 2022-07-06 CN CN202280048780.XA patent/CN117678056A/en active Pending
- 2022-07-06 KR KR1020247004424A patent/KR20240023686A/en not_active Application Discontinuation
- 2022-07-06 WO PCT/JP2022/026844 patent/WO2023286672A1/en active Application Filing
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003234307A (en) | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching method, substrate cleaning method and method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2023286672A1 (en) | 2023-01-19 |
| TW202319831A (en) | 2023-05-16 |
| CN117678056A (en) | 2024-03-08 |
| WO2023286672A1 (en) | 2023-01-19 |
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