JP2011204944A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、基板に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing processing using a processing liquid on a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, solar cell substrate and the like.
たとえば、半導体装置の製造工程では、半導体基板(以下、単に「基板」という。)の表面に対して処理液を用いた処理が行われる。処理液としては処理の内容によって様々な種類の処理液が用いられる。たとえば、基板表面の酸化膜のエッチング処理に用いられるフッ酸、基板表面のレジストを剥離するレジスト剥離処理に用いられるSPM(硫酸と過酸化水素水の混合液)、基板表面の酸化膜形成に用いられる過酸化水素水やオゾン水、基板表面の有機物除去に用いられるAPM(アンモニアと過酸化水素水の混合液)、基板を純水リンス処理した後の乾燥処理で用いられるIPA(イソプロピルアルコール)などが挙げられる。たとえば、枚葉式の基板処理装置では、水平に保持されて回転している基板の表面にこれらの処理液が供給されることにより基板の処理が行われる。 For example, in a manufacturing process of a semiconductor device, processing using a processing liquid is performed on the surface of a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”). Various types of processing liquid are used as the processing liquid depending on the content of the processing. For example, hydrofluoric acid used for the etching process of the oxide film on the substrate surface, SPM (mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution) used for the resist peeling process for removing the resist on the substrate surface, and the oxide film formation on the substrate surface Hydrogen peroxide water and ozone water, APM (a mixture of ammonia and hydrogen peroxide solution) used to remove organic substances on the substrate surface, IPA (isopropyl alcohol) used in the drying process after the substrate is rinsed with pure water, etc. Is mentioned. For example, in a single wafer type substrate processing apparatus, a substrate is processed by supplying these processing liquids to the surface of a substrate that is held horizontally and rotating.
しかしながら、これらの処理液を用いた処理では、処理対象の基板表面に形成された膜の種類によっては、所望の処理を行うために処理液を長時間基板に供給する必要があり、その場合は基板の処理時間が長くなり、さらに処理液の消費量が多くなるといった問題が生じていた。また、処理液を基板に供給することにより、基板表面に処理液に含まれる不純物が付着するおそれがあり、これらの不純物を基板表面から除去する必要があった。 However, in processing using these processing liquids, depending on the type of film formed on the surface of the substrate to be processed, it is necessary to supply the processing liquid to the substrate for a long time in order to perform the desired processing. There has been a problem that the processing time of the substrate becomes long and the consumption of the processing liquid increases. Further, by supplying the treatment liquid to the substrate, impurities contained in the treatment liquid may adhere to the substrate surface, and it has been necessary to remove these impurities from the substrate surface.
そこで、本発明の目的は、処理液を用いた処理において基板表面を良好に処理することができるとともに、基板の処理時間をより短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can satisfactorily treat a substrate surface in processing using a processing liquid and that can further reduce the processing time of the substrate. is there.
前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板に対して処理を施すための基板処理装置(1)であって、基板に対して処理液による処理を施すための基板処理部(10)と、基板を収容する基板収容器を保持する収容器保持部(4)と、前記収容器保持部と前記基板処理部との間で基板を搬送するための基板搬送手段(6、7、9)と、前記基板搬送手段が配置された基板搬送空間に設けられ、前記基板搬送手段により搬送中の基板に対して、172nmの波長を中心とする紫外線を照射する紫外線照射手段(57、58)とを含むことを特徴とする基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。 The invention described in claim 1 for achieving the above object is a substrate processing apparatus (1) for processing a substrate, wherein the substrate processing section (for processing the substrate with a processing liquid) 10), a container holder (4) for holding a substrate container for storing a substrate, and a substrate transfer means (6, 7) for transferring a substrate between the container holder and the substrate processing unit. 9), and an ultraviolet irradiating means (57, 57) for irradiating the substrate being conveyed by the substrate conveying means with an ultraviolet ray centered at a wavelength of 172 nm, provided in the substrate conveying space where the substrate conveying means is arranged. 58). In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
本発明によれば、基板処理部において基板に対して処理液による処理を施すことができ、基板は基板搬送手段によって収容器保持部と基板処理部との間で搬送される。その際、基板搬送手段が配置された基板搬送空間には、172nmの波長を中心とする紫外線(以下、単に「紫外線」という。)を発生する紫外線照射手段が設けられており、基板搬送手段によって搬送中の基板は、この紫外線照射手段から紫外線が照射される。これにより、収容器保持部から基板処理部に搬送される基板は、基板処理部で処理液による処理が施される前に、基板搬送手段による搬送中に紫外線が照射される。または、基板処理部で処理液による処理が施された後、収容器保持部に搬送される基板は、基板搬送手段による搬送中に紫外線が照射される。 According to the present invention, the substrate processing unit can process the substrate with the processing liquid, and the substrate is transferred between the container holding unit and the substrate processing unit by the substrate transfer unit. At that time, the substrate transport space in which the substrate transport means is disposed is provided with ultraviolet irradiation means for generating ultraviolet rays centered on a wavelength of 172 nm (hereinafter simply referred to as “ultraviolet rays”). The substrate being transported is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation means. Thus, the substrate transported from the container holding unit to the substrate processing unit is irradiated with ultraviolet rays while being transported by the substrate transporting unit before being processed by the processing liquid in the substrate processing unit. Alternatively, after the substrate processing unit performs processing with the processing liquid, the substrate transported to the container holding unit is irradiated with ultraviolet rays while being transported by the substrate transporting means.
ここで、基板表面に紫外線が照射された際の作用・効果について説明する。172nmの波長を中心とする紫外線は、大気中の酸素に吸収されることにより、励起酸素原子を生成する。また、この紫外線は大気中の酸素に吸収されることにより、オゾンを生成する。さらに、この生成されたオゾンからも励起酸素原子が生成される。また、この紫外線は、有機物の分子結合を切断する作用を有するため、基板表面に付着している有機物は紫外線が照射されることによって容易に分解される。この分解された有機物と上記の励起酸素原子が反応することにより、CO、CO2、H2O等の揮発性物質となり、揮発除去される。このように、基板表面に紫外線が照射されることによって、基板に付着している有機物は分解、除去される。また、基板表面に付着している有機物が除去されることにより、基板表面の親水性が向上する。また、オゾンが生成されることにより、基板表面に酸化膜が形成されるといった作用もある。 Here, the operation and effect when the substrate surface is irradiated with ultraviolet rays will be described. Ultraviolet rays centered at a wavelength of 172 nm are absorbed by oxygen in the atmosphere to generate excited oxygen atoms. The ultraviolet rays are absorbed by oxygen in the atmosphere to generate ozone. Further, excited oxygen atoms are also generated from the generated ozone. In addition, since the ultraviolet rays have a function of breaking the molecular bonds of the organic matter, the organic matter adhering to the substrate surface is easily decomposed when irradiated with the ultraviolet rays. When the decomposed organic substance reacts with the excited oxygen atom, it becomes a volatile substance such as CO, CO 2 , H 2 O, and is volatilized and removed. In this way, by irradiating the substrate surface with ultraviolet rays, the organic matter adhering to the substrate is decomposed and removed. Moreover, the hydrophilicity of the substrate surface is improved by removing the organic matter adhering to the substrate surface. Moreover, there is an effect that an oxide film is formed on the substrate surface by generating ozone.
したがって、本発明によれば、処理液による処理前もしくは処理後の搬送中の基板表面に紫外線が照射されることによって、基板表面の有機物が除去される、もしくは基板表面に酸化膜が形成される処理を施すことができる。これにより、処理液による処理にかかる時間を短縮することができる。また、処理液の消費量を少なくすることができる。さらに本発明によれば、紫外線の照射は基板が搬送されている際に並行して行われるので、装置のスループットを低下させることなく、紫外線照射による処理を基板に施すことができる。これにより、基板表面を良好に処理することができるとともに基板の処理時間をより短縮することができる。 Therefore, according to the present invention, organic substances on the substrate surface are removed or an oxide film is formed on the substrate surface by irradiating ultraviolet rays onto the substrate surface being transferred before or after the treatment with the treatment liquid. Processing can be performed. Thereby, the time required for the treatment with the treatment liquid can be shortened. In addition, the consumption of the processing liquid can be reduced. Further, according to the present invention, since the ultraviolet irradiation is performed in parallel with the substrate being transported, the substrate can be subjected to the processing by the ultraviolet irradiation without reducing the throughput of the apparatus. Thereby, the substrate surface can be processed satisfactorily and the processing time of the substrate can be further shortened.
請求項2に係る発明は、前記基板搬送空間内の酸素濃度を調整する酸素濃度調整手段(60、62、66、67、68、70、74、75)をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 2 further comprises oxygen concentration adjusting means (60, 62, 66, 67, 68, 70, 74, 75) for adjusting the oxygen concentration in the substrate transfer space. 1. The substrate processing apparatus according to 1.
この発明によれば、酸素濃度調整手段によって基板搬送空間内の酸素濃度が調整される。これにより、紫外線照射手段により紫外線が照射される際の大気中の酸素濃度が調整されるので、紫外線照射により生成される励起酸素原子およびオゾンの量を調整することができる。したがって、励起酸素原子による基板表面の有機物除去処理もしくはオゾンによる酸化膜形成処理のいずれの処理を基板Wに施すかを酸素濃度調整手段によって選択することができる。 According to this invention, the oxygen concentration in the substrate transfer space is adjusted by the oxygen concentration adjusting means. Thereby, since the oxygen concentration in the atmosphere when ultraviolet rays are irradiated by the ultraviolet irradiation means is adjusted, it is possible to adjust the amounts of excited oxygen atoms and ozone generated by the ultraviolet irradiation. Accordingly, it is possible to select by the oxygen concentration adjusting means whether the substrate W is subjected to the organic substance removing process on the substrate surface with excited oxygen atoms or the oxide film forming process with ozone.
前記酸素濃度調整手段は、前記基板搬送空間内に不活性ガスを含む気体を供給する不活性ガス供給手段(60、66、68、74)を含み、前記不活性ガス供給手段による不活性ガスの供給量を調整することにより前記基板搬送空間内の酸素濃度を調整するものであってもよい。(請求項3) The oxygen concentration adjusting means includes inert gas supply means (60, 66, 68, 74) for supplying a gas containing an inert gas into the substrate transfer space, and the inert gas supply means supplies the inert gas. The oxygen concentration in the substrate transfer space may be adjusted by adjusting the supply amount. (Claim 3)
この発明によれば、不活性ガス供給手段によって基板搬送空間内に不活性ガスを含む気体を供給し、不活性ガスの供給量を調整することにより、基板搬送空間内における酸素濃度を調整することができる。具体的には、不活性ガスの供給量を増加させることで基板搬送空間内の酸素濃度を低くすることができ、不活性ガスの供給量を減少させることで基板搬送空間内の酸素濃度を高くすることができる。基板搬送空間内の酸素濃度を低くすることによって、紫外線照射によって発生する励起酸素原子による基板表面上の有機物除去処理を行うことができる。一方、基板搬送空間内の酸素濃度を高くすることによって、紫外線照射によって発生するオゾン量が増加するので、基板表面における酸化膜形成処理を行うことができる。 According to this invention, the gas containing the inert gas is supplied into the substrate transfer space by the inert gas supply means, and the oxygen concentration in the substrate transfer space is adjusted by adjusting the supply amount of the inert gas. Can do. Specifically, the oxygen concentration in the substrate transport space can be lowered by increasing the supply amount of the inert gas, and the oxygen concentration in the substrate transport space can be increased by decreasing the supply amount of the inert gas. can do. By reducing the oxygen concentration in the substrate transfer space, organic substance removal treatment on the substrate surface by excited oxygen atoms generated by ultraviolet irradiation can be performed. On the other hand, by increasing the oxygen concentration in the substrate transfer space, the amount of ozone generated by ultraviolet irradiation increases, so that an oxide film forming process on the substrate surface can be performed.
前記不活性ガス供給手段は、不活性ガスを含む気体の供給方向を変更する供給方向変更手段(60、62、66、67、68、70、74、75)を含み、前記供給方向変更手段は前記基板搬送手段による基板の搬送方向に応じて、不活性ガスを含む気体の供給方向を変更するものであってもよい。(請求項4) The inert gas supply means includes supply direction change means (60, 62, 66, 67, 68, 70, 74, 75) for changing a supply direction of a gas containing an inert gas, and the supply direction change means includes: The supply direction of the gas containing the inert gas may be changed according to the substrate transfer direction by the substrate transfer means. (Claim 4)
この発明によれば、供給方向変更手段によって基板搬送空間内における不活性ガスを含む気体の供給方向を変更することができる。これにより、基板搬送手段により搬送中の基板の搬送方向に応じて、不活性ガスを含む気体の供給方向を変更することができる。具体的には、基板の搬送方向が変更された際には、供給方向変更手段は、基板の搬送方向の下流側から上流側に向けて不活性ガスを含む気体が供給されるように設定する。これにより、基板表面の不活性ガス濃度をより高めることができるので、基板表面の酸素濃度を低下させることができる。 According to this invention, the supply direction of the gas containing the inert gas in the substrate transfer space can be changed by the supply direction changing means. Thereby, the supply direction of the gas containing the inert gas can be changed according to the transport direction of the substrate being transported by the substrate transport means. Specifically, when the substrate transport direction is changed, the supply direction changing unit sets the gas including the inert gas from the downstream side to the upstream side in the substrate transport direction. . Thereby, since the inert gas concentration on the substrate surface can be further increased, the oxygen concentration on the substrate surface can be reduced.
前記紫外線照射手段は、前記基板処理部において処理が施された後であって、前記収容器保持部に搬送中の基板に対して紫外線を照射するものであってもよい。(請求項5) The ultraviolet irradiating unit may irradiate the substrate being transported to the container holding unit with ultraviolet rays after being processed in the substrate processing unit. (Claim 5)
この発明によれば、基板処理部において処理液による処理が施された後の基板に対して、紫外線照射手段によって紫外線を照射することができる。これにより、処理液を基板に供給することにより基板表面に付着した不純物を紫外線照射によって除去することができる。また、処理液による処理が施された後の基板に対して、紫外線照射による酸化膜形成処理を行うことができる。酸化膜形成処理は、たとえば過酸化水素水やオゾン水などの処理液を基板に供給することにより行うことも考えられるが、本発明によれば処理液を用いずに酸化膜を形成することができる。したがって、処理液の消費量を抑えることができる。また、基板の搬送中に並行して酸化膜形成処理を行うことができるので、基板の処理時間を短縮することもできる。 According to this invention, it is possible to irradiate the substrate after the processing with the processing liquid in the substrate processing unit by the ultraviolet irradiation means. Thereby, the impurities adhering to the substrate surface can be removed by ultraviolet irradiation by supplying the treatment liquid to the substrate. In addition, an oxide film formation process by ultraviolet irradiation can be performed on the substrate that has been subjected to the process using the process liquid. The oxide film formation process may be performed by supplying a treatment liquid such as hydrogen peroxide water or ozone water to the substrate, but according to the present invention, the oxide film can be formed without using the treatment liquid. it can. Therefore, the consumption of the processing liquid can be suppressed. In addition, since the oxide film forming process can be performed in parallel with the transport of the substrate, the processing time of the substrate can be shortened.
前記紫外線照射手段は、前記収容器保持部から前記基板処理部に搬送中の未処理の基板に対して紫外線を照射するものであってもよい。(請求項6) The ultraviolet irradiation means may irradiate the unprocessed substrate being transferred from the container holding unit to the substrate processing unit with ultraviolet rays. (Claim 6)
この発明によれば、基板処理部において処理液による処理が施される前の未処理の基板に対して、紫外線照射手段によって紫外線を照射することができる。これにより、未処理の基板の表面に付着している有機物を紫外線照射によって分解、除去することができる。したがって、基板表面の親水性を向上させることができる。そのため、その後に施される処理液による処理では、基板表面に対する処理液の反応性が向上し、処理液による処理をより効率的に施すことができる。したがって、基板処理部における処理液による処理時間を短縮することができ、処理液の消費量を抑えることができる。また、処理液による処理が施される前の未処理の基板に対して、紫外線照射による酸化膜形成処理を行うことができる。酸化膜形成処理は、たとえば過酸化水素水やオゾン水などの処理液を基板に供給することにより行うことも考えられるが、本発明によれば処理液を用いずに酸化膜を形成することができる。したがって、処理液の消費量を抑えることができる。また、基板の搬送中に酸化膜形成処理を並行して行うことができるので、基板の処理時間を短縮することもできる。 According to this invention, it is possible to irradiate the untreated substrate before being treated with the treatment liquid in the substrate treating unit by the ultraviolet irradiating means. Thereby, the organic matter adhering to the surface of the untreated substrate can be decomposed and removed by irradiation with ultraviolet rays. Therefore, the hydrophilicity of the substrate surface can be improved. Therefore, in the treatment with the treatment liquid performed thereafter, the reactivity of the treatment liquid with respect to the substrate surface is improved, and the treatment with the treatment liquid can be performed more efficiently. Therefore, the processing time by the processing liquid in the substrate processing unit can be shortened, and the consumption of the processing liquid can be suppressed. In addition, an oxide film forming process by ultraviolet irradiation can be performed on an unprocessed substrate before being processed with the processing liquid. The oxide film formation process may be performed by supplying a treatment liquid such as hydrogen peroxide water or ozone water to the substrate, but according to the present invention, the oxide film can be formed without using the treatment liquid. it can. Therefore, the consumption of the processing liquid can be suppressed. In addition, since the oxide film forming process can be performed in parallel with the transfer of the substrate, the processing time of the substrate can be shortened.
前記紫外線照射手段は、172nmの波長を中心とする紫外線を発生するエキシマランプ(58)であってもよい。(請求項7) The ultraviolet irradiation means may be an excimer lamp (58) that generates ultraviolet light centered on a wavelength of 172 nm. (Claim 7)
請求項8に係る発明は、基板処理部において基板に対して処理液による処理を施す基板処理工程(S4、S5、S6、S14、S15)と、基板を収容する基板収容器を保持する収容器保持部と前記基板処理部との間で基板を搬送する基板搬送工程(S1、S2、S3、S7、S8、S9、S11、S12、S13、S17、S18、S19)と、前記基板搬送工程と並行して行われ、搬送中の基板に対して172nmの波長を中心とする紫外線を照射する紫外線照射工程(S8、S12)とを備えたことを特徴とする基板処理方法である。この発明によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing step (S4, S5, S6, S14, S15) for processing a substrate with a processing liquid in a substrate processing section, and a container for holding a substrate container for storing the substrate. A substrate transporting step (S1, S2, S3, S7, S8, S9, S11, S12, S13, S17, S18, S19) for transporting the substrate between the holding unit and the substrate processing unit; The substrate processing method is characterized by comprising an ultraviolet irradiation step (S8, S12) that is performed in parallel and that irradiates the substrate being transported with ultraviolet rays centered on a wavelength of 172 nm. According to the present invention, an effect similar to the effect described in relation to claim 1 can be obtained.
前記紫外線照射工程は、前記基板処理工程の後に行われてもよい。(請求項9)この発明によれば、請求項5に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 The ultraviolet irradiation process may be performed after the substrate processing process. (Embodiment 9) According to the present invention, an effect similar to that described in relation to claim 5 can be obtained.
前記紫外線照射工程は、前記基板処理工程に先立って行われてもよい。(請求項10)この発明によれば、請求項6に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 The ultraviolet irradiation step may be performed prior to the substrate processing step. (Claim 10) According to the present invention, the same effect as described in relation to claim 6 can be obtained.
以下では、この発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の図解的な平面図である。この基板処理装置1は、クリーンルーム内に設置され、半導体ウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that is installed in a clean room and processes substrates W such as semiconductor wafers one by one.
基板処理装置1は、基板Wに対して処理を施す処理部2と、この処理部2の一方側に結合されたインデクサ部3と、インデクサ部3の処理部2と反対側に並べて配置された複数個(図1では3つ)の収容器保持部4とを備えている。収容器保持部4は、基板収容器17を保持するためのものであり、所定の水平方向(図1に示すY方向)に沿って配列されている。基板収容器17は、たとえば25枚の基板Wを密閉状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)である。基板収容器17の一側面には基板Wを取り出すための開口(図示しない)が形成されており、基板収容器17の一側面の蓋(図示しない)によって開口が開閉されるようになっている。
The substrate processing apparatus 1 is disposed side by side on a processing unit 2 that performs processing on a substrate W, an
インデクサ部3には、収容器保持部4の配列方向に長手を有するインデクサ搬送路5が形成されている。このインデクサ搬送路5には、インデクサロボット6が配置されている。インデクサロボット6は、インデクサ搬送路5に沿って往復移動可能に設けられており、各収容器保持部4に保持された基板収容器17に対向することができる。また、インデクサロボット6は、アームと、アームの先端に結合されて、基板Wを保持するためのハンド(図示せず)とを備えており、基板収容器17に対向した状態で、その基板収容器17にハンドをアクセスさせて、基板収容器17から未処理の基板Wを取り出したり、処理済の基板Wを基板収容器17に収納したりすることができる。このインデクサロボット6は、上ハンドおよび下ハンドを備えたダブルアーム型のものである。さらに、インデクサロボット6はインデクサ搬送路5の中央部に位置した状態で、処理部2に対してハンドをアクセスさせて、後述するシャトル搬送機構7に未処理の基板Wを受け渡したり、シャトル搬送機構7から処理済の基板Wを受け取ったりすることができる。
The
処理部2には、インデクサ部3のインデクサ搬送路5の中央部から、このインデクサ搬送路5と直交する水平方向(図1に示すX方向)に延びて、インデクサ部3の内部空間に連通可能な搬送路8が形成されている。搬送路8の中央には、上ハンドおよび下ハンドを備えたダブルアーム型の主搬送ロボット9が配置されている。処理部2には、4つの処理チャンバ10が、主搬送ロボット9を取り囲むように配置されている。各処理チャンバ10は、基板Wに対して所定の処理(処理液を用いた処理)を施すためのものである。各処理チャンバ10のX方向に隣接する位置には、それぞれ流体ボックス11が配置されている。流体ボックス11は、各処理チャンバ10への処理液の供給および各処理チャンバ10からの処理液の廃棄等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調整器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
The processing section 2 extends from the center of the
主搬送ロボット9は、後述するシャトル搬送機構7に対してハンドをアクセスさせて、シャトル搬送機構7から未処理の基板Wを受け取ったり、処理済の基板Wをシャトル搬送機構7に受け渡したりすることができる。また、主搬送ロボット9は、複数の処理チャンバ10にハンドをアクセスさせることができ、各処理チャンバ10との間で相互に基板Wの受け渡しを行うことができるようになっている。
The
搬送路8には、インデクサロボット6と主搬送ロボット9との間の基板Wの受け渡しを仲介するシャトル搬送機構7が設けられている。シャトル搬送機構7は、搬送路8をX方向に沿って移動可能に設けられており、インデクサロボット6の近傍位置と主搬送ロボット9の近傍位置との間で往復移動することができる。インデクサロボット6の近傍位置に配置された状態では、インデクサロボット6から未処理の基板Wを受け取ったり、処理済の基板Wをインデクサロボット6に受け渡すことができる。(図1では実線で示し、以下第1受け渡し位置という。)主搬送ロボット9の近傍位置に配置された状態では、主搬送ロボット9に未処理の基板Wを受け渡したり、処理済の基板Wを主搬送ロボット9から受け取ったりすることができる。(図1では破線で示し、以下第2受け渡し位置という。)
The
また、シャトル搬送機構7の移動領域とインデクサ搬送路5との間には第1隔壁12が設けられ、シャトル搬送機構7の移動領域と主搬送ロボット9との間には第2隔壁13が設けられている。したがって、シャトル搬送機構7は、第1隔壁12、第2隔壁13、周囲の処理チャンバ10および流体ボックス11によって囲まれたシャトル搬送空間14内に配置されている。シャトル搬送空間14は、インデクサ搬送路5および主搬送ロボット9が設けられている搬送路8から雰囲気的に隔離されている。また、第1隔壁12には第1窓部15が設けられており、第1窓部15はシャッターによって開閉可能に構成されている。インデクサロボット6とシャトル搬送機構7との間で基板Wの受け渡しが行われる際には、第1窓部が開けられて基板Wの受け渡しが行われる。一方、第2隔壁13には第2窓部16が設けられており、第2窓部16もシャッターによって開閉可能に構成されている。主搬送ロボット9とシャトル搬送機構7との間で基板Wの受け渡しが行われる際には、第2窓部が開けられて基板Wの受け渡しが行われる。シャトル搬送機構7およびシャトル搬送空間14の詳細については後述する。
A
図2は、処理チャンバ10の図解的な側面図である。処理チャンバ10は、基板Wをほぼ水平に保持するスピンチャック21と、スピンチャック21に保持された基板Wの表面にリンス液の一例としての純水を供給するためのリンスノズル22と、スピンチャック21に保持された基板Wの表面に薬液を供給するための薬液ノズル23と、スピンチャック21に保持された基板Wの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板24とを備えている。
FIG. 2 is a schematic side view of the
スピンチャック21は、ほぼ鉛直に延びるスピン軸25の上端に、円板状のスピンベース26がほぼ水平に取り付けられた構成を有している。スピンベース26の上面には、複数個の挟持部材27がスピン軸5の中心軸線を中心とする円周にほぼ等間隔で配置されている。複数個の挟持部材27は、基板Wの端面を互いに異なる複数の位置で挟持することにより、その基板Wをほぼ水平な姿勢で保持することができる。
The
スピン軸25には、モータ28が結合されている。モータ28が発生する回転力により、スピン軸25をその中心軸線まわりに回転させることができる。そして、複数の挟持部材27によって基板Wを保持した状態で、スピン軸25を回転させることにより、基板Wをスピンベース26とともに回転させることができる。
A
リンスノズル22は、スピンチャック21の上方に設けられたアーム49の先端に取り付けられている。アーム49は、スピンチャック21の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸29に支持されており、このアーム支持軸29からほぼ水平に延びている。アーム支持軸29には、アーム駆動機構30が結合されている。アーム駆動機構30からアーム支持軸29に駆動力を入力して、アーム支持軸29を所定角度範囲内で回動させることにより、アーム49を所定角度範囲内で揺動させることができるようになっている。
The rinse
リンスノズル22には、リンス液供給管31が接続されている。リンス液供給管31の途中部には、リンス液バルブ32が介装されている。リンス液バルブ32が開かれると、リンス液供給管31からリンスノズル22に純水が供給される。
A rinse
薬液ノズル23は、スピンチャック21の上方で、吐出口を基板Wの回転中心に向けて配置されている。薬液ノズル23には、薬液供給管33が接続されている。薬液供給管33の途中部には、薬液バルブ34が介装されている。薬液バルブ34が開かれると、薬液供給管34から薬液ノズル33に薬液が供給される。
The
遮断板24は、基板Wとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成され、スピンチャック21の上方でほぼ水平に配置されている。遮断板24の上面には、スピンチャック21のスピン軸25と共通の鉛直軸線を中心とする回転軸35が固定されている。回転軸35は中空に形成されている。回転軸35の内部には、IPA流通管36が挿通されている。
The blocking
IPA流通管36には、IPA供給管37が接続されている。このIPA供給管37を通して、常温(約25℃)のIPA(イソプロピルアルコール)液がIPA流通管36に供給されるようになっている。IPA供給管37の途中部には、IPAバルブ38が介装されている。また、IPA流通管36は、遮断板24の下面にまで延びており、その先端は、IPA液を吐出するためのIPAノズル39を形成している。
An
また、回転軸35の内壁面とIPA流通管36との間は、窒素ガスが流通する窒素ガス流通路40を形成している。窒素ガス流通路40には、窒素ガス供給管41が接続されている。この窒素ガス供給管41を通して、図示しない供給源からの窒素ガスが窒素ガス流通路40に供給されるようになっている。窒素ガス供給管41の途中部には、窒素ガスバルブ42が介装されている。窒素ガス流通路40は、遮断板24の下面において、IPAノズル39の周囲で環状に開口して、窒素ガスを吐出するための窒素ガス吐出口43を形成している。
Further, a nitrogen
回転軸35は、ほぼ水平に延びたアーム44の先端付近から垂下した状態に取り付けられている。そして、このアーム44には、遮断板24をスピンチャック21の上方に大きく離間した位置(図2に実線で示す位置)とスピンチャック21に保持された基板Wの表面に微小な間隔を隔てて近接する位置(図2に破線で示す位置)との間で昇降させるための遮断板昇降駆動機構45が結合されている。さらに、アーム44に関連して、遮断板24をスピンチャック21による基板Wの回転にほぼ同期させて回転させるための遮断板回転駆動機構46が設けられている。
The
また、スピンチャック21は、有底円筒容器状のカップ47に収容されている。カップ47の底部には、廃液ライン48が接続されている。この廃液ライン48を介して、カップ47の底部に集められた液体(薬液、リンス液、IPA液)を廃棄することができる。
The
図3はシャトル搬送空間14の図解的な側面図である。シャトル搬送空間14にはシャトル搬送機構7とランプハウス57が配置されている。シャトル搬送機構7は、シャトル本体部51、ハンド52、53、昇降シリンダ54、55および搬送レール56を有する。昇降シリンダ54、55はシャトル本体部51に固定されている。ハンド52は昇降シリンダ54の上端に固定され、ハンド53は昇降シリンダ55の上端に固定されている。基板Wの搬送時には、ハンド52、53の上面側で基板Wが保持される。シャトル搬送空間14の底部には搬送レール56がX方向に沿って配置されている。シャトル本体部51は搬送レール56上に設置されており、搬送レール56に沿って第1受け渡し位置と第2受け渡し位置との間で往復移動可能に構成されている。
FIG. 3 is a schematic side view of the
ハンド52とハンド53とは互いに上下に配置される。ハンド52、53は、互いに離間する開状態と互いに近接する閉状態とに昇降シリンダ54、55により切り替えられる。なお、ハンド52、53をそれぞれ独立に駆動する昇降シリンダ54、55の代わりに、ハンド52、53を一体的に駆動して開状態と閉状態とに切り替える機構を用いてもよい。
The
また、シャトル搬送空間14では、図示しないセンサによりハンド52、53上の基板Wの有無が検出される。その検出を容易に行うために、ハンド52とハンド53とは水平方向に互いにずらして配置される。なお、ハンド52、53上の基板Wの有無の検出が可能であれば、ハンド52の直上にハンド53が配置されてもよい。
In the
シャトル搬送空間14の上部には、ランプハウス57が設置されている。ランプハウス57の中には、複数のエキシマランプ58が含まれている。エキシマランプ58は172nmの波長を中心とする紫外線を発生する。エキシマランプ58から発せられた紫外線は、ランプハウス57の下面に設けられた石英ガラス59を透過して、ハンド52、53に保持された基板Wに照射される。
A
第1隔壁12の上方には、第1給排気口60が設けられている。第1給排気口60はシャトル搬送空間14のY方向に沿って延びるように設けられている。第1給排気口60には第1給排気配管61が接続されており、第1給排気配管61は図示しない排気機構に接続されている。第1給排気配管61の途中部には第1排気バルブ62が介装されている。また、第1給排気配管61には第1ガス供給配管63が分岐接続されている。第1ガス供給配管63は、さらに第1窒素ガス供給配管64と第1クリーンエア供給配管65とに分岐している。第1窒素ガス供給配管64には図示しない窒素ガス供給源が接続されており、第1クリーンエア供給配管65には図示しないクリーンエア供給源が接続されている。第1窒素ガス供給配管64には第1窒素ガスバルブ66が介装され、第1クリーンエア供給配管65には第1クリーンエアバルブ67が介装されている。これにより、第1給排気口60から窒素ガスもしくはクリーンエアもしくはこれらの混合気体をシャトル搬送空間14に供給したり、第1給排気口60からシャトル搬送空間14内の排気を行うことができる。
A first air supply /
第2隔壁16の上方には、第2給排気口68が設けられている。第2給排気口68はシャトル搬送空間14のY方向に沿って延びるように設けられている。第2給排気口68には第2給排気配管69が接続されており、第2給排気配管69は図示しない排気機構に接続されている。第2給排気配管69の途中部には第2排気バルブ70が介装されている。また、第2給排気配管69には第2ガス供給配管71が分岐接続されている。第2ガス供給配管71は、さらに第2窒素ガス供給配管72と第2クリーンエア供給配管73とに分岐している。第2窒素ガス供給配管72には窒素ガス供給源が接続されており、第2クリーンエア供給配管73にはクリーンエア供給源が接続されている。第2窒素ガス供給配管72には第2窒素ガスバルブ74が介装され、第2クリーンエア供給配管73には第2クリーンエアバルブ75が介装されている。これにより、第2給排気口68から窒素ガスもしくはクリーンエアもしくはこれらの混合気体をシャトル搬送空間14に供給したり、第2給排気口68からシャトル搬送空間14内の排気を行うことができる。
A second air supply /
図4は、基板処理装置1の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置1は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御装置80を備えている。マイクロコンピュータには、CPU、RAMおよびROMなどが含まれる。制御装置80は、予め定められたプログラムに従って、インデクサロボット6、シャトル搬送機構7、主搬送ロボット9、モータ28、アーム駆動機構30、遮断板昇降駆動機構45および遮断板回転駆動機構46の駆動を制御し、リンス液バルブ32、薬液バルブ34、IPAバルブ38、窒素ガスバルブ42、第1排気バルブ62、第1窒素ガスバルブ66、第1クリーンエアバルブ67、第2排気バルブ70、第2窒素ガスバルブ74、第2クリーンエアバルブ75の開閉を制御する。また、ランプハウス57の照射動作を制御する。
FIG. 4 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus 1. The substrate processing apparatus 1 is provided with a
次に、この基板処理装置1による基板Wの処理動作を説明する。図5は、第1実施形態の基板処理装置1による基板Wの処理動作のフローチャートである。基板処理装置1の処理チャンバ10では、基板Wの表面をフッ酸(HF)による洗浄処理を行う。また、リンス処理の後には有機溶剤(たとえばIPA)を供給してから乾燥する溶剤乾燥処理を行う。
Next, the processing operation of the substrate W by the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 5 is a flowchart of the processing operation of the substrate W by the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment. In the
まず、未処理の基板Wが収容された基板収容器17が図示しない搬送機構によっていずれかの収容器保持部4まで搬送されて収容器保持部4に保持される。インデクサロボット6は、基板収容器17に対向する位置まで移動し、ハンドを基板収容器17にアクセスさせて、基板収容器17から未処理の基板Wを取り出して、シャトル搬送機構7に対向する位置(インデクサ搬送路5の中央部)まで移動する。シャトル搬送機構7は第1受け渡し位置に位置している。第1窓部15のシャッターが開かれて、インデクサロボット6は、未処理の基板Wを保持したハンドをシャトル搬送機構7のハンド52上にアクセスさせて、ハンド52に未処理の基板Wを受け渡す(ステップS1)。
First, the substrate container 17 in which the unprocessed substrate W is accommodated is transported to one of the container holders 4 by a transport mechanism (not shown) and is held by the container holder 4. The
未処理の基板Wを受け取ったシャトル搬送機構7は、第1受け渡し位置から第2受け渡し位置まで移動する。この際、ランプハウス57は紫外線の照射を行っていない。第2受け渡し位置まで移動したシャトル搬送機構7は、第2窓部16のシャッターが開かれた状態で、主搬送ロボット9のハンドがシャトル搬送機構7のハンド52の下にアクセスすることにより、基板Wを主搬送ロボット9に受け渡す(ステップS2)。
The
主搬送ロボット9は、処理チャンバ10内に未処理の基板Wを搬入し、スピンチャック21に受け渡す(ステップS3)。このとき、遮断板24は、基板Wの搬入の妨げにならないように、スピンチャック21の上方に大きく離間した位置に退避されている。また、リンスノズル22(アーム49)は、基板Wの搬入の妨げにならないように、スピンチャック21の上方から退避されている。
The
スピンチャック21に基板Wが保持されると、モータ28が駆動されて、基板Wの回転が開始される。基板Wの回転速度は、たとえば、1000rpmである。そして、薬液バルブ34が開かれて、薬液ノズル23から回転中の基板Wの表面の中央に向けて、薬液(フッ酸)が供給される。基板Wの表面中央に供給された薬液は、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの周縁部に拡がり、基板Wの表面の全域に供給される。その結果、基板Wの表面全域が薬液により処理(フッ酸により洗浄)される(薬液処理;ステップS4)。基板Wの表面に薬液が所定時間にわたって供給されると、薬液バルブ34が閉じられて、薬液処理が終了する。次に、アーム駆動機構30の駆動が制御されて、リンスノズル22がスピンチャック21に保持された基板Wの上方に配置される。
When the substrate W is held on the
そして、リンス液バルブ32が開かれて、スピンチャック21により基板Wが回転されつつ、その基板Wの表面にリンスノズル22から純水が供給される。また、純水の供給時には、アーム49が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、基板Wの表面における純水の着液位置が、基板Wの回転中心から基板Wの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。その結果、純水が基板Wの表面の全域にむらなく供給され、基板Wの表面に付着している薬液が純水で洗い流される(リンス処理;ステップS5)。
Then, the rinse
基板Wの表面に供給された純水は、基板Wの回転による遠心力によって、基板Wの周縁から側方へ飛散する。基板Wから飛散した純水は、カップ47の底部に集められ、廃液ライン48を介して廃棄される。なお、純水の供給時に、リンスノズル22が基板Wの回転中心から基板Wの周縁部に移動せずに、リンスノズル22が基板Wの上方に固定された状態で基板Wに純水を供給してもよい。
The pure water supplied to the surface of the substrate W is scattered from the periphery of the substrate W to the side by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. The pure water scattered from the substrate W is collected at the bottom of the
リンス液バルブ32が開かれてから予め定める時間が経過すると、リンス液バルブ32が閉じられる。そして、アーム駆動機構30の駆動が制御されて、リンスノズル22(アーム49)がスピンチャック21の上方から退避される。
When a predetermined time elapses after the rinse
次いで、遮断板昇降駆動機構45の駆動が制御されて、遮断板24が基板Wの表面に近接する位置に下降される。そして、遮断板回転駆動機構46の駆動が制御されて、遮断板24が基板Wと同方向に同じ回転速度で回転される。その一方で、窒素ガスバルブ42が開かれて、窒素ガス吐出口43から基板W(の表面)と遮断板24との間に窒素ガスが供給される。また、IPAバルブ38が開かれて、IPAノズル39から基板Wの表面にIPA液が供給される。基板Wの表面にIPA液が供給されている間、基板Wは、予め定める回転速度(たとえば、1000rpm)で回転されている。これにより、IPA液が基板Wの表面の全域にむらなく行き渡り、基板Wの表面の全域において、純水とIPA液との良好な置換が達成される。
Next, the driving of the shield plate lifting / lowering
IPAバルブ38が開かれてから予め定める時間が経過すると、IPAバルブ38が閉じられる。そして、モータ28の駆動が制御されて、基板Wの回転速度が予め定める回転速度(たとえば、3000rpm)に上げられる。これにより、基板Wの表面に付着しているIPA液が遠心力により振り切られて除去される(乾燥処理;ステップS6)。基板Wから除去されたIPA液は、カップ47の底部に集められ、廃液ライン48を介して廃棄される。
When a predetermined time elapses after the
IPA液の供給停止から予め定める時間が経過すると、窒素ガスバルブ42が閉じられる。また、モータ28の駆動が停止されて、基板Wの回転が停止される。さらに、遮断板昇降駆動機構45の駆動が制御されて、遮断板24が基板Wの表面に近接する位置からスピンチャック21の上方に大きく離間した位置に上昇される。これにより、基板Wに対する薬液処理、リンス処理および乾燥処理が終了する。そして、主搬送ロボット9のハンドが処理チャンバ10に進入して、処理済みの基板Wを処理チャンバ10から搬出する。
When a predetermined time elapses after the supply of the IPA liquid is stopped, the
処理チャンバ10から搬出された処理済みの基板Wは、第2窓部16が開かれた状態で、主搬送ロボット9によって第2受け渡し位置に位置しているシャトル搬送機構7のハンド53に受け渡される(ステップS7)。シャトル搬送機構7に基板Wが受け渡された後は、第2窓部16のシャッターは閉じられる。処理済みの基板Wを受け取ったシャトル搬送機構7は、第2受け渡し位置から第1受け渡し位置まで移動する。
The processed substrate W unloaded from the
この際、ランプハウス57は搬送中の処理済みの基板Wに対して紫外線を照射する。また、シャトル搬送機構7に基板Wが受け渡されると同時もしくはその直前から、第1給排気口60から窒素ガスを噴出し、第2給排気口68から排気を行うことによりシャトル搬送空間14内を窒素ガス雰囲気とする。具体的には、第1窒素ガスバルブ66を開けて、第1クリーンエアバルブ67と第1排気バルブ62を閉じる。一方、第2排気バルブ70を開けて、第2窒素ガスバルブ74と第2クリーンエアバルブ75を閉じる。これにより、窒素ガス供給源から第1窒素ガス供給配管64、第1ガス供給配管63および第1給排気配管61を介して第1給排気口60から窒素ガスが噴出されるとともに、第2給排気口68から第2給排気配管69を介して排気機構に向けて排気が行われる。
At this time, the
したがって、シャトル搬送空間14内は、第1受け渡し位置から第2受け渡し位置に向けて流れる窒素ガスの気流が形成される。したがって、シャトル搬送機構7のハンド53に保持されている処理済みの基板Wの表面には窒素ガス雰囲気が形成される。したがって、シャトル搬送機構7のハンド53に保持されている処理済みの基板Wは、第2受け渡し位置から第1受け渡し位置に搬送されるのと同時に、窒素ガス雰囲気下でランプハウス57から紫外線が照射される。第1受け渡し位置に移動したシャトル搬送機構7は、第1窓部15のシャッターが開かれた状態で、ハンド53の下にアクセスしたインデクサロボット6のハンドに基板Wが受け渡される(ステップS8)。インデクサロボット6は、受け取った処理済みの基板Wを基板収容器17に収納する(ステップS9)。
Therefore, an air flow of nitrogen gas that flows from the first delivery position to the second delivery position is formed in the
このように第1実施形態では、処理チャンバ10で処理された基板Wは、処理チャンバ10から収容器保持部4まで搬送されるまでの間に、172nmの波長を中心とする紫外線が照射される。具体的には、シャトル搬送機構7で第2受け渡し位置から第1受け渡し位置まで搬送される際に、シャトル搬送空間14の上部に設置されたランプハウス57から紫外線が照射される。また、シャトル搬送空間14内にはこのとき第1給排気口60から第2給排気口68に向けて窒素ガスが供給されている。したがって、処理チャンバ10で処理液(薬液、リンス液、IPA液)により処理が施された後の基板Wは、基板収容器17に収容されるまでの搬送中に紫外線が照射され、これにより基板Wに付着している有機物が分解、除去される。
As described above, in the first embodiment, the substrate W processed in the
この第1実施形態では、処理チャンバ10においてIPA液が基板Wに供給される。有機溶剤であるIPA液には有機不純物が含まれているおそれがあり、基板WにIPA液が供給されることにより、これらの有機不純物が基板W表面に付着し、乾燥処理が終了した後の基板Wに残留することがある。また、処理チャンバ10内の雰囲気中にIPA液に含まれる有機不純物が浮遊し、これらの有機不純物が乾燥処理後の基板Wに再付着するおそれがある。したがって、処理チャンバ10で処理液により処理が施された後の基板Wに対して、紫外線が照射されることによって、このような有機不純物を分解、除去することができる。さらに、この第1実施形態では、シャトル搬送機構7による搬送動作と同時に基板Wへの紫外線照射が並行して行われるので、装置のスループットを低下させることなく、紫外線照射による処理を基板に施すことができる。
In the first embodiment, the IPA liquid is supplied to the substrate W in the
紫外線照射による有機物分解・除去処理は、大気中の酸素に172nmの波長を中心とする紫外線が吸収されることにより、励起酸素原子が生成され、この励起酸素原子が紫外線により分解された基板W上の有機物と反応することによって、揮発性物質となり揮発除去される。一方、この紫外線は大気中の酸素に吸収されることにより、オゾンが生成され、オゾンが基板W表面に作用して、基板W表面に酸化膜が形成される。よって、紫外線が照射される際の大気雰囲気中の酸素濃度によって、基板Wへの作用が異なり、雰囲気中の酸素濃度を低くすることによって、より効率的に基板W表面の有機物を分解・除去することができる。この第1実施形態では、基板Wが搬送される方向に逆行するように基板W表面上に第1給排気口60から窒素ガスが供給されるので、基板Wの表面上をより効率的に窒素ガス雰囲気とすることができる。したがって、基板W表面上の酸素濃度を低下させることができ、より効率的に基板W表面の有機物を分解・除去することができる。
In the organic substance decomposition / removal process by ultraviolet irradiation, excited oxygen atoms are generated by absorbing ultraviolet rays centered at a wavelength of 172 nm to atmospheric oxygen, and the excited oxygen atoms are decomposed by ultraviolet rays on the substrate W. By reacting with the organic substance, it becomes a volatile substance and is volatilized and removed. On the other hand, the ultraviolet rays are absorbed by oxygen in the atmosphere to generate ozone, which acts on the surface of the substrate W and forms an oxide film on the surface of the substrate W. Therefore, the action on the substrate W differs depending on the oxygen concentration in the air atmosphere when the ultraviolet rays are irradiated. By reducing the oxygen concentration in the atmosphere, organic substances on the surface of the substrate W are more efficiently decomposed and removed. be able to. In the first embodiment, nitrogen gas is supplied from the first air supply /
なお、この第1実施形態では、基板Wに供給される有機溶剤としてIPA液が用いられているが、IPA液以外の有機溶剤が用いられてもよい。たとえば、HFE(ハイドロフロロエーテル)、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2ジクロロエチレンのうちの少なくとも1つを含む液が用いられてもよい。また、単体成分のみからなる場合だけでなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、IPA液と純水の混合液であってもよいし、IPA液とHFEの混合液であってもよい。 In the first embodiment, the IPA liquid is used as the organic solvent supplied to the substrate W, but an organic solvent other than the IPA liquid may be used. For example, a liquid containing at least one of HFE (hydrofluoroether), methanol, ethanol, acetone, and Trans-1,2 dichloroethylene may be used. Moreover, it may be a liquid mixed with other components as well as a case of consisting of only a single component. For example, a mixed liquid of IPA liquid and pure water may be used, or a mixed liquid of IPA liquid and HFE may be used.
次に、この発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の基板処理装置1の構成は第1実施形態と同様である。第1実施形態と異なる点は、処理チャンバ10における処理が施される前の基板Wに対して、シャトル搬送機構7で第1受け渡し位置から第2受け渡し位置まで搬送している際に、ランプハウス57から紫外線が照射されることである。以下、第2実施形態の基板処理装置1による基板Wの処理動作を説明する。
Next explained is the second embodiment of the invention. The configuration of the substrate processing apparatus 1 of the second embodiment is the same as that of the first embodiment. The difference from the first embodiment is that when the substrate W before processing in the
図6は、基板処理装置1における第2実施形態の基板Wの処理動作を説明するためのフローチャートである。第2実施形態では、基板Wの表面に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理が施された後の基板Wを処理する。これらの基板Wの表面には不要になったレジスト膜が形成されており、このレジスト膜を除去するレジスト除去処理が行われる。 FIG. 6 is a flowchart for explaining the processing operation of the substrate W of the second embodiment in the substrate processing apparatus 1. In the second embodiment, the substrate W after the ion implantation process or the dry etching process for implanting impurities into the surface of the substrate W is processed. A resist film that is no longer needed is formed on the surface of the substrate W, and a resist removal process for removing the resist film is performed.
まず、未処理の基板Wが収容された基板収容器17が図示しない搬送機構によっていずれかの収容器保持部4まで搬送されて収容器保持部4に保持される。インデクサロボット6は、基板収容器17に対向する位置まで移動し、ハンドを基板収容器17にアクセスさせて、基板収容器17から未処理の基板Wを取り出して、シャトル搬送機構7に対向する位置(インデクサ搬送路5の中央部)まで移動する。シャトル搬送機構7は第1受け渡し位置に位置している。第1窓部15のシャッターが開かれて、インデクサロボット6は、未処理の基板Wを保持したハンドをシャトル搬送機構7のハンド53上にアクセスさせて、ハンド53に未処理の基板Wを受け渡す(ステップS11)。
First, the substrate container 17 in which the unprocessed substrate W is accommodated is transported to one of the container holders 4 by a transport mechanism (not shown) and is held by the container holder 4. The
未処理の基板Wを受け取ったシャトル搬送機構7は、第1受け渡し位置から第2受け渡し位置まで移動する。この際、ランプハウス57は搬送中の未処理の基板Wに対して紫外線を照射する。また、シャトル搬送機構7に基板Wが受け渡されるのと同時もしくはその直前から、第2給排気口68から窒素ガスを噴出し、第1給排気口60から排気を行うことによりシャトル搬送空間14内を窒素ガス雰囲気とする。
The
具体的には、第2窒素ガスバルブ74を開けて、第2クリーンエアバルブ75と第2排気バルブ70を閉じる。一方、第1排気バルブ62を開けて、第1窒素ガスバルブ66と第1クリーンエアバルブ67を閉じる。これにより、窒素ガス供給源から第2窒素ガス供給配管72、第2ガス供給配管71および第2給排気配管69を介して第2給排気口68から窒素ガスが噴出されるとともに、第1給排気口60から第1給排気配管61を介して排気機構に向けて排気が行われる。
Specifically, the second
したがって、シャトル搬送空間14内は、第2受け渡し位置から第1受け渡し位置に向けて流れる窒素ガスの気流が形成される。したがって、シャトル搬送機構7のハンド53に保持されている未処理の基板Wの表面には窒素ガス雰囲気が形成される。このように、シャトル搬送機構7のハンド53に保持されている未処理の基板Wは、第1受け渡し位置から第2受け渡し位置に搬送されるのと同時に、窒素ガス雰囲気下でランプハウス57から紫外線が照射される。第2受け渡し位置に移動したシャトル搬送機構7は、第2窓部16のシャッターが開かれた状態で、主搬送ロボット9のハンドがシャトル搬送機構7のハンド53の下にアクセスすることにより、基板Wを主搬送ロボット9に受け渡す(ステップS12)。
Accordingly, an air flow of nitrogen gas flowing from the second delivery position toward the first delivery position is formed in the
主搬送ロボット9は処理チャンバ10内に未処理の基板Wを搬入し、スピンチャック21に受け渡す(ステップS13)。このとき、遮断板24は、基板Wの搬入の妨げにならないように、スピンチャック21の上方に大きく離間した位置に退避されている。また、リンスノズル22(アーム49)は、基板Wの搬入の妨げにならないように、スピンチャック21の上方から退避されている。
The
スピンチャック21に基板Wが保持されると、モータ28が駆動されて、基板Wの回転が開始される。基板Wの回転速度は、たとえば、1000rpmである。そして、薬液バルブ34が開かれて、薬液ノズル23から回転中の基板Wの表面の中央に向けて、薬液としてSPM(硫酸と過酸化水素水の混合液)が供給される。基板Wの表面中央に供給されたSPMは、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの周縁部に拡がり、基板Wの表面の全域に供給される。その結果、基板Wの表面全域がSPMにより処理される(薬液処理;ステップS14)。すなわち、基板Wの表面に供給されたSPMの強酸化力がレジストに作用し、基板Wの表面からレジストが除去される。
When the substrate W is held on the
なお、このように薬液が基板Wに供給される薬液処理においては、基板Wの表面に接触した薬液が基板Wの表面の膜材料と反応することにより処理が進行する。この第2実施形態では、薬液処理に先立って、基板Wの表面に紫外線が照射されることにより、未処理の基板Wに付着していた有機物が分解、除去される。これにより、基板Wの表面の親水性が向上するため、薬液が基板Wの表面に接触しやすくなる。したがって、薬液の基板Wの表面への反応性が向上し、薬液による基板Wの処理が促進される。 In the chemical processing in which the chemical solution is supplied to the substrate W in this way, the processing proceeds when the chemical solution in contact with the surface of the substrate W reacts with the film material on the surface of the substrate W. In the second embodiment, prior to the chemical treatment, the surface of the substrate W is irradiated with ultraviolet rays, so that the organic matter adhering to the unprocessed substrate W is decomposed and removed. As a result, the hydrophilicity of the surface of the substrate W is improved, so that the chemical solution easily comes into contact with the surface of the substrate W. Accordingly, the reactivity of the chemical solution to the surface of the substrate W is improved, and the processing of the substrate W by the chemical solution is promoted.
基板Wの表面に対してSPMが所定時間にわたって供給されると、薬液バルブ34が閉じられて、薬液処理が終了する。次に、アーム駆動機構30の駆動が制御されて、リンスノズル22がスピンチャック21に保持された基板Wの上方に配置される。
When the SPM is supplied to the surface of the substrate W over a predetermined time, the
そして、リンス液バルブ32が開かれて、スピンチャック21により基板Wが回転されつつ、その基板Wの表面にリンスノズル22から純水が供給される。また、純水の供給時には、アーム49が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、基板Wの表面における純水の着液位置が、基板Wの回転中心から基板Wの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。その結果、純水が基板Wの表面の全域にむらなく供給され、基板Wの表面に付着しているSPMが純水で洗い流される(リンス処理;ステップS15)。
Then, the rinse
基板Wの表面に供給された純水は、基板Wの回転による遠心力によって、基板Wの周縁から側方へ飛散する。基板Wから飛散した純水は、カップ47の底部に集められ、廃液ライン48を介して廃棄される。なお、純水の供給時に、リンスノズル22がウ基板Wの回転中心から基板Wの周縁部に移動せずに、リンスノズル22が基板Wの上方に固定された状態で基板Wに純水を供給してもよい。
The pure water supplied to the surface of the substrate W is scattered from the periphery of the substrate W to the side by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. The pure water scattered from the substrate W is collected at the bottom of the
リンス液バルブ32が開かれてから予め定める時間が経過すると、リンス液バルブ32が閉じられる。そして、アーム駆動機構30の駆動が制御されて、リンスノズル22(アーム49)がスピンチャック21の上方から退避される。
When a predetermined time elapses after the rinse
次いで、遮断板昇降駆動機構45の駆動が制御されて、遮断板24が基板Wの表面に近接する位置に下降される。そして、遮断板回転駆動機構46の駆動が制御されて、遮断板24が基板Wと同方向に同じ回転速度で回転される。その一方で、窒素ガスバルブ42が開かれて、窒素ガス吐出口43から基板W(の表面)と遮断板24との間に窒素ガスが供給される。そして、モータ28の駆動が制御されて、基板Wの回転速度が予め定める回転速度(たとえば、3000rpm)に上げられる。これにより、基板Wの表面に付着している純水が遠心力により振り切られて除去される(乾燥処理;ステップS16)。基板Wから除去された純水は、カップ47の底部に集められ、廃液ライン48を介して廃棄される。
Next, the driving of the shield plate lifting / lowering
基板Wを所定の回転速度で回転させた状態で、予め定める時間が経過すると、窒素ガスバルブ42が閉じられる。また、モータ28の駆動が停止されて、基板Wの回転が停止される。さらに、遮断板昇降駆動機構45の駆動が制御されて、遮断板24が基板Wの表面に近接する位置からスピンチャック21の上方に大きく離間した位置に上昇される。これにより、基板Wに対する薬液処理、リンス処理および乾燥処理が終了する。そして、主搬送ロボット9のハンドが処理チャンバ10に進入して、処理済みの基板Wを処理チャンバ10から搬出する。
When a predetermined time elapses while the substrate W is rotated at a predetermined rotation speed, the
処理チャンバ10から搬出された処理済みの基板Wは、主搬送ロボット9によって、第2窓部16のシャッターが開かれた状態で、第2受け渡し位置に位置しているシャトル搬送機構7のハンド52に受け渡される(ステップS17)。処理済みの基板Wを受け取ったシャトル搬送機構7は、第2受け渡し位置から第1受け渡し位置まで移動する。この際、ランプハウス57は紫外線の照射を行っていない。第1受け渡し位置に移動したシャトル搬送機構7は、第1窓部15のシャッターが開かれた状態で、ハンド52の下にアクセスしたインデクサロボット6のハンドに基板Wが受け渡される(ステップS18)。インデクサロボット6は受け取った処理済みの基板Wを基板収容器17に収納する(ステップS19)。
The processed substrate W unloaded from the
このように、第2実施形態では、処理チャンバ10で処理される前の未処理の基板Wは、収容器保持部4から処理チャンバ10まで搬送されるまでの間に172nmの波長を中心とする紫外線が照射される。具体的には、シャトル搬送機構7で第1受け渡し位置から第2受け渡し位置まで搬送される際に、シャトル搬送空間14の上部に設置されたランプハウス57から紫外線が照射される。また、シャトル搬送空間14内には、このとき第2給排気口68から第1給排気口60に向けて窒素ガスが供給されている。したがって、処理チャンバ10で処理が施される前の未処理の基板Wは、処理チャンバ10に搬入されるまでに紫外線が照射され、基板Wに付着している有機物が分解、除去される。したがって、基板Wの表面の親水性が向上し、その後に基板Wに供給される薬液は基板Wの表面により接触しやすくなり、基板Wの表面の膜との反応性が向上する。これにより、薬液による基板Wの処理が促進される。したがって、薬液による処理にかかる時間を短縮することができる。これにより、少ない量の薬液で基板Wの表面の処理を行うことができるので、薬液の消費量を少なくすることができる。さらに、本実施形態では、シャトル搬送機構7による搬送動作と同時に基板Wへの紫外線照射が並行して行われるので、装置のスループットを低下させることなく、紫外線照射による処理を基板に施すことができる。
As described above, in the second embodiment, the unprocessed substrate W before being processed in the
また、この第2実施形態でも基板Wが搬送される方向に逆行するように基板W表面上に第2給排気口68から窒素ガスが供給されるので、基板Wの表面上をより効率的に窒素ガス雰囲気とすることができる。したがって、基板W表面上の酸素濃度を低下させることができ、より効率的に基板W表面の有機物を分解・除去することができる。
Also in the second embodiment, nitrogen gas is supplied from the second air supply /
以上、この発明の第1および第2実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。前述の第1、第2実施形態では、処理チャンバ10における処理液による処理の前もしくは後に基板Wに紫外線を照射することによって、基板Wの表面の有機物を分解・除去しているが、基板Wに紫外線を照射することによって、基板Wの表面に酸化膜を形成するようにしてもよい。以下、この実施形態について説明する。
Although the first and second embodiments of the present invention have been described above, the present invention can also be implemented in other forms. In the first and second embodiments described above, the organic substance on the surface of the substrate W is decomposed and removed by irradiating the substrate W with ultraviolet rays before or after the treatment with the treatment liquid in the
前述の第1、第2実施形態では、シャトル搬送空間14において基板Wの表面に紫外線を照射する際に、第1給排気口60もしくは第2給排気口68から基板Wの搬送方向に逆行するように基板W表面上に窒素ガスが供給されている。これにより、基板Wの表面上をより窒素ガス雰囲気とした状態で、基板Wに紫外線が照射されることにより、基板Wの表面に付着している有機物が分解・除去されている。
In the first and second embodiments described above, when the surface of the substrate W is irradiated with ultraviolet rays in the
これに対し、ランプハウス57から基板Wに紫外線が照射される際に、シャトル搬送空間14内の雰囲気中の酸素濃度を上げることにより、基板W表面には酸化膜が形成される。たとえば、処理チャンバ10で処理される前の基板Wの表面に酸化膜を形成する場合、シャトル搬送機構7によって第1受け渡し位置から第2受け渡し位置まで基板Wが搬送される際に、第2窒素ガスバルブ74と第2クリーンエアバルブ75を開けて、第2排気バルブ70を閉じるとともに、第1排気バルブ62を開けて、第1窒素ガスバルブ66と第1クリーンエアバルブ67を閉じる。これにより、窒素ガス供給源から第2窒素ガス供給配管72、第2ガス供給配管71および第2給排気配管69を介して第2給排気口68から窒素ガスが噴出されるとともに、クリーンエア供給源から第2クリーンエア供給配管73、第2ガス供給配管71および第2給排気配管69を介して第2給排気口68からクリーンエアが噴出される。そして、第1給排気口60から第1給排気配管61を介して排気機構に向けて排気が行われる。
On the other hand, when the substrate W is irradiated with ultraviolet rays from the
したがって、シャトル搬送空間14内は、第2受け渡し位置から第1受け渡し位置に向けて流れる窒素ガスとクリーンエアの混合気流が形成される。したがって、シャトル搬送機構7で搬送されている基板Wの表面上には、窒素ガスのみが噴出しているときよりも酸素濃度が高い雰囲気が形成される。この状態で、ランプハウス57から基板Wに紫外線が照射されると、紫外線が大気中の酸素に吸収されることにより発生するオゾンが基板Wの表面に作用することによって、基板Wの表面に酸化膜が形成される。
Therefore, a mixed air flow of nitrogen gas and clean air that flows from the second delivery position toward the first delivery position is formed in the
このように、シャトル搬送機構7のハンド53に保持されている未処理の基板Wは、第1受け渡し位置から第2受け渡し位置に搬送されるのと同時に、その表面に酸化膜が形成される。また、紫外線照射によって発生するオゾンによって形成された酸化膜は、薬液(過酸化水素水やオゾン水)を供給して形成される酸化膜よりも表面粗さを低く抑えることができる。このように、基板Wを搬送するのと同時に基板Wの表面に紫外線を照射して酸化膜を形成することにより、その後の処理液(たとえば過酸化水素水やオゾン水)による酸化膜形成処理を省くことができ、基板Wの処理時間を短縮することができる。また、処理液の消費量も抑えることができる。また、紫外線照射は基板Wが搬送されている際に並行して行われるので、装置のスループットを低下させることなく、紫外線照射による処理を基板に施すことができる。これにより、基板表面を良好に処理することができるとともに基板の処理時間をより短縮することができる。
As described above, the unprocessed substrate W held by the
また、処理チャンバ10での処理が施された後の基板Wの表面に酸化膜を形成する場合は、シャトル搬送機構7によって第2受け渡し位置から第1受け渡し位置まで基板Wが搬送される際に、第1窒素ガスバルブ66と第1クリーンエアバルブ67を開けて、第1排気バルブ62を閉じるとともに、第2排気バルブ70を開けて、第2窒素ガスバルブ74と第2クリーンエアバルブ75を閉じる。これにより、窒素ガス供給源から第1窒素ガス供給配管64、第1ガス供給配管63および第1給排気配管61を介して第1給排気口60から窒素ガスが噴出されるとともに、クリーンエア供給源から第1クリーンエア供給配管65、第1ガス供給配管63および第1給排気配管61を介して第1給排気口60からクリーンエアが噴出される。そして、第2給排気口68から第2給排気配管69を介して排気機構に向けて排気が行われる。
When an oxide film is formed on the surface of the substrate W after the processing in the
したがって、シャトル搬送空間14内は、第1受け渡し位置から第2受け渡し位置に向けて流れる窒素ガスとクリーンエアの混合気流が形成される。この状態で、ランプハウス57から紫外線が照射されることにより、基板Wの表面に酸化膜を形成することができる。このように、処理チャンバ10において処理液による処理が施された後に基板Wに対して、処理チャンバ10から基板収容器17へ搬送するのと同時に、基板Wの表面に酸化膜形成処理を行うことができる。したがって、処理チャンバ10における処理液(たとえば過酸化水素水やオゾン水)による酸化膜形成処理を省くことができ、基板の処理時間を短縮することができる。また、処理液の消費量も抑えることができる。また、紫外線照射は基板が搬送されている際に並行して行われるので、装置のスループットを低下させることなく、紫外線照射による処理を基板に施すことができる。これにより、基板表面を良好に処理することができるとともに基板の処理時間をより短縮することができる。
Therefore, a mixed air flow of nitrogen gas and clean air that flows from the first delivery position to the second delivery position is formed in the
なお、前述の第1、第2実施形態では、処理チャンバ10における処理の前もしくは後のいずれかの搬送工程の際にのみ、紫外線を照射する構成としているが、処理チャンバ10における処理前後の両方の搬送工程において紫外線を照射する構成としてもよい。たとえば、処理チャンバ10の処理前と処理後の両方の搬送工程において、紫外線を照射することで基板Wの表面に付着している有機物を除去するようにしてもよいし、あるいは基板Wの表面に酸化膜を形成する処理を施してもよい。また、処理チャンバ10の処理前と処理後のいずれか一方では紫外線照射による有機物除去処理を行い、他方では紫外線照射による酸化膜形成処理を行ってもよい。
In the first and second embodiments described above, the ultraviolet rays are irradiated only during the transfer process before or after the processing in the
また、前述の第1、第2実施形態では、シャトル搬送機構7が配置されたシャトル搬送空間14の上部にランプハウス57を設けて、シャトル搬送機構7による搬送と同時に基板Wに紫外線を照射する構成としているが、インデクサロボット6が配置されているインデクサ搬送路5の上部にランプハウス57を設ける構成としてもよい。そして、インデクサロボット6による搬送の際に、基板Wに紫外線が照射されるようにしてもよい。または、主搬送ロボット9の配置されている搬送路8の上部にランプハウス57を設けて、主搬送ロボット9による搬送の際に基板Wに紫外線が照射されるようにしてもよい。
In the first and second embodiments described above, the
また、前述の第2実施形態では、基板Wに紫外線を照射する際には、シャトル搬送空間14にはクリーンエアと窒素ガスの混合気体が供給される構成としたが、クリーンエアのみを供給するようにしてもよい。このような構成によっても基板W表面への酸化膜形成処理を行うことができる。また、クリーンエアの供給は行わずに、シャトル搬送空間14への窒素ガスの供給流量を増減させることによってシャトル搬送空間14内の酸素濃度を調整するようにしてもよい。
In the second embodiment described above, when the substrate W is irradiated with ultraviolet rays, the
また、処理チャンバ10で施される処理としては、前述の第1実施形態のようなHFによる洗浄処理や、前述の第2実施形態のようなSPMによるレジスト除去処理以外の処理であってもよい。たとえば、APM(ammonia−hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などのポリマ除去液を供給して、基板Wの表面からポリマ(レジスト残渣)を除去するポリマ除去処理や、フッ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニア、過酸化水素水、クエン酸、蓚酸、TMAH、王水のうちの少なくともいずれか1つを含むエッチング液を供給して、基板Wの表面から酸化膜や金属薄膜などをエッチング除去するエッチング処理でもよい。
Further, the process performed in the
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
1 基板処理装置
2 処理部
3 インデクサ部
4 収容器保持部
5 インデクサ搬送路
6 インデクサロボット
7 シャトル搬送機構
8 搬送路
9 主搬送ロボット
10 処理チャンバ
11 流体ボックス
12 第1隔壁
13 第2隔壁
14 シャトル搬送空間
15 第1窓部
16 第2窓部
17 基板収容器
57 ランプハウス
58 エキシマランプ
60 第1給排気口
61 第1給排気配管
62 第1排気バルブ
63 第1ガス供給配管
64 第1窒素ガス供給配管
65 第1クリーンエア供給配管
66 第1窒素ガスバルブ
67 第1クリーンエアバルブ
68 第2給排気口
69 第2給排気配管
70 第2排気バルブ
71 第2ガス供給配管
72 第2窒素ガス供給配管
73 第2クリーンエア供給配管
74 第2窒素ガスバルブ
75 第2クリーンエアバルブ
80 制御装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2
Claims (10)
基板に対して処理液による処理を施すための基板処理部と、
基板を収容する基板収容器を保持する収容器保持部と、
前記収容器保持部と前記基板処理部との間で基板を搬送するための基板搬送手段と、
前記基板搬送手段が配置された基板搬送空間に設けられ、前記基板搬送手段により搬送中の基板に対して、172nmの波長を中心とする紫外線を照射する紫外線照射手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A substrate processing unit for performing processing with a processing liquid on the substrate;
A container holding unit for holding a substrate container for containing a substrate;
Substrate transport means for transporting a substrate between the container holding unit and the substrate processing unit;
An ultraviolet irradiation unit that is provided in a substrate conveyance space in which the substrate conveyance unit is disposed and that irradiates ultraviolet rays centered on a wavelength of 172 nm on a substrate being conveyed by the substrate conveyance unit; Substrate processing apparatus.
基板を収容する基板収容器を保持する収容器保持部と前記基板処理部との間で基板を搬送する基板搬送工程と、
前記基板搬送工程と並行して行われ、搬送中の基板に対して172nmの波長を中心とする紫外線を照射する紫外線照射工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing step of performing processing with a processing liquid on the substrate in the substrate processing unit;
A substrate transporting step for transporting a substrate between a container holding unit for holding a substrate container for storing a substrate and the substrate processing unit;
A substrate processing method comprising: an ultraviolet ray irradiation step performed in parallel with the substrate transfer step and irradiating the substrate being transferred with an ultraviolet ray centered at a wavelength of 172 nm.
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---|---|
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101456239B1 (en) * | 2012-12-26 | 2014-11-13 | 전자부품연구원 | Method for manufacturing metal-oxide thin film using low temperature process, thin film, and electric device thereof |
KR101456238B1 (en) | 2012-12-26 | 2014-11-13 | 전자부품연구원 | Method for manufacturing metal-oxide thin film using low temperature process, thin film, and electric device thereof |
JP2015076473A (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment apparatus |
JP2015076472A (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Chemical liquid container changing apparatus, container mounting module, and chemical liquid container changing method |
JP2018107401A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
CN108257890A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 株式会社斯库林集团 | Substrate board treatment, substrate processing method using same and base plate processing system |
JP2018133414A (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20180109679A (en) | 2017-03-28 | 2018-10-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing device, substrate processing method, and ultraviolet irradiation means selecting method |
KR20190050788A (en) * | 2016-09-21 | 2019-05-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
WO2020059375A1 (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2020136438A (en) * | 2019-02-18 | 2020-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP2020155612A (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method, semiconductor manufacturing method, and substrate processing apparatus |
KR20210124446A (en) | 2019-03-13 | 2021-10-14 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US11630392B2 (en) | 2013-10-08 | 2023-04-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0966270A (en) * | 1995-06-19 | 1997-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus |
JP2001104776A (en) * | 1999-10-06 | 2001-04-17 | Tokyo Electron Ltd | Treatment apparatus and method |
JP2004162124A (en) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Shibaura Mechatronics Corp | Apparatus and method for treating substrate |
JP2009145827A (en) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Tsukuba Semi Technology:Kk | Apparatus and method for cleaning mask |
-
2010
- 2010-03-26 JP JP2010071345A patent/JP5371854B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0966270A (en) * | 1995-06-19 | 1997-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus |
JP2001104776A (en) * | 1999-10-06 | 2001-04-17 | Tokyo Electron Ltd | Treatment apparatus and method |
JP2004162124A (en) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Shibaura Mechatronics Corp | Apparatus and method for treating substrate |
JP2009145827A (en) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Tsukuba Semi Technology:Kk | Apparatus and method for cleaning mask |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101456238B1 (en) | 2012-12-26 | 2014-11-13 | 전자부품연구원 | Method for manufacturing metal-oxide thin film using low temperature process, thin film, and electric device thereof |
KR101456239B1 (en) * | 2012-12-26 | 2014-11-13 | 전자부품연구원 | Method for manufacturing metal-oxide thin film using low temperature process, thin film, and electric device thereof |
JP2015076473A (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment apparatus |
JP2015076472A (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Chemical liquid container changing apparatus, container mounting module, and chemical liquid container changing method |
US11630392B2 (en) | 2013-10-08 | 2023-04-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
KR20190050788A (en) * | 2016-09-21 | 2019-05-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2020174214A (en) * | 2016-09-21 | 2020-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
KR102429211B1 (en) * | 2016-09-21 | 2022-08-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US11538679B2 (en) | 2016-09-21 | 2022-12-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN108257891A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 株式会社斯库林集团 | Substrate board treatment, base plate processing system and substrate processing method using same |
KR102028260B1 (en) * | 2016-12-28 | 2019-10-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method |
KR20180077039A (en) | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method |
CN108257890A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 株式会社斯库林集团 | Substrate board treatment, substrate processing method using same and base plate processing system |
CN108257890B (en) * | 2016-12-28 | 2022-08-12 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate processing system |
CN108257891B (en) * | 2016-12-28 | 2021-10-26 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
JP2018107401A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
US11195731B2 (en) * | 2016-12-28 | 2021-12-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device, substrate processing method, and substrate processing system |
WO2018150628A1 (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate treatment device and substrate treatment method |
TWI660795B (en) * | 2017-02-14 | 2019-06-01 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2018133414A (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20180109679A (en) | 2017-03-28 | 2018-10-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing device, substrate processing method, and ultraviolet irradiation means selecting method |
US10388543B2 (en) | 2017-03-28 | 2019-08-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device, substrate processing method, and ultraviolet irradiator selecting method |
JP2020047888A (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device and substrate processing method |
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