JP2002261068A - Device and method for substrate treatment - Google Patents

Device and method for substrate treatment

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JP2002261068A
JP2002261068A JP2001059522A JP2001059522A JP2002261068A JP 2002261068 A JP2002261068 A JP 2002261068A JP 2001059522 A JP2001059522 A JP 2001059522A JP 2001059522 A JP2001059522 A JP 2001059522A JP 2002261068 A JP2002261068 A JP 2002261068A
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JP
Japan
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substrate
ozone water
processing
ozone
pressurized
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JP2001059522A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Okamoto
彰 岡本
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and method for substrate treatment capable of reducing a processing time by improving the efficiency of treatment while keeping activating energy. SOLUTION: The substrate processor for treating the surface of a substrate S with ozone water Lo is provided with a pressurizing treatment chamber 1 having pressure atmosphere kept inside of it, and an ozone water nozzle 5 for feeding ozone water generated in the pressurized gaseous ozone atmosphere to the surface of the substrate S housed in the chamber 1. Then, the ozone water Lo generated in the pressurized gaseous ozone atmosphere from the nozzle 5 is supplied to the surface of the substrate S held in the pressure atmosphere in the chamber 1 to treat the surface of the substrate S. In this case, the ozone water Lo to be supplied from the nozzle 5 is solution obtained by dissolving ozone into the pure water by high density under a pressurized condition and is pressurized by pressure equal to or lower than that in the chamber 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
び基板処理方法に関し、特には半導体基板、液晶表示装
置のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディ
スク用の基板等に対し、オゾン水を用いた処理を行うた
めの基板処理装置および基板処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a method for applying ozone water to a semiconductor substrate, a glass substrate of a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a used process.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体デバイスの微細化および高集積化にともない、製造プ
ロセスにおいて半導体基板(いわゆるウエハ)上に付着
するパーティクル(微小粒子)や金属汚染、有機物汚染
等が、デバイスの歩留まりや特性に大きな影響を与える
ようになってきている。例えば、パーティクルの付着
は、酸化膜耐圧不良や配線ショートを引き起こし、金属
汚染や有機物汚染は酸化膜耐圧不良や接合リーク不良を
引き起こす要因になる。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, particles (fine particles) adhering to a semiconductor substrate (a so-called wafer), metal contamination, organic matter contamination, etc. in the manufacturing process accompanying the miniaturization and high integration of semiconductor devices. However, it has greatly affected the yield and characteristics of devices. For example, the adhesion of particles causes an oxide film breakdown voltage defect and a wiring short circuit, and metal contamination and organic substance contamination cause an oxide film breakdown voltage defect and a junction leak defect.
【0003】ところが、半導体装置の製造プロセスは、
その殆どがパーティクルや金属不純物、さらには有機汚
染物質の発生源であるため、デバイスの歩留まりやその
特性を向上させるためには、全製造プロセスにわたって
半導体基板の表面および裏面を清浄に保つ必要がある。
そこで、各々の製造プロセスにおいては、適宜、半導体
基板の清浄化工程が行われている。
However, the manufacturing process of a semiconductor device is as follows.
Since most of them are sources of particles, metal impurities, and organic contaminants, it is necessary to keep the front and back surfaces of the semiconductor substrate clean throughout the entire manufacturing process in order to improve device yield and its characteristics. .
Therefore, in each manufacturing process, a semiconductor substrate cleaning step is appropriately performed.
【0004】また、半導体装置の製造工程においては、
リソグラフィー、エッチング、イオン注入などの工程
で、有機皮膜であるレジストが用いられており、各工程
の終了後にはこのレジストを半導体基板上から剥離・除
去する工程を行が行われる。
In the manufacturing process of a semiconductor device,
In processes such as lithography, etching, and ion implantation, a resist which is an organic film is used. After each process, a process of removing and removing the resist from the semiconductor substrate is performed.
【0005】近年、上記清浄化工程および、剥離・除去
工程においては、半導体基板の大口径化およびコスト削
減の観点から、ウェット処理が主流となっている。
In recent years, in the above-mentioned cleaning step and peeling / removing step, wet processing has become the mainstream from the viewpoint of increasing the diameter of semiconductor substrates and reducing costs.
【0006】このような半導体基板のウェット処理にお
いては、アンモニア水や塩酸、硫酸、過酸化水素水など
の薬品や、これらを混合した薬品、さらにはその水溶液
等が処理液として用いられている。例えば、有機物の除
去を目的とした洗浄や有機皮膜(レジスト)の剥離除去
には、硫酸と過酸化水素水とを原液で混合し、この混合
した溶液(以下、硫酸過水と称する)を用いて80℃〜
150℃の高温で処理する方法、発煙硝酸で処理する方
法、アミン等を混合した有機剥離液を用いて80℃程度
の高温で処理する方法などが行われている。
[0006] In such wet processing of a semiconductor substrate, chemicals such as aqueous ammonia, hydrochloric acid, sulfuric acid, and hydrogen peroxide, chemicals obtained by mixing these, and aqueous solutions thereof are used as processing liquids. For example, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed in a stock solution, and the mixed solution (hereinafter, referred to as a sulfuric acid peroxide solution) is used for cleaning for removing organic substances and for stripping and removing an organic film (resist). 80 ° C ~
A method of treating at a high temperature of 150 ° C., a method of treating with fuming nitric acid, and a method of treating at a high temperature of about 80 ° C. using an organic stripper mixed with an amine or the like are performed.
【0007】しかしながら、上述した処理方法には次の
ような問題があった。例えば硫酸過水を用いた処理は、
高濃度の薬液を用いた高温処理であるため、操作性が悪
い。さらに薬品自体のコストに加えて廃液処理にもコス
トが掛かり、ランニングコストを増加させる要因にな
る。これは、反応性の高い発煙硝酸を用いた処理や、高
温プロセスとなる有機剥離液を用いた処理にも同様であ
る。
However, the above-described processing method has the following problems. For example, treatment using sulfuric acid-hydrogen peroxide
The operability is poor because it is a high-temperature treatment using a high-concentration chemical solution. Furthermore, in addition to the cost of the chemical itself, the cost of waste liquid treatment also increases, which is a factor that increases the running cost. This is the same as the treatment using the highly reactive fuming nitric acid and the treatment using the organic stripping liquid which is a high-temperature process.
【0008】そこで、有機物の除去を目的とした洗浄や
有機皮膜(レジスト)の剥離除去には、純水にオゾンガ
スを溶解させたオゾン溶解水(以下、オゾン水と称す
る)が処理液として用いられるようになってきている。
オゾン水を用いたウェット処理においては、オゾン水自
体が比較的安価であり、オゾン水中のオゾンが自然分解
するために廃液処理のコストも必要としない。また、こ
の処理方法は、有機物の除去に限定されず、金属汚染物
質を除去するための洗浄処理や、オゾンの酸化力を利用
して基板表面に酸化膜を形成する場合にも広く適用可能
である。
Therefore, ozone-dissolved water (hereinafter referred to as ozone water) obtained by dissolving ozone gas in pure water is used as a processing liquid for cleaning for removing organic substances and for removing and removing an organic film (resist). It is becoming.
In the wet treatment using ozone water, the ozone water itself is relatively inexpensive, and the cost of waste liquid treatment is not required because ozone in the ozone water is naturally decomposed. In addition, this treatment method is not limited to the removal of organic substances, and can be widely applied to a cleaning treatment for removing metal contaminants and a case where an oxide film is formed on a substrate surface by using the oxidizing power of ozone. is there.
【0009】ところで、オゾン水を用いた基板処理にお
いては、処理時間の短縮を目的として、純水中にオゾン
を溶解させる際にオゾンガスの圧力を高くしてオゾン濃
度を高め、さらに温度を低温にしてオゾンの溶解度を高
く保つことでオゾン濃度を確保している。
In the substrate processing using ozone water, for the purpose of shortening the processing time, when dissolving ozone in pure water, the pressure of the ozone gas is increased to increase the ozone concentration, and the temperature is further lowered. The ozone concentration is secured by keeping the solubility of ozone high.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
方法では、基板上にオゾン水を供給する際、すなわちオ
ゾン水の供給ノズルから基板上にオゾン水を供給する際
には、オゾン水は供給ノズルにおける加圧状態から大気
圧中に吐出されることになる。このため、この圧力変化
によりオゾン水中のオゾンガスがガス化(脱泡)し、基
板上に供給されるオゾン水のオゾン濃度が低下する。特
にこの現象は、オゾン水中のオゾン濃度が高濃度である
程生じやすくなる。しがたって、期待される程、処理効
率を高めることはできない。
However, in such a method, the ozone water is not supplied when the ozone water is supplied onto the substrate, that is, when the ozone water is supplied from the supply nozzle of the ozone water onto the substrate. It is discharged from the pressurized state of the nozzle to the atmospheric pressure. For this reason, the ozone gas in the ozone water is gasified (defoamed) by the pressure change, and the ozone concentration of the ozone water supplied onto the substrate decreases. In particular, this phenomenon is more likely to occur as the ozone concentration in the ozone water is higher. Therefore, the processing efficiency cannot be increased as expected.
【0011】これを防止することを目的として、気−液
界面のない処理槽内で基板を処理する方法および装置が
特開2000−37671に開示されている。しかしこ
のような方法は、液体を密閉する必要があるため、処理
槽の密閉構成が複雑になる。さらに、反応作用点すなわ
ち基板面付近においてオゾンと反応促進剤との混合が困
難である。
For the purpose of preventing this, a method and an apparatus for processing a substrate in a processing tank having no gas-liquid interface are disclosed in JP-A-2000-37671. However, in such a method, since the liquid needs to be sealed, the sealing configuration of the processing tank becomes complicated. Furthermore, it is difficult to mix ozone with the reaction accelerator at the reaction action point, that is, near the substrate surface.
【0012】また、低温のオゾン水においては、化学反
応(酸化分解反応)における活性化エネルギーが低く、
レジスト膜や汚染物質に対する除去力が低い。したがっ
て、レジスト膜の種類によっては除去できなかったり、
ドライエッチングや高濃度イオン注入の際にマスクとし
て用いられたことによってダメージを受けたり変質した
レジスト膜を除去できない、つまり処理能力に劣るとい
った課題がある。
Further, low-temperature ozone water has low activation energy in a chemical reaction (oxidative decomposition reaction),
Low removal power for resist film and contaminants. Therefore, it cannot be removed depending on the type of the resist film,
There is a problem that a resist film damaged or deteriorated due to being used as a mask during dry etching or high-concentration ion implantation cannot be removed, that is, the processing ability is poor.
【0013】そこで本発明は、低温にすることなく基板
表面に高濃度のオゾン水を供給することが可能で、これ
によりオゾン水の処理能力を維持しつつも処理時間を短
縮することが可能な基板処理装置および基板処理方法を
提供することを目的とする。
Therefore, according to the present invention, high-concentration ozone water can be supplied to the substrate surface without lowering the temperature, whereby the processing time can be shortened while maintaining the processing capability of ozone water. It is an object to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明は、基板表面をオゾン水によって処理す
るための基板処理装置であって、内部が加圧雰囲気に保
たれる加圧処理室と、この加圧処理室内に収納された基
板の表面に加圧オゾンガス雰囲気で生成されたオゾン水
を供給するオゾン水ノズルとを備えている。
According to the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a surface of a substrate with ozone water, the apparatus comprising: A processing chamber and an ozone water nozzle for supplying ozone water generated in a pressurized ozone gas atmosphere to a surface of a substrate housed in the pressure processing chamber are provided.
【0015】このような構成の基板処理装置では、基板
を収納した加圧処理室内を加圧雰囲気にすることで、加
圧雰囲気内に保持された基板上にオゾン水ノズルから加
圧オゾンガス雰囲気で生成されることで、高濃度に保た
れたオゾン水が供給されることになる。このため、オゾ
ン水は、加圧された状態を保ったままで基板上に供給さ
れることになり、オゾンの溶解度が保持された、すなわ
ち高濃度に保持されたオゾン水が基板上に供給される。
In the substrate processing apparatus having such a configuration, the pressurized processing chamber in which the substrates are accommodated is set to the pressurized atmosphere, so that the substrate held in the pressurized atmosphere is pressed from the ozone water nozzle to the pressurized ozone gas atmosphere. By being generated, ozone water maintained at a high concentration is supplied. For this reason, the ozone water is supplied onto the substrate while maintaining the pressurized state, and the ozone water in which the solubility of ozone is maintained, that is, the ozone water maintained at a high concentration is supplied onto the substrate. .
【0016】また本発明は、基板の表面をオゾン水で処
理する基板処理方法でもあり、加圧雰囲気内に保持され
た基板の表面に、加圧オゾンガス雰囲気で生成されたオ
ゾン水を供給して当該基板の表面を処理することを特徴
としている。
The present invention is also a substrate processing method for treating the surface of a substrate with ozone water, wherein ozone water generated in a pressurized ozone gas atmosphere is supplied to the surface of the substrate held in a pressurized atmosphere. It is characterized in that the surface of the substrate is treated.
【0017】このような構成の基板処理方法では、加圧
オゾンガス雰囲気で生成されたオゾン水が、加圧雰囲気
内に保持された基板の表面に供給されるため、オゾン水
は加圧された状態を保ったまま、すなわちオゾンの溶解
度が保持された状態で基板上に供給されることになる。
したがって、基板の表面には加圧によってオゾン濃度の
高められたオゾン水が、オゾン濃度を保ったまま供給さ
れる。
In the substrate processing method having such a configuration, the ozone water generated in the pressurized ozone gas atmosphere is supplied to the surface of the substrate held in the pressurized atmosphere, so that the ozone water is maintained in a pressurized state. Is maintained on the substrate, that is, while the solubility of ozone is maintained.
Therefore, ozone water whose ozone concentration has been increased by pressurization is supplied to the surface of the substrate while maintaining the ozone concentration.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の基板処理装置およ
び基板処理方法をその実施の形態に基づいて詳細に説明
する。尚、本発明の基板処理装置および基板処理方法
は、半導体装置や液晶表示装置、さらにはその他の基板
製品の製造工程において、半導体基板や液晶基板等の基
板上に形成されたレジスト膜を除去したり、これらの基
板表面に付着した金属汚染物質や有機汚染物質物を除去
するため、さらにはこれらの基板表面に酸化膜を形成す
るための基板処理装置および基板処理方法である。以下
の各実施形態においては、半導体基板(基板)上のレジ
スト膜を除去する場合を例に採り本発明を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described in detail based on embodiments. Note that the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention remove a resist film formed on a substrate such as a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate in a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, and other substrate products. And a substrate processing apparatus and a substrate processing method for removing metal contaminants and organic contaminants adhering to the surface of the substrate, and for forming an oxide film on the surface of the substrate. In the following embodiments, the present invention will be described by taking as an example a case where a resist film on a semiconductor substrate (substrate) is removed.
【0019】(第1実施形態)図1は、第1実施形態の基
板処理装置の一例を示す概略構成図である。この図に示
す基板処理装置は、加圧処理室1を備えており、この加
圧処理室1内に回転洗浄装置を密閉した構成になってい
る。
(First Embodiment) FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. The substrate processing apparatus shown in FIG. 1 includes a pressure processing chamber 1, and has a configuration in which a rotary cleaning device is sealed in the pressure processing chamber 1.
【0020】加圧処理室1は、ここでの図示を省略した
開閉部を備え、この開閉部から基板Sの出し入れが自在
である。この加圧処理室1には、加圧配管11が接続さ
れており、この加圧配管11からのガス加圧により、加
圧処理室1内が所定の圧力に加圧されるように構成され
ている。この加圧配管11には、開閉弁12が設けられ
ている。
The pressure processing chamber 1 has an opening / closing part not shown here, and the substrate S can be freely taken in and out of the opening / closing part. A pressurizing pipe 11 is connected to the pressurizing processing chamber 1, and the inside of the pressurizing processing chamber 1 is configured to be pressurized to a predetermined pressure by pressurizing gas from the pressurizing pipe 11. ing. This pressurizing pipe 11 is provided with an on-off valve 12.
【0021】そして、この加圧処理室1内に、基板Sを
固定保持するためのチャック2が配置されている。この
チャック2は、例えば基板Sのエッジを押さえ込んで基
板Sを固定するための支持部材(エッジクランプリン
グ)3を備えており、基板Sの処理面である表面Sa
と、その裏面Sbとを非接触とした状態で固定可能に構
成されている。これにより、基板Sの裏面Sbも洗浄可
能となっている。ただし、基板Sの裏面洗浄を考慮する
必要のない場合、チャック2のチャック形式は、真空チ
ャック式、さらには遠心力を利用したガイドピン方式な
ど、どのような形式であっても良い。
A chuck 2 for fixing and holding the substrate S is arranged in the pressure processing chamber 1. The chuck 2 includes, for example, a support member (edge clamp ring) 3 for holding down the edge of the substrate S and fixing the substrate S, and a surface Sa which is a processing surface of the substrate S.
And its back surface Sb can be fixed in a non-contact state. Thereby, the back surface Sb of the substrate S can also be cleaned. However, when it is not necessary to consider the back surface cleaning of the substrate S, the chuck 2 may be of any type, such as a vacuum chuck type or a guide pin type using centrifugal force.
【0022】また、このチャック2は、いわゆるスピン
チャックであり、ここでは図示を省略したモータ等の動
力によって回転する回転軸4の先端に設けられ、チャッ
ク2に固定保持させた基板Sの表面Saを水平に保って
回転可能に構成されている。尚、加圧処理室1内の密閉
状態を考慮した場合、回転軸4の回転駆動機構は加圧処
理室1の内部に配置されていることが好ましい。
The chuck 2 is a so-called spin chuck, which is provided at the tip of a rotating shaft 4 which is rotated by the power of a motor or the like (not shown). Is horizontally rotatable. In consideration of the hermetically sealed state in the pressure processing chamber 1, it is preferable that the rotation drive mechanism of the rotating shaft 4 is disposed inside the pressure processing chamber 1.
【0023】そして、チャック2の上方には、加圧処理
室1の外側から引き入れられたオゾン水ノズル5の供給
端、およびここでの図示省略した純水ノズルの供給端が
配置されており、チャック2に固定された基板Sの表面
Sa上にオゾン水Loや純水が供給されるように構成さ
れている。また、オゾン水ノズル5および純水ノズル
は、各供給端から基板S上にオゾン水Loや純水を吐出
させるための供給ポンプ51が設けられている。この供
給ポンプ51は、図示したように加圧処理室1の外に配
置されるか、加圧処理室1内に配置されても良い。
Above the chuck 2, a supply end of an ozone water nozzle 5 drawn from outside the pressure processing chamber 1 and a supply end of a pure water nozzle (not shown) are arranged. Ozone water Lo or pure water is supplied onto the surface Sa of the substrate S fixed to the chuck 2. The ozone water nozzle 5 and the pure water nozzle are provided with a supply pump 51 for discharging ozone water Lo and pure water onto the substrate S from each supply end. The supply pump 51 may be disposed outside the pressure processing chamber 1 as illustrated, or may be disposed inside the pressure processing chamber 1.
【0024】このオゾン水ノズル5には、供給ポンプ5
1を介してオゾン水生成手段52が接続されている。こ
のオゾン水生成手段52は、オゾンガス雰囲気の加圧に
よってオゾン(O3)の溶解度を高めたオゾン水Loを
生成する。
The ozone water nozzle 5 has a supply pump 5
The ozone water generating means 52 is connected via 1. The ozone water generating means 52 generates ozone water Lo in which the solubility of ozone (O 3 ) is increased by pressurizing the ozone gas atmosphere.
【0025】また、基板Sを保持するチャック2は、カ
ップ状の処理チャンバ6内に内設された状態で加圧処理
室1内に配置されており、基板S上に供給されたオゾン
水Loや過酸化水素水Lhが、基板Sの回転による遠心
力で加圧処理室1内に飛び散ることを防止している。ま
た、この処理チャンバ6の底面には、加圧処理室1の外
に引き出された廃液管61が接続され、廃液管61には
開閉弁62が設けられている。さらに処理チャンバ6に
は、加圧処理室1の外に引き出された排気管64が接続
され、この排気管64にも開閉弁65が設けられてい
る。これらの開閉弁62,65は、例えば圧力調整弁と
して設けられており、これらの開閉弁62,65および
加圧配管11からの加圧ガスの導入によって、加圧処理
室1の内部が所定の加圧雰囲気に保持される。
The chuck 2 for holding the substrate S is disposed in the pressurized processing chamber 1 while being installed in the cup-shaped processing chamber 6, and the ozone water Lo supplied on the substrate S is provided. And the hydrogen peroxide solution Lh is prevented from scattering into the pressure processing chamber 1 due to the centrifugal force caused by the rotation of the substrate S. A waste liquid pipe 61 drawn out of the pressurized processing chamber 1 is connected to the bottom surface of the processing chamber 6, and the waste liquid pipe 61 is provided with an on-off valve 62. Further, an exhaust pipe 64 drawn out of the pressurized processing chamber 1 is connected to the processing chamber 6, and the exhaust pipe 64 is also provided with an on-off valve 65. The on-off valves 62 and 65 are provided as, for example, pressure regulating valves, and the inside of the pressurization processing chamber 1 is made to have a predetermined pressure by introducing pressurized gas from the on-off valves 62 and 65 and the pressurizing pipe 11. It is kept in a pressurized atmosphere.
【0026】次に、このような基板処理装置を用いた第
1実施形態の基板処理方法を説明する。
Next, a substrate processing method according to a first embodiment using such a substrate processing apparatus will be described.
【0027】先ず、オゾン水生成手段52によって所定
圧力P0 に加圧されたオゾン水Loを生成する。この
オゾン水Loは、この所定圧力P0 下における飽和状
態で純水にオゾン(O3 )を溶解してなる飽和溶液で
あることが好ましい。オゾン水Loの温度は、他の条件
に合わせて最適な値とするが、オゾン水Loの活性エネ
ルギーを確保するためには、常温程度に保たれているこ
とが好ましく、例えばオゾン濃度が20ppm〜200
ppm程度であることとする。
First, ozone water Lo pressurized to a predetermined pressure P 0 by the ozone water generation means 52 is generated. The ozone water Lo is preferably a saturated solution obtained by dissolving ozone (O 3 ) in pure water in a saturated state under the predetermined pressure P 0 . The temperature of the ozone water Lo is set to an optimum value in accordance with other conditions. However, in order to secure the activation energy of the ozone water Lo, it is preferable that the temperature is maintained at about room temperature. 200
It is assumed to be about ppm.
【0028】そして、加圧処理室1内に、表面がレジス
ト膜(図示省略)で覆われた基板Sを搬入し、処理表面
(表面)Saを上方に向けた状態でこの基板Sをチャッ
ク2に保持させる。基板Sの表面Saに形成されている
レジストは、その膜厚が均一であっても均一でなくても
良く、パターニングされていても良い。
Then, the substrate S whose surface is covered with a resist film (not shown) is carried into the pressure processing chamber 1, and the substrate S is chucked with the processing surface (surface) Sa facing upward. To be held. The resist formed on the surface Sa of the substrate S may or may not be uniform in film thickness, and may be patterned.
【0029】次に、加圧処理室1の開閉部を閉じて内部
を密閉状態にし、加圧配管11から加圧処理室1内に加
圧ガスを供給し、加圧処理室1内を所定の圧力P1
加圧する。この際、加圧処理室1内の圧力P1 は、オ
ゾン水生成手段52で生成されたオゾン水Lo(オゾン
ガス雰囲気)に加えられる圧力P0 以上であることが
好ましい。また、加圧配管11から供給される加圧ガス
としては、例えば圧縮空気、窒素ガス(N2 )やアル
ゴンガス(Ar)のような不活性なガス、さらにはオゾ
ン(O3)等を用いる。特に、加圧処理室1内の雰囲気
からオゾン水Loへの溶解を期待した場合、加圧ガスと
してオゾン(O3)を用いることが好ましい。
Next, the opening and closing part of the pressure processing chamber 1 is closed to make the inside hermetically sealed, a pressurized gas is supplied from the pressure pipe 11 into the pressure processing chamber 1, and the inside of the pressure processing chamber 1 is kept at a predetermined pressure. pressurized to pressure P 1 of. At this time, the pressure P 1 of the pressure treatment chamber 1 is preferably at the ozone water generating unit 52 with the generated ozone water Lo (ozone atmosphere) in the applied pressure P 0 or more. As the pressurized gas supplied from the pressurizing pipe 11, for example, compressed air, an inert gas such as nitrogen gas (N 2 ) or argon gas (Ar), or ozone (O 3 ) is used. . In particular, when dissolution into ozone water Lo is expected from the atmosphere in the pressure processing chamber 1, it is preferable to use ozone (O 3 ) as the pressurized gas.
【0030】以上のような状態で、回転軸4を作動させ
て基板Sを所定の回転数で回転させ、基板Sの回転中心
付近に設けたオゾン水ノズル5の供給端から、基板S表
面の回転中心上に加圧オゾンガス雰囲気で生成されたオ
ゾン水Loを供給する。これによって、基板Sの表面S
a全体にオゾン水Loを広げると共に、基板Sの周縁に
向かってオゾン水Loを流し、このオゾン水Loによっ
て基板S表面のレジスト膜を酸化分解除去する。
In the above state, the rotating shaft 4 is operated to rotate the substrate S at a predetermined number of revolutions, and from the supply end of the ozone water nozzle 5 provided near the center of rotation of the substrate S, the surface of the substrate S Ozone water Lo generated in a pressurized ozone gas atmosphere is supplied onto the rotation center. Thereby, the surface S of the substrate S
The ozone water Lo is spread over the entirety a, and the ozone water Lo is caused to flow toward the periphery of the substrate S, and the resist film on the surface of the substrate S is oxidized and removed by the ozone water Lo.
【0031】以上のようなオゾン水Loの供給によっ
て、基板S表面のレジスト膜が酸化分解され、基板S表
面からレジスト膜が除去された後、オゾン水Loの供給
を停止する。尚、基板S表面の金属汚染物質や有機汚染
物質の除去が目的である場合、オゾン水Loによってこ
れらの汚染物質が除去されるのに十分な時間が経過した
後、オゾン水Loの供給を停止することとする。また、
酸化膜の生成が目的で有る場合、所定膜厚の酸化膜が生
成された時点でオゾン水Loの供給を停止することとす
る。
After the resist film on the surface of the substrate S is oxidized and decomposed by the supply of the ozone water Lo as described above, and the resist film is removed from the surface of the substrate S, the supply of the ozone water Lo is stopped. If the purpose is to remove metal contaminants and organic contaminants on the surface of the substrate S, supply of the ozone water Lo is stopped after a sufficient time has passed for the ozone water Lo to remove these contaminants. I decided to. Also,
When the purpose is to form an oxide film, the supply of the ozone water Lo is stopped when the oxide film having a predetermined thickness is formed.
【0032】次に、必要に応じて、ここでの図示を省略
した純水ノズルの先端から基板S表面の回転中心上に純
水を供給してリンスを行った後、振り切り乾燥等を行い
基板Sを乾燥させる。その後、基板Sの回転を停止させ
て一連の工程を終了させる。尚、基板Sの表面に供給さ
れたオゾン水Loは、基板Sの回転による遠心力によっ
て基板Sの周縁から外側に向かって振り切られ、処理チ
ャンバ6の底面に接続された廃液管61から排出され
る。
Next, if necessary, pure water is supplied from the tip of a pure water nozzle (not shown) to the center of rotation of the surface of the substrate S for rinsing. Dry S. Thereafter, the rotation of the substrate S is stopped, and a series of steps is completed. The ozone water Lo supplied to the surface of the substrate S is shaken off from the periphery of the substrate S to the outside by the centrifugal force due to the rotation of the substrate S, and is discharged from the waste liquid pipe 61 connected to the bottom surface of the processing chamber 6. You.
【0033】以上説明した基板処理装置を用いた基板処
理方法によれば、加圧オゾンガス雰囲気で生成されたオ
ゾン水Loが、加圧処理室1の加圧雰囲気内に保持され
た基板Sの表面に供給される。このため、オゾン水Lo
は加圧された状態を保ったまま、すなわちオゾン(O
3 )の溶解度が保持された状態で、基板S上に供給さ
れることになる。つまり、加圧によってオゾン濃度の高
められたオゾン水Loが、脱泡によってオゾン(O3
濃度を低下させることなく、オゾン濃度を保ったまま基
板Sの表面に供給される。
According to the substrate processing method using the substrate processing apparatus described above, the ozone water Lo generated in the pressurized ozone gas atmosphere is applied to the surface of the substrate S held in the pressurized atmosphere of the pressurized processing chamber 1. Supplied to Therefore, ozone water Lo
Is kept pressurized, that is, ozone (O
The solution is supplied onto the substrate S in a state where the solubility of 3 ) is maintained. That is, the ozone water Lo whose ozone concentration is increased by pressurization is converted into ozone (O 3 ) by defoaming.
The ozone is supplied to the surface of the substrate S while maintaining the ozone concentration without decreasing the concentration.
【0034】したがって、オゾン水の温度を低下させる
ことなく、すなわちオゾン水の活性化エネルギーを低下
させることなく、基板Sに対してより多くのオゾンを作
用させることが可能になる。この結果、変質したレジス
ト等の除去し難い有機物等に対して処理能力を維持した
状態で、処理効率を向上させて処理時間を短縮すること
が可能になる。
Therefore, it is possible to cause more ozone to act on the substrate S without lowering the temperature of the ozone water, that is, without lowering the activation energy of the ozone water. As a result, it is possible to improve the processing efficiency and shorten the processing time while maintaining the processing ability for organic substances and the like that are difficult to remove such as a deteriorated resist.
【0035】また、上記実施形態において、加圧処理室
1内の圧力P1 が、オゾン水生成手段52で生成され
たオゾン水Loに加えられる圧力P0 以上である場
合、オゾン水ノズル5から供給されるオゾン水Loから
の脱泡を確実に防止することができる。ただし、オゾン
水供給ノズル5に供給ポンプ51が設けられていない場
合には、加圧処理室1内の圧力P1 は、オゾン生成手
段52においてオゾン水Loに加えられる圧力P0
りも小さい範囲でできるだけ高い圧力に加圧されること
とする。これによって、オゾン水ノズル5から供給され
るオゾン水Loからの脱泡を、より少なくすることがで
きる。
In the above embodiment, when the pressure P 1 in the pressurized processing chamber 1 is equal to or higher than the pressure P 0 applied to the ozone water Lo generated by the ozone water generation means 52, the ozone water nozzle 5 Defoaming from the supplied ozone water Lo can be reliably prevented. However, when the supply pump 51 is not provided in the ozone water supply nozzle 5, the pressure P 1 in the pressure processing chamber 1 is smaller than the pressure P 0 applied to the ozone water Lo in the ozone generation means 52. And pressurized to the highest possible pressure. Thus, defoaming from the ozone water Lo supplied from the ozone water nozzle 5 can be further reduced.
【0036】(第2実施形態)図2は、第2実施形態の
基板処理装置の一例を示す概略構成図である。この図に
示す基板処理装置は、図1を用いて説明した第1実施形
態の処理装置に、過酸化水素水ノズル7を設けたもので
ある。この過酸化水素水ノズル7が、請求項に示す処理
液ノズルとなる。
(Second Embodiment) FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to a second embodiment. In the substrate processing apparatus shown in this figure, a hydrogen peroxide water nozzle 7 is provided in the processing apparatus of the first embodiment described with reference to FIG. The hydrogen peroxide water nozzle 7 is a processing liquid nozzle described in the claims.
【0037】この過酸化水素水ノズル7は、チャック2
に固定された基板S上に過酸化水素水Lh(請求項に示
す処理液)を供給するもので、基板Sの回転中心から周
縁に亘って半径方向に移動自在に設けられている。ただ
し、チャック2が配置される加圧処理室1は、その内部
が加圧状態に保たれるものであるため、過酸化水素水ノ
ズル7を移動させる移動機構部分(図示省略)は、加圧
処理室1内に配置されていることが好ましい。
The hydrogen peroxide water nozzle 7 is connected to the chuck 2
A hydrogen peroxide solution Lh (a processing liquid shown in the claims) is supplied onto the substrate S fixed to the substrate S, and is provided so as to be movable in the radial direction from the rotation center of the substrate S to the periphery. However, since the inside of the pressurized processing chamber 1 in which the chuck 2 is disposed is maintained in a pressurized state, a moving mechanism (not shown) for moving the hydrogen peroxide nozzle 7 is pressurized. It is preferable to be arranged in the processing chamber 1.
【0038】次に、このような基板処理装置を用いた第
2実施形態の基板処理方法を説明する。
Next, a substrate processing method according to a second embodiment using such a substrate processing apparatus will be described.
【0039】先ず、第1実施形態と同様に、加圧処理室
1内に基板Sを収納して内部を所定の圧力P1に加圧状
態にし、基板Sを所定の回転数で回転させる。次に、基
板Sの回転中心付近に設けたオゾン水ノズル5の供給端
から、基板S表面の回転中心上にオゾン水Loを供給す
る。これによって、基板S表面全体にオゾン水Loを広
げると共に、基板Sの周縁に向かってオゾン水Loを流
す。このオゾン水Loは、第1実施形態と同様に加圧オ
ゾンガス雰囲気で生成されることでオゾン(O3)の溶
解度が高められたものとする。
[0039] First, as in the first embodiment, the pressure state inside a predetermined pressure P 1 accommodating the substrate S to pressure treatment chamber 1, to rotate the substrate S at a predetermined rotational speed. Next, ozone water Lo is supplied onto the rotation center of the surface of the substrate S from the supply end of the ozone water nozzle 5 provided near the rotation center of the substrate S. Thus, the ozone water Lo is spread over the entire surface of the substrate S, and the ozone water Lo is caused to flow toward the periphery of the substrate S. The ozone water Lo is generated in a pressurized ozone gas atmosphere, as in the first embodiment, so that the solubility of ozone (O 3 ) is increased.
【0040】以上のようにして、回転させた基板Sの表
面Saにオゾン水Loを供給した状態で、過酸化水素水
ノズル7の供給端からの過酸化水素水Lhの供給を開始
する。
As described above, the supply of the hydrogen peroxide solution Lh from the supply end of the hydrogen peroxide solution nozzle 7 is started in a state where the ozone water Lo is supplied to the surface Sa of the rotated substrate S.
【0041】そして、過酸化水素水ノズル7の供給端
を、基板Sの回転中心付近から周縁に亘って所定速度で
移動させる。これによって、オゾン水Loと過酸化水素
水Lhとの初期の混合位置を、回転させた基板Sの表面
Sa全域において走査させるのである。ここで、初期の
混合位置とは、基板Sの表面に供給されているオゾン水
Loに対して、過酸化水素水Lhが供給させるポイント
であることとする。また、過酸化水素水ノズル7の移動
速度は一定である必要はなく、例えば基板Sの周縁に近
い程速度を遅くすることで、回転させた基板Sの各部に
対する処理液の供給量を一定にする。
Then, the supply end of the hydrogen peroxide water nozzle 7 is moved at a predetermined speed from near the rotation center of the substrate S to the periphery. Thus, the initial mixing position of the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution Lh is scanned over the entire surface Sa of the rotated substrate S. Here, the initial mixing position is a point at which the hydrogen peroxide solution Lh is supplied to the ozone water Lo supplied to the surface of the substrate S. Further, the moving speed of the hydrogen peroxide water nozzle 7 does not need to be constant. For example, by decreasing the speed closer to the peripheral edge of the substrate S, the supply amount of the processing liquid to each part of the rotated substrate S is kept constant. I do.
【0042】またこの際、過酸化水素水Lhは、オゾン
水Loとの初期の混合位置において、オゾン1モルに対
する過酸化水素量が1.5モルを越えない範囲で基板S
の表面Saに供給されるように、その濃度と過酸化水素
ノズル7からの供給量(流量)とが設定されることとす
る。例えば、オゾン水Loの供給流量と過酸化水素水L
hの供給流量とが同一に設定されている場合、オゾン水
Loにおけるオゾンのモル濃度に対して、過酸化水素水
Lhにおける過酸化水素のモル濃度が1.5倍以下にな
る範囲で、過酸化水素水Lhの濃度を設定することで、
混合位置におけるオゾンと過酸化水素の濃度とを調整す
る。
At this time, the hydrogen peroxide solution Lh is supplied to the substrate S at an initial mixing position with the ozone water Lo within a range where the amount of hydrogen peroxide does not exceed 1.5 mol per mol of ozone.
The concentration and the supply amount (flow rate) from the hydrogen peroxide nozzle 7 are set so as to be supplied to the surface Sa. For example, the supply flow rate of ozone water Lo and hydrogen peroxide water L
When the supply flow rate of the hydrogen peroxide is set to be the same as that of the ozone water Lo, the molar concentration of hydrogen peroxide in the hydrogen peroxide solution Lh is 1.5 times or less the molar concentration of ozone in the ozone water Lo. By setting the concentration of the hydrogen oxide water Lh,
Adjust the concentration of ozone and hydrogen peroxide at the mixing location.
【0043】以上のようなオゾン水Loおよび過酸化水
素水Lhの供給によって、基板S表面のレジスト膜が酸
化分解され、基板S表面からレジスト膜が除去された
後、オゾン水Loおよび過酸化水素水Lhの供給を停止
する。尚、上記一連の処理が有機汚染物質の除去を目的
としている場合、オゾン水Loによって基板S上の有機
汚染物質が除去されるのに十分な時間が経過した後、オ
ゾン水Loおよび過酸化水素水Lhの供給を停止するこ
ととする。以下、第1実施形態と同様にして一連の工程
を終了させる。
By the supply of the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution Lh as described above, the resist film on the surface of the substrate S is oxidized and decomposed, and after the resist film is removed from the surface of the substrate S, the ozone water Lo and the hydrogen peroxide are removed. The supply of water Lh is stopped. In the case where the above series of processes is aimed at removing organic pollutants, after a sufficient time has passed for the organic pollutants on the substrate S to be removed by the ozone water Lo, the ozone water Lo and the hydrogen peroxide are removed. The supply of the water Lh is stopped. Hereinafter, a series of steps is completed in the same manner as in the first embodiment.
【0044】以上説明した基板処理方法によれば、基板
Sの表面においてオゾン水Loと過酸化水素水Lhとの
混合位置を走査させることにより、基板の表面全域にお
いてOHラジカル(OH*)が速やかに生成され、基板
の表面全域において均等にOHラジカル(OH*)を作
用させることができる。つまり、このような基板処理方
法では、下記一連の反応式(1)に示すように、オゾン
水Lo中のオゾン(O 3)に対して、過酸化水素水Lh
中の過酸化水素(H22)が作用し、有機物の分解に作
用する活性種であるOHラジカル(OH*)が速やかに
生成されるようになる。
According to the substrate processing method described above, the substrate
On the surface of S, the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution Lh
By scanning the mixing position, the entire surface of the substrate is
OH radical (OH*) Is quickly generated and the substrate
OH radicals (OH*)
Can be used. In other words, such a substrate processing method
In the method, as shown in the following reaction formula (1), ozone
Ozone in water Lo (O Three) For hydrogen peroxide solution Lh
Hydrogen peroxide (HTwoOTwo) Acts to break down organic matter
OH radical (OH*) Quickly
Will be generated.
【0045】[0045]
【化1】 Embedded image
【0046】比較のため、下記一連の反応式(2)に
は、水中におけるオゾンの分解を示す。この反応式
(2)に示すように、オゾン(O3)は、OH2ラジカル
(OH2 *)が開始剤となって連鎖反応的に分解すること
がわかる。しかし、この反応はそれほど速くはない。
For comparison, the following series of reaction formula (2) shows the decomposition of ozone in water. As shown in the reaction formula (2), it can be seen that ozone (O 3 ) is decomposed in a chain reaction with the OH 2 radical (OH 2 * ) as an initiator. However, this reaction is not so fast.
【化2】 Embedded image
【0047】一方、上記反応式(1)に示したように、
オゾン水Loに過酸化水素(H22)を添加した場合、
過酸化水素(H22)の分解によってOH2イオン(O
2 -)が供給されるため、このOH2イオン(O
2 -)によってオゾン(O3)の分解が加速されて、反
応式(2)と比較してOHラジカル(OH*)の生成速
度が速められる。
On the other hand, as shown in the above reaction formula (1),
When hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is added to ozone water Lo,
Decomposition of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) causes OH 2 ions (O 2
H 2 ) is supplied, so that the OH 2 ion (O
The decomposition of ozone (O 3 ) is accelerated by H 2 ), and the generation rate of OH radical (OH * ) is increased as compared with the reaction formula (2).
【0048】この際特に、オゾン水ノズル5と、過酸化
水素水ノズル7とを個別に設けることで、ユースポイン
トである基板Sの表面Saにおいてオゾン水Loと過酸
化水素水Lhとを混合する構成としている。このため、
極めて寿命の短いOHラジカル(OH*)を、基板S上
で速やかに生成し、基板の表面に対して有効にOHラジ
カル(OH*)を作用させることが可能になる。この結
果、オゾン水Loを用いた基板処理において、第1実施
形態よりもさらに、レジスト等の有機物質の除去効率を
向上させ、処理時間を短縮することが可能になる。しか
も、オゾン水Loを低温にする必要もないため、活性種
であるOHラジカル(OH*)の活性化エネルギーを維
持することもでき、変質したレジストなどに対する除去
力も維持できる。
In this case, particularly, the ozone water Lo and the hydrogen peroxide water Lh are mixed on the surface Sa of the substrate S, which is a point of use, by separately providing the ozone water nozzle 5 and the hydrogen peroxide water nozzle 7. It has a configuration. For this reason,
An OH radical (OH * ) having a very short life is quickly generated on the substrate S, so that the OH radical (OH * ) can effectively act on the surface of the substrate. As a result, in the substrate processing using the ozone water Lo, the removal efficiency of the organic substance such as the resist can be further improved and the processing time can be reduced as compared with the first embodiment. In addition, since it is not necessary to lower the temperature of the ozone water Lo, the activation energy of the OH radical (OH * ), which is an active species, can be maintained, and the ability to remove the altered resist can be maintained.
【0049】またさらに、オゾン水ノズル5と過酸化水
素水ノズル7の少なくとも一方を基板Sの回転中心から
周縁に亘って移動させることで、オゾン水Loと過酸化
水素水Lhとの混合位置を基板Sの表面Sa全域で走査
させる構成とした。このため、基板Sの表面Sa全域に
おいて、OHラジカル(OH*)を速やかに生成し、こ
のOHラジカル(OH*)を基板Sの表面Sa全域に対
して有効に作用させることが可能になる。この結果、基
板Sの表面Sa全域において、レジストの除去効率を向
上させることが可能になる。
Further, by moving at least one of the ozone water nozzle 5 and the hydrogen peroxide water nozzle 7 from the center of rotation of the substrate S to the periphery, the mixing position of the ozone water Lo and the hydrogen peroxide water Lh is changed. The scanning was performed over the entire surface Sa of the substrate S. Therefore, the surface Sa entire area of the substrate S, and quickly produce OH radicals (OH *), it is possible to effectively act the OH radicals (OH *) to the surface Sa entire area of the substrate S. As a result, it is possible to improve the resist removal efficiency over the entire surface Sa of the substrate S.
【0050】ここで、図3には、オゾン水Loによって
供給されるオゾン(O3)および過酸化水素水Lhによ
って供給される過酸化水素(H22)との割合(モル
比)と、レジスト除去レートとの関係を示した。このグ
ラフに示すように、オゾン(O 3)1モルに対して過酸
化水素(H22)が1.5モル以下の範囲で存在する場
合には、オゾン(O3)のみの場合よりもレジスト除去
レートが高くなることが分かる。このため、この範囲が
確保されるように、基板Sの表面Sa上にオゾン水Lo
および過酸化水素水Lhを供給することで、レジストの
除去効率を確実に向上させることが可能になるのであ
る。
Here, FIG. 3 shows that ozone water Lo
The supplied ozone (OThree) And hydrogen peroxide solution Lh
Hydrogen (HTwoOTwo) And ratio (mol
Ratio) and the resist removal rate. This group
As shown in the rough, ozone (O Three) Peracid per mole
Hydrogen (HTwoOTwo) Is present in a range of 1.5 mol or less.
Ozone (OThree) Resist removal than the case alone
It can be seen that the rate increases. Therefore, this range
Ozone water Lo is provided on the surface Sa of the substrate S so as to be secured.
And hydrogen peroxide solution Lh to supply the resist.
It is possible to improve the removal efficiency without fail.
You.
【0051】また、このグラフから、オゾン(O3)1
モルに対して過酸化水素(H22)0.05モル〜0.
37モルの割合にすることで、オゾン水のみの場合と比
較してレジストの除去レートを1.5倍にすることがで
きる。このため、初期の混合位置においてこのような割
合になるように、オゾン水Loと過酸化水素水Lhとを
供給することが好ましい。そしてさらに、オゾン
(O3)1モルに対して過酸化水素(H22)0.2モ
ル程度の割合である場合に、最もレジストの除去効率が
高くなることが分かる。このため、初期の混合位置にお
いてこのような割合になるように、オゾン水Loと過酸
化水素水Lhとを供給することが最も好ましい。以上
は、レジスト除去だけではなく、他の有機汚染物質除去
のための洗浄においても同様である。
From this graph, it can be seen that ozone (O 3 ) 1
Hydrogen peroxide on the molar (H 2 O 2) 0.05 moles to 0.
By setting the ratio to 37 mol, the removal rate of the resist can be increased 1.5 times as compared with the case of using only ozone water. For this reason, it is preferable to supply the ozone water Lo and the hydrogen peroxide water Lh so as to have such a ratio at the initial mixing position. Further, it can be seen that the resist removal efficiency is highest when the ratio of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is about 0.2 mol per 1 mol of ozone (O 3 ). For this reason, it is most preferable to supply the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution Lh so as to have such a ratio at the initial mixing position. The same applies to not only the removal of the resist but also the cleaning for removing other organic contaminants.
【0052】尚、上記第2実施形態においては、過酸化
水素水ノズル7の供給端を移動自在なものとしたが、オ
ゾン水ノズル5および過酸化水素水ノズル7のうちの少
なくとも一方が、基板Sの回転中心から周縁に亘って移
動自在で有れば、同様の効果を得ることができる。ただ
し、一方のノズルを固定させる場合、固定させるノズル
を基板Sの回転中心(すなわち回転軸4の延長線上)付
近に配置することで、基板Sの全面に対して、オゾン水
Loおよび過酸化水素水Lhが確実に供給されるように
する。
In the second embodiment, the supply end of the hydrogen peroxide solution nozzle 7 is movable, but at least one of the ozone water nozzle 5 and the hydrogen peroxide solution nozzle 7 The same effect can be obtained as long as it is movable from the rotation center of S to the periphery. However, when one of the nozzles is fixed, the nozzle to be fixed is arranged near the center of rotation of the substrate S (that is, on the extension of the rotation axis 4), so that the ozone water Lo and the hydrogen peroxide Ensure that the water Lh is supplied.
【0053】またここでは、基板S上に供給されたオゾ
ン水Loに対して過酸化水素水Lhを供給する構成とす
ることで、基板Sの表面により近い位置でOHラジカル
(OH*)を生成することができる。これにより、更に
有効に基板Sの表面Saに対してOHラジカル(O
*)を作用させることが可能になる。このため、一方
のノズルのみを移動自在とする場合、オゾン水ノズル5
を基板Sの回転中心に配置することが好ましい。
In this embodiment, the hydrogen peroxide solution Lh is supplied to the ozone water Lo supplied on the substrate S, so that OH radicals (OH * ) are generated at a position closer to the surface of the substrate S. can do. As a result, the OH radicals (O
H * ). Therefore, when only one of the nozzles is movable, the ozone water nozzle 5
Is preferably arranged at the rotation center of the substrate S.
【0054】(第3実施形態)図4は、第3実施形態の
基板処理装置の一例を示す概略構成図である。この図に
示す第3実施形態の基板処理装置は、図2を用いて説明
した第2実施形態の基板処理装置の変形例であり、これ
らの異なるところは、オゾン水ノズル5’と過酸化水素
水ノズル7’との供給端形状と、オゾン水ノズル5’と
過酸化水素水ノズル7’とが固定されているところにあ
り、その他の構成は同様であることとする。
(Third Embodiment) FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to a third embodiment. The substrate processing apparatus of the third embodiment shown in this figure is a modified example of the substrate processing apparatus of the second embodiment described with reference to FIG. The configuration of the supply end with the water nozzle 7 ′, the ozone water nozzle 5 ′ and the hydrogen peroxide water nozzle 7 ′ are fixed, and the other configuration is the same.
【0055】すなわち、図4に示す第3実施形態のオゾ
ン水ノズル5’の供給端5aおよび過酸化水素水ノズル
7’の供給端7aは、少なくともどちらか一方が、チャ
ック2上に保持される基板Sの半径程度の長さに亘る吐
出口を有し、基板Sの回転中心から周縁に亘って配置さ
れた構成になっている。
That is, at least one of the supply end 5a of the ozone water nozzle 5 'and the supply end 7a of the hydrogen peroxide water nozzle 7' of the third embodiment shown in FIG. It has a discharge port extending over the length of the radius of the substrate S, and is arranged from the center of rotation of the substrate S to the periphery.
【0056】例えば、図示したように、オゾン水ノズル
5’の供給端5aおよび過酸化水素水ノズル7’の供給
端7aの両方が、基板Sの回転中心から周縁に亘って配
置される吐出口を有していても良い。また、オゾン水ノ
ズル5’の供給端5aを、基板Sの回転中心(すなわち
回転軸4の延長線上)付近のみに固定配置し、過酸化水
素水ノズル7’の供給端7aを基板Sの回転中心から周
縁に亘って配置しても良く、この逆であっても良い。た
だし、一方のノズルの先端のみがこのような形状の吐出
口を有するものである場合には、他方のノズルの先端
を、基板Sの回転中心(すなわち回転軸4の延長線上)
付近に固定することで、基板Sの全面に対して、オゾン
水Loおよび過酸化水素水Lhが確実に供給されるよう
にする。
For example, as shown in the figure, both the supply end 5a of the ozone water nozzle 5 'and the supply end 7a of the hydrogen peroxide water nozzle 7' are the discharge ports arranged from the rotation center of the substrate S to the periphery. May be provided. Further, the supply end 5a of the ozone water nozzle 5 'is fixedly disposed only near the rotation center of the substrate S (that is, on the extension of the rotation shaft 4), and the supply end 7a of the hydrogen peroxide water nozzle 7' is rotated. They may be arranged from the center to the periphery, or vice versa. However, when only the tip of one of the nozzles has a discharge port of such a shape, the tip of the other nozzle is positioned at the rotation center of the substrate S (that is, on the extension of the rotation axis 4).
By fixing in the vicinity, the ozone water Lo and the hydrogen peroxide water Lh are reliably supplied to the entire surface of the substrate S.
【0057】また、基板Sの表面Saに供給されたオゾ
ン水Loに対してより速やかに過酸化水素水Lhを供給
する観点からはオゾン水ノズル5’の供給端5aおよび
過酸化水素水ノズル7’の供給端7aの両方を、基板S
の回転中心から周縁に亘って配置される吐出口を有する
ものとすることが好ましい。この場合、特に図5の平面
図に示すように、基板Sの回転方向(矢印)において、
各供給端5a、7aをより近接する位置に配置すること
が好ましい。
From the viewpoint of more quickly supplying the hydrogen peroxide solution Lh to the ozone water Lo supplied to the surface Sa of the substrate S, the supply end 5a of the ozone water nozzle 5 'and the hydrogen peroxide solution nozzle 7 'Both supply ends 7a
It is preferable to have a discharge port arranged from the rotation center to the periphery. In this case, in particular, as shown in the plan view of FIG.
It is preferable to arrange the supply ends 5a and 7a closer to each other.
【0058】この際、図中矢印で示した基板Sの回転方
向に沿って、オゾン水ノズル5’の供給端5a、過酸化
水素水ノズル7’の供給端7aの順に各供給端5a,7
aを配置し、オゾン水Loに対して過酸化水素水Lhが
供給されるようにすることが好ましい。
At this time, the supply ends 5a, 7a of the ozone water nozzle 5 'and the supply end 7a of the hydrogen peroxide water nozzle 7' are arranged in the rotation direction of the substrate S shown by the arrow in the figure.
It is preferable to arrange a so that the hydrogen peroxide solution Lh is supplied to the ozone water Lo.
【0059】図6は、供給端5a,71の処理液吐出口
の開口形状を示す平面図である。図6(1)に示すよう
に、供給端5a,71は、複数の吐出口Aを配列した構
成であっても良い。また、図6(2)に示すように、供
給端5a,7aは、1つの連続した開口形状を有する吐
出口Bを備えたものであっても良い。ここで、オゾン水
ノズル5’の供給端5aと過酸化水素水ノズル7’の供
給端7aとは、同一構成のものである必要はない。
FIG. 6 is a plan view showing the opening shape of the processing liquid discharge port of the supply ends 5a and 71. As shown in FIG. 6A, the supply ends 5a and 71 may have a configuration in which a plurality of discharge ports A are arranged. Further, as shown in FIG. 6 (2), the supply ends 5a and 7a may be provided with a discharge port B having one continuous opening shape. Here, the supply end 5a of the ozone water nozzle 5 'and the supply end 7a of the hydrogen peroxide water nozzle 7' need not have the same configuration.
【0060】次に、このような基板処理装置を用いた第
3実施形態の基板処理方法を説明する。
Next, a substrate processing method according to a third embodiment using such a substrate processing apparatus will be described.
【0061】先ず、第1実施形態と同様に、加圧処理室
1内に基板Sを収納して内部を所定の圧力P1に加圧状
態にし、基板Sを所定の回転数で回転させる。次に、基
板Sの回転中心付近に設けたオゾン水ノズル5’の供給
端5aから、基板S表面の回転中心上にオゾン水Loを
供給する。これによって、基板S表面全体にオゾン水L
oを広げると共に、基板Sの周縁に向かってオゾン水L
oを流す。このオゾン水Loは、第1実施形態と同様
に、加圧オゾンガス雰囲気で生成されることでオゾン
(O3)の溶解度が高められたものとする。
[0061] First, as in the first embodiment, the pressure state inside a predetermined pressure P 1 accommodating the substrate S to pressure treatment chamber 1, to rotate the substrate S at a predetermined rotational speed. Next, ozone water Lo is supplied onto the rotation center of the surface of the substrate S from the supply end 5a of the ozone water nozzle 5 'provided near the rotation center of the substrate S. Thereby, the ozone water L is applied to the entire surface of the substrate S.
and the ozone water L toward the periphery of the substrate S.
Flow o. It is assumed that the ozone water Lo is generated in a pressurized ozone gas atmosphere to increase the solubility of ozone (O 3 ) as in the first embodiment.
【0062】以上のようにして、回転させた基板Sの表
面Saにオゾン水Loを供給した状態で、過酸化水素水
ノズル7’の供給端7aからの過酸化水素水Lhの供給
を開始する。これによって、基板Sの回転中心から周縁
に亘って同時に過酸化水素水Lhを供給し、この回転中
心から周縁に亘る範囲をオゾン水Loと過酸化水素水L
hとの混合位置とする。そして、基板Sの回転によっ
て、この基板Sの表面Sa全域において、この混合位置
を走査させるのである。
As described above, the supply of the hydrogen peroxide solution Lh from the supply end 7a of the hydrogen peroxide solution nozzle 7 'is started while the ozone water Lo is supplied to the surface Sa of the rotated substrate S. . Thereby, the hydrogen peroxide solution Lh is simultaneously supplied from the rotation center of the substrate S to the periphery, and the range from the rotation center to the periphery is changed to the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution L.
h. Then, the mixing position is scanned over the entire surface Sa of the substrate S by the rotation of the substrate S.
【0063】この際、過酸化水素水Lhの濃度と供給量
とは、第2実施形態と同様に設定されることとする。
At this time, the concentration and the supply amount of the hydrogen peroxide solution Lh are set in the same manner as in the second embodiment.
【0064】以上のようなオゾン水Loおよび過酸化水
素水Lhの供給によって、基板S表面のレジスト膜が酸
化分解され、基板S表面からレジスト膜が除去された
後、第1実施形態で説明したと同様にして一連の工程を
終了させる。
With the supply of the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution Lh as described above, the resist film on the surface of the substrate S is oxidized and decomposed, and the resist film is removed from the surface of the substrate S. A series of steps are completed in the same manner as described above.
【0065】以上説明した基板処理方法であっても、第
2実施形態と同様に、基板Sの表面においてオゾン水L
oと過酸化水素水Lhとが混合される。このため、第2
実施形態と同様に、基板Sの表面Saにおいて、極めて
寿命の短いOHラジカル(OH*)を速やかに生成し、
基板Sの表面Saに対してOHラジカル(OH*)を有
効に作用させることが可能になり、第1実施形態よりも
さらに、これらの除去効率を向上させ、処理時間を短縮
することが可能になる。
In the substrate processing method described above, the ozone water L is applied to the surface of the substrate S as in the second embodiment.
o and the hydrogen peroxide solution Lh are mixed. Therefore, the second
As in the embodiment, on the surface Sa of the substrate S, OH radicals (OH * ) having an extremely short life are quickly generated,
OH radicals (OH * ) can be made to effectively act on the surface Sa of the substrate S, so that the removal efficiency can be further improved and the processing time can be reduced as compared with the first embodiment. Become.
【0066】また、第2実施形態と同様に、基板Sの表
面Sa全域においてオゾン水Loと過酸化水素水Lhと
の初期の混合位置が走査されるため、基板Sの表面Sa
全域において、均一にレジストの除去効率を向上させる
ことが可能になる。
As in the second embodiment, the initial mixing position of the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution Lh is scanned over the entire surface Sa of the substrate S, so that the surface Sa of the substrate S is scanned.
It is possible to uniformly improve the resist removal efficiency over the entire region.
【0067】また特に、本第3実施形態の基板処理方法
では、オゾン水ノズル5’の供給端5aおよび過酸化水
素水ノズル7’の供給端7aを基板1の回転中心から周
縁に亘って配置したことで、基板Sの回転によって基板
Sの表面Sa全域においてオゾン水Loと過酸化水素水
Lhとの混合位置が走査される。このため、初期の混合
位置が第1実施形態よりも広くなり、第2実施例と比較
してさらに処理レジストの除去効率を向上させ、処理時
間を短縮することが可能になる。しかも、ノズル5’,
7’の移動機構などを設ける必要はなく、基板処理装置
の構成をより簡便にすることが可能になる。
In particular, in the substrate processing method of the third embodiment, the supply end 5a of the ozone water nozzle 5 'and the supply end 7a of the hydrogen peroxide water nozzle 7' are arranged from the center of rotation of the substrate 1 to the periphery. As a result, the mixing position of the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution Lh is scanned over the entire surface Sa of the substrate S by the rotation of the substrate S. For this reason, the initial mixing position is wider than in the first embodiment, and the removal efficiency of the processing resist can be further improved and the processing time can be reduced as compared with the second example. Moreover, the nozzle 5 ',
There is no need to provide a moving mechanism 7 ', and the configuration of the substrate processing apparatus can be simplified.
【0068】尚、上記第1実施形態、第2実施形態およ
び第3実施形態においては、チャック2に対して基板S
の裏面Sbを離間させて保持する基板処理装置を用いた
場合を説明した。しかし、チャック2に対して基板Sの
裏面Sbが密着状態で配置される場合、このチャック2
に、例えばヒータのような加熱機構を内設し、この加熱
機構によって基板Sを加熱しても良い。この場合、加熱
された基板Sに対して、上述した各実施形態の手順によ
ってオゾン水Loや過酸化水素水Lhを供給する。
In the first, second and third embodiments, the substrate S is
The case in which the substrate processing apparatus that holds the back surface Sb of the substrate with a space therebetween is used has been described. However, when the back surface Sb of the substrate S is disposed in close contact with the chuck 2,
For example, a heating mechanism such as a heater may be provided internally, and the substrate S may be heated by the heating mechanism. In this case, the ozone water Lo and the hydrogen peroxide solution Lh are supplied to the heated substrate S by the procedure of each of the above-described embodiments.
【0069】これにより、基板S上に供給されたオゾン
水Loは、基板Sによって間接的に加熱されるため、こ
のオゾン水Lo中のオゾンの化学的活性が高まる。した
がって、オゾン水Loによる酸化分解反応の活性化エネ
ルギーが高められることになり、レジスト膜(または汚
染物質)に対する除去力を強めることができる。しか
も、オゾン水Loは、基板S表面において加熱されるた
め、基板S上に供給する直前まで、オゾン水Loの温度
を低温に保ち、オゾン濃度の高いオゾン水Loを基板S
上に供給することが可能になる。このため、基板S表面
に、酸化分解反応に関わる反応分子(すなわちオゾン)
を多量に供給することが可能になり、効率良くレジスト
膜を除去することが可能になる。この結果、例えば変質
したレジスト膜であっても、十分な除去力によって、速
やかに除去することが可能になるのである。
As a result, the ozone water Lo supplied onto the substrate S is indirectly heated by the substrate S, so that the chemical activity of ozone in the ozone water Lo increases. Therefore, the activation energy of the oxidative decomposition reaction by the ozone water Lo is increased, and the ability to remove the resist film (or contaminants) can be enhanced. Moreover, since the ozone water Lo is heated on the surface of the substrate S, the temperature of the ozone water Lo is maintained at a low temperature until immediately before the ozone water Lo is supplied onto the substrate S.
On top of it. Therefore, reactive molecules (ie, ozone) involved in the oxidative decomposition reaction are formed on the surface of the substrate S
Can be supplied in large amounts, and the resist film can be efficiently removed. As a result, for example, even a deteriorated resist film can be quickly removed with a sufficient removing power.
【0070】(第4実施形態)図7は、第4実施形態の
基板処理装置の一例を示す概略構成図である。この図に
示す基板処理装置は、図1を用いて説明した第1実施形
態の基板処理装置と同様の加圧処理室1を備えており、
この加圧処理室1内にバッチ式洗浄装置を密閉した構成
になっている。尚、以下においては、第1実施形態の基
板処理装置の構成部品と同様の部品には、同一の符号を
付して説明を行う。
(Fourth Embodiment) FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment. The substrate processing apparatus shown in this figure includes the same pressure processing chamber 1 as the substrate processing apparatus of the first embodiment described with reference to FIG.
In the pressure processing chamber 1, a batch-type cleaning device is sealed. In the following, the same components as those of the substrate processing apparatus of the first embodiment will be described with the same reference numerals.
【0071】すなわち、加圧処理室1は、第1実施形態
で説明したと同様の加圧処理室1であり、加圧配管11
が設けられている。そして、この加圧処理室1の底面に
は、開閉弁62を設けた廃液管61が接続され、上面に
は開閉弁65を設けた排気管64が接続されている。こ
れらの廃液管61および排気管64に設けられた開閉弁
62,65は、開閉自在であると共に内部の圧力を調整
自在なものであり、これらの開閉弁62,65および加
圧配管11からの加圧ガスの導入によって、加圧処理室
1の内部が所定の加圧雰囲気に保持される。
That is, the pressure processing chamber 1 is the same pressure processing chamber 1 as described in the first embodiment,
Is provided. A waste liquid pipe 61 provided with an open / close valve 62 is connected to the bottom surface of the pressurized processing chamber 1, and an exhaust pipe 64 provided with an open / close valve 65 is connected to the upper surface. Opening / closing valves 62 and 65 provided in the waste liquid pipe 61 and the exhaust pipe 64 can be opened and closed and the internal pressure can be adjusted. By introducing the pressurized gas, the inside of the pressurized processing chamber 1 is maintained at a predetermined pressurized atmosphere.
【0072】この処理室1内には、基板Sを収納するた
めの処理槽8が設けられ、この処理槽8の底面に、加圧
処理室1の外側から引き入れられたオゾン水ノズル5の
供給端、およびここでの図示省略した純水ノズルの供給
端が接続されており、処理槽8内にオゾン水Loや純水
が供給されるように構成されている。このオゾン水ノズ
ル5には、第1実施形態のオゾン水ノズルと同様の供給
ポンプ51およびオゾン水生成手段52が設けられてい
る。また、処理槽8には、加圧処理室1の外に引き出さ
れる排水管81が接続され、この排水管81に開閉弁8
2が設けられている。
The processing chamber 1 is provided with a processing tank 8 for accommodating the substrate S, and the bottom of the processing tank 8 is supplied with an ozone water nozzle 5 drawn from outside the pressure processing chamber 1. An end and a supply end of a pure water nozzle (not shown) are connected to the processing tank 8 so that ozone water Lo and pure water are supplied into the processing tank 8. The ozone water nozzle 5 is provided with a supply pump 51 and an ozone water generation unit 52 similar to the ozone water nozzle of the first embodiment. Further, a drain pipe 81 drawn out of the pressurized processing chamber 1 is connected to the processing tank 8.
2 are provided.
【0073】次に、このような基板処理装置を用いた第
4実施形態の基板処理方法を説明する。
Next, a substrate processing method according to a fourth embodiment using such a substrate processing apparatus will be described.
【0074】先ず、オゾン水生成手段52によって、第
1実施形態と同様の、所定圧力P0に加圧オゾンガス雰囲
気で生成されたオゾンガス濃度が飽和状態のオゾン水L
oを生成する。
First, the ozone water generating means 52
As in the first embodiment, ozone water L in which the concentration of ozone gas generated in an ozone gas atmosphere pressurized to a predetermined pressure P 0 is saturated.
Generate o.
【0075】また、加圧処理室1の処理槽8内に、表面
がレジスト膜(図示省略)で覆われた基板Sを収納し、
加圧処理室1の開閉部を閉じて内部を密閉状態にする。
そして、加圧配管11から加圧処理室1内に加圧ガスを
供給し、加圧処理室1内を第1実施形態と同様の所定の
圧力P1 に加圧する。この際用いる加圧ガスは、第1
実施形態と同様であることとする。
A substrate S whose surface is covered with a resist film (not shown) is housed in a processing tank 8 of the pressure processing chamber 1.
The opening / closing part of the pressure processing chamber 1 is closed to make the inside hermetically sealed.
Then, pressurize the pressurized gas pressure treatment chamber 1 is supplied from the pressure pipe 11 to pressurize the pressure treatment chamber 1 to a predetermined pressure P 1 of the same as the first embodiment. The pressurized gas used at this time is the first
This is the same as the embodiment.
【0076】次に、オゾン水ノズル5の供給端から処理
槽8内に、加圧オゾンガス雰囲気で生成されたオゾン水
Loを供給する。これによって、処理槽8内にオゾン水
Loを満たし、このオゾン水Lo中に基板Sを浸漬させ
て基板S表面のレジスト膜を酸化分解除去する。この
際、処理槽8に対してオーバーフロー状態でオゾン水L
oを供給し、処理槽8からオーバーフローしたオゾン水
Loは廃液管61から排出させる。
Next, ozone water Lo generated in a pressurized ozone gas atmosphere is supplied into the processing tank 8 from the supply end of the ozone water nozzle 5. Thus, the processing tank 8 is filled with the ozone water Lo, and the substrate S is immersed in the ozone water Lo to oxidatively remove the resist film on the surface of the substrate S. At this time, the ozone water L
o, the ozone water Lo overflowing from the processing tank 8 is discharged from the waste liquid pipe 61.
【0077】以上のようなオゾン水Loの供給によっ
て、基板S表面のレジスト膜が酸化分解され、基板S表
面からレジスト膜が除去された後、オゾン水Loの供給
を停止する。尚、基板S表面の金属汚染物質や有機汚染
物質の除去が目的である場合、オゾン水Loによってこ
れらの汚染物質が除去されるのに十分な時間が経過した
後、オゾン水Loの供給を停止することとする。また、
酸化膜の生成が目的で有る場合、所定膜厚の酸化膜が生
成された時点でオゾン水Loの供給を停止することとす
る。
After the resist film on the surface of the substrate S is oxidized and decomposed by the supply of the ozone water Lo as described above, the supply of the ozone water Lo is stopped after the resist film is removed from the surface of the substrate S. If the purpose is to remove metal contaminants and organic contaminants on the surface of the substrate S, supply of the ozone water Lo is stopped after a sufficient time has passed for the ozone water Lo to remove these contaminants. I decided to. Also,
When the purpose is to form an oxide film, the supply of the ozone water Lo is stopped when the oxide film having a predetermined thickness is formed.
【0078】次に、処理槽8内のオゾン水Loを排水管
81から排出させた後、必要に応じて、処理槽8内に純
水を供給してリンスを行い、その後加圧処理室1内から
基板1を搬出してこれを乾燥させて一連の工程を終了さ
せる。
Next, after the ozone water Lo in the processing tank 8 is discharged from the drain pipe 81, if necessary, pure water is supplied into the processing tank 8 to perform rinsing. The substrate 1 is unloaded from the inside and dried to complete a series of steps.
【0079】以上説明した基板処理装置を用いた基板処
理方法であっても、第1実施形態と同様に、加圧オゾン
ガス雰囲気で生成されたオゾン水Loが、加圧処理室1
の加圧雰囲気内に保持された基板Sの表面に供給される
ため、基板Sに対してより多くのオゾンを作用させるこ
とが可能になる。この結果、変質したレジスト等の除去
し難い有機物等に対して処理能力を維持した状態で、処
理効率を向上させて処理時間を短縮することが可能にな
る。
In the substrate processing method using the substrate processing apparatus described above, similarly to the first embodiment, the ozone water Lo generated in the pressurized ozone gas atmosphere is supplied to the pressurized processing chamber 1.
Is supplied to the surface of the substrate S held in the pressurized atmosphere, so that more ozone can act on the substrate S. As a result, it is possible to improve the processing efficiency and shorten the processing time while maintaining the processing ability for organic substances and the like that are difficult to remove such as a deteriorated resist.
【0080】尚、以上の各実施形態においては、基板S
上へのオゾン水Loや過酸化水素水Lhの供給を連続的
に行った場合を説明した。しかし、これらの処理液の供
給は、連続的であっても断続的であっても良く、断続的
に行った場合には基板Sの表面と接する部分にオゾン水
Loや過酸化水素水Lhを停滞させることなく、この部
分におけるオゾン水Loや過酸化水素水Lhの流れを確
保することができる。このため、新鮮なオゾン水Loや
過酸化水素水Lhを、基板Sの表面に供給することが可
能になり、これらの供給を連続的に行った場合と比較し
て、さらに速やかにレジスト膜の除去を行うことが可能
になる。
In each of the above embodiments, the substrate S
The case where the supply of the ozone water Lo and the hydrogen peroxide water Lh to the top is continuously performed has been described. However, the supply of these treatment liquids may be continuous or intermittent, and when performed intermittently, ozone water Lo or hydrogen peroxide water Lh is applied to the portion in contact with the surface of the substrate S. The flow of the ozone water Lo and the hydrogen peroxide water Lh in this portion can be secured without stagnation. For this reason, it becomes possible to supply fresh ozone water Lo and hydrogen peroxide water Lh to the surface of the substrate S, and the supply of the resist film is more quickly performed as compared with the case where these are continuously supplied. Removal can be performed.
【0081】[0081]
【発明の効果】以上説明したように本発明の基板処理装
置および基板処理方法によれば、加圧オゾンガス雰囲気
で生成されたオゾン水が加圧雰囲気下に保持した基板上
に供給されるため、加圧オゾンガス雰囲気で生成された
高濃度のオゾン水を、そのオゾン濃度を保ったままで基
板上に供給することが可能になる。このため、オゾン水
の温度を低下させることなく、すなわちオゾン水の活性
化エネルギーを低下させることなく、基板に対してより
多くのオゾンを作用させ、変質したレジスト等の除去し
難い有機物等に対して処理能力を維持した状態で、処理
効率を向上させて処理時間を短縮することが可能にな
る。
As described above, according to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, ozone water generated in a pressurized ozone gas atmosphere is supplied onto a substrate held in a pressurized atmosphere. High-concentration ozone water generated in a pressurized ozone gas atmosphere can be supplied onto a substrate while maintaining the ozone concentration. For this reason, without lowering the temperature of the ozone water, that is, without lowering the activation energy of the ozone water, more ozone is allowed to act on the substrate, and the deteriorated resist and the like are difficult to remove organic substances and the like. Thus, it is possible to improve the processing efficiency and shorten the processing time while maintaining the processing capability.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】第1実施形態の基板処理装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
【図2】第2実施形態の基板処理方法に用いる基板処理
装置の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus used in a substrate processing method according to a second embodiment.
【図3】オゾンに対する過酸化水素の割合とレジスト除
去レートとの関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a ratio of hydrogen peroxide to ozone and a resist removal rate.
【図4】第3実施形態の基板処理方法に用いる基板処理
装置の構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus used in a substrate processing method according to a third embodiment.
【図5】第3実施形態の基板処理装置のより好ましい一
例を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view illustrating a more preferable example of a substrate processing apparatus according to a third embodiment.
【図6】第3実施形態の基板処理装置における処理液の
吐出口の形状を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view illustrating a shape of a discharge port of a processing liquid in a substrate processing apparatus according to a third embodiment.
【図7】第4実施形態の基板処理装置の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
1…加圧処理室、2…チャック(スピンチャック)、
5,5’…オゾン水ノズル、7,7’…過酸化水素水ノ
ズル、8…処理槽、Lh…過酸化水素水、Lo…オゾン
水、S…基板
1 ... Pressure processing chamber, 2 ... Chuck (spin chuck),
5, 5 'ozone water nozzle, 7, 7' hydrogen peroxide water nozzle, 8 treatment tank, Lh hydrogen peroxide water, Lo ozone water, S substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B08B 3/10 B08B 3/10 Z ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) B08B 3/10 B08B 3/10 Z

Claims (13)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 基板表面をオゾン水によって処理するた
    めの基板処理装置であって、 内部が加圧雰囲気に保たれる加圧処理室と、 前記加圧処理室内に収納された基板の表面に対して加圧
    オゾンガス雰囲気で生成されたオゾン水を供給するオゾ
    ン水ノズルとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
    1. A substrate processing apparatus for processing a substrate surface with ozone water, comprising: a pressure processing chamber in which the inside is maintained in a pressurized atmosphere; An ozone water nozzle for supplying ozone water generated in a pressurized ozone gas atmosphere to the substrate processing apparatus.
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記加圧処理室内には、基板を収納する処理槽が設けら
    れ、 前記オゾン水ノズルは、前記処理槽内に前記オゾン水を
    供給することを特徴とする基板処理装置。
    2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a processing tank for storing a substrate is provided in the pressurized processing chamber, and the ozone water nozzle supplies the ozone water into the processing tank. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
  3. 【請求項3】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記加圧処理室内には、基板を回転保持するスピンチャ
    ックが設けられ、 前記オゾン水ノズルは、前記スピンチャックに保持され
    た基板上に前記オゾン水を供給することを特徴とする基
    板処理装置。
    3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a spin chuck for rotating and holding the substrate is provided in the pressure processing chamber, and the ozone water nozzle is provided on the substrate held by the spin chuck. A substrate processing apparatus for supplying the ozone water.
  4. 【請求項4】 請求項3記載の基板処理装置において、 前記スピンチャックに、前記基板を加熱するための加熱
    手段を内設したことを特徴とする基板処理装置。
    4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein a heating means for heating the substrate is provided in the spin chuck.
  5. 【請求項5】 請求項3記載の基板処理装置において、 前記スピンチャックに保持された基板上に過酸化水素を
    含有する処理液を供給する処理液ノズルを設けたことを
    特徴とする基板処理装置。
    5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein a processing liquid nozzle for supplying a processing liquid containing hydrogen peroxide is provided on the substrate held by the spin chuck. .
  6. 【請求項6】 請求項5記載の基板処理装置において、 前記オゾン水ノズルおよび前記処理液ノズルの少なくと
    も一方は、前記スピンチャック上に回転保持された基板
    の回転中心から周縁に亘ってその供給端が走査されるこ
    とを特徴とする基板処理装置。
    6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein at least one of the ozone water nozzle and the processing liquid nozzle has a supply end extending from a rotation center of the substrate held on the spin chuck to a periphery thereof. A substrate processing apparatus characterized in that a substrate is scanned.
  7. 【請求項7】 請求項5記載の基板処理装置において、 前記オゾン水ノズルおよび前記処理液ノズルの少なくと
    も一方は、前記スピンチャック上に回転保持された基板
    の回転中心から周縁に亘る吐出口を有することを特徴と
    する基板処理装置。
    7. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein at least one of the ozone water nozzle and the processing liquid nozzle has a discharge port extending from a rotation center of the substrate held on the spin chuck to a peripheral edge. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
  8. 【請求項8】 基板の表面をオゾン水で処理する基板処
    理方法であって、 加圧雰囲気内に保持された基板の表面に、加圧オゾンガ
    ス雰囲気で生成されたオゾン水を供給して当該基板の表
    面を処理することを特徴とする基板処理方法。
    8. A substrate processing method for treating the surface of a substrate with ozone water, comprising: supplying ozone water generated in a pressurized ozone gas atmosphere to the surface of the substrate held in a pressurized atmosphere; A substrate processing method, comprising: treating a surface of a substrate.
  9. 【請求項9】 請求項8記載の基板処理方法において、 前記オゾン水は、当該基板が収納された加圧雰囲気内の
    圧力以下の範囲で加圧されていることを特徴とする基板
    処理方法。
    9. The substrate processing method according to claim 8, wherein the ozone water is pressurized at a pressure equal to or lower than a pressure in a pressurized atmosphere in which the substrate is stored.
  10. 【請求項10】 請求項8記載の基板処理方法におい
    て、 前記オゾン水は、前記加圧雰囲気下で加熱された基板上
    に供給されることを特徴とする基板処理方法。
    10. The substrate processing method according to claim 8, wherein the ozone water is supplied onto a substrate heated under the pressurized atmosphere.
  11. 【請求項11】 請求項8記載の基板処理方法におい
    て、 前記加圧雰囲気内に保持された基板の表面に、前記オゾ
    ン水とともに過酸化水素を含有した処理液をそれぞれ供
    給し、当該基板表面で当該オゾン水と処理液とを混合す
    ることを特徴とする基板処理方法。
    11. The substrate processing method according to claim 8, wherein a processing liquid containing hydrogen peroxide together with the ozone water is supplied to a surface of the substrate held in the pressurized atmosphere, and A substrate processing method comprising mixing the ozone water and a processing liquid.
  12. 【請求項12】 請求項11記載の基板処理方法におい
    て、 略水平に保って回転させた前記基板表面に対して、前記
    オゾン水および前記処理液の少なくとも一方の供給位置
    を当該基板の回転中心から周縁に亘って走査させること
    で、当該オゾン水と処理液との初期の混合位置を当該基
    板表面の全域で走査させることを特徴とする基板処理方
    法。
    12. The substrate processing method according to claim 11, wherein the supply position of at least one of the ozone water and the processing liquid is set from a rotation center of the substrate with respect to the substrate surface rotated while being kept substantially horizontal. A substrate processing method, wherein an initial mixing position of the ozone water and the processing liquid is scanned over the entire surface of the substrate by scanning over the periphery.
  13. 【請求項13】 請求項11記載の基板処理方法におい
    て、 略水平に保って回転させた前記基板表面に対して、前記
    オゾン水および前記処理液の少なくとも一方を当該基板
    の回転中心から周縁に亘って同時に供給することで、当
    該オゾン水と当該処理液との初期の混合位置を当該基板
    表面の全域で走査させることを特徴とする基板処理方
    法。
    13. The substrate processing method according to claim 11, wherein at least one of the ozone water and the processing liquid is applied to the periphery of the substrate from the center of rotation of the substrate to the periphery thereof. Wherein the initial mixing position of the ozone water and the processing liquid is scanned over the entire surface of the substrate.
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