JP3976088B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP3976088B2
JP3976088B2 JP2001243599A JP2001243599A JP3976088B2 JP 3976088 B2 JP3976088 B2 JP 3976088B2 JP 2001243599 A JP2001243599 A JP 2001243599A JP 2001243599 A JP2001243599 A JP 2001243599A JP 3976088 B2 JP3976088 B2 JP 3976088B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
liquid
ozone
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001243599A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003059879A (en
Inventor
和憲 藤川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2001243599A priority Critical patent/JP3976088B2/en
Publication of JP2003059879A publication Critical patent/JP2003059879A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3976088B2 publication Critical patent/JP3976088B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）をオゾンにより表面処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置としては、例えば、気体としてのオゾンを純水に溶解させたオゾン水を、オゾン水製造ユニットで製造して処理槽に供給し、この処理槽内のオゾン水中に基板としてのウエハを浸漬させてこのウエハにオゾン水処理を施し、ウエハ表面上のフォトレジスト（以下、適宜にレジストと呼ぶ）などの有機物を剥離させるものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来例装置の場合には、次のような問題がある。
すなわち、オゾン水製造ユニットで製造したオゾン水を処理槽に供給する場合には、オゾンの分解により、処理槽への供給ライン中にオゾン水の溶存オゾン濃度が低下し、オゾン水のユースポイントである処理槽では十分な溶存オゾン濃度が得られず、ウエハ表面上のレジストを剥離するレジスト剥離速度は遅く、スループットが低くなるという問題がある。
【０００４】
また、前述したようにウエハを処理槽内のオゾン水中に浸漬させて処理する場合、レジスト剥離速度を速くするためには、ウエハ表面のレジスト上の反応を支配している境膜を薄くする必要があり、そのためにウエハ近傍のオゾン水の流速を上げなければならない。そこで、供給される純水中にオゾンを溶解させてオゾン水を製造する溶解モジュールを使用し、この溶解モジュールに供給する純水の供給量を増加することで、ウエハ近傍の流速を上げることが考えられるが、この場合には、単位時間当たりの純水の供給量と溶存オゾン濃度とは相反する関係にあるため、純水の供給量を増加すると溶存オゾン濃度が低下することになる。その結果、レジスト剥離速度は遅く、スループットが低くなるという問題がある。
【０００５】
また、レジスト剥離速度を上げるためには、ウエハ温度を上げると効果的であるが、ウエハの温度のみを上げることはできず、オゾン水の温度も上げることになり、オゾン水の温度が上がるとこのオゾン水の溶存オゾン濃度が低下することになるため、ウエハ温度を上げて高濃度のオゾン水と反応させることはできない。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、オゾンによる基板表面処理の反応速度を向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【０００８】
（削除）
【０００９】
（削除）
【００１０】
請求項１に記載の基板処理装置は、基板を表面処理する処理部を備えた基板処理装置において、前記処理部は、基板の表面上に処理液を接触させて液膜を形成する基板液膜形成手段と、前記基板液膜形成手段により表面上に液膜が形成された基板に、処理液よりも高い所定温度範囲内としての１００℃よりも高く２００℃以下の範囲内の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理する基板表面処理手段とを備え、前記基板液膜形成手 段は、処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、前記処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、基板の処理液浸漬箇所を変更させて、基板全面にわたって液膜を形成させるように、前記処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態で基板を回転させる基板回転手段とを備え、前記基板表面処理手段は、前記基板回転手段により前記処理槽内で回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所に、処理液よりも高い所定温度の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理することを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項２に記載の基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板液膜形成手段による基板上への液膜形成と、前記基板表面処理手段による基板への気体としてのオゾンの作用とを同時に行うことを特徴とするものである。
【００１２】
（削除）
【００１３】
（削除）
【００１４】
（削除）
【００１５】
また、請求項３に記載の基板処理装置は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記基板回転手段は、前記処理槽内において基板を起立姿勢状態に保持する保持手段を備え、多数の貫通孔が形成された羽根部材が前記保持手段に設けられ、基板を回転させるように前記保持手段を回転駆動することに伴って前記羽根部材を回転させて、前記羽根部材の回転作用によって前記処理槽内の処理液中にオゾンを溶解させることを特徴とするものである。
【００１６】
また、請求項４に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理部は、気体としてのオゾンを前記基板表面処理手段に供給する経路にこのオゾンを昇温するための加熱手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項５に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板液膜形成手段から排出された処理液を前記基板液膜形成手段に戻して基板の表面処理に再利用するように、処理液を循環させる循環手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項６に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板液膜形成手段に供給される処理液を所定の温度に昇温させる処理液昇温手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項７に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理部は、前記基板液膜形成手段による基板上への液膜形成と、前記基板表面処理手段による基板への気体としてのオゾンの作用とを、大気圧よりも高い所定の加圧下で処理を行うための加圧手段を備えていることを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項８に記載の基板処理装置は、請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、基板をオゾン雰囲気中で作用させる前記処理部の壁面を所定温度に昇温する壁面昇温手段を備えていることを特徴とするものである。
【００２１】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
第１工程では、基板の表面上に処理液を接触させて液膜を形成する。第２工程では、第１工程により表面上に液膜が形成された基板に、処理液よりも高い所定温度範囲内としての１００℃よりも高く２００℃以下の範囲内の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理する。したがって、基板表面上に液膜を形成するので、この液膜の内部で基板表面の極めて薄い層流の部分である、基板表面のレジストなどの有機物との反応を支配する境膜を、薄くする制御が可能となり、処理液の温度よりも高い所定温度範囲内としての１００℃よりも高く２００℃以下の範囲内に昇温させた気体としてのオゾンをこの基板に作用させているので、基板表面の境膜へのオゾンの溶解が促進され、溶存オゾン濃度が高められる。また、処理液よりも高く加熱されたオゾンにより液膜に熱が与えられることで、処理液を蒸発させて境膜をさらに薄くでき、境膜中のオゾンの拡散が容易となり、オゾンによる基板表面処理の反応速度が上がる。
【００２２】
（削除）
【００２３】
（削除）
【００２４】
請求項１に記載の発明によれば、基板液膜形成手段は、基板の表面上に処理液を接触させて液膜を形成する。基板表面処理手段は、基板液膜形成手段により表面上に液膜が形成された基板に、処理液よりも高い所定温度範囲内としての１００℃よりも高く２００℃以下の範囲内の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理する。したがって、基板表面上に液膜を形成するので、この液膜の内部で基板表面の極めて薄い層流の部分である、基板表面のレジストなどの有機物との反応を支配する境膜を、薄くする制御が可能となり、処理液の温度よりも高い所定温度範囲内としての１００℃よりも高く２００℃以下の範囲内に昇温させた気体としてのオゾンをこの基板に作用させているので、基板表面の境膜へのオゾンの溶解が促進され、溶存オゾン濃度が高められる。また、処理液よりも高く加熱されたオゾンにより液膜に熱が与えられることで、処理液を蒸発させて境膜をさらに薄くでき、境膜中のオゾンの拡散が容易となり、オゾンによる基板表面処理の反応速度が上がる。また、基板液膜形成手段は、処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、この処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、基板の処理液浸漬箇所を変更させて、基板全面にわたって液膜を形成させるように、処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態で基板を回転させる基板回転手段とを備えている。基板表面処理手段は、基板回転手段により処理槽内で回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所に、処理液よりも高い所定温度の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理する。したがって、基板の一部を処理液中に浸漬するタイプのものであっても、基板上への液膜形成とこの基板へのオゾンの作用とを同時に行う構成を実現でき、オゾンによる基板表面の処理時間を短縮できる。
【００２５】
また、請求項２に記載の発明によれば、基板液膜形成手段による基板上への液膜形成と、基板表面処理手段による基板への気体としてのオゾンの作用とを同時に行っている。したがって、基板上への液膜形成とこの基板へのオゾンの作用とが同時に行われることによって、オゾンによる基板表面の処理時間を、基板上への液膜形成が完了した後にこの基板にオゾンを作用させる場合に比べて短縮できる。
【００２６】
（削除）
【００２７】
（削除）
【００２８】
（削除）
【００２９】
また、請求項３に記載の発明によれば、基板回転手段は、処理槽内において基板を起立姿勢状態に保持する保持手段と、保持手段に設けられて、多数の貫通孔が形成された羽根部材とを備えている。基板回転手段は、基板を回転させるように保持手段を回転駆動することに伴って羽根部材を回転させて、この羽根部材の回転作用によって処理槽内の処理液中にオゾンを溶解させる。したがって、処理液中にオゾンを積極的に溶解させることができ、処理液への浸漬中においても処理液中のオゾンとの反応が起こり、すなわち、基板が処理液に浸漬している箇所もこの処理液中のオゾンと反応させることができ、オゾンによる基板表面処理の反応速度がさらに向上する。
【００３０】
また、請求項４に記載の発明によれば、加熱手段は、気体としてのオゾンを昇温して基板表面処理手段に供給するので、基板に作用させる昇温したオゾンを好適に供給でき、昇温されたオゾンによって基板表面の境膜を薄くすることができ、境膜中のオゾンの拡散が容易となり、オゾンによる基板表面処理の反応速度が上がる。
【００３１】
また、請求項５に記載の発明によれば、循環手段は、基板液膜形成手段から排出された処理液を基板液膜形成手段に戻して基板の表面処理に再利用するように、処理液を循環させるので、処理液の利用効率を向上させることができ、処理液の使用量を必要最小限にまで低減できる。
【００３２】
また、請求項６に記載の発明によれば、処理液昇温手段は、基板液膜形成手段に供給される処理液を所定の温度に昇温する。したがって、昇温された処理液によって基板の温度を上昇させることができ、基板の昇温によってこの基板のオゾンによる基板表面処理の反応速度がさらに向上する。
【００３３】
また、請求項７に記載の発明によれば、処理部は、基板液膜形成手段による基板上への液膜形成と、基板表面処理手段による基板への気体としてのオゾンの作用とを、大気圧よりも高い所定の加圧下で処理を行うための加圧手段を備えている。したがって、基板上への液膜形成とオゾンによる表面処理とを大気圧よりも高い加圧下で行うことで、基板表面上の液膜に溶解するオゾンの溶解度をより一層高くすることができ、境膜内の溶存オゾン濃度が高くなり、より一層、オゾンによる基板表面処理の反応速度を向上させることができる。
【００３４】
また、請求項８に記載の発明によれば、壁面昇温手段は、基板をオゾン雰囲気中で作用させる処理部におけるオゾンの接触する壁面を、所定温度に昇温する。したがって、処理部に供給されたオゾンが、この処理部の温度の低い壁面に接触することで、オゾンの温度が低下し、基板表面の境膜へのオゾンの溶解が低下するようなことを低減できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。以下に説明する本発明の実施例に係る基板処理装置は、表面上に処理液（例えば純水）による液膜を形成させたウエハなどの基板に、気体としてのオゾンＯ３（以下、適宜にオゾンガスと呼ぶ）を作用させて、この基板を表面処理するものである。
【００３６】
〈第１実施例〉
本発明の第１実施例に係る基板処理装置について、図１〜図５を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は、本発明の第１実施例に係る基板処理装置の処理槽の概略構成を示す外観斜視図であり、図３は、本発明の第１実施例に係る基板処理装置の処理槽の概略構成を示す縦断面図であり、図４（ａ）は処理槽内の回転ドラムの概略側面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示した回転ドラムの保持桿に設けられたフィンの概略正面図であり、図５は、本発明の第１実施例に係る基板処理装置の各動作の流れを説明するためのタイムチャートである。
【００３７】
この基板処理装置は、図１に示すように、大きく分けて、基板Ｗの表面に処理液としての純水を接触させて純水による液膜を形成するとともに、表面上に液膜が形成された基板Ｗに、純水よりも高い所定温度の気体としてのオゾン（オゾンガス）を作用させてこの基板Ｗを表面処理（例えば、基板Ｗの表面上のレジストなどの有機物を剥離させる処理）するための処理槽１と、この処理槽１に純水などの処理液や純水に所定の薬液を混合させた混合液などを供給するための液供給系２と、この処理槽１から処理液や混合液を排出する排液系３と、この処理槽１にオゾンガスを供給するためのオゾンガス供給系４と、この処理槽１からオゾンガスを排出する排気系５とを備えている。
【００３８】
なお、この基板処理装置は、上述したように、基板Ｗが収容された処理槽１にオゾンガスを供給して基板Ｗの表面上の有機物を剥離させる「第１処理」の他に、例えば、処理槽１に混合液を供給して混合液によって基板Ｗを混合液処理する「第２処理」や、混合液やオゾンなどによる基板Ｗの処理後に純水のみを処理槽１に供給して基板Ｗを洗浄処理する「第３処理」や、処理槽１に窒素ガスなどの不活性ガスを供給して基板Ｗを乾燥処理する「第４処理」などの機能を備えており、この第１〜第４処理などを所定の順に、あるいは、この第１〜第４処理などから選択された処理を適宜に実行できる装置である。以下、各部の構成を詳細に説明する。
【００３９】
液供給系２は、純水のみを処理槽１に供給したり、純水に所定の薬液を混合させた混合液を処理槽１に供給するものである。液供給系２は、純水供給源からの純水をインラインミキシングバルブ１１に導入するための純水導入管１２と、インラインミキシングバルブ１１からの純水や混合液などを処理槽１に導入するための共通導入管１３とを備えている。
【００４０】
なお、インラインミキシングバルブ１１は、純水に所定の薬液を混合させて混合液を生成し、この混合液を処理槽１へ供給するためのものである。インラインミキシングバルブ１１には、各薬液の供給管１５ａ〜１５ｄが接続されており、薬液のインラインミキシングバルブ１１への供給とその停止とを切り換えるための開閉弁１６ａ〜１６ｄが、供給管１５ａ〜１５ｄに設けられている。純水導入管１２には、純水の処理槽１への供給とその停止とを切り換えるための開閉弁１４と、与えられる空気圧（パイロット圧）に応じて二次側（インラインミキシングバルブ１１側）の純水の圧力を調整する圧力調整器１７とが備えられている。
【００４１】
オゾンガス供給系４は、後述の昇温された純水（最高沸点以下＝例えば１００℃以下）よりも高く、例えば２００℃以下の範囲内の所定温度にまでオゾンガスを昇温し、この昇温したオゾンガスを処理槽１に供給するものである。オゾンガス供給系４は、オゾンガス供給源からのオゾンガスをヒータ５１に導入するためのオゾンガス導入管５２と、このヒータ５１からのオゾンガスや後述する窒素ガス（Ｎ２）などを処理槽１に導入するための共通導入ガス管５３とを備えている。なお、ヒータ５１は、オゾンガスを昇温するためのものである。
【００４２】
オゾンガス導入管５２には、オゾンガスの処理槽１への供給とその停止とを切り換えるための開閉弁５４が備えられている。また、窒素ガス供給源からの窒素ガスをヒータ５１に導入するための窒素ガス導入管５５が、オゾンガス導入管５２におけるヒータ５１と開閉弁５４との間に分岐接続されている。
【００４３】
窒素ガス導入管５５には、窒素ガスの処理槽１への供給とその停止とを切り換えるための開閉弁５６が備えられている。例えば、基板Ｗの表面上のレジストを剥離除去しようとする場合は、オゾンガスの温度を、昇温された純水の温度（最高沸点以下＝例えば１００℃以下）よりも高く、２００℃以下の範囲内の所定温度に昇温することが好適である。なお、上述したヒータ５１が本発明における加熱手段に相当する。
【００４４】
処理槽１は、図１〜図３に示すように、槽内が空洞である円筒状に形成されたものであり、複数枚の基板Ｗを起立姿勢にして各基板Ｗ間の間隔を空けた状態で槽内に収納可能で、なおかつ、液供給系２からの純水や混合液などがその槽内に供給されるようになっており、液供給系２から処理槽１内に供給された純水中に基板Ｗを接触させて、その接触箇所を純水中から取り出すことで、この基板Ｗの表面上に純水による液膜を形成し、液膜が形成された基板Ｗにオゾンガスを作用させて、この基板Ｗに表面処理が施される。
【００４５】
処理槽１の底部には、図１〜図３に示すように、液供給系２の共通導入管１３に連通された液注入管２１が取り付けられている。液注入管２１は、内部が空洞である円筒形状のものであり、その両端部は閉塞されており、円弧状の側面に多数の液噴出孔２２が並設されており、これらの液噴出孔２２が並設されている箇所とは別の側面に液注入孔２３が形成されており、この液注入孔２３から導入される処理液としての純水や、あるいは純水に所定の薬液を混合させた混合液が各液噴出孔２２から処理槽１内へ噴出される。各液噴出孔２２が処理槽１内に臨むように液注入管２１は処理槽１に取り付けられ、液注入管２１の各液噴出孔２２から処理槽１内に純水などが供給される。
【００４６】
処理槽１の側部には、図１に示すように、処理槽１の底部の液注入管２１から槽内に供給された純水など（純水のみ、純水にオゾンガスが溶解した後述するオゾン水、あるいは、混合液などがある）を処理槽１内に所定量だけ収容するように、処理槽１内に供給された余分な純水などを処理槽１外に排出させるための処理液排出口２４が備えられている。この処理液排出口２４は、例えば、処理槽１の内部に起立姿勢で収納されて周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に回転可能状態である基板Ｗの中心付近あるいはそれよりやや上方位置に純水などの液面が位置するように、処理槽１の側部に配置されている。この処理液排出口２４には、第１排出管２５が接続されている。
【００４７】
排液系３は、処理槽１からの余分の純水などを排出するための第１排出管２５の他に、処理槽１内に供給された純水などを全て排出するための第２排出管２６を備えている。この第２排出管２６には、処理槽１内の純水などの排出とその停止とを切り換えるための開閉弁２７が備えられている。
【００４８】
さらに、処理槽１の上部には、図１〜図３に示すように、オゾンガス供給系４の共通導入ガス管５３に連通されたガス注入管５７が取り付けられている。ガス注入管５７は、内部が空洞である円筒形状のものであり、その両端部は閉塞されており、円弧状の側面に多数のガス噴出孔５８が並設されており、これらのガス噴出孔５８が並設されている箇所とは別の側面にガス導入孔５９が形成されており、このガス導入孔５９から導入されるオゾンガスやあるいは窒素ガスがガス噴出孔５８から噴出される。各ガス噴出孔５８が処理槽１内に臨むようにガス注入管５７は処理槽１に取り付けられ、ガス注入管５７の各ガス噴出孔５８から処理槽１内にオゾンガスなどが供給される。
【００４９】
排気系５は、処理槽１内のオゾンガスや窒素ガスを排出するためのガス排出管６１を備えている。このガス排出管６１には、処理槽１内のオゾンガスや窒素ガスの排出とその停止とを切り換えるための開閉弁６２が備えられている。
【００５０】
また、処理槽１には、複数枚の基板Ｗを起立姿勢にして各基板Ｗ間の間隔を空けて並べた状態で処理槽１内に収納保持し（図２参照）、なおかつ、保持されたこれらの基板Ｗをこの基板Ｗの周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に回転させる基板回転保持機構３１が備えられている。
【００５１】
基板回転保持機構３１は、図３に示すように、複数枚の基板Ｗを起立姿勢で各基板Ｗ間の間隔を空けて並べた状態で保持するための回転ドラム３２を備えている。この回転ドラム３２は、水平方向（円筒形状の処理槽１の中心軸方向）に向く回転軸３３により回転可能に支持されている。回転ドラム３２は、一対の回転板３４が複数本（例えば、３本）の保持桿３５により連結されている。また、複数本の保持桿３５のうちの１つの保持桿３５ａが基板Ｗの処理槽１内への搬入出のために回動可能となっている。
【００５２】
処理槽１の側方には、ベルト３６を介して回転軸３３を回転させるためのモータ３７と、保持桿３５ａを回動させる操作軸３８を駆動する保持駆動源３９とを備えた回転駆動部４０が設けられている。回転軸３３は、対向する処理槽１の側壁に設けられた軸受４１により回転自在に支持されている。軸受４１による回転軸３３の支持箇所は、ラビリンスパッキン４２により、液及びガスの漏れがないように処理槽１内部と外部とが完全に隔離されている。なお、回転ドラム３２は、モータ３７により、例えば３０ｒｐｍ程度で回転する。すなわち、複数枚の基板Ｗは、その周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に３０ｒｐｍ程度で回転することになる。なお、上述した基板回転保持機構３１が本発明における基板回転手段に相当し、回転ドラム３２が本発明における保持手段に相当する。
【００５３】
さらに、回転ドラム３２の各保持桿３５，３５ａには、図３，４に示すように、多数の貫通孔６が形成された羽根部材としてのフィン７が備えられている。このフィン７は、例えば、多数の貫通孔６が形成された平板形状の板部材のものであり、回転ドラム３２の外側に向かって放射状に垂設されている。基板回転保持機構３１は、基板Ｗを方向ａに回転させるように回転ドラム３２を回転駆動することに伴ってフィン７を同一の方向ａに回転させて、このフィン７の回転作用によって処理槽１内の純水中にオゾンを溶解させる。なお、このフィン７は、回転作用によって純水にオゾンを溶解させるものであれば種々の形態のものを採用できる。例えば、このフィン７の形状は平板に限定されるものではなく曲板や種々の形状のものを採用したり、フィン７の多数の貫通孔６として網の目ような格子状の隙間の部分を採用したり、フィン７を回転ドラム３２の回転軸周りの方向に傾斜させて各保持桿３５，３５ａに取り付けても良い。
【００５４】
さらに、この基板処理装置には、図１に示すように、循環系７１が備えられている。この循環系７１は、処理槽１から排出された処理液（純水のみ、処理槽１内でのオゾンガス処理によってこのオゾンガスが純水に溶解して生成されるオゾン水）あるいは混合液を、再び処理槽１内に戻して基板Ｗのレジスト剥離処理に再利用するための流路であり、一端が第１排出管２５に接続されて他端が共通導入管１３に接続された処理液再供給管７２を備えている。
【００５５】
この処理液再供給管７２は、処理槽１から排出された処理液（純水あるいはオゾン水）を再び処理槽１内に戻すためのポンプ７３と、処理槽１からの処理液を所定の温度（最高沸点以下の温度＝例えば、１００℃以下）に昇温する例えばインラインヒータのような処理液昇温部７４と、処理槽１から排出された処理液中の不純物を濾過するためのフィルタ７５と、昇温されて不純物除去された処理液の処理槽１への供給とその停止とを切り換えるための開閉弁７６とを備えている。なお、上述した循環系７１が本発明における循環手段に相当し、上述した処理液昇温部７４が本発明における処理液昇温手段に相当する。
【００５６】
このように、図１，３に示すように、処理槽１は、純水が供給されて所定量の純水を収容しており、基板回転保持機構３１は、複数枚の基板Ｗを起立姿勢で保持する回転ドラム３２を、周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に回転させることで、処理槽１内の純水中に基板Ｗの一部を浸漬させた状態で基板Ｗを回転させ、基板Ｗの純水浸漬箇所を変更させて、基板Ｗの全面にわたって純水の液膜を形成する。このことから、処理槽１と液供給系２と基板回転保持機構３１とにおける、基板Ｗを処理槽１内の純水中に接触させてから取り出すことで基板Ｗの表面上に純水による液膜を形成するための機能構成部分が、本発明における基板液膜形成手段に相当する。また、オゾンガス供給系４は、昇温された純水（最高沸点以下＝例えば１００℃以下）よりも高く、例えば２００℃以下の範囲内の所定温度にまでオゾンガスを昇温して、この昇温したオゾンガスを処理槽１に供給し、処理槽１は純水の液膜が形成された基板Ｗに、上記の昇温したオゾンガスを作用させることから、処理槽１とオゾンガス供給系４とが本発明における基板表面処理手段に相当する。なお、上述した処理槽１と液供給系２とオゾンガス供給系４と基板回転保持機構３１とを含めたものが本発明における処理部に相当する。
【００５７】
また、上述した液供給系２のうちの純水導入管１２や開閉弁１４などの純水供給ラインと、共用に係る共通導入管１３や処理槽１などと、排液系３とによって、オゾンガスや混合液などにより処理された基板Ｗに対して純水（洗浄液）を供給して基板Ｗの表面を水洗（洗浄）処理するための洗浄処理部が構成されている。
【００５８】
次に上記のように構成された基板処理装置の基板処理動作について、図５のタイムチャートを参照しながら説明する。
【００５９】
まず、処理槽１のカバー（図示省略）を開けた状態にして、オゾンガスによるレジスト剥離処理をしようとする複数の基板Ｗを、処理槽１内にセットする（図５に示す時刻ｔ１でセット完了）。具体的には、図３に示すように、保持駆動源３９は、操作軸３８を駆動し、この操作軸３８の駆動により１つの保持桿３５ａが回動されて退避され、基板Ｗが処理槽１内へ搬入される。例えば基板搬入ロボット（図示省略）などにより、起立姿勢で各基板Ｗ間の間隔を空けた状態にある複数の基板Ｗを、処理槽１の内部の回転ドラム３２に収容する。回転ドラム３２に複数の基板Ｗが収容保持されると、処理槽１のカバー（図示省略）を閉じた状態にする（図５に示す時刻ｔ２でカバー閉完了）。
【００６０】
次に、時刻ｔ２にて基板Ｗの回転を開始する。具体的には、図３に示すように、モータ３７を回転させることで回転軸３３が回転し、回転軸３３の回転に伴って回転ドラム３２が回転する。回転ドラム３２は、例えば３０ｒｐｍ程度で回転する。すなわち、複数枚の基板Ｗは、その周方向（図１に矢印で示す方向ａ）に３０ｒｐｍ程度で回転することになる。また、回転ドラム３２の回転と同時に、すなわち、時刻ｔ２にて、液供給系２による処理槽１内への純水の供給も開始される。具体的には、純水導入管１２の開閉弁１４を開いて、純水供給源からの純水をインラインミキシングバルブ１１に供給して、共通導入管１３と液注入管２１と介して処理槽１内に供給される。なおこの時点における、処理槽１内に供給される純水の温度は、例えば、常温（２５℃程度）である。
【００６１】
次に、処理槽１内に所定量の純水が供給され、処理槽１内に供給された余分な純水が処理液排出口２４から槽外に排出される。そして、図５に示すように純水定量レベルに到達する（時刻ｔ３）と、処理液再供給管７２の開閉弁７６を開き、循環系７１のポンプ７３を動作させて、処理槽１の処理液排出口２４から排出された純水を、処理液再供給管７２を介して再び処理槽１に供給させるように循環させるとともに、処理液昇温部７４による純水の昇温を開始する。処理液昇温部７４による昇温により、純水の温度は、常温（例えば２５℃）よりも高く、最高沸点以下（例えば１００℃以下）の範囲内の所定温度（例えば１００℃を僅かに下回る程度）にまで昇温される。
【００６２】
さらに、この純水定量レベルに到達時（図５に示す時刻ｔ３）には、オゾンガス供給系４による、純水よりも高い所定温度に昇温させたオゾンガスの処理槽１内への供給も開始される。ヒータ５１による昇温により、オゾンガスは、昇温された純水（例えば１００℃を僅かに下回る程度）よりも高く、例えば２００℃以下の範囲内の所定温度にまで昇温される。なお、上述の純水定量レベルへの到達および基板Ｗの回転によって、基板Ｗの表面上における液面から取り出された箇所には純水による液膜が形成されており、このように液膜が形成された基板Ｗに対して、オゾンガスによる基板Ｗのレジスト剥離処理が開始されることになる。
【００６３】
すなわち、基板Ｗの表面上に純水を接触させて純水による液膜を形成する第１工程と、この第１工程により表面上に液膜が形成された基板Ｗに、純水よりも高い所定温度のオゾンガスを作用させてこの基板Ｗを表面処理する第２工程とが同時に行われることになる。具体的には、図１，図３に示すように、基板Ｗは、その下半分が液面下にあって、この液中に下半分が浸漬された状態で方向ａに回転しており、基板Ｗの液面下の浸漬箇所が基板Ｗの回転によって液中から取り出されることになり、この基板Ｗの上半分には液膜が形成される第１工程が行われており、さらに、この第１工程が行われている状態でオゾンガスが供給されているので、この液膜が形成された基板Ｗの上半分に対して、純水よりも高い所定温度のオゾンガスを作用させてこの基板Ｗを表面処理する第２工程が行われている。
【００６４】
ここで、液膜が形成された基板Ｗの上半分に対してオゾンガスを作用させることについて、図６を用いて説明する。図６（ａ）は基板Ｗの液面から出た直後のその箇所の表面形状を示す模式図であり、図６（ｂ）は基板Ｗの回転によって（ａ）に示した箇所が液面から離れた時点でのその箇所の表面形状を示す模式図であり、図６（ｃ）は（ａ）に示した箇所が液面下に入る直前のその箇所の表面形状を示す模式図である。
【００６５】
図６（ａ）に示すように、基板Ｗの液面から出た直後のその箇所の表面形状は、例えば、基板Ｗの表面上のレジストＲ上に、処理液（純水あるいは後述のオゾン水）からなる液膜ＬＦが形成されている。そして、この液膜ＬＦが形成された基板Ｗに対して、処理液よりも高い所定温度のオゾンガスを供給することで、蒸発により液膜ＬＦを薄くさせながらこの液膜ＬＦ中にオゾンガスを溶解させることができ、レジストＲとの反応が起こる界面へのオゾンガスの移動が容易となり効率的に反応させることができる。例えば、図６（ｂ）に示すように、基板Ｗの回転によって図６（ａ）に示した箇所が液面から離れた時点でのその箇所の表面形状は、次のようになっている。図６（ｂ）に示した液膜ＬＦは、図６（ａ）の液膜ＬＦよりも薄くなっており、図６（ｂ）に示したレジストＲは、液膜ＬＦの溶解したオゾンによって剥離されて、図６（ａ）のレジストＲよりも薄くなっている。
【００６６】
さらに、図６（ｃ）に示すように、図６（ａ）に示した箇所が液面下に入る直前のその箇所の表面形状は、次のようになっている。図６（ｃ）に示した液膜ＬＦは、図６（ｂ）の液膜ＬＦよりもさらに薄くなっており、図６（ｃ）に示したレジストＲは、液膜ＬＦの溶解したオゾンによってさらに剥離されて、図６（ｂ）のレジストＲよりもさらに薄くなっている。
【００６７】
ところで、オゾンガス供給系４による処理槽１へのオゾンガスの供給は、基板Ｗの全面にわたって十分にレジストが剥離処理されるように、基板Ｗの処理レートに合わせて設定されたオゾンガス供給時間の間だけ行われる。また、図５に示すように、オゾンガス供給系４による処理槽１へのオゾンガスの供給が行われている間は、基板Ｗの回転と、処理槽１内への処理液（循環開始時は純水であるが、その後の時間経過に従ってオゾン水となる）の循環および昇温との両方ともが継続して行われる。上述したように図３に示した回転ドラム３２は、処理槽１内の純水中に約半分が浸漬した状態で回転駆動され、この回転ドラム３２には、多数の貫通孔６を有するフィン７が備えられている。
【００６８】
回転ドラム３２の回転に伴ってこのフィン７もこの回転ドラム３２と同一方向（方向ａ）に回転することから、この回転作用によってオゾンガスが積極的に純水中に溶解させられるようになっている。したがって、循環開始時は、循環系７１により純水が処理槽１に循環されることになるが、その開始時以降は、処理槽１内に供給されたオゾンガスを処理槽１内の純水中に積極的に溶解させてオゾン水を生成するようにしていることから、循環系７１によりオゾン水が処理槽１に循環されることになる。その結果、オゾン水への浸漬中においてもオゾン水中のオゾンとの反応が起こり、基板Ｗがオゾン水に浸漬している箇所もこのオゾン水中のオゾンと反応させることができ、オゾンによる基板表面処理の反応速度がさらに向上する。このように、処理槽１内に供給されるオゾンガスは、基板Ｗの表面上の液膜中および昇温された純水中にも溶解し、レジストの反応が、液面から引き上げられた基板Ｗの浸漬以外の箇所と、昇温された純水中にオゾンガスが溶解されることで生成されたオゾン水中への基板Ｗの浸漬箇所との両方で起こる。
【００６９】
また、昇温されたオゾン水を処理槽１に供給することで、この昇温されたオゾン水を基板Ｗに接触させて基板Ｗの温度を昇温させることができ、基板Ｗの昇温によりオゾンによる基板表面処理の反応速度をさらに向上できる。
【００７０】
オゾンガス供給系４によるオゾンガス供給が上述の設定されたオゾンガス供給時間の間だけ行われると、オゾンガス供給系４によるオゾンガス供給を停止し（図５に示す時刻ｔ４）、処理槽１内のオゾンガスおよび処理液（オゾン水）を槽外に排出するために、処理槽１内への窒素ガスの供給を開始するとともに、処理槽１内への純水の供給を開始して純水による洗浄（水洗）処理を行う。具体的には、オゾンガス導入管５２の開閉弁５４を閉じてオゾンガス供給源からのオゾンガスの処理槽１への供給を停止し、窒素ガス導入管５５の開閉弁５４を開いて、窒素ガス供給源からの窒素ガスを処理槽１内に導入して、この処理槽１内からオゾンガスを排出する。なお、基板Ｗの回転は継続して行われている。
【００７１】
なおこのとき、ヒータ５１によって昇温させた窒素ガスを処理槽１内に供給するようにしても良いが、ここでは、例えばヒータ５１の昇温動作を停止させており、処理槽１への窒素ガスの昇温は行わないこととしている。この処理槽１内への窒素ガスの供給とともに、以下のような純水供給を行う。循環系７１による循環を停止させ、純水導入管１２の開閉弁１４を開いてインラインミキシングバルブ１１への純水の供給を開始し、第２排出管２６の開閉弁２７を開いて処理槽１内のオゾン水を処理槽１外に廃液しながら処理槽１内に純水を供給することで、処理槽１内をオゾン水から純水に置換して、基板Ｗの表面を純水によって水洗処理する。
【００７２】
そして、基板Ｗの洗浄が終了すると、基板Ｗの回転を停止し（図５に示す時刻ｔ５）、純水導入管１２の開閉弁１４を閉じて処理槽１内への純水の供給を停止し、開閉弁２７は開かれたままなので処理槽１内の純水は廃液される。純水の廃液の際には、基板Ｗの回転を停止させているので、純水が四方に飛散することがなく、廃液が円滑に行われる。処理槽１内の純水の廃液が終了すると、処理槽１のカバー（図示省略）を開けた状態にして、処理済みの複数の基板Ｗを処理槽１内から搬出して（図５に示す時刻ｔ６にて搬出完了）、次工程に搬送する。具体的には、図３に示した保持駆動源３９は、操作軸３８を駆動し、この操作軸３８の駆動により１つの保持桿３５ａが回動されて退避され、基板Ｗの処理槽１からの搬出が可能になる。基板搬出ロボット（図示省略）により、処理済みの複数の基板Ｗを、起立姿勢で各基板Ｗ間の間隔を空けた状態で、処理槽１の内部の回転ドラム３２から搬出して、次工程に搬送する。なお、上記の洗浄処理後であって基板Ｗの搬出の前に、純水の供給を停止して純水を槽外に排出した状態で、処理槽１内の回転中の基板Ｗに対して窒素ガスのみを供給するようにして、基板Ｗをスピン乾燥させるようにしても良い。
【００７３】
以上説明した第１実施例に係る基板処理装置によれば、基板Ｗの表面上に処理液（純水あるいはオゾン水）を接触させて液膜を形成する基板液膜形成手段（処理槽１の一部と液供給系２と基板回転保持機構３１とを備える）と、この基板液膜形成手段により表面上に液膜が形成された基板Ｗに、処理液よりも高い所定温度のオゾンガスを作用させてこの基板Ｗを表面処理する基板表面処理手段（処理槽１の一部とオゾンガス供給系４とを備える）とを備えているので、第１，第２工程を行うことができ、基板Ｗの表面上に純水あるいはオゾン水による液膜を形成することで、この液膜の内部で基板Ｗの表面の極めて薄い層流の部分である、基板Ｗの表面のレジストなどの有機物との反応を支配する境膜を薄くする制御ができ、処理液の温度よりも高い所定温度に昇温させたオゾンガスをこの基板Ｗに作用させていることで、基板Ｗの表面の境膜へのオゾンの溶解を促進することができ、溶存オゾン濃度を高めることができる。
【００７４】
また、処理液よりも高く加熱されたオゾンにより液膜に熱が与えられることで、処理液を蒸発させて境膜をさらに薄くでき、境膜中のオゾンの拡散が容易となり、オゾンによる基板表面処理の反応速度を上げることができ、処理時間の短縮、高スループットを実現できる。
【００７５】
また、基板Ｗ上への液膜形成と、基板Ｗへのオゾンガスの作用とを処理槽１内で同時に行えるようにしているので、第１，第２工程を同時に行うことができ、基板Ｗ上への液膜形成が完了した後にこの基板Ｗにオゾンを作用させる場合に比べて、オゾンによる基板Ｗの表面の処理時間をさらに短縮でき、さらに高スループットを図ることができる。
【００７６】
また、基板Ｗを処理液に浸漬させてから処理液から取り出すことで、基板Ｗの表面上に液膜を形成するので、基板Ｗの表面上に好適に液膜を形成できる。
【００７７】
また、処理槽１は、基板Ｗの一部分に処理液を接触させた状態でこの基板Ｗを回転させて、基板Ｗの処理液接触箇所を回転とともに変更させることで、基板Ｗの全面にわたって液膜を形成し、液膜が形成されて回転される基板Ｗに、処理液よりも高い所定温度のオゾンガスを作用させてこの基板Ｗを表面処理するように構成されているので、基板Ｗ上への液膜形成とこの基板Ｗへのオゾンの作用とを同時に行う構成を実現でき、オゾンによる基板Ｗの表面の処理時間を短縮できる。
【００７８】
具体的には、処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽１と、基板Ｗの処理液浸漬箇所を変更させて、基板Ｗの全面にわたって液膜を形成させるように、処理槽１内の処理液中に基板Ｗの一部を浸漬させた状態で基板Ｗを回転させる基板回転保持機構３１とを備え、この処理槽１は、基板回転保持機構３１により処理槽１内で回転される基板Ｗのうちの処理液浸漬箇所以外の箇所に、処理液よりも高い所定温度のオゾンガスを作用させてこの基板Ｗを表面処理するので、基板Ｗの一部を処理液中に浸漬するタイプのものであっても、基板Ｗ上への液膜形成とこの基板Ｗへのオゾンの作用とを同時に行う構成を実現でき、オゾンによる基板表面の処理時間を短縮できる。
【００７９】
また、処理槽１内において基板Ｗを所定の姿勢状態に保持する回転ドラム３２と、この回転ドラム３２に設けられて、多数の貫通孔６が形成されたフィン７とを備え、基板回転保持機構３１は、基板Ｗを回転させるように回転ドラム３２を回転駆動することに伴ってフィン７を回転させて、このフィン７の回転作用によって処理槽１内の処理液中にオゾンを溶解させるので、処理液中にオゾンを積極的に溶解させることができ、処理液への浸漬中においても処理液中のオゾンとの反応を起すことができ、基板Ｗが処理液に浸漬している箇所もこの処理液中のオゾンと反応させることができ、オゾンによる基板表面処理の反応速度をさらに向上させることができる。
【００８０】
また、ヒータ５１により、オゾンガスを昇温してガス導入管５７の各ガス噴出孔５８から処理槽１に供給するので、基板Ｗに作用させる昇温したオゾンガスを好適に供給でき、昇温されたオゾンガスによって基板Ｗの表面の境膜を薄くすることができ、境膜中のオゾンの拡散が容易となり、オゾンによる基板Ｗの表面処理の反応速度を上げることができる。
【００８１】
また、循環系７１は、処理槽１から排出された処理液を処理槽１に戻して基板Ｗの表面処理に再利用するように、処理液を循環させるので、処理液の利用効率を向上させることができ、処理液の使用量を必要最小限にまで低減できる。
【００８２】
また、処理液昇温部７４は、処理液を所定の温度に昇温させて処理槽１に供給するので、昇温された処理液によって基板Ｗの温度を上昇させることができ、基板Ｗの昇温によってこの基板Ｗのオゾンによる基板表面処理の反応速度がさらに向上する。
【００８３】
〈第２実施例〉
次に、本発明の第２実施例に係る基板処理装置について、図７を参照して説明する。図７は、本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。本発明の第２実施例に係る基板処理装置は、図７に示す加圧部８１以外については、上述した第１実施例と同じ構成であり、上述した第１実施例と同じ構成のものには同符号を付している。なお、この第２実施例では、加圧部８１以外についての構成の詳細な説明は省略する。
【００８４】
図７に示すように、加圧部８１は、処理槽１内における、基板Ｗ上への液膜形成と基板Ｗへのオゾンガスの作用とを、大気圧（＝０．１メガパスカル〔ＭＰａ〕）よりも高い所定の加圧下（最大オゾンガス圧までの加圧下）で処理を行うためのものであり、前述の第１実施例の排気系５の開閉弁６２に替えて、処理槽１内の圧力を調整するための圧力調整バルブ８２を設けている。この加圧部８１は、オゾンガス供給系４による処理槽１内へのオゾンガス供給時に圧力調整バルブ８２からの排気量を絞るようにすることで、処理槽１内の圧力を、大気圧よりも高い最大オゾンガス圧（例えば、０．３メガパスカル〔ＭＰａ〕や０．５メガパスカル〔ＭＰａ〕などのガス圧）にすることができる。なお、この加圧部８１による加圧は、例えば、図５に示すタイムチャートにおける時刻ｔ３〜ｔ４までの間において行われる。なお、上述した加圧部８１が本発明における加圧手段に相当する。
【００８５】
以上説明した第２実施例に係る基板処理装置によれば、処理槽１内における、基板Ｗ上への液膜形成および基板Ｗへのオゾンガスの作用とを、大気圧よりも高い所定の加圧下で処理を行うための加圧部８１を備えているので、基板Ｗ上への液膜形成とオゾンによる表面処理とを大気圧よりも高い加圧下で行うことができ、溶存オゾン濃度や純水等の溶液の沸点を上げることができ、基板Ｗの表面上の液膜に溶解するオゾンの溶解度をより一層高くすることができ、境膜内の溶存オゾン濃度が高くなり、より一層、オゾンによる基板表面処理の反応速度を向上させることができる。
【００８６】
〈第３実施例〉
次に、本発明の第３実施例に係る基板処理装置について、図８を参照して説明する。図８は、本発明の第３実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。本発明の第３実施例に係る基板処理装置は、図８に示す処理槽壁面昇温部９１を設けている以外については、上述した第１実施例と同じ構成であり、上述した第１実施例と同じ構成のものには同符号を付している。なお、この第３実施例では、処理槽壁面昇温部９１以外についての構成の詳細な説明は省略する。
【００８７】
図８に示すように、処理槽壁面昇温部９１は、基板Ｗをオゾン雰囲気中で作用させる処理槽１におけるオゾンの接触する壁面を、所定温度に昇温するものであり、例えば処理槽１の上半分側に設けられている。この処理槽壁面昇温部９１は、処理槽１の上半分側の円弧状の側壁に、水平方向（円筒形状の処理槽１の中心軸方向）に向くように複数本（例えば１０本）並設されたハロゲンランプ９２を備えている。これらのハロゲンランプ９２は、処理槽１の上半分側の円弧状の側壁に対して光を照射し、処理槽１におけるオゾンの接触する壁面を、光照射によって所定温度に昇温する。なお、これらのハロゲンランプ９２による処理槽１の上述の壁面の昇温は、例えば、第１実施例で説明した図５に示すタイムチャートにおける時刻ｔ２〜ｔ４までの間において行われる。この第３実施例では、処理槽壁面昇温部９１として、ハロゲンランプ９２を採用しているが、ヒータなどを採用しても良い。なお、上述した処理槽壁面昇温部９１が本発明における壁面昇温手段に相当する。
【００８８】
以上説明した第３実施例に係る基板処理装置によれば、、基板Ｗをオゾン雰囲気中で作用させる処理槽１におけるオゾンの接触する壁面を、所定温度に昇温する処理槽壁面昇温部９１を備えているので、処理槽１に供給されたオゾンが、この処理槽１の温度の低い壁面に接触することで、オゾンの温度が低下し、基板Ｗの表面の境膜へのオゾンの溶解が低下するようなことを低減できる。
【００８９】
なお、本発明は以下のように変形実施することも可能である。
＜変形例＞
（１）上述した各実施例では、処理槽１に純水を供給することで基板Ｗの表面に純水による液膜を形成し、この液膜が形成された基板Ｗにオゾンガスを作用させて基板Ｗを表面処理しているが、処理槽１に供給する純水に、ｐＨ（水素イオン指数）を下げる溶液（例えば塩酸や酢酸など）を添加して、純水のｐＨを下げることで、純水へのオゾンの溶解度を上げるようにしても良い。
【００９０】
（２）上述した各実施例では、オゾンガスによる基板Ｗの表面処理に際して、昇温させた処理液（純水あるいはオゾン水）を処理槽１に供給して、基板Ｗの昇温を図っているが、処理液を昇温せずに、例えば常温：２５℃程度の処理液を処理槽１に供給しても良い。この場合は、基板Ｗの温度を昇温させることによる反応速度の向上という効果が得られない以外は、前述の各実施例と同様の効果を有する。
【００９１】
（３）上述した各実施例では、１個のガス注入管５７により処理槽１内にオゾンガスを供給するようにしているが、複数個のガス注入管５７を処理槽１の上部に配設し、これらのガス注入管５７により処理槽１内にオゾンガスを供給するようにしても良い。また、１個の液注入管２１により処理槽１内に処理液（純水など）を供給するようにしているが、複数個の液注入管２１を処理槽１の底部に配設し、これらの液注入管２１により処理槽１内に処理液を供給するようにしても良い。
【００９２】
（４）上述した各実施例では、循環系７１を用いることで処理槽１から排出された処理液を再び処理槽１に供給することで処理液を再利用するようにしているが、特に必要なければこの循環系７１を設けなくても良い。
【００９３】
（５）上述した各実施例では、第１工程と第２工程とを同時に行っているが、第１工程後に第２工程を行う、あるいは、第１工程後に第２工程を行うことを所定回数にわたって繰り返し行うようにしても良い。第１工程後に第２工程を行う構成としては次のようなものがある。例えば、図９に示すように、処理槽１内の真空チャック部１０１で基板Ｗを水平姿勢で保持し、処理液（純水など）を吐出するノズル１０２を例えば水平移動させて、基板Ｗの表面に処理液（純水など）を所定時間の間だけ供給して基板Ｗの表面に処理液による液膜を形成し、その後に、オゾンガス供給系４のガス注入管５７により、液膜の形成された基板Ｗにオゾンガスを供給するようにしても良い。この動作を所定回数にわたって繰り返し行うようにしても良い。なお、真空チャック部１０１内に設けられたヒータ部１０３により基板Ｗの裏面を加熱して昇温することがさらに好ましい。なお、上記では、真空チャック部１０１を非回転とし、ノズル１０２を水平移動させているが、ノズル１０２を位置固定とし、ノズル１０２から処理液を基板Ｗに吐出し、真空チャック部１０１を図９に１点鎖線で示すように回転させることで、基板Ｗの表面に処理液による液膜を形成するようにしても良い。
【００９４】
（６）上述した各実施例では、処理槽１を、回転中の基板Ｗの一部を処理液（純水など）に浸漬する方式のものとしているが、ノズルなどにより、回転中の基板Ｗに対して処理液（純水など）を供給することで、基板Ｗの表面に液膜を形成しながら、液膜が形成された基板Ｗにオゾンガスを供給するシャワー方式（非浸漬方式）のものとしても良い。なお、ノズルから供給される純水などの処理液は、所定温度に昇温された処理液として基板Ｗに供給して基板Ｗを昇温させるようにする方が好ましい。
【００９５】
（７）上述した実施例では、基板Ｗをオゾン水のみにより表面処理しているが、レジスト等の有機物に対して反応速度の大きいＯＨラジカルなどの活性種を発生させるために、例えばインライミキシングバルブ１１で所望の薬液（例えば、過酸化水素水など）をオゾン水に混合させて添加させたり、メガソニック（超音波）照射、ＵＶ（紫外線）照射、放射線照射などをオゾン水に付加させても良い。
【００９６】
（８）上述した実施例において、オゾン水の半減期を長くするために、ｐＨの小さい酸（塩酸、フッ酸等）などの薬液や、ＯＨラジカルのスカベンジャー（消費物質）としての炭酸イオン（ＣＯ３ ２−），重炭酸イオン（ＨＣＯ３ ２−）になる炭酸やカルボン酸などの薬液を、インライミキシングバルブ１１でオゾン水に添加するようにしても良い。
【００９７】
（９）上述した実施例では、処理槽１を複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ処理のものとしているが、処理槽１を基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉処理のものとする場合にも適用できる。
【００９８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、基板の表面上に処理液を接触させて液膜を形成する基板液膜形成手段と、この基板液膜形成手段により表面上に液膜が形成された基板に、処理液よりも高い所定温度範囲内としての１００℃よりも高く２００℃以下の範囲内の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理する基板表面処理手段とを備えているので、基板のレジストなどの有機物との反応を支配する境膜を、薄くする制御が可能となり、基板表面の境膜へのオゾンの溶解を促進させることができ、溶存オゾン濃度を高めることができる。また、処理液よりも高く加熱されたオゾンにより液膜に熱が与えられることで、処理液を蒸発させて境膜をさらに薄くでき、境膜中のオゾンの拡散が容易となり、オゾンによる基板表面処理の反応速度を上げることができる。その結果、処理時間の短縮、高スループットを実現できる。また、基板液膜形成手段は、処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、基板の処理液浸漬箇所を変更させて、基板全面にわたって液膜を形成させるように、処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態で基板を回転させる基板回転手段とを備え、基板表面処理手段は、基板回転手段により処理槽内で回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所に、処理液よりも高い所定温度の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理するので、基板の一部を処理液中に浸漬するタイプのものであっても、基板上への液膜形成とこの基板へのオゾンの作用とを同時に行う構成を実現でき、オゾンによる基板表面の処理時間を短縮できる。
【００９９】
（削除）
【０１００】
（削除）
【０１０１】
（削除）
【０１０２】
また、請求項２に記載の発明によれば、基板液膜形成手段による基板上への液膜形成と、基板表面処理手段による基板への気体としてのオゾンの作用とを同時に行っているので、オゾンによる基板表面の処理時間を、基板上への液膜形成が完了した後にこの基板にオゾンを作用させる場合に比べて短縮することができ、さらに高スループットを図ることができる。
【０１０３】
（削除）
【０１０４】
（削除）
【０１０５】
（削除）
【０１０６】
また、請求項３に記載の発明によれば、基板回転手段は、処理槽内において基板を起立姿勢状態に保持する保持手段と、保持手段に設けられて、多数の貫通孔が形成された羽根部材とを備え、基板回転手段は、基板を回転させるように保持手段を回転駆動することに伴って羽根部材を回転させて、この羽根部材の回転作用によって処理槽内の処理液中にオゾンを溶解させるので、処理液中にオゾンを積極的に溶解させることができ、処理液への浸漬中においても処理液中のオゾンとの反応が起こり、すなわち、基板が処理液に浸漬している箇所もこの処理液中のオゾンと反応させることができ、オゾンによる基板表面処理の反応速度がさらに向上する。
【０１０７】
また、請求項４に記載の発明によれば、加熱手段は、気体としてのオゾンを昇温して基板表面処理手段に供給するので、基板に作用させる昇温したオゾンを好適に供給でき、昇温されたオゾンによって基板表面の境膜を薄くすることができ、境膜中のオゾンの拡散が容易となり、オゾンによる基板表面処理の反応速度を上げることができる。
【０１０８】
また、請求項５に記載の発明によれば、循環手段は、基板液膜形成手段から排出された処理液を基板液膜形成手段に戻して基板の表面処理に再利用するように、処理液を循環させるので、処理液の利用効率を向上させることができ、処理液の使用量を必要最小限にまで低減できる。
【０１０９】
また、請求項６に記載の発明によれば、処理液昇温手段は、基板液膜形成手段に供給される処理液を所定の温度に昇温させるので、昇温された処理液によって基板の温度を上昇させることができ、基板の昇温によってこの基板のオゾンによる基板表面処理の反応速度をさらに向上させることができる。
【０１１０】
また、請求項７に記載の発明によれば、処理部は、基板液膜形成手段による基板上への液膜形成と、基板表面処理手段による基板への気体としてのオゾンの作用とを、大気圧よりも高い所定の加圧下で処理を行うための加圧手段を備えているので、基板表面上の液膜に溶解するオゾンの溶解度をより一層高くすることができ、境膜内の溶存オゾン濃度が高くなり、より一層、オゾンによる基板表面処理の反応速度を向上させることができ、処理時間の短縮、高スループットを実現できる。
【０１１１】
また、請求項８に記載の発明によれば、壁面昇温手段は、基板をオゾン雰囲気中で作用させる処理部におけるオゾンの接触する壁面を、所定温度に昇温するので、処理部に供給されたオゾンがこの処理部の温度の低い壁面に接触することで、オゾンの温度が低下し、基板表面の境膜へのオゾンの溶解が低下するようなことを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】 本発明の第１実施例に係る基板処理装置の処理槽の概略構成を示す外観斜視図である。
【図３】 本発明の第１実施例に係る基板処理装置の処理槽の概略構成を示す縦断面図である。
【図４】 （ａ）は処理槽内の回転ドラムの概略側面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した回転ドラムの保持桿に設けられたフィンの概略正面図である。
【図５】 本発明の第１実施例に係る基板処理装置の各動作の流れを説明するためのタイムチャートである。
【図６】 （ａ）〜（ｃ）は基板の任意の箇所について液面から出た直後と液面から離れたときと液面下に入る直前とのそれぞれの表面形状を示す模式図である。
【図７】 本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図８】 本発明の第３実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図９】 本発明の第１〜３実施例とは別の基板処理装置の要部の構成を示す概略側面図である。
【符号の説明】
１ … 処理槽
２ … 液供給系
４ … オゾンガス供給系
６ … 貫通孔
７ … フィン
３１ … 基板回転保持機構
３２ … 回転ドラム
５１ … ヒータ
７１ … 循環系
７４ … 処理液昇温部
８１ … 加圧部
９１ … 処理槽壁面昇温部
Ｗ … 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention provides a substrate treatment for surface-treating a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate) with ozone.ScienceRelated to the position.
[0002]
[Prior art]
  As a conventional substrate processing apparatus of this type, for example, ozone water in which ozone as a gas is dissolved in pure water is manufactured by an ozone water manufacturing unit and supplied to a processing tank. There is a type in which a wafer as a substrate is immersed and subjected to ozone water treatment to peel off organic substances such as a photoresist (hereinafter referred to as a resist as appropriate) on the wafer surface.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
  However, such a conventional apparatus has the following problems.
  That is, when ozone water produced by the ozone water production unit is supplied to the treatment tank, the ozone concentration in the supply line to the treatment tank decreases due to decomposition of ozone, There is a problem in that a sufficient dissolved ozone concentration cannot be obtained in a certain processing tank, the resist stripping speed for stripping the resist on the wafer surface is slow, and throughput is lowered.
[0004]
  In addition, as described above, when the wafer is immersed in ozone water in the processing tank for processing, in order to increase the resist stripping speed, it is necessary to thin the film that governs the reaction on the resist on the wafer surface. Therefore, it is necessary to increase the flow rate of ozone water near the wafer. Therefore, it is possible to increase the flow velocity in the vicinity of the wafer by using a dissolution module that produces ozone water by dissolving ozone in the supplied pure water, and increasing the supply amount of pure water supplied to the dissolution module. In this case, since the supply amount of pure water per unit time and the dissolved ozone concentration are in a contradictory relationship, increasing the supply amount of pure water decreases the dissolved ozone concentration. As a result, there is a problem that the resist stripping rate is slow and the throughput is lowered.
[0005]
  In order to increase the resist stripping speed, it is effective to raise the wafer temperature, but it is not possible to raise only the wafer temperature, and the temperature of the ozone water is also raised. Since the dissolved ozone concentration of the ozone water is lowered, the wafer temperature cannot be raised and reacted with high concentration ozone water.
[0006]
  The present invention has been made in view of such circumstances, and is a substrate treatment capable of improving the reaction rate of substrate surface treatment with ozone.ScienceThe purpose is to provide a device.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.The
[0008]
  (Delete)
[0009]
  (Delete)
[0010]
ContractClaim1The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit includes a processing unit that performs surface processing on the substrate, and the processing unit includes a substrate liquid film forming unit that forms a liquid film by bringing a processing liquid into contact with the surface of the substrate. Then, ozone as a gas in a range higher than 100 ° C. and lower than 200 ° C. as a predetermined temperature range higher than that of the processing liquid is allowed to act on the substrate on which a liquid film is formed on the surface by the substrate liquid film forming means. Substrate surface treatment means for surface treating the substrateThe substrate liquid film forming hand The stage is provided with a treatment tank supplied with a treatment liquid and containing a predetermined amount of the treatment liquid, and the substrate is held in an upright position in the treatment tank while changing the treatment liquid immersion location of the substrate over the entire surface of the substrate. A substrate rotating means for rotating the substrate in a state where a part of the substrate is immersed in the processing liquid in the processing tank so as to form a liquid film, and the substrate surface processing means is provided by the substrate rotating means. Surface treatment of this substrate is performed by applying ozone as a gas having a predetermined temperature higher than that of the treatment liquid to a portion other than the treatment solution immersion portion of the substrate rotated in the treatment tank.It is characterized by this.
[0011]
  Claims2The substrate processing apparatus according to claim1In the substrate processing apparatus according to claim 1, the liquid film formation on the substrate by the substrate liquid film forming unit and the action of ozone as a gas on the substrate by the substrate surface processing unit are performed simultaneously. is there.
[0012]
  (Delete)
[0013]
  (Delete)
[0014]
  (Delete)
[0015]
  Claims3The substrate processing apparatus according to claim2The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate rotating means moves the substrate in the processing tank.StandingA blade member having a holding means for holding in a posture state and having a plurality of through-holes is provided in the holding device, and the blade member is rotated in accordance with the rotational driving of the holding device so as to rotate the substrate. Then, ozone is dissolved in the processing liquid in the processing tank by the rotating action of the blade member.
[0016]
  Claims4The substrate processing apparatus according to claim1Claims from3In the substrate processing apparatus according to any one of the above, the processing unit includes a heating unit for heating the ozone in a path for supplying ozone as a gas to the substrate surface processing unit. Is.
[0017]
  Claims5The substrate processing apparatus according to claim1Claims from4The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid circulated so that the processing liquid discharged from the substrate liquid film forming means is returned to the substrate liquid film forming means and reused for surface treatment of the substrate. Means are provided.
[0018]
  Claims6The substrate processing apparatus according to claim1Claims from5The substrate processing apparatus according to any one of the above, further comprising a processing liquid temperature raising means for raising the temperature of the processing liquid supplied to the substrate liquid film forming means to a predetermined temperature.
[0019]
  Claims7The substrate processing apparatus according to claim1Claims from6In the substrate processing apparatus according to any one of the above, the processing unit performs a liquid film formation on the substrate by the substrate liquid film forming unit, and an action of ozone as a gas on the substrate by the substrate surface processing unit, A pressurizing means for performing processing under a predetermined pressurization higher than the atmospheric pressure is provided.
[0020]
  Claims8The substrate processing apparatus according to claim1Claims from7The substrate processing apparatus according to any one of the above, further comprising wall surface temperature raising means for raising the temperature of the wall surface of the processing section that causes the substrate to act in an ozone atmosphere to a predetermined temperature.
[0021]
[Action]
  The operation of the first aspect of the invention is as follows.
  In the first step, a processing liquid is brought into contact with the surface of the substrate to form a liquid film. In the second step, ozone as a gas in a range higher than 100 ° C. and lower than 200 ° C. as a predetermined temperature range higher than that of the processing liquid acts on the substrate on which the liquid film is formed on the surface in the first step. Then, this substrate is surface-treated. Therefore, since a liquid film is formed on the surface of the substrate, the boundary film that governs the reaction with organic substances such as resist on the substrate surface, which is an extremely thin laminar part of the substrate surface, is thinned inside the liquid film. Control is possible, and ozone as a gas heated up in a range higher than 100 ° C. and lower than 200 ° C. as a predetermined temperature range higher than the temperature of the processing liquid is applied to the substrate. The dissolution of ozone in the boundary film is promoted, and the dissolved ozone concentration is increased. In addition, heat is applied to the liquid film by ozone heated higher than the treatment liquid, so that the treatment liquid can be evaporated to further thin the boundary film, and the ozone in the boundary film can be easily diffused. The reaction speed of processing increases.
[0022]
  (Delete)
[0023]
  (Delete)
[0024]
ContractClaim1According to the invention, the substrate liquid film forming means forms a liquid film by bringing the treatment liquid into contact with the surface of the substrate. The substrate surface processing means is a substrate having a liquid film formed on the surface thereof by the substrate liquid film forming means, as a gas in a range higher than 100 ° C. and not higher than 200 ° C. as a predetermined temperature range higher than the processing liquid. The substrate is surface treated by the action of ozone. Therefore, since a liquid film is formed on the surface of the substrate, the boundary film that governs the reaction with organic substances such as resist on the substrate surface, which is an extremely thin laminar part of the substrate surface, is thinned inside the liquid film. Control is possible, and ozone as a gas heated up in a range higher than 100 ° C. and lower than 200 ° C. as a predetermined temperature range higher than the temperature of the processing liquid is applied to the substrate. The dissolution of ozone in the boundary film is promoted, and the dissolved ozone concentration is increased. In addition, heat is applied to the liquid film by ozone heated higher than the treatment liquid, so that the treatment liquid can be evaporated to further thin the boundary film, and the ozone in the boundary film can be easily diffused. The reaction speed of processing increases.Further, the substrate liquid film forming means changes the processing liquid immersion location of the substrate while holding the substrate in an upright position in the processing tank that receives the processing liquid and stores a predetermined amount of the processing liquid. And a substrate rotating means for rotating the substrate in a state where a part of the substrate is immersed in the processing liquid in the processing tank so as to form a liquid film over the entire surface of the substrate. The substrate surface treatment means causes the substrate to rotate by applying ozone as a gas having a predetermined temperature higher than that of the treatment liquid to a place other than the treatment liquid immersion place in the substrate rotated in the treatment tank by the substrate rotation means. To process. Therefore, even if a part of the substrate is immersed in the processing liquid, it is possible to realize a configuration in which the formation of a liquid film on the substrate and the action of ozone on the substrate are performed simultaneously. Processing time can be shortened.
[0025]
  Claims2According to the invention described in (4), the formation of the liquid film on the substrate by the substrate liquid film forming means and the action of ozone as a gas on the substrate by the substrate surface treatment means are simultaneously performed. Therefore, the formation of the liquid film on the substrate and the action of ozone on the substrate are performed at the same time, so that the processing time of the substrate surface by ozone can be reduced. It can be shortened compared with the case where it acts.
[0026]
  (Delete)
[0027]
  (Delete)
[0028]
  (Delete)
[0029]
  Claims3According to the invention described in (4), the substrate rotating means moves the substrate in the processing tank.StandingThe holding means for holding in the posture state and the blade member provided in the holding means and having a plurality of through holes are provided. The substrate rotating means rotates the blade member as the holding means is rotated so as to rotate the substrate, and ozone is dissolved in the processing liquid in the processing tank by the rotating action of the blade member. Accordingly, ozone can be actively dissolved in the processing liquid, and the reaction with ozone in the processing liquid occurs even during the immersion in the processing liquid, that is, the portion where the substrate is immersed in the processing liquid. It can be made to react with ozone in the treatment liquid, and the reaction rate of substrate surface treatment with ozone is further improved.
[0030]
  Claims4According to the invention described in (2), since the heating means raises the ozone as a gas and supplies it to the substrate surface treatment means, it is possible to suitably supply the heated ozone that acts on the substrate. The film on the substrate surface can be thinned, the ozone in the film can be easily diffused, and the reaction rate of the substrate surface treatment with ozone is increased.
[0031]
  Claims5According to the invention described in the above, the circulation means circulates the treatment liquid so that the treatment liquid discharged from the substrate liquid film formation means is returned to the substrate liquid film formation means and reused for the surface treatment of the substrate. The use efficiency of the processing liquid can be improved, and the amount of the processing liquid used can be reduced to a necessary minimum.
[0032]
  Claims6According to the invention described above, the processing liquid temperature raising means raises the temperature of the processing liquid supplied to the substrate liquid film forming means to a predetermined temperature. Accordingly, the temperature of the substrate can be increased by the heated processing liquid, and the reaction rate of the substrate surface treatment with ozone of the substrate is further improved by the temperature increase of the substrate.
[0033]
  Claims7According to the invention described in the above, the processing unit is configured to perform a liquid film formation on the substrate by the substrate liquid film forming unit and an action of ozone as a gas on the substrate by the substrate surface processing unit, which is higher than the atmospheric pressure. Pressure means for performing the treatment under the above pressure. Therefore, by performing the liquid film formation on the substrate and the surface treatment with ozone under a pressure higher than atmospheric pressure, the solubility of ozone dissolved in the liquid film on the substrate surface can be further increased. The dissolved ozone concentration in the film is increased, and the reaction rate of substrate surface treatment with ozone can be further improved.
[0034]
  Claims8According to the above-described invention, the wall surface temperature raising means raises the wall surface in contact with ozone in the processing unit that causes the substrate to act in an ozone atmosphere to a predetermined temperature. Therefore, the ozone supplied to the processing unit is brought into contact with the low-temperature wall surface of the processing unit, so that the temperature of ozone is reduced and the dissolution of ozone in the boundary film on the substrate surface is reduced. it can.
[0035]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention described below includes ozone O3 (hereinafter referred to as ozone gas as appropriate) as a gas on a substrate such as a wafer having a liquid film formed with a processing liquid (for example, pure water) on the surface. This substrate is subjected to surface treatment.
[0036]
  <First embodiment>
  A substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a schematic configuration of a processing tank of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is an external perspective view, FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a processing tank of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4A is an outline of a rotating drum in the processing tank. FIG. 4B is a schematic front view of fins provided on the holding rod of the rotating drum shown in FIG. 4A, and FIG. 5 is a substrate according to the first embodiment of the present invention. It is a time chart for demonstrating the flow of each operation | movement of a processing apparatus.
[0037]
  As shown in FIG. 1, this substrate processing apparatus is roughly divided to bring a pure water as a processing liquid into contact with the surface of the substrate W to form a liquid film with pure water, and a liquid film is formed on the surface. In order to cause ozone (ozone gas) as a gas having a predetermined temperature higher than that of pure water to act on the substrate W, the substrate W is subjected to surface treatment (for example, treatment for removing organic substances such as a resist on the surface of the substrate W). A treatment tank 1, a liquid supply system 2 for supplying a treatment liquid such as pure water to the treatment tank 1, a mixed liquid in which pure water is mixed with a predetermined chemical liquid, and the like. A drainage system 3 for discharging the mixed liquid, an ozone gas supply system 4 for supplying ozone gas to the processing tank 1, and an exhaust system 5 for discharging ozone gas from the processing tank 1 are provided.
[0038]
  In addition, as described above, this substrate processing apparatus includes, for example, a process other than the “first process” in which ozone gas is supplied to the processing tank 1 in which the substrate W is accommodated to peel off organic substances on the surface of the substrate W. A “second process” in which the mixed liquid is supplied to the tank 1 and the substrate W is processed with the mixed liquid, or only pure water is supplied to the processing tank 1 after the substrate W is processed with the mixed liquid or ozone. Functions such as “third process” for cleaning the substrate W and “fourth process” for drying the substrate W by supplying an inert gas such as nitrogen gas to the processing tank 1. It is an apparatus that can appropriately execute four processes in a predetermined order or a process selected from the first to fourth processes. Hereinafter, the configuration of each unit will be described in detail.
[0039]
  The liquid supply system 2 supplies only pure water to the processing tank 1 or supplies a mixed liquid in which pure water is mixed with a predetermined chemical solution to the processing tank 1. The liquid supply system 2 introduces pure water introduction pipe 12 for introducing pure water from a pure water supply source into the in-line mixing valve 11, and pure water or a mixed liquid from the in-line mixing valve 11 into the processing tank 1. And a common introduction pipe 13 for the purpose.
[0040]
  The in-line mixing valve 11 is for mixing a predetermined chemical solution with pure water to generate a mixed solution and supplying the mixed solution to the processing tank 1. Supply pipes 15a to 15d for each chemical solution are connected to the inline mixing valve 11, and on-off valves 16a to 16d for switching supply and stop of the chemical solution to the inline mixing valve 11 are supply pipes 15a to 15d. Is provided. The pure water introduction pipe 12 has an open / close valve 14 for switching between supply of pure water to the treatment tank 1 and its stop, and a secondary side (in-line mixing valve 11 side) according to an applied air pressure (pilot pressure). And a pressure regulator 17 for adjusting the pressure of the pure water.
[0041]
  The ozone gas supply system 4 raises the temperature of the ozone gas to a predetermined temperature within a range of 200 ° C. or less, for example. Ozone gas is supplied to the treatment tank 1. The ozone gas supply system 4 includes an ozone gas introduction pipe 52 for introducing ozone gas from an ozone gas supply source into the heater 51, ozone gas from the heater 51, and nitrogen gas (N2) And the like are introduced into the processing tank 1 and a common introduction gas pipe 53 is provided. The heater 51 is for raising the temperature of ozone gas.
[0042]
  The ozone gas introduction pipe 52 is provided with an opening / closing valve 54 for switching between supply of ozone gas to the treatment tank 1 and stop thereof. A nitrogen gas introduction pipe 55 for introducing nitrogen gas from a nitrogen gas supply source into the heater 51 is branched and connected between the heater 51 and the on-off valve 54 in the ozone gas introduction pipe 52.
[0043]
  The nitrogen gas introduction pipe 55 is provided with an opening / closing valve 56 for switching between supply of nitrogen gas to the treatment tank 1 and stop thereof. For example, when the resist on the surface of the substrate W is to be peeled and removed, the temperature of the ozone gas is higher than the temperature of pure water that has been heated (below the maximum boiling point = for example, 100 ° C. or lower) and is in the range of 200 ° C. or lower. It is preferable to raise the temperature to a predetermined temperature. The heater 51 described above corresponds to the heating means in the present invention.
[0044]
  As shown in FIGS. 1 to 3, the processing tank 1 is formed in a cylindrical shape in which the inside of the tank is hollow, and a plurality of substrates W are set up in an upright position so that spaces between the substrates W are provided. It can be stored in the tank in a state, and pure water or a mixed liquid from the liquid supply system 2 is supplied into the tank, and is supplied from the liquid supply system 2 into the treatment tank 1. By bringing the substrate W into contact with pure water and taking out the contact portion from the pure water, a liquid film of pure water is formed on the surface of the substrate W, and ozone gas is applied to the substrate W on which the liquid film is formed. The surface treatment is performed on the substrate W by acting.
[0045]
  As shown in FIGS. 1 to 3, a liquid injection pipe 21 communicated with the common introduction pipe 13 of the liquid supply system 2 is attached to the bottom of the processing tank 1. The liquid injection tube 21 has a cylindrical shape with a hollow inside, and both ends thereof are closed, and a large number of liquid ejection holes 22 are arranged in parallel on the arc-shaped side surface. A liquid injection hole 23 is formed on a side surface different from the side where 22 is juxtaposed, and pure water as a processing liquid introduced from the liquid injection hole 23 or a predetermined chemical liquid is mixed with pure water The mixed liquid thus discharged is ejected from the liquid ejection holes 22 into the treatment tank 1. The liquid injection pipe 21 is attached to the processing tank 1 so that each liquid ejection hole 22 faces the processing tank 1, and pure water or the like is supplied into the processing tank 1 from each liquid ejection hole 22 of the liquid injection pipe 21.
[0046]
  As shown in FIG. 1, the side of the processing tank 1 has pure water supplied into the tank from a liquid injection pipe 21 at the bottom of the processing tank 1 (only pure water, ozone gas dissolved in pure water will be described later). Treatment liquid for discharging excess pure water or the like supplied into the processing tank 1 so that a predetermined amount of ozone water or a mixed solution is contained in the processing tank 1. A discharge port 24 is provided. For example, the processing liquid discharge port 24 is accommodated in a standing posture in the processing tank 1 and is rotatable in the circumferential direction (direction a indicated by an arrow in FIG. 1) or near the center of the substrate W or slightly above it. It arrange | positions at the side part of the processing tank 1 so that liquid surfaces, such as a pure water, may be located in a position. A first discharge pipe 25 is connected to the processing liquid discharge port 24.
[0047]
  The drainage system 3 includes a first discharge pipe 25 for discharging excess pure water and the like from the processing tank 1 and a second discharge for discharging all the pure water supplied into the processing tank 1. A tube 26 is provided. The second discharge pipe 26 is provided with an on-off valve 27 for switching between discharging pure water in the processing tank 1 and stopping the discharge.
[0048]
  Furthermore, as shown in FIGS. 1 to 3, a gas injection pipe 57 communicated with the common introduction gas pipe 53 of the ozone gas supply system 4 is attached to the upper part of the processing tank 1. The gas injection pipe 57 has a cylindrical shape with a hollow inside, and both ends thereof are closed, and a large number of gas injection holes 58 are arranged in parallel on the arc-shaped side surface. A gas introduction hole 59 is formed on a side surface different from the side where the 58 is juxtaposed, and ozone gas or nitrogen gas introduced from the gas introduction hole 59 is ejected from the gas ejection hole 58. The gas injection pipe 57 is attached to the processing tank 1 so that each gas ejection hole 58 faces the processing tank 1, and ozone gas or the like is supplied into the processing tank 1 from each gas ejection hole 58 of the gas injection pipe 57.
[0049]
  The exhaust system 5 includes a gas discharge pipe 61 for discharging ozone gas and nitrogen gas in the processing tank 1. The gas discharge pipe 61 is provided with an on-off valve 62 for switching between discharge and stop of ozone gas and nitrogen gas in the processing tank 1.
[0050]
  The processing tank 1 is stored and held in the processing tank 1 in a state in which a plurality of substrates W are placed in an upright position and spaced apart from each other (see FIG. 2). A substrate rotation holding mechanism 31 that rotates these substrates W in the circumferential direction of the substrate W (direction a indicated by an arrow in FIG. 1) is provided.
[0051]
  As shown in FIG. 3, the substrate rotation holding mechanism 31 includes a rotating drum 32 for holding a plurality of substrates W in a standing posture with the intervals between the substrates W being arranged. The rotating drum 32 is rotatably supported by a rotating shaft 33 that faces in the horizontal direction (the central axis direction of the cylindrical processing tank 1). The rotating drum 32 has a pair of rotating plates 34 connected by a plurality of (for example, three) holding rods 35. In addition, one holding rod 35 a among the plurality of holding rods 35 is rotatable for loading and unloading the substrate W into the processing tank 1.
[0052]
  On the side of the processing tank 1, there is provided a rotary drive unit having a motor 37 for rotating the rotary shaft 33 via the belt 36 and a holding drive source 39 for driving an operating shaft 38 for rotating the holding rod 35 a. 40 is provided. The rotating shaft 33 is rotatably supported by a bearing 41 provided on the side wall of the opposing processing tank 1. A portion where the rotating shaft 33 is supported by the bearing 41 is completely separated from the inside and outside of the processing tank 1 by a labyrinth packing 42 so that liquid and gas do not leak. The rotating drum 32 is rotated by the motor 37 at, for example, about 30 rpm. That is, the plurality of substrates W are rotated at about 30 rpm in the circumferential direction (direction a indicated by an arrow in FIG. 1). The substrate rotation holding mechanism 31 described above corresponds to the substrate rotation means in the present invention, and the rotary drum 32 corresponds to the holding means in the present invention.
[0053]
  Further, as shown in FIGS. 3 and 4, the holding rods 35, 35 a of the rotary drum 32 are provided with fins 7 as blade members in which a large number of through holes 6 are formed. The fins 7 are, for example, plate-shaped plate members in which a large number of through-holes 6 are formed, and are hanged radially toward the outside of the rotary drum 32. The substrate rotation holding mechanism 31 rotates the fins 7 in the same direction a as the rotating drum 32 is rotated so as to rotate the substrate W in the direction a, and the processing tank 1 is rotated by the rotation action of the fins 7. Dissolve ozone in the pure water inside. The fins 7 can be in various forms as long as ozone is dissolved in pure water by a rotating action. For example, the shape of the fin 7 is not limited to a flat plate, but a curved plate or various shapes may be adopted, or a plurality of through holes 6 of the fin 7 may be provided with a grid-like gap portion such as a mesh. Alternatively, the fins 7 may be attached to the holding rods 35, 35 a while being inclined in the direction around the rotation axis of the rotary drum 32.
[0054]
  Further, the substrate processing apparatus is provided with a circulation system 71 as shown in FIG. This circulation system 71 again supplies the treatment liquid discharged from the treatment tank 1 (deionized water only, ozone water generated by dissolving this ozone gas in pure water by the ozone gas treatment in the treatment tank 1) or a mixed liquid again. A flow path for returning to the inside of the processing tank 1 and reusing it for resist stripping processing of the substrate W, with one end connected to the first discharge pipe 25 and the other end connected to the common introduction pipe 13 A tube 72 is provided.
[0055]
  The treatment liquid resupply pipe 72 has a pump 73 for returning the treatment liquid (pure water or ozone water) discharged from the treatment tank 1 back into the treatment tank 1 and the treatment liquid from the treatment tank 1 at a predetermined temperature. (Temperature below the maximum boiling point = for example, 100 ° C. or lower) The temperature riser 74 for processing liquid such as an in-line heater, and a filter 75 for filtering impurities in the processing liquid discharged from the processing tank 1. And an open / close valve 76 for switching between supply of the processing liquid whose temperature has been removed and impurities removed to the processing tank 1 and stopping of the processing liquid. The above-described circulation system 71 corresponds to the circulation means in the present invention, and the above-described treatment liquid temperature raising unit 74 corresponds to the treatment liquid temperature raising means in the present invention.
[0056]
  As shown in FIGS. 1 and 3, the treatment tank 1 is supplied with pure water and contains a predetermined amount of pure water, and the substrate rotation holding mechanism 31 stands upright from a plurality of substrates W. The substrate W is rotated in a state in which a part of the substrate W is immersed in the pure water in the treatment tank 1 by rotating the rotating drum 32 held in the circumferential direction (direction a indicated by an arrow in FIG. 1). The pure water liquid film is formed over the entire surface of the substrate W by changing the location where the pure water is immersed in the substrate W. Therefore, the liquid in pure water on the surface of the substrate W is taken out by bringing the substrate W into contact with the pure water in the processing tank 1 in the processing tank 1, the liquid supply system 2 and the substrate rotation holding mechanism 31. The functional component for forming the film corresponds to the substrate liquid film forming means in the present invention. Further, the ozone gas supply system 4 raises the ozone gas to a predetermined temperature that is higher than the pure water that has been heated (below the maximum boiling point = for example, 100 ° C. or less) and is, for example, 200 ° C. or less. The treated tank 1 is supplied to the treatment tank 1, and the treatment tank 1 causes the heated ozone gas to act on the substrate W on which the pure water liquid film is formed. This corresponds to the substrate surface treatment means in the invention. In addition, what included the processing tank 1, the liquid supply system 2, the ozone gas supply system 4, and the substrate rotation holding mechanism 31 described above corresponds to the processing section in the present invention.
[0057]
  In addition, the pure water supply line such as the pure water introduction pipe 12 and the on-off valve 14 in the liquid supply system 2 described above, the common introduction pipe 13 and the treatment tank 1 related to the common use, and the drainage system 3 provide ozone gas. A cleaning processing unit is provided for supplying pure water (cleaning liquid) to the substrate W that has been processed with a mixed liquid or the like to wash the surface of the substrate W with water (cleaning).
[0058]
  Next, the substrate processing operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described with reference to the time chart of FIG.
[0059]
  First, with the cover (not shown) of the processing tank 1 opened, a plurality of substrates W to be subjected to resist stripping treatment using ozone gas are set in the processing tank 1 (setting is completed at time t1 shown in FIG. 5). ). Specifically, as shown in FIG. 3, the holding drive source 39 drives the operation shaft 38, and by driving the operation shaft 38, one holding rod 35 a is rotated and retracted, and the substrate W is moved into the processing tank. It is carried into 1. For example, a plurality of substrates W in a standing posture with a space between the substrates W are accommodated in a rotating drum 32 inside the processing tank 1 by a substrate loading robot (not shown). When the plurality of substrates W are accommodated and held on the rotating drum 32, the cover (not shown) of the processing tank 1 is closed (the cover closing is completed at time t2 shown in FIG. 5).
[0060]
  Next, the rotation of the substrate W is started at time t2. Specifically, as shown in FIG. 3, the rotating shaft 33 rotates by rotating the motor 37, and the rotating drum 32 rotates as the rotating shaft 33 rotates. The rotating drum 32 rotates at about 30 rpm, for example. That is, the plurality of substrates W are rotated at about 30 rpm in the circumferential direction (direction a indicated by an arrow in FIG. 1). Simultaneously with the rotation of the rotating drum 32, that is, at time t2, the supply of pure water into the processing tank 1 by the liquid supply system 2 is also started. Specifically, the open / close valve 14 of the pure water introduction pipe 12 is opened, pure water from a pure water supply source is supplied to the in-line mixing valve 11, and the treatment tank is connected via the common introduction pipe 13 and the liquid injection pipe 21. 1 is supplied. In addition, the temperature of the pure water supplied in the processing tank 1 in this time is normal temperature (about 25 degreeC), for example.
[0061]
  Next, a predetermined amount of pure water is supplied into the processing tank 1, and excess pure water supplied into the processing tank 1 is discharged from the processing liquid discharge port 24 to the outside of the tank. Then, as shown in FIG. 5, when the pure water fixed level is reached (time t3), the on-off valve 76 of the processing liquid resupply pipe 72 is opened, and the pump 73 of the circulation system 71 is operated to process the processing tank 1. The pure water discharged from the liquid discharge port 24 is circulated so as to be supplied again to the treatment tank 1 via the treatment liquid resupply pipe 72, and the temperature rise of the pure water by the treatment liquid temperature raising unit 74 is started. Due to the temperature rise by the treatment liquid temperature raising unit 74, the temperature of the pure water is higher than normal temperature (for example, 25 ° C.) and is slightly lower than a predetermined temperature (for example, 100 ° C.) within the range of the maximum boiling point (for example, 100 ° C. or less). Temperature).
[0062]
  Furthermore, when the pure water fixed level is reached (time t3 shown in FIG. 5), the ozone gas supply system 4 starts supplying ozone gas, which has been heated to a predetermined temperature higher than that of pure water, into the treatment tank 1. Is done. Due to the temperature rise by the heater 51, the ozone gas is heated to a predetermined temperature within a range of, for example, 200 ° C. or less, which is higher than the heated pure water (eg, slightly below 100 ° C.). Note that a liquid film made of pure water is formed on the surface taken out from the liquid surface on the surface of the substrate W by reaching the pure water quantitative level and rotating the substrate W as described above. With respect to the formed substrate W, the resist stripping process of the substrate W with ozone gas is started.
[0063]
  That is, the first step in which pure water is brought into contact with the surface of the substrate W to form a liquid film with pure water, and the substrate W on which the liquid film is formed on the surface by the first step is higher than pure water. The second step of surface-treating the substrate W by applying ozone gas at a predetermined temperature is performed simultaneously. Specifically, as shown in FIGS. 1 and 3, the substrate W is rotated in the direction a in a state where the lower half is below the liquid surface and the lower half is immersed in the liquid, A submerged portion of the substrate W is taken out of the liquid by the rotation of the substrate W, and a first step is performed in which a liquid film is formed on the upper half of the substrate W. Since ozone gas is supplied in a state where the first step is being performed, ozone gas having a predetermined temperature higher than that of pure water is applied to the upper half of the substrate W on which the liquid film is formed. The 2nd process of surface-treating is performed.
[0064]
  Here, the action of ozone gas on the upper half of the substrate W on which the liquid film is formed will be described with reference to FIG. FIG. 6A is a schematic diagram showing the surface shape of the part immediately after coming out of the liquid level of the substrate W, and FIG. 6B shows the part shown in FIG. It is a schematic diagram which shows the surface shape of the location in the time of leaving | separating, FIG.6 (c) is a schematic diagram which shows the surface shape of the location just before the location shown to (a) enters under a liquid level.
[0065]
  As shown in FIG. 6A, the surface shape of the portion immediately after coming out of the liquid surface of the substrate W is, for example, a processing liquid (pure water or ozone water described later) on the resist R on the surface of the substrate W. ) Is formed. Then, ozone gas having a predetermined temperature higher than that of the processing liquid is supplied to the substrate W on which the liquid film LF is formed, thereby dissolving the ozone gas in the liquid film LF while thinning the liquid film LF by evaporation. Therefore, the ozone gas can easily move to the interface where the reaction with the resist R occurs, and the reaction can be performed efficiently. For example, as shown in FIG. 6B, the surface shape of the part when the part shown in FIG. 6A is separated from the liquid surface by the rotation of the substrate W is as follows. The liquid film LF shown in FIG. 6B is thinner than the liquid film LF shown in FIG. 6A, and the resist R shown in FIG. 6B is peeled off by ozone dissolved in the liquid film LF. Thus, it is thinner than the resist R in FIG.
[0066]
  Further, as shown in FIG. 6C, the surface shape of the part immediately before the part shown in FIG. 6A enters below the liquid level is as follows. The liquid film LF shown in FIG. 6C is thinner than the liquid film LF shown in FIG. 6B, and the resist R shown in FIG. 6C is formed by ozone dissolved in the liquid film LF. Further, it is peeled off and becomes thinner than the resist R in FIG.
[0067]
  By the way, ozone gas is supplied to the processing tank 1 by the ozone gas supply system 4 only during the ozone gas supply time set in accordance with the processing rate of the substrate W so that the resist is sufficiently peeled over the entire surface of the substrate W. Done. Further, as shown in FIG. 5, while ozone gas is being supplied to the processing tank 1 by the ozone gas supply system 4, the rotation of the substrate W and the processing liquid into the processing tank 1 (pure liquid at the start of circulation). Both water circulation and temperature rise are continuously performed. As described above, the rotary drum 32 shown in FIG. 3 is rotationally driven in a state where about half is immersed in the pure water in the treatment tank 1, and the rotary drum 32 has fins 7 having a large number of through holes 6. Is provided.
[0068]
  As the rotating drum 32 rotates, the fins 7 also rotate in the same direction (direction a) as the rotating drum 32, so that ozone gas is positively dissolved in pure water by this rotating action. . Therefore, at the start of circulation, pure water is circulated to the treatment tank 1 by the circulation system 71. After the start, the ozone gas supplied into the treatment tank 1 is used as the pure water in the treatment tank 1. Therefore, the ozone water is circulated to the treatment tank 1 by the circulation system 71. As a result, the reaction with ozone in the ozone water occurs even during the immersion in the ozone water, and the portion where the substrate W is immersed in the ozone water can also be reacted with the ozone in the ozone water. The reaction rate is further improved. As described above, the ozone gas supplied into the processing tank 1 is dissolved in the liquid film on the surface of the substrate W and also in the heated pure water, and the reaction of the resist is lifted from the liquid surface. This occurs both at a location other than the immersion of the substrate W and at a location where the substrate W is immersed in the ozone water generated by dissolving ozone gas in the heated pure water.
[0069]
  Further, by supplying the heated ozone water to the treatment tank 1, the heated ozone water can be brought into contact with the substrate W to raise the temperature of the substrate W. The reaction rate of substrate surface treatment with ozone can be further improved.
[0070]
  When the ozone gas supply by the ozone gas supply system 4 is performed only during the ozone gas supply time set as described above, the ozone gas supply by the ozone gas supply system 4 is stopped (time t4 shown in FIG. 5), and the ozone gas in the treatment tank 1 and the treatment In order to discharge the liquid (ozone water) to the outside of the tank, the supply of nitrogen gas into the treatment tank 1 is started, and the supply of pure water into the treatment tank 1 is started to wash with pure water (water washing). Process. Specifically, the open / close valve 54 of the ozone gas introduction pipe 52 is closed to stop the supply of ozone gas from the ozone gas supply source to the treatment tank 1, the open / close valve 54 of the nitrogen gas introduction pipe 55 is opened, and the nitrogen gas supply source Is introduced into the treatment tank 1, and ozone gas is discharged from the treatment tank 1. Note that the rotation of the substrate W is continuously performed.
[0071]
  At this time, the nitrogen gas heated by the heater 51 may be supplied into the processing tank 1, but here, for example, the heating operation of the heater 51 is stopped, and the nitrogen to the processing tank 1 is stopped. The temperature of the gas is not increased. Along with the supply of nitrogen gas into the treatment tank 1, the following pure water is supplied. Circulation by the circulation system 71 is stopped, the opening / closing valve 14 of the pure water introduction pipe 12 is opened to start the supply of pure water to the in-line mixing valve 11, the opening / closing valve 27 of the second discharge pipe 26 is opened, and the treatment tank 1 is opened. The pure water is supplied into the treatment tank 1 while the ozone water inside the treatment tank 1 is drained to replace the inside of the treatment tank 1 with ozone water, and the surface of the substrate W is washed with pure water. To process.
[0072]
  When the cleaning of the substrate W is completed, the rotation of the substrate W is stopped (time t5 shown in FIG. 5), the open / close valve 14 of the pure water introduction pipe 12 is closed, and the supply of pure water into the processing tank 1 is stopped. However, since the on-off valve 27 remains open, the pure water in the treatment tank 1 is drained. Since the rotation of the substrate W is stopped in the case of pure water waste liquid, the pure water is not scattered in all directions, and the waste liquid is smoothly performed. When the pure water waste liquid in the processing tank 1 is finished, a cover (not shown) of the processing tank 1 is opened and a plurality of processed substrates W are unloaded from the processing tank 1 (shown in FIG. 5). The unloading is completed at time t6), and the next process is carried. Specifically, the holding drive source 39 shown in FIG. 3 drives the operation shaft 38, and by driving the operation shaft 38, one holding rod 35 a is rotated and retracted, and the substrate W is processed from the processing tank 1. Can be unloaded. A substrate unloading robot (not shown) unloads a plurality of processed substrates W from the rotating drum 32 inside the processing tank 1 in a standing position with a space between the substrates W, and proceeds to the next process. Transport. It should be noted that after the above cleaning process and before the substrate W is carried out, the supply of pure water is stopped and the pure water is discharged to the outside of the tank, with respect to the rotating substrate W in the processing tank 1. The substrate W may be spin-dried by supplying only nitrogen gas.
[0073]
  According to the substrate processing apparatus according to the first embodiment described above, the substrate liquid film forming means (the processing tank 1 of the processing tank 1) forms a liquid film by bringing a processing liquid (pure water or ozone water) into contact with the surface of the substrate W. A portion of the liquid supply system 2 and the substrate rotation holding mechanism 31), and ozone gas having a predetermined temperature higher than that of the processing liquid acts on the substrate W on which the liquid film is formed on the surface by the substrate liquid film forming means. Since the substrate surface treatment means (comprising part of the treatment tank 1 and the ozone gas supply system 4) for treating the surface of the substrate W is provided, the first and second steps can be performed. By forming a liquid film with pure water or ozone water on the surface of the substrate, reaction with an organic substance such as a resist on the surface of the substrate W, which is an extremely thin laminar flow portion of the surface of the substrate W inside the liquid film Can control the thinning of the film that governs the temperature of the processing solution. By that also was allowed to warm to higher predetermined temperature ozone gas to act on the the substrate W, can promote the dissolution of ozone into the boundary layer on the surface of the substrate W, it is possible to increase the dissolved ozone concentration.
[0074]
  In addition, heat is applied to the liquid film by ozone heated higher than the treatment liquid, so that the treatment liquid can be evaporated to further thin the boundary film, and the ozone in the boundary film can be easily diffused. The processing reaction speed can be increased, the processing time can be shortened, and high throughput can be realized.
[0075]
  In addition, since the liquid film formation on the substrate W and the action of ozone gas on the substrate W can be performed simultaneously in the processing tank 1, the first and second steps can be performed at the same time on the substrate W. Compared with the case where ozone is applied to the substrate W after the liquid film formation on the substrate is completed, the processing time of the surface of the substrate W by ozone can be further shortened, and higher throughput can be achieved.
[0076]
  Moreover, since the liquid film is formed on the surface of the substrate W by immersing the substrate W in the processing liquid and then taking out from the processing liquid, the liquid film can be suitably formed on the surface of the substrate W.
[0077]
  In addition, the processing tank 1 rotates the substrate W in a state where the processing liquid is in contact with a part of the substrate W, and changes the processing liquid contact portion of the substrate W with the rotation, thereby changing the liquid film over the entire surface of the substrate W. The surface of the substrate W is treated by applying ozone gas having a predetermined temperature higher than that of the processing liquid to the substrate W that is rotated after the liquid film is formed. A configuration in which the formation of the liquid film and the action of ozone on the substrate W can be realized at the same time, and the processing time of the surface of the substrate W by ozone can be shortened.
[0078]
  Specifically, the treatment tank 1 that receives the treatment liquid and stores a predetermined amount of the treatment liquid and the treatment liquid immersion location of the substrate W are changed to form a liquid film over the entire surface of the substrate W. A substrate rotation holding mechanism 31 that rotates the substrate W in a state in which a part of the substrate W is immersed in the processing liquid in the tank 1, and the processing tank 1 is formed in the processing tank 1 by the substrate rotation holding mechanism 31. Since the substrate W is surface-treated by applying ozone gas at a predetermined temperature higher than that of the processing liquid to a portion other than the processing liquid immersion portion of the rotated substrate W, a part of the substrate W is immersed in the processing liquid. Even if it is the type which carries out, the structure which performs simultaneously the formation of the liquid film on the board | substrate W and the effect | action of ozone to this board | substrate W can be implement | achieved, and the processing time of the substrate surface by ozone can be shortened.
[0079]
  In addition, the substrate rotation holding mechanism includes a rotating drum 32 that holds the substrate W in a predetermined posture in the processing tank 1 and fins 7 provided in the rotating drum 32 and having a large number of through holes 6. 31 rotates the fins 7 by rotating the rotary drum 32 so as to rotate the substrate W, and ozone is dissolved in the processing liquid in the processing tank 1 by the rotating action of the fins 7. Ozone can be actively dissolved in the treatment liquid, and can react with ozone in the treatment liquid even during immersion in the treatment liquid, and the location where the substrate W is immersed in the treatment liquid is also this. It can be made to react with ozone in the treatment liquid, and the reaction rate of substrate surface treatment with ozone can be further improved.
[0080]
  Further, the ozone gas is heated by the heater 51 and supplied to the treatment tank 1 from each gas ejection hole 58 of the gas introduction pipe 57, so that the heated ozone gas that acts on the substrate W can be suitably supplied and the temperature is raised. The boundary film on the surface of the substrate W can be thinned by the ozone gas, the diffusion of ozone in the boundary film is facilitated, and the reaction rate of the surface treatment of the substrate W by ozone can be increased.
[0081]
  Further, since the circulation system 71 circulates the treatment liquid so that the treatment liquid discharged from the treatment tank 1 is returned to the treatment tank 1 and reused for the surface treatment of the substrate W, the utilization efficiency of the treatment liquid is improved. The amount of processing solution used can be reduced to the minimum necessary.
[0082]
  Further, since the processing liquid temperature raising unit 74 raises the processing liquid to a predetermined temperature and supplies it to the processing tank 1, the temperature of the substrate W can be increased by the heated processing liquid. The reaction rate of the substrate surface treatment with ozone of the substrate W is further improved by raising the temperature.
[0083]
    <Second embodiment>
  Next, a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a block diagram showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention has the same configuration as that of the first embodiment described above except for the pressurizing unit 81 shown in FIG. 7, and has the same configuration as that of the first embodiment described above. Are given the same reference numerals. In the second embodiment, detailed description of the configuration other than the pressurizing unit 81 is omitted.
[0084]
  As shown in FIG. 7, the pressurizing unit 81 is configured to perform a liquid film formation on the substrate W and an action of ozone gas on the substrate W in the processing tank 1 at atmospheric pressure (= 0.1 megapascal [MPa]). ) For a treatment under a predetermined pressure higher than (a pressure up to the maximum ozone gas pressure). Instead of the on-off valve 62 of the exhaust system 5 of the first embodiment described above, A pressure adjustment valve 82 for adjusting the pressure is provided. The pressurizing unit 81 restricts the exhaust amount from the pressure adjustment valve 82 when ozone gas is supplied into the processing tank 1 by the ozone gas supply system 4 so that the pressure in the processing tank 1 is higher than the atmospheric pressure. The maximum ozone gas pressure (for example, a gas pressure such as 0.3 megapascal [MPa] or 0.5 megapascal [MPa]) can be obtained. Note that the pressurization by the pressurization unit 81 is performed, for example, between time t3 and time t4 in the time chart shown in FIG. In addition, the pressurization part 81 mentioned above corresponds to the pressurization means in this invention.
[0085]
  According to the substrate processing apparatus according to the second embodiment described above, the formation of the liquid film on the substrate W and the action of ozone gas on the substrate W in the processing tank 1 are performed under a predetermined pressure higher than the atmospheric pressure. Since the pressurizing part 81 for performing the process is provided, the liquid film formation on the substrate W and the surface treatment with ozone can be performed under a pressure higher than the atmospheric pressure, and the dissolved ozone concentration and pure water The boiling point of the solution can be increased, the solubility of ozone dissolved in the liquid film on the surface of the substrate W can be further increased, the dissolved ozone concentration in the boundary film is increased, and the ozone is further increased. The reaction rate of the substrate surface treatment can be improved.
[0086]
    <Third embodiment>
  Next, a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a block diagram showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention has the same configuration as that of the above-described first embodiment except that the processing tank wall surface temperature raising portion 91 shown in FIG. 8 is provided. Components having the same configuration as the example are denoted by the same reference numerals. In the third embodiment, a detailed description of the configuration other than the processing tank wall surface temperature raising unit 91 is omitted.
[0087]
  As shown in FIG. 8, the processing tank wall surface temperature increasing unit 91 increases the wall temperature of ozone in the processing tank 1 that causes the substrate W to act in an ozone atmosphere to a predetermined temperature. It is provided on the upper half side. A plurality of (for example, ten) processing tank wall surface temperature raising portions 91 are arranged on the arc-shaped side wall on the upper half side of the processing tank 1 so as to face in the horizontal direction (the central axis direction of the cylindrical processing tank 1). A halogen lamp 92 is provided. These halogen lamps 92 irradiate light on the arc-shaped side wall on the upper half side of the processing tank 1 and raise the temperature of the wall surface in contact with ozone in the processing tank 1 to a predetermined temperature by light irradiation. Note that the temperature increase of the wall surface of the processing tank 1 by these halogen lamps 92 is performed, for example, between time t2 and time t4 in the time chart shown in FIG. 5 described in the first embodiment. In the third embodiment, the halogen lamp 92 is employed as the processing tank wall surface temperature raising portion 91, but a heater or the like may be employed. In addition, the processing tank wall surface temperature rising part 91 mentioned above is equivalent to the wall surface temperature rising means in this invention.
[0088]
  According to the substrate processing apparatus according to the third embodiment described above, the processing tank wall surface temperature raising portion 91 that raises the wall surface in contact with ozone in the processing tank 1 that causes the substrate W to act in an ozone atmosphere to a predetermined temperature. Therefore, the ozone supplied to the treatment tank 1 comes into contact with the low-temperature wall surface of the treatment tank 1, so that the temperature of the ozone is lowered and the ozone dissolves into the boundary film on the surface of the substrate W. Can be reduced.
[0089]
  The present invention can be modified as follows.
  <Modification>
  (1) In each of the embodiments described above, pure water is supplied to the treatment tank 1 to form a liquid film of pure water on the surface of the substrate W, and ozone gas is allowed to act on the substrate W on which the liquid film is formed. Although the substrate W is surface-treated, a solution (for example, hydrochloric acid or acetic acid) that lowers the pH (hydrogen ion index) is added to the pure water supplied to the treatment tank 1 to lower the pH of the pure water. The solubility of ozone in pure water may be increased.
[0090]
  (2) In each of the above-described embodiments, when the surface treatment of the substrate W is performed with ozone gas, the heated processing liquid (pure water or ozone water) is supplied to the processing tank 1 to increase the temperature of the substrate W. However, for example, a treatment liquid at a normal temperature of about 25 ° C. may be supplied to the treatment tank 1 without raising the temperature of the treatment liquid. In this case, the same effects as those of the above-described embodiments are obtained except that the effect of improving the reaction rate by raising the temperature of the substrate W cannot be obtained.
[0091]
  (3) In each of the above-described embodiments, ozone gas is supplied into the processing tank 1 by one gas injection pipe 57. However, a plurality of gas injection pipes 57 are provided on the upper part of the processing tank 1. The ozone gas may be supplied into the processing tank 1 through these gas injection pipes 57. In addition, a processing liquid (pure water or the like) is supplied into the processing tank 1 through a single liquid injection pipe 21, but a plurality of liquid injection pipes 21 are disposed at the bottom of the processing tank 1. Alternatively, the processing liquid may be supplied into the processing tank 1 through the liquid injection pipe 21.
[0092]
  (4) In each of the embodiments described above, the processing liquid is reused by supplying the processing liquid discharged from the processing tank 1 to the processing tank 1 again by using the circulation system 71, but it is particularly necessary. If not, the circulation system 71 may not be provided.
[0093]
  (5) In each of the above-described embodiments, the first step and the second step are performed at the same time, but the second step is performed after the first step, or the second step is performed after the first step a predetermined number of times. It is also possible to repeat the process. The configuration for performing the second step after the first step is as follows. For example, as shown in FIG. 9, the substrate W is held in a horizontal posture by the vacuum chuck portion 101 in the processing tank 1, and the nozzle 102 that discharges the processing liquid (pure water or the like) is horizontally moved, for example, A processing liquid (pure water or the like) is supplied to the surface for a predetermined time to form a liquid film by the processing liquid on the surface of the substrate W, and then a liquid film is formed by the gas injection pipe 57 of the ozone gas supply system 4. Ozone gas may be supplied to the substrate W formed. This operation may be repeated for a predetermined number of times. It is more preferable to heat the back surface of the substrate W by the heater unit 103 provided in the vacuum chuck unit 101 and raise the temperature. In the above description, the vacuum chuck unit 101 is not rotated and the nozzle 102 is moved horizontally. However, the nozzle 102 is fixed in position, the processing liquid is discharged from the nozzle 102 onto the substrate W, and the vacuum chuck unit 101 is moved to FIG. Further, a liquid film made of a processing liquid may be formed on the surface of the substrate W by rotating as indicated by a one-dot chain line.
[0094]
  (6) In each of the above-described embodiments, the processing tank 1 is of a type in which a part of the rotating substrate W is immersed in a processing solution (pure water or the like), but the rotating substrate W is rotated by a nozzle or the like. A shower method (non-immersion method) that supplies ozone gas to the substrate W on which the liquid film is formed while supplying a treatment liquid (pure water, etc.) to the substrate W while forming a liquid film on the surface of the substrate W It is also good. It is preferable that the processing liquid such as pure water supplied from the nozzle is supplied to the substrate W as the processing liquid heated to a predetermined temperature so as to raise the temperature of the substrate W.
[0095]
  (7) In the above-described embodiment, the substrate W is surface-treated only with ozone water. However, in order to generate active species such as OH radicals having a high reaction rate with respect to organic substances such as a resist, an in-mixing valve is used. 11, a desired chemical solution (for example, hydrogen peroxide solution) may be mixed with ozone water and added, or megasonic (ultrasonic) irradiation, UV (ultraviolet) irradiation, radiation irradiation, or the like may be added to ozone water. good.
[0096]
  (8) In the above-described embodiment, in order to increase the half-life of ozone water, a chemical solution such as an acid having a low pH (hydrochloric acid, hydrofluoric acid, etc.), or a carbonate ion (CO) as a scavenger (consumable substance) for OH radicals.3 2-), Bicarbonate ion (HCO3 2-A chemical solution such as carbonic acid or carboxylic acid may be added to the ozone water by the in-line mixing valve 11.
[0097]
  (9) In the above-described embodiment, the processing tank 1 is a batch process for processing a plurality of substrates W at a time, but the processing tank 1 is a single wafer process for processing the substrates W one by one. It can also be applied to
[0098]
【The invention's effect】
  As apparent from the above description, according to the invention described in claim 1,A substrate liquid film forming means for forming a liquid film by bringing a processing liquid into contact with the surface of the substrate, and a predetermined temperature range higher than that of the processing liquid on the substrate on which the liquid film is formed on the surface by the substrate liquid film forming means Since the substrate surface treatment means for treating the surface of the substrate by applying ozone as a gas in a range higher than 100 ° C. and lower than 200 ° C. is used, the substrate reacts with organic substances such as resist. It is possible to control the thinning of the governing film, so that the dissolution of ozone into the film on the substrate surface can be promoted, and the dissolved ozone concentration can be increased. In addition, heat is applied to the liquid film by ozone heated higher than the treatment liquid, so that the treatment liquid can be evaporated to further thin the boundary film, and the ozone in the boundary film can be easily diffused. The reaction rate of the treatment can be increased. As a result, processing time can be shortened and high throughput can be realized. In addition, the substrate liquid film forming means is configured to change a processing liquid immersion portion of the substrate while holding the substrate in an upright position in the processing tank in which the processing liquid is supplied and containing a predetermined amount of the processing liquid. And a substrate rotating means for rotating the substrate in a state where a part of the substrate is immersed in the processing liquid in the processing tank so as to form a liquid film over the entire surface of the substrate. Since this substrate is surface-treated by applying ozone as a gas having a predetermined temperature higher than that of the treatment liquid to a portion other than the treatment liquid immersion portion of the substrate rotated in the treatment tank by means, a part of the substrate Even if the type is soaked in a processing solution, it is possible to realize a configuration in which the formation of a liquid film on the substrate and the action of ozone on the substrate are performed simultaneously, and the processing time of the substrate surface with ozone can be shortened.
[0099]
  (Delete)
[0100]
  (Delete)
[0101]
  (Delete)
[0102]
  Claims2According to the invention described in the above, since the liquid film formation on the substrate by the substrate liquid film forming means and the action of ozone as a gas to the substrate by the substrate surface processing means are performed at the same time, The processing time can be shortened compared to the case where ozone is applied to the substrate after the formation of the liquid film on the substrate is completed, and higher throughput can be achieved.
[0103]
  (Delete)
[0104]
  (Delete)
[0105]
  (Delete)
[0106]
  Claims3According to the invention described in (4), the substrate rotating means moves the substrate in the processing tank.StandingA holding means for holding in a posture state and a blade member provided in the holding means and formed with a large number of through holes are provided. The substrate rotating means is accompanied by rotationally driving the holding means so as to rotate the substrate. The blade member is rotated, and ozone is dissolved in the processing liquid in the processing tank by the rotating action of the blade member, so that ozone can be actively dissolved in the processing liquid and immersed in the processing liquid. Also, the reaction with ozone in the treatment liquid occurs, that is, the part where the substrate is immersed in the treatment liquid can be reacted with ozone in the treatment liquid, and the reaction speed of substrate surface treatment with ozone is further improved. To do.
[0107]
  Claims4According to the invention described in (2), since the heating means raises the ozone as a gas and supplies it to the substrate surface treatment means, it is possible to suitably supply the heated ozone that acts on the substrate. The film on the substrate surface can be thinned, ozone can be easily diffused in the film, and the reaction rate of substrate surface treatment with ozone can be increased.
[0108]
  Claims5According to the invention described in the above, the circulation means circulates the treatment liquid so that the treatment liquid discharged from the substrate liquid film formation means is returned to the substrate liquid film formation means and reused for the surface treatment of the substrate. The use efficiency of the processing liquid can be improved, and the amount of the processing liquid used can be reduced to a necessary minimum.
[0109]
  Claims6According to the invention described in (4), since the processing liquid temperature raising means raises the temperature of the processing liquid supplied to the substrate liquid film forming means to a predetermined temperature, the temperature of the substrate is raised by the heated processing liquid. The reaction rate of the substrate surface treatment with ozone of the substrate can be further improved by raising the temperature of the substrate.
[0110]
  Claims7According to the invention described in the above, the processing unit is configured to perform a liquid film formation on the substrate by the substrate liquid film forming unit and an action of ozone as a gas on the substrate by the substrate surface processing unit, which is higher than the atmospheric pressure. Is equipped with a pressurizing means for processing under pressure, so that the solubility of ozone dissolved in the liquid film on the substrate surface can be further increased, and the dissolved ozone concentration in the boundary film is increased, Further, the reaction speed of substrate surface treatment with ozone can be improved, and the processing time can be shortened and high throughput can be realized.
[0111]
  Claims8According to the present invention, the wall surface temperature raising means raises the wall temperature in contact with ozone in the treatment part that causes the substrate to act in an ozone atmosphere to a predetermined temperature, so that the ozone supplied to the treatment part is subjected to this treatment. By contacting the wall surface having a low temperature, the ozone temperature can be reduced and the ozone dissolution in the boundary film on the substrate surface can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an external perspective view showing a schematic configuration of a processing tank of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a processing tank of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4A is a schematic side view of a rotating drum in a treatment tank, and FIG. 4B is a schematic front view of fins provided on a holding drum of the rotating drum shown in FIG.
FIG. 5 is a time chart for explaining the flow of each operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIGS. 6A to 6C are schematic diagrams showing surface shapes of an arbitrary portion of a substrate immediately after coming out of the liquid surface, when leaving the liquid surface, and immediately before entering the liquid surface, respectively. .
FIG. 7 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic side view showing a configuration of a main part of a substrate processing apparatus different from the first to third embodiments of the present invention.
[Explanation of symbols]
    1 ... Processing tank
    2 ... Liquid supply system
    4 ... Ozone gas supply system
    6 ... Through hole
    7 ... Fins
  31 ... Substrate rotation holding mechanism
  32 ... Rotating drum
  51… Heater
  71… Circulation system
  74 ... Treatment liquid temperature riser
  81: Pressurizing part
  91… treatment tank wall surface temperature riser
    W ... Substrate

Claims (8)

基板を表面処理する処理部を備えた基板処理装置において、
前記処理部は、
基板の表面上に処理液を接触させて液膜を形成する基板液膜形成手段と、
前記基板液膜形成手段により表面上に液膜が形成された基板に、処理液よりも高い所定温度範囲内としての１００℃よりも高く２００℃以下の範囲内の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理する基板表面処理手段と
を備え、
前記基板液膜形成手段は、
処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、
前記処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、基板の処理液浸漬箇所を変更させて、基板全面にわたって液膜を形成させるように、前記処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態で基板を回転させる基板回転手段とを備え、
前記基板表面処理手段は、前記基板回転手段により前記処理槽内で回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所に、処理液よりも高い所定温度の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理することを特徴とする基板処理装置。In a substrate processing apparatus provided with a processing unit for surface-treating a substrate,
The processor is
A substrate liquid film forming means for forming a liquid film by bringing a treatment liquid into contact with the surface of the substrate;
Ozone as a gas within a range higher than 100 ° C. and lower than 200 ° C. as a predetermined temperature range higher than that of the processing liquid is allowed to act on the substrate on which the liquid film is formed on the surface by the substrate liquid film forming means. Substrate surface treatment means for surface treating the substrate ,
The substrate liquid film forming means includes
A processing tank that is supplied with the processing liquid and stores a predetermined amount of the processing liquid;
While holding the substrate in an upright position in the processing tank, a part of the substrate in the processing liquid in the processing tank is formed so that a liquid film is formed over the entire surface of the substrate by changing the location where the processing liquid is immersed in the substrate. A substrate rotating means for rotating the substrate in a state where the substrate is immersed,
The substrate surface treatment means acts by applying ozone as a gas having a predetermined temperature higher than that of the treatment liquid to a place other than the treatment liquid immersion place in the substrate rotated in the treatment tank by the substrate rotation means. A substrate processing apparatus characterized in that a substrate is surface-treated . 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記基板液膜形成手段による基板上への液膜形成と、前記基板表面処理手段による基板への気体としてのオゾンの作用とを同時に行うことを特徴とする基板処理装置。The apparatus according to claim 1,
A substrate processing apparatus, wherein the liquid film formation on the substrate by the substrate liquid film forming means and the action of ozone as a gas on the substrate by the substrate surface processing means are simultaneously performed. 請求項２に記載の基板処理装置において、
前記基板回転手段は、前記処理槽内において基板を起立姿勢状態に保持する保持手段を備え、
多数の貫通孔が形成された羽根部材が前記保持手段に設けられ、
基板を回転させるように前記保持手段を回転駆動することに伴って前記羽根部材を回転させて、前記羽根部材の回転作用によって前記処理槽内の処理液中にオゾンを溶解させることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 2 ,
The substrate rotating means includes holding means for holding the substrate in an upright posture in the processing tank,
A blade member in which a large number of through holes are formed is provided in the holding means,
The blade member is rotated as the holding means is rotated so as to rotate the substrate, and ozone is dissolved in the processing liquid in the processing tank by the rotating action of the blade member. Substrate processing equipment. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部は、気体としてのオゾンを前記基板表面処理手段に供給する経路にこのオゾンを昇温するための加熱手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3 ,
The said processing part is equipped with the heating means for heating up this ozone in the path | route which supplies ozone as gas to the said substrate surface processing means, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板液膜形成手段から排出された処理液を前記基板液膜形成手段に戻して基板の表面処理に再利用するように、処理液を循環させる循環手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-4 ,
A substrate having circulation means for circulating the processing liquid so that the processing liquid discharged from the substrate liquid film forming means is returned to the substrate liquid film forming means and reused for surface treatment of the substrate; Processing equipment. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板液膜形成手段に供給される処理液を所定の温度に昇温させる処理液昇温手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-5 ,
A substrate processing apparatus, comprising: a processing liquid temperature raising means for raising the temperature of the processing liquid supplied to the substrate liquid film forming means to a predetermined temperature. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部は、前記基板液膜形成手段による基板上への液膜形成と、前記基板表面処理手段による基板への気体としてのオゾンの作用とを、大気圧よりも高い所定の加圧下で処理を行うための加圧手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-6 ,
The processing section processes the liquid film formation on the substrate by the substrate liquid film forming means and the action of ozone as a gas to the substrate by the substrate surface processing means under a predetermined pressure higher than atmospheric pressure. A substrate processing apparatus comprising a pressurizing unit for performing the above. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板をオゾン雰囲気中で作用させる前記処理部の壁面を所定温度に昇温する壁面昇温手段
を備えていることを特徴とする基板処理装置。The apparatus according to any one of claims 1 to 7,
A substrate processing apparatus, comprising: a wall surface temperature raising means for raising the wall surface of the processing section that causes the substrate to act in an ozone atmosphere to a predetermined temperature.
JP2001243599A 2001-08-10 2001-08-10 Substrate processing equipment Expired - Lifetime JP3976088B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001243599A JP3976088B2 (en) 2001-08-10 2001-08-10 Substrate processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001243599A JP3976088B2 (en) 2001-08-10 2001-08-10 Substrate processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003059879A JP2003059879A (en) 2003-02-28
JP3976088B2 true JP3976088B2 (en) 2007-09-12

Family

ID=19073672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001243599A Expired - Lifetime JP3976088B2 (en) 2001-08-10 2001-08-10 Substrate processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3976088B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4526374B2 (en) 2004-03-30 2010-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP5317529B2 (en) 2008-05-02 2013-10-16 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 Semiconductor wafer processing method and processing apparatus
JP5625546B2 (en) * 2010-06-29 2014-11-19 株式会社Sumco Wafer etching jig

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003059879A (en) 2003-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4811877B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer-readable recording medium
TWI547765B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20020066464A1 (en) Processing a workpiece using ozone and sonic energy
US10032658B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
KR20070041342A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2008034779A (en) Method and equipment for processing substrate
CN110875177B (en) Substrate processing apparatus and method
JP2008235341A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2001110773A (en) Cleaning device, cleaning system, processing device and cleaning mehtod
JP2001176855A (en) Method and system for processing substrate
JP2004235559A (en) Method and device for substrate processing
JP3976088B2 (en) Substrate processing equipment
JP3841641B2 (en) Substrate processing equipment
JP4459774B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer program
JPH0656833B2 (en) Substrate resist removal cleaning method and apparatus
JP2020170808A (en) Processing liquid generation device, substrate processing device, processing liquid generation method and substrate processing method
JP2006181426A (en) Apparatus and method for treatment of substrate
JP7142461B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
JP2005142309A (en) Substrate cleaning method, apparatus, and system
JP2003077885A (en) Substrate treatment device
JP2004303967A (en) Substrate treatment apparatus and method therefor
JP6710582B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium
JP2002280339A (en) Method of processing substrate, and apparatus thereof
WO2023223768A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2023127217A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051018

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051209

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060322

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060512

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060518

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20060616

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070612

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3