JP7195084B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

特許文献１に記載されている基板処理装置は、ウェット処理ユニットを備える。ウェット処理ユニットはウェットエッチング処理を実行する。具体的には、ウェットエッチング処理は、ウェハ搬入工程と、回転開始工程と、自然酸化膜除去工程と、第１リンス工程と、犠牲膜プリエッチング工程と、第２リンス工程と、乾燥工程と、ウェハ搬出工程とを含む。 A substrate processing apparatus described in Patent Document 1 includes a wet processing unit. A wet processing unit performs a wet etching process. Specifically, the wet etching process includes a wafer loading process, a rotation starting process, a natural oxide film removing process, a first rinsing process, a sacrificial film pre-etching process, a second rinsing process, a drying process, and a wafer unloading step.

ウェハ搬入工程及び回転開始工程が実行された後、自然酸化膜除去工程では、ウェハの表面にＤＨＦ（希フッ酸）を供給して、ウェハから自然酸化膜を除去する。そして、第１リンス工程では、ウェハの表面にリンス液を供給して、自然酸化膜の残留物を洗い流す。さらに、犠牲膜プリエッチング工程では、ウェハの表面にエッチング液を供給して、ウェハから犠牲膜の一部を除去する。具体的には、ウェハの表面には、凹部を含むパターンが形成されている。そして、犠牲膜プリエッチング工程では、凹部にエッチング液を進入させて、パターンとシリコン基板との間に形成された犠牲膜の一部を除去する。そして、第２リンス工程、乾燥工程、及びウェハ搬出工程が実行される。 After the wafer loading process and the rotation start process are performed, in the natural oxide film removing process, DHF (dilute hydrofluoric acid) is supplied to the surface of the wafer to remove the natural oxide film from the wafer. Then, in the first rinsing step, a rinsing liquid is supplied to the surface of the wafer to wash away the residue of the natural oxide film. Furthermore, in the sacrificial film pre-etching step, an etchant is supplied to the surface of the wafer to partially remove the sacrificial film from the wafer. Specifically, a pattern including recesses is formed on the surface of the wafer. Then, in the sacrificial film pre-etching step, an etchant is made to enter the recess to partially remove the sacrificial film formed between the pattern and the silicon substrate. Then, a second rinsing process, a drying process, and a wafer unloading process are performed.

特開２０１５－８８６１９号公報JP 2015-88619 A

しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、犠牲膜プリエッチング工程の実行時に、第１リンス工程で供給されたリンス液が、ウェハの表面に形成されたパターンの凹部に残存し得る。 However, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, the rinsing liquid supplied in the first rinsing process may remain in the recesses of the pattern formed on the surface of the wafer during the sacrificial film pre-etching process. .

特に近年、基板に形成されるパターンの微細化が進んで、パターンのアスペクト比（凹部の幅に対する深さの比率）が高くなったり、パターンの形状が複雑になったりしている。従って、仮にパターンの凹部にリンス液が残存している状態で凹部にエッチング液を供給すると、リンス液の影響によって、凹部の深さ方向においてエッチング液に濃度勾配が発生し得る。具体的には、エッチング液の供給当初では、エッチング液の濃度が、凹部の浅い位置から深い位置に向かって低くなり得る。従って、エッチング液が凹部の深い位置に浸透するためには、リンス液中への濃度勾配によるエッチング液の拡散の時間が必要になり得る。その結果、エッチング液の拡散の時間を確保してプロセスを定めていない場合は、ウェハに対するエッチング効果が若干低下する可能性がある。 Especially in recent years, the pattern formed on the substrate has become finer, the aspect ratio of the pattern (ratio of the depth to the width of the concave portion) has increased, and the shape of the pattern has become more complicated. Therefore, if the etchant is supplied to the concave portions while the rinse liquid remains in the concave portions of the pattern, the concentration gradient of the etchant may occur in the depth direction of the concave portions due to the influence of the rinse liquid. Specifically, when the etchant is initially supplied, the concentration of the etchant may decrease from the shallow position to the deep position of the recess. Therefore, in order for the etchant to penetrate deep into the recesses, it may take time for the etchant to diffuse into the rinse liquid due to the concentration gradient. As a result, if the process is not determined by ensuring time for diffusion of the etchant, the etching effect on the wafer may be slightly reduced.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に対するエッチング効果の低下を抑制できる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing a decrease in etching effect on a substrate.

本発明の一局面によれば、基板処理方法では、凹部を含むパターンを有する基板が処理される。基板処理方法は、前記基板を処理液で処理する処理工程と、前記処理工程の後に、前記凹部に入り込んでいる前記処理液を前記基板から除去する除去工程と、前記除去工程の後に、前記基板をエッチング液でエッチングするエッチング工程とを含む。前記エッチング工程では、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記エッチング液の流動によって前記凹部の内部に前記エッチング液を進入させることで、エッチングを行う。 According to one aspect of the present invention, in a substrate processing method, a substrate having a pattern including recesses is processed. The substrate processing method includes a processing step of processing the substrate with a processing liquid, a removing step of removing the processing liquid that has entered the concave portion from the substrate after the processing step, and a step of removing the processing liquid from the substrate after the removing step. is etched with an etchant. In the etching step, etching is performed by causing the etchant to enter the interior of the recessed portion due to the flow of the etchant in a state in which the processing liquid has been removed from the recessed portion.

本発明の基板処理方法において、前記除去工程では、前記基板を乾燥して、前記凹部に入り込んでいる前記処理液を除去することが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that in the removing step, the substrate is dried to remove the processing liquid that has entered the recess.

本発明の基板処理方法において、前記処理工程は、前記基板を薬液で処理する薬液工程と、前記処理液としてのリンス液によって前記基板から前記薬液を洗い流すリンス工程とを含むことが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, the processing step preferably includes a chemical solution step of treating the substrate with a chemical solution, and a rinse step of washing away the chemical solution from the substrate with a rinse solution as the treatment solution.

本発明の基板処理方法において、前記薬液工程では、前記基板に形成された自然酸化膜を前記薬液によって除去することが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that, in the chemical solution step, a native oxide film formed on the substrate is removed with the chemical solution.

本発明の基板処理方法において、前記処理工程と前記除去工程と前記エッチング工程とは、複数の槽を備える基板処理装置の外部に前記基板を出すことなく、前記基板処理装置の内部で実行される一連の工程であることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, the processing step, the removing step, and the etching step are performed inside a substrate processing apparatus having a plurality of tanks without exposing the substrate to the outside of the substrate processing apparatus. A series of steps is preferred.

本発明の基板処理方法において、前記除去工程では、前記複数の槽のうち前記基板が収容されている槽内に水溶性の有機溶剤の蒸気を供給して、前記槽内を減圧することによって前記基板を乾燥することが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, in the removing step, vapor of a water-soluble organic solvent is supplied to a tank containing the substrate among the plurality of tanks to reduce the pressure in the tank. It is preferred to dry the substrate.

本発明の基板処理方法において、前記処理工程と前記除去工程と前記エッチング工程とのうちの少なくとも２以上の工程が、同一槽内で実行されることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that at least two of the processing step, the removing step and the etching step are performed in the same tank.

本発明の基板処理方法において、前記処理工程では、チャンバー内で前記基板を回転させながら、前記処理液を前記基板に供給して前記基板を処理することが好ましい。前記除去工程では、前記チャンバー内で前記基板を回転させながら、前記凹部に入り込んでいる前記処理液を除去することが好ましい。前記エッチング工程では、前記チャンバー内で前記基板を回転させながら、前記エッチング液を前記基板に供給して前記基板をエッチングすることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that in the processing step, the substrate is processed by supplying the processing liquid to the substrate while rotating the substrate within the chamber. Preferably, in the removing step, the processing liquid entering the concave portion is removed while rotating the substrate within the chamber. Preferably, in the etching step, the substrate is etched by supplying the etchant to the substrate while rotating the substrate in the chamber.

本発明の基板処理方法において、前記パターンは、積層膜を含むことが好ましい。前記積層膜は、ポリシリコン膜と酸化シリコン膜とが交互に積層されることで構成されることが好ましい。前記エッチング液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記パターンは、積層膜を含むことが好ましい。前記積層膜は、異なる複数の材料が積層されることで構成されることが好ましい。前記エッチング工程では、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記凹部の側面をエッチングして、前記基板の面方向に複数のリセスを形成することが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記エッチング工程では、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記エッチング液の流動によって前記凹部の半分よりも深い位置まで前記エッチング液を進入させることが好ましい。
本発明の基板処理方法では、前記処理工程を実行する前において、前記凹部の幅に対する深さの比率のことである前記パターンのアスペクト比は２よりも大きいことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記パターンは、前記処理液が入り込んでいる状態での流動による進入の限界位置よりも深い前記凹部を含むことが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that the pattern includes a laminated film. Preferably, the laminated film is formed by alternately laminating a polysilicon film and a silicon oxide film. The etchant preferably contains tetramethylammonium hydroxide.
In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that the pattern includes a laminated film. The laminated film is preferably configured by laminating a plurality of different materials. In the etching step, it is preferable to form a plurality of recesses in the planar direction of the substrate by etching the side surface of the recess in a state in which the processing liquid has been removed from the recess.
In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that in the etching step, the etchant is caused to enter a position deeper than half of the recess by flowing the etchant in a state where the processing liquid has been removed from the recess. .
In the substrate processing method of the present invention, the aspect ratio of the pattern, which is the ratio of the depth to the width of the recess, is preferably greater than 2 before performing the processing steps.
In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that the pattern includes the recesses that are deeper than a limit position of entry due to flow in a state in which the processing liquid has entered.

本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、凹部を含むパターンを有する基板を処理する。基板処理装置は、前記基板を処理する処理部を備える。前記処理部は、前記基板を処理液で処理する。処理部は、前記基板を前記処理液で処理した後に、前記凹部に入り込んでいる前記処理液を前記基板から除去する。処理部は、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、エッチング液の流動によって前記凹部の内部に前記エッチング液を進入させることで、前記基板をエッチングする。
本発明の基板処理装置において、前記パターンは、積層膜を含むことが好ましい。前記積層膜は、異なる複数の材料が積層されることで構成されることが好ましい。前記処理部は、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記凹部の側面をエッチングして、前記基板の面方向に複数のリセスを形成することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記処理部は、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記エッチング液の流動によって前記凹部の半分よりも深い位置まで前記エッチング液を進入させることが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記基板を前記処理液で処理する前において、前記凹部の幅に対する深さの比率のことである前記パターンのアスペクト比は２よりも大きいことが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記パターンは、前記処理液が入り込んでいる状態での流動による進入の限界位置よりも深い前記凹部を含むことが好ましい。 According to another aspect of the invention, a substrate processing apparatus processes a substrate having a pattern including recesses. The substrate processing apparatus includes a processing section that processes the substrate. The processing section processes the substrate with a processing liquid. The processing section removes the processing liquid that has entered the recess from the substrate after processing the substrate with the processing liquid. The processing section etches the substrate by allowing the etchant to enter into the recess due to the flow of the etchant in a state in which the processing liquid has been removed from the recess.
In the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the pattern includes a laminated film. The laminated film is preferably configured by laminating a plurality of different materials. It is preferable that the processing section etches a side surface of the recess to form a plurality of recesses in a surface direction of the substrate in a state in which the processing liquid is removed from the recess.
In the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the processing section allows the etchant to enter a position deeper than half of the recess due to the flow of the etchant in a state where the processing liquid has been removed from the recess. .
In the substrate processing apparatus of the present invention, the aspect ratio of the pattern, which is the ratio of the depth to the width of the recess, is preferably greater than 2 before the substrate is processed with the processing liquid.
In the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the pattern includes the concave portion deeper than the limit position of entry due to flow in a state in which the processing liquid has entered.

本発明によれば、基板に対するエッチング効果の低下を抑制できる基板処理方法及び基板処理装置を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the substrate processing method and substrate processing apparatus which can suppress the deterioration of the etching effect with respect to a board|substrate can be provided.

本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。1 is a schematic plan view showing a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention; FIG. 実施形態１に係る基板処理装置の槽を示す模式的断面図である。2 is a schematic cross-sectional view showing a tank of the substrate processing apparatus according to Embodiment 1; FIG. 実施形態１に係る基板処理装置の別の槽を示す模式的断面図である。4 is a schematic cross-sectional view showing another tank of the substrate processing apparatus according to Embodiment 1; FIG. （ａ）は、実施形態１に係る基板処理装置が処理する基板の第１状態を示す模式的断面図である。（ｂ）は、基板の第２状態を示す模式的断面図である。（ｃ）は、基板の第３状態を示す模式的断面図である。3A is a schematic cross-sectional view showing a first state of a substrate processed by the substrate processing apparatus according to Embodiment 1; FIG. (b) is a schematic cross-sectional view showing a second state of the substrate; (c) is a schematic cross-sectional view showing a third state of the substrate; 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。4 is a flow chart showing a substrate processing method according to Embodiment 1. FIG. 本発明の実施形態２に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention; 実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。6 is a flow chart showing a substrate processing method according to Embodiment 2. FIG.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. Also, in the embodiment of the present invention, the X-axis, Y-axis, and Z-axis are orthogonal to each other, the X-axis and Y-axis are parallel to the horizontal direction, and the Z-axis is parallel to the vertical direction.

（実施形態１）
図１～図５を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。実施形態１に係る基板処理装置１００はバッチ式である。従って、基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを一括して処理する。具体的には、基板処理装置１００は、複数のロットを処理する。複数のロットの各々は複数の基板Ｗからなる。例えば、１ロットは２５枚の基板Ｗからなる。基板Ｗは、例えば、略円板状である。 (Embodiment 1)
A substrate processing apparatus 100 and a substrate processing method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. The substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 1 is of a batch type. Therefore, the substrate processing apparatus 100 processes a plurality of substrates W collectively. Specifically, the substrate processing apparatus 100 processes multiple lots. Each of a plurality of lots consists of a plurality of substrates W. FIG. For example, one lot consists of 25 substrates W. The substrate W is, for example, substantially disc-shaped.

基板Ｗは、例えば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。半導体ウェハは、例えば、三次元フラッシュメモリー（例えば三次元ＮＡＮＤフラッシュメモリー）を形成するためのパターンを有する。 The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, a field emission display (FED) substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, or a photomask. substrate, a ceramic substrate, or a substrate for solar cells. A semiconductor wafer, for example, has patterns for forming a three-dimensional flash memory (eg, a three-dimensional NAND flash memory).

まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す模式的平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の収納部１と、投入部３と、払出部７と、受け渡し機構１１と、バッファユニットＢＵと、搬送機構ＣＶと、処理部ＳＰ１とを備える。処理部ＳＰ１は複数の槽ＴＡを含む。搬送機構ＣＶは、第１搬送機構ＣＴＣと、第２搬送機構ＷＴＲと、副搬送機構ＬＦ１と、副搬送機構ＬＦ２と、副搬送機構ＬＦ３とを含む。処理部ＳＰ１は、乾燥処理部１７と、第１処理部１９と、第２処理部２０と、第３処理部２１とを含む。乾燥処理部１７は、複数の槽ＴＡのうちの槽ＬＰＤ１及び槽ＬＰＤ２を含む。第１処理部１９は、複数の槽ＴＡのうちの槽ＯＮＢ１及び槽ＣＨＢ１を含む。第２処理部２０は、複数の槽ＴＡのうちの槽ＯＮＢ２及び槽ＣＨＢ２を含む。第３処理部２１は、複数の槽ＴＡのうちの槽ＯＮＢ３及び槽ＣＨＢ３を含む。 First, the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic plan view showing a substrate processing apparatus 100. FIG. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of storage units 1, an input unit 3, a dispensing unit 7, a transfer mechanism 11, a buffer unit BU, a transport mechanism CV, and a processing unit SP1. Prepare. The processing part SP1 includes a plurality of tanks TA. The transport mechanism CV includes a first transport mechanism CTC, a second transport mechanism WTR, a sub-transport mechanism LF1, a sub-transport mechanism LF2, and a sub-transport mechanism LF3. The processing section SP1 includes a drying processing section 17, a first processing section 19, a second processing section 20, and a third processing section . The drying processing section 17 includes a tank LPD1 and a tank LPD2 among the plurality of tanks TA. The first processing unit 19 includes a tank ONB1 and a tank CHB1 among the plurality of tanks TA. The second processing section 20 includes a tank ONB2 and a tank CHB2 among the plurality of tanks TA. The third processing section 21 includes a tank ONB3 and a tank CHB3 among the plurality of tanks TA.

複数の収納部１の各々は、複数の基板Ｗを収容する。各基板Ｗは水平姿勢で収納部１に収容される。収納部１は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。 Each of the multiple storage units 1 stores multiple substrates W therein. Each substrate W is accommodated in the accommodating portion 1 in a horizontal posture. The storage unit 1 is, for example, a FOUP (Front Opening Unified Pod).

未処理の基板Ｗを収納する収納部１は、投入部３に載置される。具体的には、投入部３は複数の載置台５を含む。そして、２つの収納部１が、それぞれ、２つの載置台５に載置される。投入部３は、基板処理装置１００の長手方向の一方端に配置される。 A storage unit 1 for storing unprocessed substrates W is placed on a loading unit 3 . Specifically, the input section 3 includes a plurality of mounting tables 5 . Then, the two storage units 1 are mounted on the two mounting tables 5, respectively. The loading section 3 is arranged at one end in the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 .

処理済みの基板Ｗを収納する収納部１は、払出部７に載置される。具体的には、払出部７は複数の載置台９を含む。そして、２つの収納部１が、それぞれ、２つの載置台９に載置される。払出部７は、処理済みの基板Ｗを収納部１に収納して収納部１ごと払い出す。払出部７は、基板処理装置１００の長手方向の一方端に配置される。払出部７は、投入部３に対して、基板処理装置１００の長手方向に直交する方向に対向している。 The storage unit 1 that stores the processed substrates W is placed on the dispensing unit 7 . Specifically, the dispensing section 7 includes a plurality of mounting tables 9 . Then, the two storage units 1 are mounted on the two mounting bases 9, respectively. The delivery unit 7 stores the processed substrates W in the storage unit 1 and delivers the substrates W together with the storage unit 1 . The dispensing section 7 is arranged at one end in the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 . The dispensing section 7 faces the loading section 3 in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 .

バッファユニットＢＵは、投入部３及び払出部７に隣接して配置される。バッファユニットＢＵは、投入部３に載置された収納部１を基板Ｗごと内部に取り込むとともに、棚（不図示）に収納部１を載置する。また、バッファユニットＢＵは、処理済みの基板Ｗを受け取って収納部１に収納するとともに、棚に収納部１を載置する。バッファユニットＢＵ内には、受け渡し機構１１が配置されている。 The buffer unit BU is arranged adjacent to the input section 3 and the dispensing section 7 . The buffer unit BU takes in the storage unit 1 placed on the input unit 3 together with the substrate W, and places the storage unit 1 on a shelf (not shown). Further, the buffer unit BU receives the processed substrate W and stores it in the storage unit 1, and places the storage unit 1 on the shelf. A transfer mechanism 11 is arranged in the buffer unit BU.

受け渡し機構１１は、投入部３及び払出部７と棚との間で収納部１を受け渡す。また、受け渡し機構１１は、受け渡し機構１１と搬送機構ＣＶとの間で基板Ｗのみの受け渡しを行う。具体的には、受け渡し機構１１は、受け渡し機構１１と搬送機構ＣＶとの間でロットの受け渡しを行う。搬送機構ＣＶは、処理部ＳＰ１に対してロットを搬入及び搬出する。具体的には、搬送機構ＣＶは、処理部ＳＰ１の槽ＴＡの各々に対してロットを搬入及び搬出する。処理部ＳＰ１は、ロットの各基板Ｗを処理する。 The delivery mechanism 11 delivers the storage section 1 between the input section 3 and the delivery section 7 and the shelf. Further, the transfer mechanism 11 transfers only the substrate W between the transfer mechanism 11 and the transport mechanism CV. Specifically, the delivery mechanism 11 delivers lots between the delivery mechanism 11 and the transport mechanism CV. The transport mechanism CV carries a lot into and out of the processing part SP1. Specifically, the transport mechanism CV carries a lot into and out of each of the tanks TA of the processing part SP1. The processing part SP1 processes each substrate W in a lot.

具体的には、受け渡し機構１１は、受け渡し機構１１と搬送機構ＣＶの第１搬送機構ＣＴＣとの間でロットの受け渡しを行う。第１搬送機構ＣＴＣは、受け渡し機構１１から受け取ったロットの複数の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変換した後、第２搬送機構ＷＴＲにロットを受け渡す。また、第１搬送機構ＣＴＣは、第２搬送機構ＷＴＲから処理済みのロットを受け取った後、ロットの複数の基板Ｗの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へと変換して、ロットを受け渡し機構１１に受け渡す。 Specifically, the transfer mechanism 11 transfers lots between the transfer mechanism 11 and the first transport mechanism CTC of the transport mechanism CV. The first transport mechanism CTC transfers the lot to the second transport mechanism WTR after converting the orientation of the plurality of substrates W in the lot received from the transfer mechanism 11 from the horizontal orientation to the vertical orientation. Further, after receiving the processed lot from the second transport mechanism WTR, the first transport mechanism CTC converts the attitude of the plurality of substrates W in the lot from the vertical attitude to the horizontal attitude, and transfers the lot to the lot transfer mechanism 11 . hand over.

第２搬送機構ＷＴＲは、基板処理装置１００の長手方向に沿って、処理部ＳＰ１の乾燥処理部１７から第３処理部２１まで移動可能である。従って、第２搬送機構ＷＴＲは、乾燥処理部１７、第１処理部１９、第２処理部２０、及び第３処理部２１に対して、ロットを搬入及び搬出する。 The second transport mechanism WTR is movable along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 from the drying processing section 17 of the processing section SP1 to the third processing section 21 . Therefore, the second transport mechanism WTR carries the lot into and out of the drying processing section 17 , the first processing section 19 , the second processing section 20 and the third processing section 21 .

乾燥処理部１７はロットに対して乾燥処理を行う。具体的には、乾燥処理部１７の槽ＬＰＤ１及び槽ＬＰＤ２の各々が、ロットを収納してロットの複数の基板Ｗに対して乾燥処理を行う。第２搬送機構ＷＴＲは、槽ＬＰＤ１及び槽ＬＰＤ２の各々に対してロットを搬入及び搬出する。 The drying processing unit 17 performs drying processing on the lot. Specifically, each of the bath LPD1 and the bath LPD2 of the drying processing unit 17 stores a lot and performs the drying processing on a plurality of substrates W of the lot. The second transport mechanism WTR carries a lot into and out of each of the bath LPD1 and the bath LPD2.

乾燥処理部１７に隣接して第１処理部１９が配置されている。第１処理部１９の槽ＯＮＢ１は、ロットの複数の基板Ｗに対して薬液による前処理を行う。前処理とは、エッチング処理（具体的にはウェットエッチング処理）よりも前に行われる薬液による処理のことである。薬液は、自然酸化膜を基板Ｗから除去する場合は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ：Ｄｉｌｕｔｅｄ ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ ａｃｉｄ）である。なお、基板Ｗに対して前処理を行うことができる限りにおいては、前処理で使用する薬液の種類は特に限定されない。 A first processing section 19 is arranged adjacent to the drying processing section 17 . The bath ONB1 of the first processing unit 19 pre-processes a plurality of substrates W in a lot with a chemical solution. A pretreatment is a treatment with a chemical liquid prior to an etching treatment (specifically, a wet etching treatment). When the natural oxide film is removed from the substrate W, the chemical is, for example, dilute hydrofluoric acid (DHF). As long as the pretreatment can be performed on the substrate W, the type of chemical used in the pretreatment is not particularly limited.

又は、槽ＯＮＢ１は、ロットの複数の基板Ｗに対してリンス液による洗浄処理を行う。リンス液は洗浄液の一例である。なお、洗浄処理では、リンス液に基板Ｗが浸漬されていると、時間の経過に伴って基板Ｗが洗浄されるが、ある時間になると洗浄効果は飽和状態になる。 Alternatively, the bath ONB1 performs a cleaning process with a rinsing liquid on a plurality of substrates W in a lot. A rinse liquid is an example of a cleaning liquid. In the cleaning process, if the substrate W is immersed in the rinsing liquid, the substrate W is cleaned over time, but the cleaning effect becomes saturated after a certain time.

リンス液は、例えば、純水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかである。純水とは、脱イオン水のことである。なお、基板Ｗに対して洗浄処理を行うことができる限りにおいては、洗浄処理で使用されるリンス液の種類は特に限定されない。 The rinsing liquid is, for example, pure water (DIW: Deionzied Water), carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, or diluted hydrochloric acid water (for example, about 10 ppm to 100 ppm). Pure water is deionized water. The type of rinse liquid used in the cleaning process is not particularly limited as long as the cleaning process can be performed on the substrate W. FIG.

又は、槽ＯＮＢ１は、ロットの複数の基板Ｗに対してエッチング液によるエッチング処理を行う。つまり、槽ＯＮＢ１は、ロットの複数の基板Ｗに対してウェットエッチング処理を行う。なお、エッチング処理では、エッチング液に基板Ｗが浸漬されている限りは、時間が経過する程、エッチング量が多くなり、エッチング量が飽和状態にならない。 Alternatively, the bath ONB1 performs an etching process with an etchant on a plurality of substrates W in a lot. That is, the bath ONB1 performs wet etching processing on a plurality of substrates W in a lot. In the etching process, as long as the substrate W is immersed in the etchant, the amount of etching increases as time elapses, and the amount of etching does not reach saturation.

エッチング液は、例えば、アルカリ性のエッチング液又は酸性のエッチング液である。アルカリ性のエッチング液は、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を含む水溶液、トリメチル－２ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＹ）を含む水溶液、又は、水酸化アンモニウム（アンモニア水）である。酸性のエッチング液は、例えば、燐酸、又は、混酸である。なお、基板Ｗに対してエッチング処理を行うことができる限りにおいては、エッチング処理で使用されるエッチング液の種類は特に限定されない。 The etchant is, for example, an alkaline etchant or an acidic etchant. The alkaline etchant is, for example, an aqueous solution containing tetramethylammonium hydroxide (TMAH), an aqueous solution containing trimethyl-2-hydroxyethylammonium hydroxide (TMY), or ammonium hydroxide (ammonia water). An acidic etchant is, for example, phosphoric acid or a mixed acid. The type of etchant used in the etching process is not particularly limited as long as the substrate W can be etched.

槽ＣＨＢ１は、槽ＯＮＢ１と同様の構成を有しており、槽ＯＮＢ１と同様の処理を行う。 The tank CHB1 has the same configuration as the tank ONB1, and performs the same processing as the tank ONB1.

搬送機構ＣＶの副搬送機構ＬＦ１は、第１処理部１９内でのロットの搬送の他に、第２搬送機構ＷＴＲとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構ＬＦ１は、ロットを槽ＯＮＢ１又は槽ＣＨＢ１に浸漬したり、ロットを槽ＯＮＢ１又は槽ＣＨＢ１から引き上げたりする。 The sub-transport mechanism LF1 of the transport mechanism CV transfers lots to and from the second transport mechanism WTR in addition to transporting lots within the first processing unit 19 . Further, the sub-transport mechanism LF1 dips the lot into the tank ONB1 or the tank CHB1, or lifts the lot from the tank ONB1 or the tank CHB1.

第１処理部１９に隣接して第２処理部２０が配置されている。第２処理部２０の槽ＯＮＢ２及び槽ＣＨＢ２の各々は、槽ＯＮＢ１と同様の構成を有しており、槽ＯＮＢ１と同様の処理を行う。搬送機構ＣＶの副搬送機構ＬＦ２は、第２処理部２０内でのロットの搬送の他に、第２搬送機構ＷＴＲとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構ＬＦ２は、ロットを槽ＯＮＢ２又は槽ＣＨＢ２に浸漬したり、ロットを槽ＯＮＢ２又は槽ＣＨＢ２から引き上げたりする。 A second processing section 20 is arranged adjacent to the first processing section 19 . Each of the tanks ONB2 and CHB2 of the second processing unit 20 has the same configuration as the tank ONB1, and performs the same processing as the tank ONB1. The sub transport mechanism LF2 of the transport mechanism CV transfers lots to and from the second transport mechanism WTR in addition to transporting lots within the second processing unit 20 . Further, the sub-transport mechanism LF2 dips the lot into the tank ONB2 or the tank CHB2, or lifts the lot from the tank ONB2 or the tank CHB2.

第２処理部２０に隣接して第３処理部２１が配置されている。第３処理部２１の槽ＯＮＢ３及び槽ＣＨＢ３の各々は、槽ＯＮＢ１と同様の構成を有しており、槽ＯＮＢ１と同様の処理を行う。搬送機構ＣＶの副搬送機構ＬＦ３は、第３処理部２１内でのロットの搬送の他に、第２搬送機構ＷＴＲとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構ＬＦ３は、ロットを槽ＯＮＢ３又は槽ＣＨＢ３に浸漬したり、ロットを槽ＯＮＢ３又は槽ＣＨＢ３から引き上げたりする。 A third processing section 21 is arranged adjacent to the second processing section 20 . Each of the tanks ONB3 and CHB3 of the third processing section 21 has the same configuration as the tank ONB1, and performs the same processing as the tank ONB1. The sub-transport mechanism LF3 of the transport mechanism CV transfers lots to and from the second transport mechanism WTR in addition to transporting lots within the third processing unit 21 . Further, the sub-transport mechanism LF3 dips the lot into the tank ONB3 or the tank CHB3, or lifts the lot from the tank ONB3 or the tank CHB3.

以上、図１を参照して説明したように、搬送機構ＣＶは、処理部ＳＰ１の槽ＴＡ（槽ＬＰＤ１、槽ＬＰＤ２、槽ＯＮＢ１～槽ＯＮＢ３、及び、槽ＣＨＢ１～槽ＣＨＢ３）の各々に対してロットを搬入及び搬出することが可能である。そして、複数の槽ＴＡの各々はロットを処理可能である。 As described above with reference to FIG. 1, the transport mechanism CV is configured for each of the tanks TA (the tank LPD1, the tank LPD2, the tanks ONB1 to ONB3, and the tanks CHB1 to CHB3) of the processing part SP1. It is possible to import and export lots. Each of the plurality of tanks TA can process a lot.

本明細書において、前処理で使用する「薬液」及び洗浄処理で使用する「リンス液」の各々は「処理液」の一例に相当する。 In this specification, each of the "chemical solution" used in the pretreatment and the "rinse liquid" used in the cleaning process corresponds to an example of the "treatment liquid".

次に、図２を参照して槽ＯＮＢ１を説明する。図２は、槽ＯＮＢ１を示す模式的断面図である。図２に示すように、槽ＯＮＢ１は、処理槽４１と、回収槽４３と、複数のノズル４５とを含む。副搬送機構ＬＦ１は複数の保持棒４０を含む。基板処理装置１００は、薬液供給源２３と、バルブ２４と、リンス液供給源２５と、バルブ２６と、エッチング液供給源２７と、バルブ２８と、排液ドレイン２９と、配管３１と、配管３３とをさらに備える。 Next, tank ONB1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing tank ONB1. As shown in FIG. 2, the bath ONB1 includes a processing bath 41, a recovery bath 43, and a plurality of nozzles 45. As shown in FIG. The sub-transport mechanism LF1 includes a plurality of holding bars 40. As shown in FIG. The substrate processing apparatus 100 includes a chemical solution supply source 23, a valve 24, a rinse solution supply source 25, a valve 26, an etching solution supply source 27, a valve 28, a drainage drain 29, a pipe 31, and a pipe 33. and further.

処理槽４１は、薬液、リンス液、又はエッチング液を貯留することが可能な容器である。処理槽４１には、薬液、リンス液、又はエッチング液が、異なる時間帯に貯留される。処理槽４１は、薬液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗに対して前処理を行う。実施形態１では、前処理を行うための薬液は、ＤＨＦである。処理槽４１は、リンス液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗに対して洗浄処理を行う。実施形態１では、洗浄処理で使用するリンス液はＤＩＷである。処理槽４１は、エッチング液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗに対してエッチング処理を行う。実施形態１では、エッチング処理で使用するエッチング液は、ＴＭＡＨを含む水溶液である。 The processing tank 41 is a container capable of storing a chemical liquid, a rinse liquid, or an etching liquid. A chemical solution, a rinse solution, or an etching solution is stored in the processing tank 41 at different times. The processing bath 41 pre-processes the substrates W by immersing the substrates W in a chemical solution. In Embodiment 1, the chemical solution for pretreatment is DHF. The processing bath 41 performs a cleaning process on the substrates W by immersing the substrates W in the rinse liquid. In Embodiment 1, DIW is used as the rinse liquid in the cleaning process. The processing tank 41 performs an etching process on the substrate W by immersing the substrate W in an etchant. In Embodiment 1, the etchant used in the etching process is an aqueous solution containing TMAH.

処理槽４１の上部は開口している。そして、開口から、薬液、リンス液、又はエッチング液を溢れ出させることが可能となっている。処理槽４１の上端周辺部には回収槽４３が設けられる。そして、処理槽４１の開口から溢れ出た薬液、リンス液、又はエッチング液は、回収槽４３に流れ込んで収容される。回収槽４３と排液ドレイン２９とは配管３３によって接続される。従って、回収槽４３に流れ込んだ薬液、リンス液、又はエッチング液は、配管３３を介して排液ドレイン２９へ排出される。 The upper portion of the processing bath 41 is open. Then, it is possible to overflow the chemical liquid, the rinse liquid, or the etching liquid from the opening. A collection tank 43 is provided around the upper end of the processing tank 41 . Then, the chemical liquid, rinse liquid, or etching liquid overflowing from the opening of the processing tank 41 flows into the recovery tank 43 and is stored therein. The collection tank 43 and the waste liquid drain 29 are connected by a pipe 33 . Accordingly, the chemical liquid, rinse liquid, or etching liquid that has flowed into the recovery tank 43 is discharged to the waste liquid drain 29 via the pipe 33 .

複数のノズル４５は、処理槽４１の内部に配置される。複数のノズル４５は、配管３１に接続される。配管３１には、バルブ２４と、バルブ２６と、バルブ２８とが介挿される。 A plurality of nozzles 45 are arranged inside the processing bath 41 . A plurality of nozzles 45 are connected to the pipe 31 . A valve 24 , a valve 26 and a valve 28 are inserted in the pipe 31 .

配管３１は、バルブ２４を介して薬液供給源２３と接続される。従って、バルブ２４を開け、バルブ２６及びバルブ２８を閉じると、薬液が、薬液供給源２３から配管３１を介して複数のノズル４５に供給される。その結果、複数のノズル４５は、薬液を処理槽４１に吐出する。 The pipe 31 is connected to the chemical supply source 23 via the valve 24 . Therefore, when the valve 24 is opened and the valves 26 and 28 are closed, the chemical liquid is supplied from the chemical liquid supply source 23 through the pipe 31 to the plurality of nozzles 45 . As a result, the plurality of nozzles 45 eject the chemical solution into the processing bath 41 .

配管３１は、バルブ２６を介してリンス液供給源２５と接続される。従って、バルブ２６を開け、バルブ２４及びバルブ２８を閉じると、リンス液が、リンス液供給源２５から配管３１を介して複数のノズル４５に供給される。その結果、複数のノズル４５は、リンス液を処理槽４１に吐出する。 The pipe 31 is connected to the rinse liquid supply source 25 via the valve 26 . Therefore, when the valve 26 is opened and the valves 24 and 28 are closed, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 25 to the plurality of nozzles 45 through the pipe 31 . As a result, the multiple nozzles 45 discharge the rinse liquid into the processing tank 41 .

配管３１は、バルブ２８を介してエッチング液供給源２７と接続される。従って、バルブ２８を開け、バルブ２４及びバルブ２６を閉じると、エッチング液が、エッチング液供給源２７から配管３１を介して複数のノズル４５に供給される。その結果、複数のノズル４５は、エッチング液を処理槽４１に吐出する。 The pipe 31 is connected to the etchant supply source 27 via the valve 28 . Therefore, when the valve 28 is opened and the valves 24 and 26 are closed, the etchant is supplied from the etchant supply source 27 to the plurality of nozzles 45 through the pipe 31 . As a result, the multiple nozzles 45 discharge the etchant into the processing bath 41 .

副搬送機構ＬＦ１の複数の保持棒４０は、複数の基板Ｗを起立姿勢で保持する。そして、副搬送機構ＬＦ１は、複数の保持棒４０で保持された複数の基板Ｗを、処理槽４１内に浸漬される位置と、処理槽４１から引き上げられた位置との間で移動する。なお、副搬送機構ＬＦ２及び副搬送機構ＬＦ３の構成は、副搬送機構ＬＦ１の構成と同様である。 A plurality of holding bars 40 of the sub-transport mechanism LF1 hold a plurality of substrates W in an upright posture. Then, the sub-transport mechanism LF1 moves the plurality of substrates W held by the plurality of holding rods 40 between a position where they are immersed in the processing tank 41 and a position where they are pulled up from the processing tank 41 . The configurations of the sub-transport mechanisms LF2 and LF3 are the same as the configuration of the sub-transport mechanism LF1.

次に、図３を参照して槽ＬＰＤ１を説明する。図３は、槽ＬＰＤ１を示す模式的断面図である。図３に示すように、実施形態１では、槽ＬＰＤ１は、水溶性の有機溶剤の蒸気を用いた減圧引上げ式乾燥法に基づいて乾燥処理を実行する。 Next, the tank LPD1 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the tank LPD1. As shown in FIG. 3, in Embodiment 1, the tank LPD1 performs a drying process based on a vacuum pulling drying method using vapor of a water-soluble organic solvent.

具体的には、槽ＬＰＤ１は、チャンバー７１と、処理槽７３と、回収槽７５と、昇降機構７７と、複数のノズル８１と、複数のガスノズル８３とを含む。昇降機構７７は複数の保持棒７９を含む。基板処理装置１００は、ガス供給機構５１と、減圧部５３と、純水供給源５５と、バルブ５７と、配管５９と、排気ライン６１と、配管６３と、排液ライン６５とをさらに備える。 Specifically, the tank LPD1 includes a chamber 71 , a processing tank 73 , a recovery tank 75 , an elevating mechanism 77 , multiple nozzles 81 , and multiple gas nozzles 83 . Lifting mechanism 77 includes a plurality of holding bars 79 . The substrate processing apparatus 100 further includes a gas supply mechanism 51 , a decompression unit 53 , a pure water supply source 55 , a valve 57 , a pipe 59 , an exhaust line 61 , a pipe 63 and a drain line 65 .

チャンバー７１は、処理槽７３と、回収槽７５と、昇降機構７７と、複数のノズル８１と、複数のガスノズル８３とを収容する。チャンバー７１はカバー７１ａを含む。カバー７１ａは、チャンバー７１の上部の開口に装着されている。カバー７１ａは開閉可能である。 The chamber 71 accommodates a processing tank 73 , a recovery tank 75 , an elevating mechanism 77 , multiple nozzles 81 , and multiple gas nozzles 83 . Chamber 71 includes a cover 71a. The cover 71 a is attached to the upper opening of the chamber 71 . The cover 71a can be opened and closed.

処理槽７３は、純水（ＤＩＷ）を貯留することが可能な容器である。処理槽７３は、純水中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗを水洗する。複数のノズル８１は、処理槽７３の内部に配置される。複数のノズル８１は、配管６３に接続される。配管６３には、バルブ５７が介挿される。配管６３は、バルブ５７を介して純水供給源５５と接続される。従って、バルブ５７を開けると、純水が、純水供給源５５から配管６３を介して複数のノズル８１に供給される。その結果、複数のノズル８１は、純水を処理槽７３に吐出する。なお、純水供給源５５は、図２に示すリンス液供給源２５であってもよい。 The processing tank 73 is a container capable of storing pure water (DIW). The processing bath 73 rinses the substrates W by immersing the substrates W in pure water. A plurality of nozzles 81 are arranged inside the processing bath 73 . A plurality of nozzles 81 are connected to the pipe 63 . A valve 57 is inserted in the pipe 63 . The pipe 63 is connected to the pure water supply source 55 via the valve 57 . Accordingly, when the valve 57 is opened, pure water is supplied from the pure water supply source 55 to the plurality of nozzles 81 through the pipe 63 . As a result, the plurality of nozzles 81 discharge pure water into the processing bath 73 . The pure water supply source 55 may be the rinse liquid supply source 25 shown in FIG.

処理槽７３の上端周辺部には回収槽７５が設けられる。基板Ｗの水洗中は、複数のノズル８１から処理槽７３に純水が供給され続け、処理槽７３の上端部から常に純水が溢れ出る。溢れ出た純水は回収槽７５へと流れ込み、排液ライン６５からチャンバー７１の外部へ排出される。 A collection tank 75 is provided around the upper end of the processing tank 73 . While the substrates W are being washed with water, pure water continues to be supplied from the plurality of nozzles 81 to the processing bath 73 , and the pure water always overflows from the upper end of the processing bath 73 . The overflowing pure water flows into the recovery tank 75 and is discharged from the chamber 71 through the drain line 65 .

昇降機構７７の複数の保持棒７９は、複数の基板Ｗを起立姿勢で保持する。そして、昇降機構７７は、複数の保持棒７９で保持された複数の基板Ｗを、処理槽７３内に浸漬される位置と、処理槽７３から引き上げられた位置との間で移動する。 A plurality of holding bars 79 of the lifting mechanism 77 hold a plurality of substrates W in an upright posture. The elevating mechanism 77 moves the plurality of substrates W held by the plurality of holding rods 79 between a position where they are immersed in the processing bath 73 and a position where they are lifted from the processing bath 73 .

複数のガスノズル８３は、チャンバー７１の内部であって、処理槽７３の外部に配置される。具体的には、複数のガスノズル８３は、チャンバー７１の内部であって、処理槽７３の上方に配置される。複数のガスノズル８３は、配管５９に接続される。配管５９には、ガス供給機構５１が接続される。ガス供給機構５１は、不活性ガスをキャリアガスとして、水溶性の有機溶剤の蒸気を複数のガスノズル８３に供給する。その結果、複数のガスノズル８３は、チャンバー７１の内部に有機溶剤の蒸気を吐出する。実施形態１では、水溶性の有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気である。 A plurality of gas nozzles 83 are arranged inside the chamber 71 and outside the processing tank 73 . Specifically, the plurality of gas nozzles 83 are arranged inside the chamber 71 and above the processing tank 73 . A plurality of gas nozzles 83 are connected to the pipe 59 . The gas supply mechanism 51 is connected to the pipe 59 . The gas supply mechanism 51 supplies water-soluble organic solvent vapor to the plurality of gas nozzles 83 using an inert gas as a carrier gas. As a result, the plurality of gas nozzles 83 discharge organic solvent vapor into the interior of the chamber 71 . In Embodiment 1, the water-soluble organic solvent vapor is isopropyl alcohol (IPA) vapor.

減圧部５３は、排気ライン６１を介してチャンバー７１と接続されている。カバー７１ａを閉鎖してチャンバー７１の内部を密閉空間とした状態において、減圧部５３は、チャンバー７１内の気体を排気することによりチャンバー７１内を大気圧未満に減圧する。減圧部５３は、例えば、排気ポンプを含む。 The decompression section 53 is connected to the chamber 71 via an exhaust line 61 . With the cover 71 a closed to make the interior of the chamber 71 a closed space, the decompression unit 53 decompresses the interior of the chamber 71 below atmospheric pressure by exhausting the gas within the chamber 71 . The decompression unit 53 includes, for example, an exhaust pump.

引き続き図３を参照して槽ＬＰＤ１による乾燥処理方法を説明する。乾燥処理方法は、工程１～工程６を含む。 Continuing with reference to FIG. 3, the drying treatment method using the bath LPD1 will be described. The drying treatment method includes steps 1-6.

工程１：ノズル８１が純水を吐出し、処理槽７３が純水を貯留する。 Step 1: The nozzle 81 discharges pure water, and the processing tank 73 stores the pure water.

工程２：昇降機構７７が、処理槽７３内に収容された純水中に基板Ｗを浸漬させ、処理槽７３が基板Ｗを水洗する。 Step 2: The elevating mechanism 77 immerses the substrates W in pure water contained in the processing bath 73, and the processing bath 73 rinses the substrates W with water.

工程３：ガスノズル８３が、有機溶剤の蒸気をチャンバー７１内に吐出し、チャンバー７１内に有機溶剤の蒸気の雰囲気を形成する。 Step 3: The gas nozzle 83 discharges organic solvent vapor into the chamber 71 to form an organic solvent vapor atmosphere within the chamber 71 .

工程４：昇降機構７７が、処理槽７３内の純水中から基板Ｗを引き上げる（図３の二点鎖線で示す基板Ｗ）。従って、基板Ｗは有機溶剤の蒸気の雰囲気中に曝される。その結果、基板Ｗの表面に有機溶剤の蒸気が凝縮し、有機溶剤が基板Ｗの表面に付着していた水滴と置換する。 Step 4: The elevating mechanism 77 lifts the substrate W from the pure water in the processing bath 73 (the substrate W indicated by the two-dot chain line in FIG. 3). Accordingly, the substrate W is exposed to an atmosphere of organic solvent vapor. As a result, the vapor of the organic solvent condenses on the surface of the substrate W, and the organic solvent replaces the water droplets adhering to the surface of the substrate W. FIG.

工程５：処理槽７３内の純水を急速排水するとともに、ガスノズル８３が、有機溶剤の蒸気の吐出を停止する。 Step 5: The pure water in the treatment tank 73 is rapidly drained, and the gas nozzle 83 stops discharging the vapor of the organic solvent.

工程６：減圧部５３が、チャンバー７１内の気体を排気ライン６１から排気することによりチャンバー７１内を大気圧未満に減圧する。その結果、基板Ｗの表面に凝縮していた有機溶剤が完全に蒸発して基板Ｗが乾燥する。 Step 6: The pressure reducing unit 53 reduces the pressure in the chamber 71 to less than the atmospheric pressure by exhausting the gas in the chamber 71 through the exhaust line 61 . As a result, the organic solvent condensed on the surface of the substrate W is completely evaporated and the substrate W is dried.

なお、槽ＬＰＤ２の構成は槽ＬＰＤ１の構成と同様である。また、槽ＬＰＤ１及び槽ＬＰＤ２による乾燥処理は、基板Ｗを乾燥できる限りにおいては、減圧引上げ式乾燥法に限定されず、例えば、所定温度の乾燥用温風を基板Ｗに吹き付けて基板Ｗを乾燥してもよいし、基板Ｗの雰囲気を加熱器によって昇温することで基板Ｗを乾燥してもよい。 The structure of the tank LPD2 is the same as that of the tank LPD1. In addition, the drying process by the tank LPD1 and the tank LPD2 is not limited to the vacuum pull-up drying method as long as the substrate W can be dried. Alternatively, the substrate W may be dried by raising the temperature of the atmosphere of the substrate W with a heater.

次に、基板処理装置１００が処理する基板Ｗの一例を説明する。図４（ａ）は、基板Ｗの第１状態を示す模式的断面図である。第１状態は、基板Ｗに自然酸化膜９３が形成された状態を示す。図４（ｂ）は、基板Ｗの第２状態を示す模式的断面図である。第２状態は、基板Ｗから薬液及びリンス液が除去された状態を示す。図４（ｃ）は、基板Ｗの第３状態を示す模式的断面図である。第３状態は、基板Ｗがエッチング液によってエッチングされた状態を示す。 Next, an example of the substrate W processed by the substrate processing apparatus 100 will be described. 4A is a schematic cross-sectional view showing the first state of the substrate W. FIG. A first state indicates a state in which the substrate W has a natural oxide film 93 formed thereon. 4B is a schematic cross-sectional view showing the second state of the substrate W. FIG. A second state indicates a state in which the chemical liquid and the rinse liquid have been removed from the substrate W. FIG. FIG. 4C is a schematic cross-sectional view showing the third state of the substrate W. FIG. A third state indicates a state in which the substrate W is etched by the etchant.

図４（ａ）に示すように、基板Ｗは、シリコン基板９０と、パターンＰＴとを有する。パターンＰＴはシリコン基板９０上に形成される。パターンＰＴは、積層膜９１と、単数又は複数の凹部９２とを含む。積層膜９１は、複数のポリシリコン膜Ｐ１～ＰＮ（Ｎは２以上の整数）と、複数の酸化シリコン膜Ｏ１～ＯＮ（Ｎは２以上の整数）とを含む。複数のポリシリコン膜Ｐ１～ＰＮ及び複数の酸化シリコン膜Ｏ１～ＯＮは、ポリシリコン膜と酸化シリコン膜とが交互に入れ替わるように、基板Ｗの厚み方向Ｄｔに沿って積層されている。厚み方向Ｄｔは、シリコン基板９０の表面に略直交する方向を示す。 As shown in FIG. 4A, the substrate W has a silicon substrate 90 and a pattern PT. A pattern PT is formed on a silicon substrate 90 . The pattern PT includes a laminated film 91 and one or more recesses 92 . The laminated film 91 includes a plurality of polysilicon films P1 to PN (N is an integer of 2 or more) and a plurality of silicon oxide films O1 to ON (N is an integer of 2 or more). The plurality of polysilicon films P1 to PN and the plurality of silicon oxide films O1 to ON are laminated along the thickness direction Dt of the substrate W such that the polysilicon films and the silicon oxide films are alternately replaced. A thickness direction Dt indicates a direction substantially perpendicular to the surface of the silicon substrate 90 .

凹部９２は、基板Ｗの最表面Ｗｓからシリコン基板９０に向かって基板Ｗの厚み方向Ｄｔに沿って凹んでいる。凹部９２は、複数のポリシリコン膜Ｐ１～ＰＮ及び複数の酸化シリコン膜Ｏ１～ＯＮを基板Ｗの厚み方向Ｄｔに貫通している。ポリシリコン膜Ｐ１～ＰＮの側面及び酸化シリコン膜Ｏ１～ＯＮの側面は、凹部９２の側面９２ｓで露出している。凹部９２は、基板Ｗの最表面Ｗｓから凹んでいる限りにおいては、トレンチであってもよいし、ホールであってもよいし、特に限定されない。 The recess 92 is recessed along the thickness direction Dt of the substrate W from the outermost surface Ws of the substrate W toward the silicon substrate 90 . The recess 92 penetrates the plurality of polysilicon films P1 to PN and the plurality of silicon oxide films O1 to ON in the substrate W thickness direction Dt. The side surfaces of the polysilicon films P1 to PN and the side surfaces of the silicon oxide films O1 to ON are exposed on the side surface 92s of the recess 92. As shown in FIG. The recess 92 may be a trench or a hole as long as it is recessed from the outermost surface Ws of the substrate W, and is not particularly limited.

以上、図４（ａ）を参照して説明したように、基板処理装置１００による処理対象の基板Ｗは、単数又は複数の凹部９２を含むパターンＰＴを有する。具体的には、基板処理装置１００による処理対象の基板Ｗは、ドライエッチング処理によって凹部９２を含むパターンＰＴが形成されている基板である。 As described above with reference to FIG. 4A, the substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 100 has the pattern PT including one or more concave portions 92 . Specifically, the substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 100 is a substrate on which the pattern PT including the concave portion 92 is formed by dry etching.

また、基板処理装置１００による処理が開始される前は、ポリシリコン膜Ｐ１～ＰＮの表層及び酸化シリコン膜Ｏ１～ＯＮの表層に自然酸化膜９３が形成されている。二点鎖線は、自然酸化膜９３の輪郭を示している。 In addition, before the processing by the substrate processing apparatus 100 is started, a natural oxide film 93 is formed on the surface layers of the polysilicon films P1 to PN and the surface layers of the silicon oxide films O1 to ON. A two-dot chain line indicates the contour of the natural oxide film 93 .

図４（ａ）に示すように、実施形態１では、薬液としてのＤＨＦに基板Ｗを浸漬することによって、基板Ｗから自然酸化膜９３を除去する。そして、ＤＨＦが基板Ｗからリンス液によって除去され、更にリンス液が基板Ｗから除去される。 As shown in FIG. 4A, in the first embodiment, the natural oxide film 93 is removed from the substrate W by immersing the substrate W in DHF as a chemical solution. The DHF is then removed from the substrate W by the rinsing liquid, and the rinsing liquid is further removed from the substrate W. FIG.

そして、図４（ｂ）に示すように、基板Ｗから薬液及びリンス液を除去された後に、エッチング液としてのＴＭＡＨに基板Ｗを浸漬することによって、図４（ｃ）に示すように、ポリシリコン膜Ｐ１～ＰＮが選択的にエッチングされる。その結果、複数のリセスＲ１が凹部９２の側面９２ｓに形成される。複数のリセスＲ１の各々は、基板Ｗの面方向Ｄｐに沿って凹んでいる。面方向Ｄｐは、基板Ｗの厚み方向Ｄｔに略直交する方向を示す。 Then, as shown in FIG. 4(b), after the chemical solution and the rinse solution are removed from the substrate W, the substrate W is immersed in TMAH as an etchant, and as shown in FIG. Silicon films P1 to PN are selectively etched. As a result, a plurality of recesses R1 are formed in the side surfaces 92s of the recess 92. As shown in FIG. Each of the plurality of recesses R1 is recessed along the surface direction Dp of the substrate W. As shown in FIG. A plane direction Dp indicates a direction substantially perpendicular to the thickness direction Dt of the substrate W. As shown in FIG.

以上、図４（ａ）～図４（ｃ）を参照して説明したように、実施形態１によれば、エッチング処理の前に、基板Ｗから処理液（薬液及びリンス液）が除去される。つまり、エッチング処理の前に、基板Ｗの凹部９２から処理液が除去される。従って、エッチング液は、処理液中を濃度勾配に基づいて拡散するのではなく、処理液が入り込んでいない凹部９２に直接進入する。その結果、エッチング液の濃度勾配による拡散の時間を確保したプロセスを定めていない場合でも、基板Ｗに対するエッチング効果の低下を抑制できる。つまり、基板Ｗに対して、目標のエッチング量のエッチングを目標時間内に行うことができる。 As described above with reference to FIGS. 4A to 4C, according to the first embodiment, the processing liquid (chemical liquid and rinse liquid) is removed from the substrate W before the etching process. . That is, the processing liquid is removed from the recess 92 of the substrate W before the etching process. Accordingly, the etchant does not diffuse in the processing liquid based on the concentration gradient, but directly enters the recesses 92 into which the processing liquid has not entered. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the etching effect on the substrate W even when a process that secures the diffusion time due to the concentration gradient of the etchant is not defined. That is, the substrate W can be etched by the target etching amount within the target time.

特に、基板Ｗの最表面Ｗｓに対する凹部９２の深さが比較的深い場合でも、つまり、パターンＰＴのアスペクト比が比較的高い場合でも、エッチング液が凹部９２内に速やかに進入する。その結果、パターンＰＴのアスペクト比が比較的高い基板Ｗに対しても、エッチング効果の低下を抑制できる。パターンＰＴのアスペクト比とは、凹部９２の面方向Ｄｐの幅に対する厚み方向Ｄｔの深さの比率のことである。 In particular, even when the depth of the recess 92 with respect to the outermost surface Ws of the substrate W is relatively deep, that is, even when the aspect ratio of the pattern PT is relatively high, the etchant quickly enters the recess 92 . As a result, it is possible to suppress the deterioration of the etching effect even for the substrate W in which the aspect ratio of the pattern PT is relatively high. The aspect ratio of the pattern PT is the ratio of the depth in the thickness direction Dt to the width in the plane direction Dp of the recess 92 .

ここで、一般的に、パターンの凹部に処理液が入り込んでいる場合では、凹部の比較的浅い位置まではエッチング液の流動によって、エッチング液が凹部に進入する。そして、流動による凹部への進入の限界位置よりも深い位置からは、処理液中を濃度勾配に基づく拡散によって、エッチング液が凹部の深い位置に進入する。従って、本発明は、凹部に処理液が入り込んでいる状態での流動による凹部への進入の限界位置よりも深い凹部９２を含むパターンＰＴを有する基板Ｗの処理に特に好適である。なお、実施形態１のようにエッチング処理の直前に凹部９２から処理液が除去された状態では、エッチング液の流動によって凹部９２の深い位置までエッチング液が進入する。 Here, in general, when the processing liquid enters the recesses of the pattern, the etching liquid enters the recesses up to a relatively shallow position of the recesses due to the flow of the etching liquid. Then, from a position deeper than the limit position of entry into the recess by flow, the etchant enters a deep position of the recess due to diffusion based on the concentration gradient in the processing liquid. Therefore, the present invention is particularly suitable for processing the substrate W having the pattern PT including the recesses 92 deeper than the limit position of entry into the recesses due to the flow of the processing liquid in the recesses. Note that in a state where the processing liquid is removed from the recesses 92 immediately before the etching process as in the first embodiment, the etching liquid penetrates deep into the recesses 92 due to the flow of the etching liquid.

また、実施形態１によれば、エッチング液の濃度勾配による拡散の時間を確保したプロセスを定めることが要求されないため、基板Ｗの処理のスループットを向上できる。スループットとは、単位時間あたりの基板Ｗの処理枚数のことである。 Further, according to the first embodiment, it is not required to define a process that secures the diffusion time due to the concentration gradient of the etchant, so the throughput of the processing of the substrates W can be improved. Throughput is the number of substrates W processed per unit time.

次に、図１及び図５を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図５は、基板処理方法を示すフローチャートである。図５に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ５を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行され、複数の基板Ｗを処理する。具体的には、処理部ＳＰ１が、工程Ｓ１～工程Ｓ５を実行する。 Next, a substrate processing method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 5. FIG. FIG. 5 is a flow chart showing the substrate processing method. As shown in FIG. 5, the substrate processing method includes steps S1 to S5. The substrate processing method is executed by the substrate processing apparatus 100 to process a plurality of substrates W. FIG. Specifically, the processing part SP1 executes steps S1 to S5.

図１及び図５に示すように、工程Ｓ１において、処理部ＳＰ１は、複数の基板Ｗを処理液で処理する。実施形態１では、搬送機構ＣＶが複数の基板Ｗを処理部ＳＰ１の槽ＯＮＢ１に搬入する。そして、槽ＯＮＢ１が、複数の基板Ｗを処理液に浸漬して、複数の基板Ｗを処理液で処理する。工程Ｓ１は「処理工程」の一例に相当する。 As shown in FIGS. 1 and 5, in step S1, the processing part SP1 processes a plurality of substrates W with a processing liquid. In Embodiment 1, the transport mechanism CV carries a plurality of substrates W into the tank ONB1 of the processing part SP1. Then, the bath ONB1 immerses the plurality of substrates W in the processing liquid to process the plurality of substrates W with the processing liquid. Step S1 corresponds to an example of a "treatment step".

工程Ｓ１の後に、工程Ｓ２において、処理部ＳＰ１は、複数の基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる処理液を複数の基板Ｗから除去する。実施形態１では、搬送機構ＣＶが、槽ＯＮＢ１から複数の基板Ｗを搬出して、複数の基板Ｗを槽ＬＰＤ１に搬入する。そして、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗを乾燥して、複数の基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる処理液を除去する。従って、本実施形態によれば、乾燥によって容易に凹部９２に入り込んでいる処理液を除去できる。工程Ｓ２は「除去工程」の一例に相当する。「工程Ｓ１の後に」は「基板Ｗを処理液で処理した後に」の一例に相当する。 After step S1, the processing part SP1 removes from the plurality of substrates W the processing liquid that has entered the recesses 92 of the plurality of substrates W in step S2. In the first embodiment, the transport mechanism CV unloads the plurality of substrates W from the bath ONB1 and loads the plurality of substrates W into the bath LPD1. Then, the bath LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the processing liquid that has entered the recesses 92 of the plurality of substrates W. FIG. Therefore, according to the present embodiment, the processing liquid entering the concave portion 92 can be easily removed by drying. Step S2 corresponds to an example of a "removal step". “After step S1” corresponds to an example of “after processing the substrate W with the processing liquid”.

特に実施形態１では、工程Ｓ２において、複数の槽ＴＡのうち基板Ｗが収容されている槽ＬＰＤ１内に水溶性の有機溶剤（ＩＰＡ）の蒸気を供給して、槽ＬＰＤ１内を減圧することによって基板Ｗを乾燥する。従って、複数の基板Ｗを更に効果的に乾燥できて、複数の基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる処理液を比較的短時間で除去できる。 Particularly, in the first embodiment, in the step S2, vapor of a water-soluble organic solvent (IPA) is supplied into the tank LPD1 in which the substrates W are accommodated among the plurality of tanks TA, and the pressure inside the tank LPD1 is reduced. The substrate W is dried. Therefore, the plurality of substrates W can be dried more effectively, and the processing liquid that has entered the recesses 92 of the plurality of substrates W can be removed in a relatively short time.

工程Ｓ２の後に、工程Ｓ３において、処理部ＳＰ１は、複数の基板Ｗをエッチング液（ＴＭＡＨ）でエッチングする。実施形態１では、搬送機構ＣＶが、槽ＬＰＤ１から複数の基板Ｗを搬出して、複数の基板Ｗを槽ＣＨＢ１に搬入する。そして、槽ＣＨＢ１が、複数の基板Ｗをエッチング液に浸漬して、複数の基板Ｗをエッチングする。工程Ｓ３は「エッチング工程」の一例に相当する。「工程Ｓ２の後に」は「処理液を基板Ｗから除去した後に」の一例に相当する。 After step S2, in step S3, the processing part SP1 etches the plurality of substrates W with an etchant (TMAH). In the first embodiment, the transport mechanism CV unloads the plurality of substrates W from the bath LPD1 and loads the plurality of substrates W into the bath CHB1. Then, the bath CHB1 immerses the plurality of substrates W in the etchant to etch the plurality of substrates W. As shown in FIG. The step S3 corresponds to an example of an "etching step". "After step S2" corresponds to an example of "after removing the processing liquid from the substrate W".

工程Ｓ３の後に、工程Ｓ４において、処理部ＳＰ１は、リンス液によって基板Ｗからエッチング液を洗い流す。実施形態１では、搬送機構ＣＶが、槽ＣＨＢ１から複数の基板Ｗを搬出して、複数の基板Ｗを槽ＯＮＢ１に搬入する。そして、槽ＯＮＢ１が、複数の基板Ｗをリンス液に浸漬して、複数の基板Ｗからエッチング液を洗い流す。 After step S3, the processing part SP1 rinses the etching solution from the substrate W with a rinse solution in step S4. In the first embodiment, the transport mechanism CV unloads the plurality of substrates W from the bath CHB1 and loads the plurality of substrates W into the bath ONB1. Then, the bath ONB1 soaks the plurality of substrates W in the rinsing liquid to wash away the etchant from the plurality of substrates W. FIG.

工程Ｓ４の後に、工程Ｓ５において、処理部ＳＰ１は、基板Ｗを乾燥して、基板Ｗからリンス液を除去する。実施形態１では、搬送機構ＣＶが、槽ＯＮＢ１から複数の基板Ｗを搬出して、複数の基板Ｗを槽ＬＰＤ１に搬入する。そして、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗを乾燥して、複数の基板Ｗからリンス液を除去する。 After step S4, the processing part SP1 dries the substrate W to remove the rinse liquid from the substrate W in step S5. In the first embodiment, the transport mechanism CV unloads the plurality of substrates W from the bath ONB1 and loads the plurality of substrates W into the bath LPD1. Then, the bath LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinsing liquid from the plurality of substrates W. FIG.

以上、図１及び図５を参照して説明したように、実施形態１によれば、工程Ｓ３のエッチング処理の前に、工程Ｓ２において複数の基板Ｗから処理液が除去される。つまり、エッチング処理の前に基板Ｗの凹部９２から処理液が除去される。従って、エッチング液は、処理液が入り込んでいない凹部９２に直接進入する。その結果、複数の基板Ｗに対するエッチング効果の低下を抑制できる。 As described above with reference to FIGS. 1 and 5, according to the first embodiment, the processing liquid is removed from the plurality of substrates W in step S2 before the etching process in step S3. That is, the processing liquid is removed from the recess 92 of the substrate W before the etching process. Therefore, the etchant directly enters the recesses 92 into which the processing liquid has not entered. As a result, the deterioration of the etching effect on the plurality of substrates W can be suppressed.

特に、実施形態１では、工程Ｓ１～工程Ｓ５は、工程Ｓ１～工程Ｓ５の途中で払出部７が基板処理装置１００の外部に処理途中の基板Ｗを払い出すことなく、基板処理装置１００の内部で実行される一連の工程である。つまり、工程Ｓ１～工程Ｓ５は、基板処理装置１００の内部の複数の槽ＴＡによって実行される一連の工程である。従って、１台の基板処理装置１００の内部で実行される一連の工程の中で、エッチング処理の前に凹部９２から処理液を除去することで、複数の基板Ｗに対するエッチング効果の低下を抑制している。 In particular, in the first embodiment, steps S1 to S5 are performed inside the substrate processing apparatus 100 without the dispensing unit 7 dispensing substrates W in process outside the substrate processing apparatus 100 during steps S1 to S5. is a series of steps performed in That is, the steps S1 to S5 are a series of steps performed by a plurality of tanks TA inside the substrate processing apparatus 100. FIG. Therefore, by removing the processing liquid from the concave portion 92 before the etching process in a series of processes executed inside one substrate processing apparatus 100, the deterioration of the etching effect on the plurality of substrates W can be suppressed. ing.

なお、工程Ｓ１～工程Ｓ５を１バッチ処理とすると、基板処理装置１００は、複数のバッチ処理を並行して実行してもよい。この場合、第１処理部１９～第３処理部２１と乾燥処理部１７とが適宜使用される。 If steps S1 to S5 constitute one batch process, the substrate processing apparatus 100 may execute a plurality of batch processes in parallel. In this case, the first processing section 19 to the third processing section 21 and the drying processing section 17 are appropriately used.

また、実施形態１では、工程Ｓ１は、工程Ｓ１１と、工程Ｓ１２とを含む。 Further, in Embodiment 1, step S1 includes step S11 and step S12.

工程Ｓ１１において、処理部ＳＰ１は、複数の基板Ｗに対して前処理を行う。具体的には、処理部ＳＰ１は、複数の基板Ｗを薬液（ＤＨＦ）で処理する。工程Ｓ１１は「薬液工程」の一例に相当する。実施形態１では、槽ＯＮＢ１が、複数の基板Ｗを薬液に浸漬して、複数の基板Ｗを薬液で処理する。 In step S11, the processing part SP1 pre-processes the plurality of substrates W. As shown in FIG. Specifically, the processing part SP1 processes a plurality of substrates W with a chemical solution (DHF). The step S11 corresponds to an example of the "chemical solution step". In Embodiment 1, the bath ONB1 immerses the plurality of substrates W in the chemical solution to treat the plurality of substrates W with the chemical solution.

特に、工程Ｓ１１では、槽ＯＮＢ１が、複数の基板Ｗに形成された自然酸化膜９３を薬液（ＤＨＦ）によって除去する。その結果、工程Ｓ３での複数の基板Ｗに対するエッチング処理を更に効果的に実行できる。 In particular, in step S11, the bath ONB1 removes the natural oxide films 93 formed on the plurality of substrates W with a chemical solution (DHF). As a result, the etching process for the plurality of substrates W in step S3 can be performed more effectively.

工程Ｓ１２において、処理部ＳＰ１は、リンス液（ＤＩＷ）によって複数の基板Ｗから薬液を洗い流す。工程Ｓ１２は「リンス工程」の一例に相当する。「リンス液」は「処理液としてのリンス液」の一例に相当する。実施形態１では、槽ＯＮＢ１が、工程Ｓ１１で使用した薬液をリンス液に入れ替え、複数の基板Ｗをリンス液に浸漬して、リンス液によって複数の基板Ｗから薬液を洗い流す。 In step S12, the processing part SP1 washes away the chemical solution from the plurality of substrates W with the rinsing solution (DIW). Step S12 corresponds to an example of the "rinsing step". "Rinse liquid" corresponds to an example of "rinse liquid as a processing liquid". In the first embodiment, the bath ONB1 replaces the chemical solution used in step S11 with the rinse solution, immerses the plurality of substrates W in the rinse solution, and rinses away the chemical solution from the plurality of substrates W with the rinse solution.

そして、工程Ｓ１２の後の工程Ｓ２において、処理部ＳＰ１は、複数の基板Ｗの凹部９２に入り込んでいるリンス液を複数の基板Ｗから除去する。 Then, in step S2 after step S12, the processing part SP1 removes from the plurality of substrates W the rinse liquid that has entered the concave portions 92 of the plurality of substrates W. As shown in FIG.

従って、実施形態１によれば、工程Ｓ３のエッチング処理の前に、工程Ｓ２において複数の基板Ｗの凹部９２からリンス液が除去される。従って、エッチング液は、リンス液が入り込んでいない凹部９２に直接進入する。その結果、複数の基板Ｗに対するエッチング効果の低下を抑制できる。 Therefore, according to the first embodiment, the rinsing liquid is removed from the concave portions 92 of the plurality of substrates W in step S2 before the etching process in step S3. Therefore, the etchant directly enters the recesses 92 into which the rinsing liquid has not entered. As a result, the deterioration of the etching effect on the plurality of substrates W can be suppressed.

なお、工程Ｓ１は、工程Ｓ１１及び工程Ｓ１２のうちのいずれか１つの工程を含んでいてもよい。例えば、工程Ｓ１が工程Ｓ１１だけを含んでいる場合は、工程Ｓ２において、処理部ＳＰ１は、複数の基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる薬液を複数の基板Ｗから除去する。具体的には、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗを乾燥して、複数の基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる薬液を除去する。 Note that step S1 may include any one of step S11 and step S12. For example, when the process S1 includes only the process S11, the processing part SP1 removes the chemical liquid that has entered the recesses 92 of the multiple substrates W from the multiple substrates W in the process S2. Specifically, the bath LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the chemical solution that has entered the recesses 92 of the plurality of substrates W. As shown in FIG.

また、本発明は、工程Ｓ３で使用するエッチング液がアルカリ性のエッチング液である場合に特に有効である。有効な理由は次の通りである。 Moreover, the present invention is particularly effective when the etchant used in step S3 is an alkaline etchant. Valid reasons are as follows.

すなわち、一般的に、アルカリ性のエッチング液では、自然酸化膜を除去できないため、エッチング処理の前に、薬液（ＤＨＦ）によって自然酸化膜を除去することが要求される。従って、エッチング処理の前に、薬液が凹部９２に入り込んだり、薬液を除去するためのリンス液が凹部９２に入り込んだりする可能性がある。そこで、エッチング効果の低下を抑制するために、エッチング処理の前に凹部９２から薬液及びリンス液を除去することは特に有効である。 That is, since the natural oxide film cannot generally be removed with an alkaline etching solution, it is required to remove the natural oxide film with a chemical solution (DHF) before the etching process. Therefore, there is a possibility that the chemical liquid may enter the concave portion 92 or the rinse liquid for removing the chemical liquid may enter the concave portion 92 before the etching process. Therefore, it is particularly effective to remove the chemical solution and the rinse solution from the concave portion 92 before the etching process in order to suppress the deterioration of the etching effect.

また、本発明は、工程Ｓ３で使用するエッチング液が比較的粘度の高いエッチング液である場合に特に有効である。有効な理由は次の通りである。 Moreover, the present invention is particularly effective when the etchant used in step S3 is an etchant with a relatively high viscosity. Valid reasons are as follows.

すなわち、仮に凹部９２にリンス液等の処理液が入り込んだ状態でエッチング液を供給すると、凹部９２の深い位置までエッチング液が拡散によって進入する時間は、粘度の高いエッチング液の方が、粘度の低いエッチング液よりも長くなる。そこで、粘度の高いエッチング液を使用してエッチング処理を実行する場合は、エッチング効果の低下を抑制するために、エッチング処理の前にリンス液等の処理液を除去する必要性は大きい。 That is, if the etchant is supplied in a state in which the processing liquid such as the rinsing liquid has entered the recesses 92, the time required for the etchant to enter deep into the recesses 92 by diffusion is longer than that of the etchant having a higher viscosity. Longer than lower etchant. Therefore, when an etching process is performed using a highly viscous etching liquid, it is highly necessary to remove the processing liquid such as the rinse liquid before the etching process in order to suppress the deterioration of the etching effect.

特に、エッチング液としてＴＭＡＨを含む水溶液を使用する場合は、本発明は特に有効である。なぜなら、ＴＭＡＨは、アルカリ性であるとともに、比較的粘度が高いからである。 In particular, the present invention is particularly effective when using an aqueous solution containing TMAH as the etchant. This is because TMAH is alkaline and relatively viscous.

ここで、図５に示すように、工程３のエッチング処理の前に工程２の除去処理を実行する限りにおいては、工程Ｓ１（工程Ｓ１１及び工程Ｓ１２）～工程Ｓ５は、基板処理装置１００の複数の槽ＴＡのうち、任意の槽ＴＡを使用して実行できる。 Here, as shown in FIG. 5, as long as the removal treatment of step 2 is performed before the etching treatment of step 3, steps S1 (steps S11 and S12) to step S5 are performed by a plurality of substrate processing apparatuses 100. can be carried out using any of the tanks TA.

例えば、工程Ｓ１１において、槽ＯＮＢ１が、複数の基板Ｗを薬液（ＤＨＦ）で処理する。工程Ｓ１２において、槽ＯＮＢ１が、複数の基板Ｗからリンス液（ＤＩＷ）によって薬液を洗い流す。工程Ｓ２において、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗを乾燥して基板Ｗの凹部９２からリンス液を除去する。工程Ｓ３において、槽ＯＮＢ１が、複数の基板Ｗをエッチング液（ＴＭＡＨ）でエッチングする。工程Ｓ４において、槽ＯＮＢ１が、複数の基板Ｗからリンス液によってエッチング液を洗い流す。工程Ｓ５において、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗを乾燥して、複数の基板Ｗからリンス液を除去する。この例では、工程Ｓ１～工程Ｓ５が２つの槽ＴＡ（槽ＯＮＢ１及び槽ＬＰＤ１）で実行される。従って、工程Ｓ１～工程Ｓ５ごとに槽ＴＡを用意する場合と比較して、基板処理装置１００のコストを低減できる。また、搬送機構ＣＶによる基板Ｗの搬入及び搬出の制御を簡素化できる。 For example, in step S11, bath ONB1 treats a plurality of substrates W with a chemical solution (DHF). In step S12, the bath ONB1 washes away the chemicals from the plurality of substrates W with the rinsing liquid (DIW). In step S2, the bath LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinsing liquid from the concave portions 92 of the substrates W. As shown in FIG. In step S3, the bath ONB1 etches the plurality of substrates W with an etchant (TMAH). In step S4, the bath ONB1 washes away the etchant from the plurality of substrates W with the rinsing liquid. In step S5, the bath LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinsing liquid from the plurality of substrates W. FIG. In this example, steps S1 to S5 are performed in two tanks TA (tank ONB1 and tank LPD1). Therefore, the cost of the substrate processing apparatus 100 can be reduced as compared with the case where the bath TA is prepared for each of the steps S1 to S5. Also, the control of loading and unloading of the substrate W by the transport mechanism CV can be simplified.

例えば、図３に示す槽ＬＰＤ１に対して、図２に示す薬液供給源２３及びエッチング液供給源２７を接続することができる。この場合は、例えば、工程Ｓ１１において、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗを薬液（ＤＨＦ）で処理する。工程Ｓ１２において、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗからリンス液（ＤＩＷ）によって薬液を洗い流す。工程Ｓ２において、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗを乾燥して基板Ｗの凹部９２からリンス液を除去する。工程Ｓ３において、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗをエッチング液（ＴＭＡＨ）でエッチングする。工程Ｓ４において、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗからリンス液によってエッチング液を洗い流す。工程Ｓ５において、槽ＬＰＤ１が、複数の基板Ｗを乾燥して、複数の基板Ｗからリンス液を除去する。この例では、工程Ｓ１～工程Ｓ５が１つの槽ＬＰＤ１で実行される。従って、基板処理装置１００のコストを更に低減できる。また、搬送機構ＣＶによる基板Ｗの搬入及び搬出の制御を更に簡素化できる。 For example, the chemical solution supply source 23 and etching solution supply source 27 shown in FIG. 2 can be connected to the tank LPD1 shown in FIG. In this case, for example, in step S11, the bath LPD1 treats the plurality of substrates W with the chemical solution (DHF). In step S12, the bath LPD1 washes away the chemicals from the plurality of substrates W with the rinsing liquid (DIW). In step S2, the bath LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinsing liquid from the concave portions 92 of the substrates W. As shown in FIG. In step S3, the bath LPD1 etches the plurality of substrates W with an etchant (TMAH). In step S4, the bath LPD1 washes away the etchant from the plurality of substrates W with the rinsing liquid. In step S5, the bath LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinsing liquid from the plurality of substrates W. FIG. In this example, steps S1 to S5 are performed in one tank LPD1. Therefore, the cost of the substrate processing apparatus 100 can be further reduced. Also, the control of loading and unloading of the substrate W by the transport mechanism CV can be further simplified.

また、図５に示す工程Ｓ１と工程Ｓ２と工程Ｓ３とのうちの少なくとも２以上の工程が、同一槽ＴＡ内で実行されてもよい。使用されない槽ＴＡが存在することを抑制して、基板Ｗの処理のスループットを向上できるからである。工程Ｓ１と工程Ｓ２と工程Ｓ３との全てを同一槽ＴＡ内で実行してもよい。基板Ｗの処理のスループットを更に向上できるからである。また、工程Ｓ１１と工程Ｓ１２とは、同一槽ＴＡ内で実行されてもよいし、異なる槽ＴＡ内で実行されてもよい。 Moreover, at least two of the steps S1, S2, and S3 shown in FIG. 5 may be performed in the same tank TA. This is because the throughput of processing the substrates W can be improved by suppressing the presence of unused tanks TA. All of step S1, step S2 and step S3 may be performed in the same tank TA. This is because the throughput of processing the substrates W can be further improved. In addition, step S11 and step S12 may be performed in the same tank TA or in different tanks TA.

なお、工程Ｓ１～工程Ｓ５のうちの少なくとも２以上の工程が、同一槽ＴＡ内で実行されてもよい。また、工程Ｓ１～工程Ｓ５の全てが同一槽ＴＡ内で実行されてもよい。 At least two of the steps S1 to S5 may be performed in the same tank TA. Also, all of steps S1 to S5 may be performed in the same tank TA.

また、図５に示す工程Ｓ２では、複数の基板Ｗを槽ＴＡで乾燥させることに代えて、次のようにして、複数の基板Ｗを乾燥することもできる。 Further, in step S2 shown in FIG. 5, instead of drying the plurality of substrates W in the bath TA, the plurality of substrates W can be dried as follows.

すなわち、工程Ｓ１の処理を行った槽ＴＡ（例えば槽ＯＮＢ１）から工程Ｓ３のエッチング処理を行う別の槽ＴＡ（例えば槽ＣＨＢ１）に搬送機構ＣＶが複数の基板Ｗを移動中の経路において、複数の基板Ｗに不活性ガス（例えば窒素ガス）を吹き付けて、複数の基板Ｗを乾燥し、凹部９２から処理液を除去する。 That is, in the route in which the transport mechanism CV moves the plurality of substrates W from the tank TA (for example, tank ONB1) in which the process of step S1 is performed to another tank TA (for example, tank CHB1) in which the etching process in step S3 is performed, a plurality of An inert gas (for example, nitrogen gas) is blown onto the substrates W to dry the plurality of substrates W, and the processing liquid is removed from the recesses 92 .

（実施形態２）
図６及び図７を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００Ａ及び基板処理方法を説明する。実施形態２に係る基板処理装置１００Ａが枚葉式である点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。枚葉式とは、基板Ｗを１枚ずつ処理する方式のことである。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。 (Embodiment 2)
A substrate processing apparatus 100A and a substrate processing method according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. The second embodiment is mainly different from the first embodiment in that the substrate processing apparatus 100A according to the second embodiment is a single-wafer type. The single-wafer method is a method of processing substrates W one by one. In the following, differences of the second embodiment from the first embodiment will be mainly described.

まず、図６を参照して実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを説明する。図６は、基板処理装置１００Ａを示す模式的断面図である。図６に示すように、基板処理装置１００Ａは、処理部ＳＰ２を備える。 First, a substrate processing apparatus 100A according to Embodiment 2 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the substrate processing apparatus 100A. As shown in FIG. 6, the substrate processing apparatus 100A includes a processing part SP2.

処理部ＳＰ２は、基板Ｗを回転しながら、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。具体的には、処理部ＳＰ２は、チャンバー１０５と、スピンチャック１０７と、スピンモーター９５と、ノズル１１１と、ノズル移動部１１３と、ノズル１１５と、ノズル１１７と、ノズル移動部１１９と、流体供給ユニット１２１と、ユニット移動部１２６とを含む。 The processing part SP2 processes the substrate W by discharging the processing liquid onto the substrate W while rotating the substrate W. FIG. Specifically, the processing part SP2 includes a chamber 105, a spin chuck 107, a spin motor 95, a nozzle 111, a nozzle moving part 113, a nozzle 115, a nozzle 117, a nozzle moving part 119, a fluid supply It includes a unit 121 and a unit moving section 126 .

チャンバー１０５は略箱形状を有する。チャンバー１０５は、基板Ｗ、スピンチャック１０７、スピンモーター９５、ノズル１１１、ノズル移動部１１３、ノズル１１５、ノズル１１７、ノズル移動部１１９、流体供給ユニット１２１、及びユニット移動部１２６を収容する。 Chamber 105 has a generally box shape. Chamber 105 accommodates substrate W, spin chuck 107 , spin motor 95 , nozzle 111 , nozzle moving section 113 , nozzle 115 , nozzle 117 , nozzle moving section 119 , fluid supply unit 121 and unit moving section 126 .

スピンチャック１０７は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック１０７は、チャンバー１０５内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸ１の回りに基板Ｗを回転させる。 The spin chuck 107 holds the substrate W and rotates. Specifically, the spin chuck 107 rotates the substrate W around the rotation axis AX1 while horizontally holding the substrate W within the chamber 105 .

スピンチャック１０７は、複数のチャック部材１７０と、スピンベース１７１とを含む。複数のチャック部材１７０はスピンベース１７１に設けられる。複数のチャック部材１７０は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース１７１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材１７０を支持する。スピンモーター９５は、スピンベース１７１を回転軸線ＡＸ１の回りに回転させる。従って、スピンベース１７１は回転軸線ＡＸ１の回りに回転する。その結果、スピンベース１７１に設けられた複数のチャック部材１７０に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸ１の回りに回転する。 Spin chuck 107 includes a plurality of chuck members 170 and spin base 171 . A plurality of chuck members 170 are provided on a spin base 171 . A plurality of chuck members 170 hold the substrate W in a horizontal posture. The spin base 171 has a substantially disk shape and supports the plurality of chuck members 170 in a horizontal posture. The spin motor 95 rotates the spin base 171 around the rotation axis AX1. Accordingly, the spin base 171 rotates around the rotation axis AX1. As a result, the substrate W held by the plurality of chuck members 170 provided on the spin base 171 rotates around the rotation axis AX1.

ノズル１１１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けて薬液を吐出する。薬液は、図２を参照して説明した実施形態１に係る薬液と同様である。実施形態２では、薬液はＤＨＦである。ノズル移動部１１３は、回動軸線ＡＸ２の回りに回動して、ノズル１１１の処理位置と待機位置との間で、ノズル１１１を水平に移動させる。 The nozzle 111 ejects the chemical solution toward the substrate W while the substrate W is rotating. The chemical solution is the same as the chemical solution according to the first embodiment described with reference to FIG. In embodiment 2, the chemical is DHF. The nozzle moving unit 113 rotates around the rotation axis AX2 to horizontally move the nozzle 111 between the processing position of the nozzle 111 and the standby position.

ノズル１１５は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。リンス液は、図２を参照して説明した実施形態１に係るリンス液と同様である。実施形態２では、リンス液は純水（ＤＩＷ）である。 The nozzle 115 discharges the rinse liquid toward the substrate W while the substrate W is rotating. The rinse liquid is the same as the rinse liquid according to the first embodiment described with reference to FIG. In Embodiment 2, the rinse liquid is pure water (DIW).

ノズル１１７は、基板Ｗに向けてエッチング液を吐出する。エッチング液は、図２を参照して説明した実施形態１に係るエッチング液と同様である。実施形態２では、エッチング液はＴＭＡＨを含む水溶液である。ノズル移動部１１９は、回動軸線ＡＸ３の回りに回動して、ノズル１１７の処理位置と待機位置との間で、ノズル１１７を水平に移動させる。 The nozzle 117 discharges the etchant toward the substrate W. FIG. The etchant is the same as the etchant according to the first embodiment described with reference to FIG. In Embodiment 2, the etchant is an aqueous solution containing TMAH. The nozzle moving unit 119 rotates around the rotation axis AX3 to horizontally move the nozzle 117 between the processing position of the nozzle 117 and the standby position.

流体供給ユニット１２１は、スピンチャック１０７の上方に位置する。流体供給ユニット１２１は、吐出口１２２ａから窒素ガス（Ｎ2）を基板Ｗに向けて吐出する。流体供給ユニット１２１は、吐出口１２３ａからリンス液を基板Ｗに向けて吐出する。リンス液は、図２を参照して説明した実施形態１に係るリンス液と同様である。実施形態２では、リンス液は純水（ＤＩＷ）である。流体供給ユニット１２１は、吐出口１２４ａから水溶性の有機溶剤の蒸気を基板Ｗに向けて吐出する。実施形態２では、図３を参照して説明した実施形態１と同様に、水溶性の有機溶剤の蒸気は、ＩＰＡの蒸気である。 The fluid supply unit 121 is positioned above the spin chuck 107 . The fluid supply unit 121 discharges nitrogen gas (N 2 ) toward the substrate W from the discharge port 122a. The fluid supply unit 121 ejects the rinse liquid toward the substrate W from the ejection port 123a. The rinse liquid is the same as the rinse liquid according to the first embodiment described with reference to FIG. In Embodiment 2, the rinse liquid is pure water (DIW). The fluid supply unit 121 ejects vapor of a water-soluble organic solvent toward the substrate W from the ejection port 124a. In Embodiment 2, as in Embodiment 1 described with reference to FIG. 3, the water-soluble organic solvent vapor is IPA vapor.

ユニット移動部１２６は、流体供給ユニット１２１を鉛直方向に沿って上昇又は下降させる。流体供給ユニット１２１が、窒素ガス、リンス液、及びＩＰＡを基板Ｗに吐出する際には、ユニット移動部１２６は、流体供給ユニット１２１を下降させている。 The unit moving part 126 vertically moves the fluid supply unit 121 up or down. When the fluid supply unit 121 discharges nitrogen gas, rinse liquid, and IPA onto the substrate W, the unit moving section 126 lowers the fluid supply unit 121 .

次に、図４（ａ）、図６、及び図７を参照して、実施形態２に係る基板処理方法を説明する。図７は、基板処理方法を示すフローチャートである。図７に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１～工程Ｓ２９を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００Ａによって実行され、基板Ｗを処理する。具体的には、処理部ＳＰ２が、工程Ｓ２１～工程Ｓ２９を実行する。 Next, a substrate processing method according to Embodiment 2 will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a flow chart showing a substrate processing method. As shown in FIG. 7, the substrate processing method includes steps S21 to S29. The substrate processing method is performed by the substrate processing apparatus 100A to process the substrate W. FIG. Specifically, the processing part SP2 executes steps S21 to S29.

図６及び図７に示すように、工程Ｓ２１において、搬送機構（不図示）が、１枚の基板Ｗを処理部ＳＰ２に搬入する。 As shown in FIGS. 6 and 7, in step S21, a transport mechanism (not shown) loads one substrate W into the processing part SP2.

工程Ｓ２２において、処理部ＳＰ２が基板Ｗの回転を開始する。実施形態２では、スピンチャック１０７が基板Ｗの回転を開始する。 In step S22, the processing part SP2 starts rotating the substrate W. As shown in FIG. In the second embodiment, the spin chuck 107 starts rotating the substrate W. FIG.

工程Ｓ２３において、処理部ＳＰ２は、チャンバー１０５内で基板Ｗを回転させながら、処理液を基板Ｗに供給して基板Ｗを処理液で処理する。工程Ｓ２３は「処理工程」の一例に相当する。 In step S23, the processing part SP2 supplies the processing liquid to the substrate W while rotating the substrate W within the chamber 105 to process the substrate W with the processing liquid. Step S23 corresponds to an example of a "processing step".

工程Ｓ２３の後に、工程Ｓ２４において、処理部ＳＰ２は、チャンバー１０５内で基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる処理液を基板Ｗから除去する。実施形態２では、処理部ＳＰ２は、チャンバー１０５内で基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥して、基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる処理液を除去する。工程Ｓ２４は「除去工程」の一例に相当する。 After step S23, in step S24, the processing part SP2 removes from the substrate W the processing liquid that has entered the concave portion 92 of the substrate W while rotating the substrate W within the chamber 105 . In the second embodiment, the processing part SP2 dries the substrate W while rotating the substrate W within the chamber 105 to remove the processing liquid that has entered the concave portion 92 of the substrate W. FIG. Step S24 corresponds to an example of the "removal step".

工程Ｓ２４の後に、工程Ｓ２５において、処理部ＳＰ２は、チャンバー１０５内で基板Ｗを回転させながら、エッチング液（ＴＭＡＨ）を基板Ｗに供給して基板Ｗをエッチング液でエッチングする。実施形態２では、ノズル１１７が、基板Ｗにエッチング液を吐出して、基板Ｗをエッチングする。工程Ｓ２５は「エッチング工程」の一例に相当する。 After step S24, in step S25, the processing part SP2 supplies an etchant (TMAH) to the substrate W while rotating the substrate W within the chamber 105 to etch the substrate W with the etchant. In the second embodiment, the nozzle 117 ejects the etchant onto the substrate W to etch the substrate W. FIG. The step S25 corresponds to an example of the "etching step".

工程Ｓ２５の後に、工程Ｓ２６において、処理部ＳＰ２は、チャンバー１０５内で基板Ｗを回転させながら、リンス液（ＤＩＷ）を基板Ｗに供給してリンス液によって基板Ｗからエッチング液を洗い流す。実施形態２では、ノズル１１５が、基板Ｗにリンス液を吐出して、基板Ｗからエッチング液を洗い流す。 After step S25, in step S26, the processing part SP2 supplies the rinsing liquid (DIW) to the substrate W while rotating the substrate W within the chamber 105 to wash away the etchant from the substrate W with the rinsing liquid. In the second embodiment, the nozzle 115 discharges the rinsing liquid onto the substrate W to wash away the etchant from the substrate W. FIG.

工程Ｓ２６の後に、工程Ｓ２７において、処理部ＳＰ２は、チャンバー１０５内で基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する。 After step S26, the processing part SP2 dries the substrate W while rotating the substrate W within the chamber 105 in step S27.

工程Ｓ２７の後に、工程Ｓ２８において、処理部ＳＰ２が基板Ｗの回転を停止する。 After step S27, the processing part SP2 stops the rotation of the substrate W in step S28.

工程Ｓ２８の後に、工程Ｓ２９において、搬送機構（不図示）が、１枚の基板Ｗを処理部ＳＰ２から搬出する。 After step S28, in step S29, a transport mechanism (not shown) unloads one substrate W from processing part SP2.

以上、図６及び図７を参照して説明したように、実施形態２によれば、工程Ｓ２５のエッチング処理の前に、工程Ｓ２４において基板Ｗから処理液が除去される。つまり、エッチング処理の前に凹部９２から処理液が除去される。従って、エッチング液は、処理液が入り込んでいない凹部９２に直接進入する。その結果、基板Ｗに対するエッチング効果の低下を抑制できる。 As described above with reference to FIGS. 6 and 7, according to the second embodiment, the processing liquid is removed from the substrate W in step S24 before the etching process in step S25. That is, the processing liquid is removed from the concave portion 92 before the etching process. Therefore, the etchant directly enters the recesses 92 into which the processing liquid has not entered. As a result, the deterioration of the etching effect on the substrate W can be suppressed.

また、実施形態２では、工程Ｓ２３は、工程Ｓ２３１と、工程Ｓ２３２とを含む。 Moreover, in Embodiment 2, step S23 includes step S231 and step S232.

工程Ｓ２３１において、処理部ＳＰ２は、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗに対して前処理を行う。具体的には、処理部ＳＰ２は、基板Ｗを回転させながら、薬液（ＤＨＦ）を基板Ｗに供給して基板Ｗを薬液で処理する。工程Ｓ２３１は「薬液工程」の一例に相当する。実施形態２では、ノズル１１１が、基板Ｗに薬液を吐出して、基板Ｗを薬液で処理する。 In step S231, the processing part SP2 performs pretreatment on the substrate W while rotating the substrate W. As shown in FIG. Specifically, the processing part SP2 supplies the chemical solution (DHF) to the substrate W while rotating the substrate W to process the substrate W with the chemical solution. The step S231 corresponds to an example of a "chemical solution step". In the second embodiment, the nozzle 111 discharges the chemical solution onto the substrate W to treat the substrate W with the chemical solution.

特に、工程Ｓ２３１では、ノズル１１１が、基板Ｗに形成された自然酸化膜９３を薬液（ＤＨＦ）によって除去する。 In particular, in step S231, the nozzle 111 removes the natural oxide film 93 formed on the substrate W with a chemical solution (DHF).

工程Ｓ２３２において、処理部ＳＰ２は、基板Ｗを回転させながら、リンス液（ＤＩＷ）を基板Ｗに供給してリンス液によって基板Ｗから薬液を洗い流す。工程Ｓ２３２は「リンス工程」の一例に相当する。実施形態２では、流体供給ユニット１２１が、吐出口１２３ａから基板Ｗにリンス液を吐出して、リンス液によって基板Ｗから薬液を洗い流す。 In step S232, the processing part SP2 supplies the rinsing liquid (DIW) to the substrate W while rotating the substrate W to wash away the chemical liquid from the substrate W with the rinsing liquid. Step S232 corresponds to an example of a "rinsing step". In the second embodiment, the fluid supply unit 121 ejects the rinse liquid onto the substrate W from the ejection port 123a, and the chemical liquid is washed away from the substrate W with the rinse liquid.

そして、工程Ｓ２３２の後の工程Ｓ２４において、処理部ＳＰ２は、基板Ｗを回転させながら基板Ｗを乾燥して、基板Ｗの凹部９２に入り込んでいるリンス液を基板Ｗから除去する。実施形態２では、工程Ｓ２４において、流体供給ユニット１２１は、吐出口１２２ａから基板Ｗにキャリアガスとしての窒素ガスを吐出する。さらに、流体供給ユニット１２１は、吐出口１２４ａから基板Ｗに、水溶性の有機溶剤（ＩＰＡ）の蒸気を吐出して、基板Ｗを回転させながら基板Ｗを乾燥する。 Then, in step S24 after step S232, the processing part SP2 dries the substrate W while rotating the substrate W to remove the rinse liquid that has entered the concave portion 92 of the substrate W from the substrate W. FIG. In the second embodiment, in step S24, the fluid supply unit 121 ejects nitrogen gas as a carrier gas onto the substrate W from the ejection port 122a. Further, the fluid supply unit 121 dries the substrate W while rotating the substrate W by ejecting vapor of a water-soluble organic solvent (IPA) from the ejection port 124a onto the substrate W. FIG.

従って、実施形態２によれば、工程Ｓ２５のエッチング処理の前に、工程Ｓ２４において基板Ｗの凹部９２からリンス液が除去される。従って、エッチング液は、リンス液が入り込んでいない凹部９２に直接進入する。その結果、基板Ｗに対するエッチング効果の低下を抑制できる。 Therefore, according to the second embodiment, the rinse liquid is removed from the concave portion 92 of the substrate W in step S24 before the etching process in step S25. Therefore, the etchant directly enters the recesses 92 into which the rinsing liquid has not entered. As a result, the deterioration of the etching effect on the substrate W can be suppressed.

なお、工程Ｓ２３は、工程Ｓ２３１及び工程Ｓ２３２のうちのいずれか１つの工程を含んでいてもよい。例えば、工程Ｓ２３が工程Ｓ２３１だけを含んでいる場合は、工程Ｓ２４において、処理部ＳＰ２は、基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる薬液を基板Ｗから除去する。具体的には、処理部ＳＰ２が、基板Ｗを乾燥して、基板Ｗの凹部９２に入り込んでいる薬液を除去する。 In addition, step S23 may include any one of step S231 and step S232. For example, when the step S23 includes only the step S231, the processing part SP2 removes the chemical liquid that has entered the recess 92 of the substrate W from the substrate W in the step S24. Specifically, the processing part SP2 dries the substrate W to remove the chemical liquid that has entered the concave portion 92 of the substrate W. As shown in FIG.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be embodied in various aspects without departing from the spirit of the present invention. Also, the plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments can be modified as appropriate. For example, some of all the components shown in one embodiment may be added to the components of another embodiment, or some configurations of all the components shown in one embodiment may be added. Elements may be deleted from the embodiment.

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。 In addition, the drawings schematically show each component mainly for easy understanding of the invention, and the thickness, length, number, spacing, etc. It may be different from the actual one due to the convenience of Further, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and it goes without saying that various modifications are possible within a range that does not substantially deviate from the effects of the present invention. .

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and has industrial applicability.

１００、１００Ａ 基板処理装置
ＳＰ１、ＳＰ２ 処理部
Ｗ 基板 100, 100A substrate processing apparatus SP1, SP2 processing unit W substrate

Claims (18)

凹部を含むパターンを有する基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板を処理液で処理する処理工程と、
前記処理工程の後に、前記凹部に入り込んでいる前記処理液を前記基板から除去する除去工程と、
前記除去工程の後に、前記基板をエッチング液でエッチングするエッチング工程と
を含み、
前記エッチング工程では、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記エッチング液の流動によって前記凹部の内部に前記エッチング液を進入させることで、エッチングを行う、基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate having a pattern including recesses,
a treatment step of treating the substrate with a treatment liquid;
a removing step of removing the processing liquid that has entered the recess from the substrate after the processing step;
an etching step of etching the substrate with an etchant after the removing step;
In the etching step, the substrate processing method performs etching by allowing the etchant to enter the interior of the recess due to the flow of the etchant in a state in which the processing liquid has been removed from the recess. 前記除去工程では、前記基板を乾燥して、前記凹部に入り込んでいる前記処理液を除去する、請求項１に記載の基板処理方法。 2. The substrate processing method according to claim 1, wherein in said removing step, said substrate is dried to remove said processing liquid that has entered said recess. 前記処理工程は、
前記基板を薬液で処理する薬液工程と、
前記処理液としてのリンス液によって前記基板から前記薬液を洗い流すリンス工程と
を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。 The processing step includes
a chemical solution step of treating the substrate with a chemical solution;
3. The substrate processing method according to claim 1, further comprising a rinsing step of washing away said chemical liquid from said substrate with a rinse liquid as said processing liquid. 前記薬液工程では、前記基板に形成された自然酸化膜を前記薬液によって除去する、請求項３に記載の基板処理方法。 4. The substrate processing method according to claim 3, wherein in said chemical solution step, a natural oxide film formed on said substrate is removed with said chemical solution. 前記処理工程と前記除去工程と前記エッチング工程とは、複数の槽を備える基板処理装置の外部に前記基板を出すことなく、前記基板処理装置の内部で実行される一連の工程である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。 3. The processing step, the removing step, and the etching step are a series of steps that are executed inside a substrate processing apparatus without exposing the substrate to the outside of the substrate processing apparatus having a plurality of tanks. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 4. 前記除去工程では、前記複数の槽のうち前記基板が収容されている槽内に水溶性の有機溶剤の蒸気を供給して、前記槽内を減圧することによって前記基板を乾燥する、請求項５に記載の基板処理方法。 6. In said removing step, said substrate is dried by supplying vapor of a water-soluble organic solvent to a tank containing said substrate among said plurality of tanks and decompressing said tank. The substrate processing method described in . 前記処理工程と前記除去工程と前記エッチング工程とのうちの少なくとも２以上の工程が、同一槽内で実行される、請求項５又は請求項６に記載の基板処理方法。 7. The substrate processing method according to claim 5, wherein at least two of said processing step, said removing step and said etching step are performed in the same tank. 前記処理工程では、チャンバー内で前記基板を回転させながら、前記処理液を前記基板に供給して前記基板を処理し、
前記除去工程では、前記チャンバー内で前記基板を回転させながら、前記凹部に入り込んでいる前記処理液を除去し、
前記エッチング工程では、前記チャンバー内で前記基板を回転させながら、前記エッチング液を前記基板に供給して前記基板をエッチングする、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。 In the processing step, the substrate is processed by supplying the processing liquid to the substrate while rotating the substrate in a chamber;
In the removing step, the processing liquid entering the recess is removed while rotating the substrate in the chamber;
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 4, wherein in the etching step, the substrate is etched by supplying the etching liquid to the substrate while rotating the substrate in the chamber. . 前記パターンは、積層膜を含み、
前記積層膜は、ポリシリコン膜と酸化シリコン膜とが交互に積層されることで構成され、
前記エッチング液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The pattern includes a laminated film,
The laminated film is formed by alternately laminating a polysilicon film and a silicon oxide film,
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 8, wherein the etchant contains tetramethylammonium hydroxide. 前記パターンは、積層膜を含み、
前記積層膜は、異なる複数の材料が積層されることで構成され、
前記エッチング工程では、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記凹部の側面をエッチングして、前記基板の面方向に複数のリセスを形成する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The pattern includes a laminated film,
The laminated film is configured by laminating a plurality of different materials,
9. The etching step according to any one of claims 1 to 8 , wherein, in a state in which the processing liquid has been removed from the recess, side surfaces of the recess are etched to form a plurality of recesses in a surface direction of the substrate. 2. The substrate processing method according to item 1. 前記エッチング工程では、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記エッチング液の流動によって前記凹部の半分よりも深い位置まで前記エッチング液を進入させる、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。 11. The etching step according to any one of claims 1 to 10, wherein, in a state in which the processing liquid has been removed from the recess, the etching liquid is made to enter a position deeper than half of the recess due to the flow of the etching liquid. 2. The substrate processing method according to item 1. 前記処理工程を実行する前において、前記凹部の幅に対する深さの比率のことである前記パターンのアスペクト比は２よりも大きい、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。 12. The substrate processing of any one of claims 1 to 11, wherein the aspect ratio of the pattern, which is the ratio of the depth to the width of the recesses, is greater than 2 before performing the processing steps. Method. 前記パターンは、前記処理液が入り込んでいる状態での流動による進入の限界位置よりも深い前記凹部を含む、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。 13. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 12, wherein said pattern includes said recesses deeper than a limit position of entry due to flow in a state in which said processing liquid enters. 凹部を含むパターンを有する基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理部を備え、
前記処理部は、
前記基板を処理液で処理し、
前記基板を前記処理液で処理した後に、前記凹部に入り込んでいる前記処理液を前記基板から除去し、
前記凹部から前記処理液が除去された状態において、エッチング液の流動によって前記凹部の内部に前記エッチング液を進入させることで、前記基板をエッチングする、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate having a pattern including recesses,
A processing unit that processes the substrate,
The processing unit is
treating the substrate with a treatment liquid;
after treating the substrate with the processing liquid, removing the processing liquid that has entered the recess from the substrate;
A substrate processing apparatus that etches the substrate by allowing the etchant to enter the interior of the recess due to the flow of the etchant in a state in which the processing liquid has been removed from the recess. 前記パターンは、積層膜を含み、
前記積層膜は、異なる複数の材料が積層されることで構成され、
前記処理部は、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記凹部の側面をエッチングして、前記基板の面方向に複数のリセスを形成する、請求項１４に記載の基板処理装置。 The pattern includes a laminated film,
The laminated film is configured by laminating a plurality of different materials,
15. The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein said processing section etches a side surface of said recess to form a plurality of recesses in a surface direction of said substrate in a state in which said processing liquid has been removed from said recess. 前記処理部は、前記凹部から前記処理液が除去された状態において、前記エッチング液の流動によって前記凹部の半分よりも深い位置まで前記エッチング液を進入させる、請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理装置。 16. The processing unit according to claim 14 or 15, wherein, in a state in which the processing liquid has been removed from the recess, the etching liquid enters a position deeper than half of the recess due to the flow of the etching liquid. Substrate processing equipment. 前記基板を前記処理液で処理する前において、前記凹部の幅に対する深さの比率のことである前記パターンのアスペクト比は２よりも大きい、請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 17. The pattern according to any one of claims 14 to 16, wherein the aspect ratio of the pattern, which is the ratio of the depth to the width of the recesses, is greater than 2 before the substrate is treated with the treatment liquid. substrate processing equipment. 前記パターンは、前記処理液が入り込んでいる状態での流動による進入の限界位置よりも深い前記凹部を含む、請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理装置。 18. The substrate processing apparatus according to any one of claims 14 to 17, wherein said pattern includes said recesses deeper than a limit position of entry due to flow in a state in which said processing liquid enters.
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