KR102526831B1 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102526831B1
KR102526831B1 KR1020217008176A KR20217008176A KR102526831B1 KR 102526831 B1 KR102526831 B1 KR 102526831B1 KR 1020217008176 A KR1020217008176 A KR 1020217008176A KR 20217008176 A KR20217008176 A KR 20217008176A KR 102526831 B1 KR102526831 B1 KR 102526831B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
liquid
concave portion
etchant
Prior art date
Application number
KR1020217008176A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210046049A (en
Inventor
유지 야마구치
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20210046049A publication Critical patent/KR20210046049A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102526831B1 publication Critical patent/KR102526831B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32055—Deposition of semiconductive layers, e.g. poly - or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors

Abstract

기판 처리 방법에서는, 오목부 (92) 를 포함하는 패턴 (PT) 을 갖는 기판 (W) 이 처리된다. 기판 처리 방법은, 처리 공정 (S1) 과, 제거 공정 (S2) 과, 에칭 공정 (S3) 을 포함한다. 처리 공정 (S1) 에서는, 기판 (W) 을 처리액으로 처리한다. 처리 공정 (S1) 의 후에, 제거 공정 (S2) 에서는, 오목부 (92) 에 들어가 있는 처리액을 기판 (W) 으로부터 제거한다. 제거 공정 (S2) 의 후에, 에칭 공정 (S3) 에서는, 기판 (W) 을 에칭액으로 에칭한다.In the substrate processing method, a substrate W having a pattern PT including concave portions 92 is processed. The substrate processing method includes a treatment step (S1), a removal step (S2), and an etching step (S3). In the treatment step (S1), the substrate W is treated with a treatment liquid. After the treatment step (S1), in the removal step (S2), the treatment liquid contained in the concave portion 92 is removed from the substrate W. After the removal step (S2), in the etching step (S3), the substrate W is etched with an etchant.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

본 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

특허문헌 1 에 기재되어 있는 기판 처리 장치는, 웨트 처리 유닛을 구비한다. 웨트 처리 유닛은 웨트 에칭 처리를 실행한다. 구체적으로는, 웨트 에칭 처리는, 웨이퍼 반입 공정과, 회전 개시 공정과, 자연 산화막 제거 공정과, 제 1 린스 공정과, 희생막 (犧牲膜) 프리 에칭 공정과, 제 2 린스 공정과, 건조 공정과, 웨이퍼 반출 공정을 포함한다.The substrate processing apparatus described in Patent Literature 1 includes a wet processing unit. A wet processing unit performs wet etching processing. Specifically, the wet etching process includes a wafer loading process, a rotation start process, a natural oxide film removal process, a first rinse process, a sacrificial film pre-etching process, a second rinse process, and a drying process and a wafer unloading process.

웨이퍼 반입 공정 및 회전 개시 공정이 실행된 후, 자연 산화막 제거 공정에서는, 웨이퍼의 표면에 DHF (희불산) 를 공급하여, 웨이퍼로부터 자연 산화막을 제거한다. 그리고, 제 1 린스 공정에서는, 웨이퍼의 표면에 린스액을 공급하여, 자연 산화막의 잔류물을 씻어낸다. 또한, 희생막 프리 에칭 공정에서는, 웨이퍼의 표면에 에칭액을 공급하여, 웨이퍼로부터 희생막의 일부를 제거한다. 구체적으로는, 웨이퍼의 표면에는, 오목부를 포함하는 패턴이 형성되어 있다. 그리고, 희생막 프리 에칭 공정에서는, 오목부에 에칭액을 진입시켜, 패턴과 실리콘 기판 사이에 형성된 희생막의 일부를 제거한다. 그리고, 제 2 린스 공정, 건조 공정, 및 웨이퍼 반출 공정이 실행된다.After the wafer loading process and the rotation start process are performed, in the native oxide film removal process, DHF (dilute hydrofluoric acid) is supplied to the surface of the wafer to remove the native oxide film from the wafer. Then, in the first rinsing step, a rinsing liquid is supplied to the surface of the wafer to wash away the residue of the native oxide film. Further, in the sacrificial film pre-etching process, an etchant is supplied to the surface of the wafer to remove a part of the sacrificial film from the wafer. Specifically, a pattern including a concave portion is formed on the surface of the wafer. Then, in the sacrificial film pre-etching step, an etchant is introduced into the concave portion to remove a portion of the sacrificial film formed between the pattern and the silicon substrate. Then, a second rinsing process, a drying process, and a wafer unloading process are executed.

일본 공개특허공보 2015-88619호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-88619

그러나, 특허문헌 1 에 기재되어 있는 기판 처리 장치에서는, 희생막 프리 에칭 공정의 실행시에, 제 1 린스 공정에서 공급된 린스액이, 웨이퍼의 표면에 형성된 패턴의 오목부에 잔존할 수 있다.However, in the substrate processing apparatus described in Patent Literature 1, the rinsing liquid supplied in the first rinsing process may remain in the concave portion of the pattern formed on the surface of the wafer during the sacrificial film pre-etching process.

특히 최근, 기판에 형성되는 패턴의 미세화가 진행되어, 패턴의 애스펙트비 (오목부의 폭에 대한 깊이의 비율) 가 높아지거나, 패턴의 형상이 복잡해져 있거나 한다. 따라서, 만일 패턴의 오목부에 린스액이 잔존하고 있는 상태에서 오목부에 에칭액을 공급하면, 린스액의 영향에 의해, 오목부의 깊이 방향에 있어서 에칭액에 농도 구배가 발생할 수 있다. 구체적으로는, 에칭액의 공급 당초에는, 에칭액의 농도가, 오목부의 얕은 위치로부터 깊은 위치를 향하여 낮아질 수 있다. 따라서, 에칭액이 오목부의 깊은 위치에 침투하기 위해서는, 린스액 중으로의 농도 구배에 의한 에칭액의 확산의 시간이 필요해질 수 있다. 그 결과, 에칭액의 확산의 시간을 확보하여 프로세스를 정하고 있지 않은 경우에는, 웨이퍼에 대한 에칭 효과가 약간 저하될 가능성이 있다.Particularly in recent years, miniaturization of patterns formed on substrates has progressed, and the aspect ratio (ratio of the depth to the width of the concave portion) of the pattern has increased, and the shape of the pattern has become complicated. Therefore, if the etchant is supplied to the concave portion in a state where the rinsing liquid remains in the concave portion of the pattern, a concentration gradient may be generated in the etchant in the depth direction of the concave portion due to the influence of the rinsing liquid. Specifically, at the beginning of the supply of the etchant, the concentration of the etchant may decrease from a shallow position to a deep position of the concave portion. Therefore, in order for the etchant to penetrate deep into the concave portion, time may be required for the etchant to diffuse into the rinsing liquid by the concentration gradient. As a result, if the process is not determined by ensuring the diffusion time of the etchant, there is a possibility that the etching effect on the wafer is slightly lowered.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판에 대한 에칭 효과의 저하를 억제할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing a decrease in the etching effect on the substrate.

본 발명의 일 국면에 의하면, 기판 처리 방법에서는, 오목부를 포함하는 패턴을 갖는 기판이 처리된다. 기판 처리 방법은, 상기 기판을 처리액으로 처리하는 처리 공정과, 상기 처리 공정 후에, 상기 오목부에 들어가 있는 상기 처리액을 상기 기판으로부터 제거하는 제거 공정과, 상기 제거 공정 후에, 상기 기판을 에칭액으로 에칭하는 에칭 공정을 포함한다.According to one aspect of the present invention, in a substrate processing method, a substrate having a pattern including concave portions is processed. The substrate processing method includes a treatment step of treating the substrate with a treatment liquid, a removal step of removing the treatment liquid from the substrate after the treatment step, and after the removal step, removing the substrate with an etchant. It includes an etching process of etching with

본 발명의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제거 공정에서는, 상기 기판을 건조시켜, 상기 오목부에 들어가 있는 상기 처리액을 제거하는 것이 바람직하다.In the substrate processing method of the present invention, in the removing step, it is preferable to dry the substrate to remove the processing liquid contained in the concave portion.

본 발명의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 처리 공정은, 상기 기판을 약액으로 처리하는 약액 공정과, 상기 처리액으로서의 린스액에 의해 상기 기판으로부터 상기 약액을 씻어내는 린스 공정을 포함하는 것이 바람직하다.In the substrate processing method of the present invention, the treatment step preferably includes a chemical solution step of treating the substrate with a chemical solution, and a rinse step of washing the chemical solution from the substrate with a rinse solution as the treatment solution.

본 발명의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 약액 공정에서는, 상기 기판에 형성된 자연 산화막을 상기 약액에 의해 제거하는 것이 바람직하다.In the substrate processing method of the present invention, in the chemical solution step, it is preferable to remove the natural oxide film formed on the substrate with the chemical solution.

본 발명의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 처리 공정과 상기 제거 공정과 상기 에칭 공정은, 복수의 조를 구비하는 기판 처리 장치의 외부로 상기 기판을 꺼내지 않고, 상기 기판 처리 장치의 내부에서 실행되는 일련의 공정인 것이 바람직하다.In the substrate processing method of the present invention, the processing step, the removal step, and the etching step are a series of steps performed inside the substrate processing apparatus having a plurality of tanks without taking the substrate out of the substrate processing apparatus. It is preferable that the process of

본 발명의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제거 공정에서는, 상기 복수의 조 중 상기 기판이 수용되어 있는 조 내에 수용성의 유기 용제의 증기를 공급하여, 상기 조 내를 감압함으로써 상기 기판을 건조시키는 것이 바람직하다.In the substrate processing method of the present invention, in the removing step, it is preferable to dry the substrate by supplying vapor of a water-soluble organic solvent to a tank containing the substrate among the plurality of tanks and reducing the pressure in the tank. do.

본 발명의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 처리 공정과 상기 제거 공정과 상기 에칭 공정 중 적어도 2 이상의 공정이, 동일 조 내에서 실행되는 것이 바람직하다.In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that at least two or more of the processing step, the removal step, and the etching step are performed in the same bath.

본 발명의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 처리 공정에서는, 챔버 내에서 상기 기판을 회전시키면서, 상기 처리액을 상기 기판에 공급하여 상기 기판을 처리하는 것이 바람직하다. 상기 제거 공정에서는, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 회전시키면서, 상기 오목부에 들어가 있는 상기 처리액을 제거하는 것이 바람직하다. 상기 에칭 공정에서는, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 회전시키면서, 상기 에칭액을 상기 기판에 공급하여 상기 기판을 에칭하는 것이 바람직하다.In the substrate processing method of the present invention, in the processing step, the substrate is preferably processed by supplying the processing liquid to the substrate while rotating the substrate in a chamber. In the removing step, it is preferable to remove the processing liquid contained in the concave portion while rotating the substrate in the chamber. In the etching step, the substrate is preferably etched by supplying the etchant to the substrate while rotating the substrate in the chamber.

본 발명의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 에칭액은, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드를 포함하는 것이 바람직하다.In the substrate processing method of the present invention, the etching solution preferably contains tetramethylammonium hydroxide.

본 발명의 다른 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 오목부를 포함하는 패턴을 갖는 기판을 처리한다. 기판 처리 장치는, 상기 기판을 처리하는 처리부를 구비한다. 상기 처리부는, 상기 기판을 처리액으로 처리한다. 처리부는, 상기 기판을 상기 처리액으로 처리한 후에, 상기 오목부에 들어가 있는 상기 처리액을 상기 기판으로부터 제거한다. 처리부는, 상기 처리액을 상기 기판으로부터 제거한 후에, 상기 기판을 에칭액으로 에칭한다.According to another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus processes a substrate having a pattern including a concave portion. A substrate processing apparatus includes a processing unit that processes the substrate. The processing unit processes the substrate with a processing liquid. After processing the substrate with the processing liquid, the processing unit removes the processing liquid from the substrate. The processing unit, after removing the processing liquid from the substrate, etches the substrate with an etching liquid.

본 발명에 의하면, 기판에 대한 에칭 효과의 저하를 억제할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the substrate processing method and substrate processing apparatus which can suppress the decline of the etching effect with respect to a board|substrate can be provided.

도 1 은, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 2 는, 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치의 조를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 3 은, 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치의 다른 조를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 4(a) 는, 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치가 처리하는 기판의 제 1 상태를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 4(b) 는, 기판의 제 2 상태를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 4(c) 는, 기판의 제 3 상태를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 5 는, 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로 차트이다.
도 6 은, 본 발명의 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 장치를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 7 은, 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로 차트이다.1 is a schematic plan view showing a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing a tank of the substrate processing apparatus according to Embodiment 1;
3 is a schematic cross-sectional view showing another set of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
Fig. 4(a) is a schematic cross-sectional view showing a first state of a substrate processed by the substrate processing apparatus according to the first embodiment. Fig. 4(b) is a schematic cross-sectional view showing the second state of the substrate. Fig. 4(c) is a schematic cross-sectional view showing the third state of the substrate.
5 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 1;
6 is a schematic cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.
7 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 2;

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 반복하지 않는다. 또, 본 발명의 실시형태에 있어서, X 축, Y 축, 및 Z 축은 서로 직교하고, X 축 및 Y 축은 수평 방향과 평행하고, Z 축은 연직 방향과 평행하다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings. In addition, the same reference code|symbol is attached|subjected about the same or an equivalent part in drawing, and description is not repeated. Further, in an embodiment of the present invention, the X axis, the Y axis, and the Z axis are orthogonal to each other, the X axis and the Y axis are parallel to the horizontal direction, and the Z axis is parallel to the vertical direction.

(실시형태 1)(Embodiment 1)

도 1 ∼ 도 5 를 참조하여, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치 (100) 및 기판 처리 방법을 설명한다. 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치 (100) 는 배치식이다. 따라서, 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 처리한다. 구체적으로는, 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 로트를 처리한다. 복수의 로트의 각각은 복수의 기판 (W) 으로 이루어진다. 예를 들어, 1 로트는 25 장의 기판 (W) 으로 이루어진다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 대략 원판상이다.Referring to Figs. 1 to 5, a substrate processing apparatus 100 and a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 1 is of a batch type. Therefore, the substrate processing apparatus 100 processes a plurality of substrates W collectively. Specifically, the substrate processing apparatus 100 processes a plurality of lots. Each of the plurality of lots is composed of a plurality of substrates (W). For example, one lot consists of 25 substrates W. The substrate W has a substantially disk shape, for example.

기판 (W) 은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 전계 방출 디스플레이 (Field Emission Display : FED) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 또는 태양 전지용 기판이다. 반도체 웨이퍼는, 예를 들어, 삼차원 플래쉬 메모리 (예를 들어 삼차원 NAND 플래쉬 메모리) 를 형성하기 위한 패턴을 갖는다.The substrate W may be, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a magneto-optical disk. A substrate for a photomask, a substrate for a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell. A semiconductor wafer has a pattern for forming a three-dimensional flash memory (eg, a three-dimensional NAND flash memory), for example.

먼저, 도 1 을 참조하여 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 1 은, 기판 처리 장치 (100) 를 나타내는 모식적 평면도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 수납부 (1) 와, 투입부 (8) 와, 불출부 (拂出部) (7) 와, 주고받음 기구 (11) 와, 버퍼 유닛 (BU) 과, 반송 기구 (CV) 와, 처리부 (SP1) 를 구비한다. 처리부 (SP1) 는 복수의 조 (TA) 를 포함한다. 반송 기구 (CV) 는, 제 1 반송 기구 (CTC) 와, 제 2 반송 기구 (WTR) 와, 부(副)반송 기구 (LF1) 와, 부반송 기구 (LF2) 와, 부반송 기구 (LF3) 를 포함한다. 처리부 (SP1) 는, 건조 처리부 (17) 와, 제 1 처리부 (19) 와, 제 2 처리부 (20) 와, 제 3 처리부 (21) 를 포함한다. 건조 처리부 (17) 는, 복수의 조 (TA) 중 조 (LPD1) 및 조 (LPD2) 를 포함한다. 제 1 처리부 (19) 는, 복수의 조 (TA) 중 조 (ONB1) 및 조 (CHB1) 를 포함한다. 제 2 처리부 (20) 는, 복수의 조 (TA) 중 조 (ONB2) 및 조 (CHB2) 를 포함한다. 제 3 처리부 (21) 는, 복수의 조 (TA) 중 조 (ONB3) 및 조 (CHB3) 를 포함한다.First, the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG. 1 . 1 is a schematic plan view showing a substrate processing apparatus 100 . As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of storage units 1, an input unit 8, a delivery unit 7, and a transfer/receive mechanism 11. , a buffer unit (BU), a transport mechanism (CV), and a processing unit (SP1). The processing unit SP1 includes a plurality of tanks TA. The transport mechanism CV includes a first transport mechanism CTC, a second transport mechanism WTR, a sub transport mechanism LF1, a sub transport mechanism LF2, and a sub transport mechanism LF3. includes The processing unit SP1 includes a drying processing unit 17, a first processing unit 19, a second processing unit 20, and a third processing unit 21. The drying processing unit 17 includes a tank LPD1 and a tank LPD2 among a plurality of tanks TA. The first processing unit 19 includes a group ONB1 and a group CHB1 among a plurality of groups TA. The second processing unit 20 includes a group ONB2 and a group CHB2 among a plurality of groups TA. The third processing unit 21 includes a group ONB3 and a group CHB3 among a plurality of groups TA.

복수의 수납부 (1) 의 각각은, 복수의 기판 (W) 을 수용한다. 각 기판 (W) 은 수평 자세로 수납부 (1) 에 수용된다. 수납부 (1) 는, 예를 들어, FOUP (Front Opening Unified Pod) 이다.Each of the plurality of accommodating portions 1 accommodates a plurality of substrates W. Each substrate W is accommodated in the accommodating portion 1 in a horizontal posture. The housing unit 1 is, for example, a FOUP (Front Opening Unified Pod).

미처리 기판 (W) 을 수납하는 수납부 (1) 는, 투입부 (8) 에 재치 (載置) 된다. 구체적으로는, 투입부 (8) 는 복수의 재치대 (5) 를 포함한다. 그리고, 2 개의 수납부 (1) 가, 각각 2 개의 재치대 (5) 에 재치된다. 투입부 (8) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 길이 방향의 일방 단 (端) 에 배치된다.The accommodating unit 1 for accommodating the unprocessed substrates W is placed in the input unit 8 . Specifically, the injection unit 8 includes a plurality of placement tables 5 . Then, the two storage units 1 are mounted on the two mounting tables 5, respectively. The injection unit 8 is disposed at one end of the substrate processing apparatus 100 in the longitudinal direction.

처리가 끝난 기판 (W) 을 수납하는 수납부 (1) 는, 불출부 (7) 에 재치된다. 구체적으로는, 불출부 (7) 는 복수의 재치대 (9) 를 포함한다. 그리고, 2 개의 수납부 (1) 가, 각각 2 개의 재치대 (9) 에 재치된다. 불출부 (7) 는, 처리가 끝난 기판 (W) 을 수납부 (1) 에 수납하여 수납부 (1) 째로 내보낸다. 불출부 (7) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 길이 방향의 일방 단에 배치된다. 불출부 (7) 는, 투입부 (8) 에 대해, 기판 처리 장치 (100) 의 길이 방향과 직교하는 방향으로 대향하고 있다.The accommodating part 1 for accommodating the processed substrate W is placed in the dispensing part 7 . Specifically, the dispensing unit 7 includes a plurality of placement tables 9 . Then, the two storage units 1 are mounted on the two mounting tables 9, respectively. The dispensing unit 7 accommodates the processed substrate W in the accommodating unit 1 and delivers it to the accommodating unit 1. The dispensing unit 7 is disposed at one end of the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 . The dispensing unit 7 faces the input unit 8 in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 .

버퍼 유닛 (BU) 은, 투입부 (8) 및 불출부 (7) 에 인접하여 배치된다. 버퍼 유닛 (BU) 은, 투입부 (8) 에 재치된 수납부 (1) 를 기판 (W) 째로 내부로 거두어들임과 함께, 선반 (도시 생략) 에 수납부 (1) 를 재치한다. 또, 버퍼 유닛 (BU) 은, 처리가 끝난 기판 (W) 을 수취하여 수납부 (1) 에 수납함과 함께, 선반에 수납부 (1) 를 재치한다. 버퍼 유닛 (BU) 내에는, 주고받음 기구 (11) 가 배치되어 있다.The buffer unit BU is disposed adjacent to the input unit 8 and the dispensing unit 7 . The buffer unit (BU) takes in the storage unit (1) placed on the input unit (8) in its entirety with the board (W), and also places the storage unit (1) on a shelf (not shown). Further, the buffer unit BU receives the processed substrate W and stores it in the storage unit 1, and also places the storage unit 1 on the shelf. In the buffer unit BU, a transmission/reception mechanism 11 is disposed.

주고받음 기구 (11) 는, 투입부 (8) 및 불출부 (7) 와 선반 사이에서 수납부 (1) 를 주고받는다. 또, 주고받음 기구 (11) 는, 주고받음 기구 (11) 와 반송 기구 (CV) 사이에서 기판 (W) 만의 주고받음을 실시한다. 구체적으로는, 주고받음 기구 (11) 는, 주고받음 기구 (11) 와 반송 기구 (CV) 사이에서 로트의 주고받음을 실시한다. 반송 기구 (CV) 는, 처리부 (SP1) 에 대해 로트를 반입 및 반출한다. 구체적으로는, 반송 기구 (CV) 는, 처리부 (SP1) 의 조 (TA) 의 각각에 대해 로트를 반입 및 반출한다. 처리부 (SP1) 는, 로트의 각 기판 (W) 을 처리한다.The transfer/receipt mechanism 11 transfers the storage unit 1 between the input unit 8 and the dispensing unit 7 and the shelf. In addition, the transfer mechanism 11 transfers only the substrate W between the transfer mechanism 11 and the transport mechanism CV. Specifically, the transfer mechanism 11 transfers lots between the transfer mechanism 11 and the transport mechanism CV. The conveying mechanism CV carries in and carries out the lot with respect to processing part SP1. Conveyance mechanism CV carries in and carries out a lot with respect to each of tank TA of process part SP1 specifically,. The processing unit SP1 processes each substrate W of the lot.

구체적으로는, 주고받음 기구 (11) 는, 주고받음 기구 (11) 와 반송 기구 (CV) 인 제 1 반송 기구 (CTC) 사이에서 로트의 주고받음을 실시한다. 제 1 반송 기구 (CTC) 는, 주고받음 기구 (11) 로부터 수취한 로트의 복수의 기판 (W) 의 자세를 수평 자세에서 수직 자세로 변환한 후, 제 2 반송 기구 (WTR) 에 로트를 건넨다. 또, 제 1 반송 기구 (CTC) 는, 제 2 반송 기구 (WTR) 로부터 처리가 끝난 로트를 수취한 후, 로트의 복수의 기판 (W) 의 자세를 수직 자세에서 수평 자세로 변환하여, 로트를 주고받음 기구 (11) 에 건넨다.Specifically, the transfer mechanism 11 transfers lots between the transfer mechanism 11 and the first transport mechanism CTC, which is the transport mechanism CV. The first transport mechanism CTC converts the postures of the plurality of substrates W of the lot received from the transfer mechanism 11 from the horizontal posture to the vertical posture, and then passes the lot to the second transport mechanism WTR. . In addition, the first transport mechanism CTC receives the processed lot from the second transport mechanism WTR, then converts the postures of the plurality of substrates W of the lot from a vertical posture to a horizontal posture, It is handed over to the send-and-receive mechanism (11).

제 2 반송 기구 (WTR) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 길이 방향을 따라, 처리부 (SP1) 의 건조 처리부 (17) 로부터 제 3 처리부 (21) 까지 이동 가능하다. 따라서, 제 2 반송 기구 (WTR) 는, 건조 처리부 (17), 제 1 처리부 (19), 제 2 처리부 (20), 및 제 3 처리부 (21) 에 대해, 로트를 반입 및 반출한다.The second transport mechanism WTR is movable from the drying processing unit 17 of the processing unit SP1 to the third processing unit 21 along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 100 . Therefore, the 2nd transport mechanism WTR carries in and carries out a lot with respect to the drying process part 17, the 1st process part 19, the 2nd process part 20, and the 3rd process part 21.

건조 처리부 (17) 는 로트에 대해 건조 처리를 실시한다. 구체적으로는, 건조 처리부 (17) 의 조 (LPD1) 및 조 (LPD2) 의 각각이, 로트를 수납하여 로트의 복수의 기판 (W) 에 대해 건조 처리를 실시한다. 제 2 반송 기구 (WTR) 는, 조 (LPD1) 및 조 (LPD2) 의 각각에 대해 로트를 반입 및 반출한다.The drying processing part 17 performs drying processing with respect to a lot. Specifically, each of the tank LPD1 and the tank LPD2 of the drying processing unit 17 stores a lot and performs a drying process on a plurality of substrates W of the lot. The second transport mechanism WTR carries in and carries out lots for each of the tank LPD1 and the tank LPD2.

건조 처리부 (17) 에 인접하여 제 1 처리부 (19) 가 배치되어 있다. 제 1 처리부 (19) 의 조 (ONB1) 는, 로트의 복수의 기판 (W) 에 대해 약액에 의한 전처리를 실시한다. 전처리란, 에칭 처리 (구체적으로는 웨트 에칭 처리) 보다 전에 실시되는 약액에 의한 처리이다. 약액은, 자연 산화막을 기판 (W) 으로부터 제거하는 경우에는, 예를 들어, 희불산 (DHF : Diluted hydrofluoric acid) 이다. 또한, 기판 (W) 에 대해 전처리를 실시할 수 있는 한에 있어서는, 전처리에서 사용하는 약액의 종류는 특별히 한정되지 않는다.Adjacent to the drying process part 17, the 1st process part 19 is arrange|positioned. The group ONB1 of the first processing unit 19 performs pretreatment with a chemical liquid on a plurality of substrates W of the lot. The pretreatment is a chemical treatment performed prior to an etching treatment (specifically, a wet etching treatment). The chemical solution is, for example, dilute hydrofluoric acid (DHF) in the case of removing the native oxide film from the substrate W. In addition, as long as the substrate W can be subjected to pretreatment, the type of chemical solution used in the pretreatment is not particularly limited.

또는 조 (ONB1) 는, 로트의 복수의 기판 (W) 에 대해 린스액에 의한 세정 처리를 실시한다. 린스액은 세정액의 일례이다. 또한, 세정 처리에서는, 린스액에 기판 (W) 이 침지되어 있으면, 시간의 경과에 수반하여 기판 (W) 이 세정되지만, 어느 시간이 되면 세정 효과는 포화 상태가 된다.Alternatively, the tank ONB1 performs cleaning treatment with a rinse liquid on a plurality of substrates W in the lot. A rinse liquid is an example of a cleaning liquid. In the cleaning process, when the substrate W is immersed in the rinse liquid, the substrate W is cleaned over time, but after a certain period of time, the cleaning effect becomes saturated.

린스액은, 예를 들어, 순수 (DIW : Deionzied Water), 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것이다. 순수란, 탈이온수이다. 또한, 기판 (W) 에 대해 세정 처리를 실시할 수 있는 한에 있어서는, 세정 처리에서 사용되는 린스액의 종류는 특별히 한정되지 않는다.The rinsing liquid is, for example, pure water (DIW: Deionzied Water), carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water at a diluted concentration (eg, about 10 ppm to 100 ppm). Pure water is deionized water. Further, as long as the cleaning treatment can be performed on the substrate W, the type of rinsing liquid used in the cleaning treatment is not particularly limited.

또는 조 (ONB1) 는, 로트의 복수의 기판 (W) 에 대해 에칭액에 의한 에칭 처리를 실시한다. 요컨대, 조 (ONB1) 는, 로트의 복수의 기판 (W) 에 대해 웨트 에칭 처리를 실시한다. 또한, 에칭 처리에서는, 에칭액에 기판 (W) 이 침지되어 있는 한은, 시간이 경과할수록, 에칭량이 많아져, 에칭량이 포화 상태가 되지 않는다.Alternatively, the group ONB1 performs an etching process with an etchant on a plurality of substrates W in the lot. In short, the group ONB1 performs a wet etching process on the plurality of substrates W of the lot. Further, in the etching treatment, as long as the substrate W is immersed in the etching solution, the etching amount increases as time elapses, and the etching amount does not become saturated.

에칭액은, 예를 들어, 알칼리성의 에칭액 또는 산성의 에칭액이다. 알칼리성의 에칭액은, 예를 들어, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 (TMAH) 를 포함하는 수용액, 트리메틸-2하이드록시에틸암모늄하이드로옥사이드 (TMY) 를 포함하는 수용액, 또는 수산화암모늄 (암모니아수) 이다. 산성의 에칭액은, 예를 들어, 인산, 또는 혼산 (混酸) 이다. 또한, 기판 (W) 에 대해 에칭 처리를 실시할 수 한에 있어서는, 에칭 처리에서 사용되는 에칭액의 종류는 특별히 한정되지 않는다.The etching solution is, for example, an alkaline etching solution or an acidic etching solution. The alkaline etching solution is, for example, an aqueous solution containing tetramethylammonium hydroxide (TMAH), an aqueous solution containing trimethyl-2hydroxyethylammonium hydroxide (TMY), or ammonium hydroxide (aqueous ammonia). The acidic etchant is, for example, phosphoric acid or mixed acid. Further, as long as the substrate W can be etched, the type of etchant used in the etching process is not particularly limited.

조 (CHB1) 는, 조 (ONB1) 와 동일한 구성을 가지고 있고, 조 (ONB1) 와 동일한 처리를 실시한다.The group (CHB1) has the same configuration as the group (ONB1), and performs the same processing as the group (ONB1).

반송 기구 (CV) 의 부반송 기구 (LF1) 는, 제 1 처리부 (19) 내에서의 로트의 반송 외에, 제 2 반송 기구 (WTR) 와의 사이에서 로트의 주고받음을 실시한다. 또, 부반송 기구 (LF1) 는, 로트를 조 (ONB1) 또는 조 (CHB1) 에 침지하거나, 로트를 조 (ONB1) 또는 조 (CHB1) 로부터 끌어올리거나 한다.Sub-transport mechanism LF1 of transport mechanism CV exchanges lots with the second transport mechanism WTR in addition to transporting lots within the first processing unit 19 . Further, the sub-transport mechanism LF1 immerses the lot in the nail ONB1 or the nail CHB1, or lifts the lot from the nail ONB1 or the nail CHB1.

제 1 처리부 (19) 에 인접하여 제 2 처리부 (20) 가 배치되어 있다. 제 2 처리부 (20) 의 조 (ONB2) 및 조 (CHB2) 의 각각은, 조 (ONB1) 와 동일한 구성을 가지고 있고, 조 (ONB1) 와 동일한 처리를 실시한다. 반송 기구 (CV) 의 부반송 기구 (LF2) 는, 제 2 처리부 (20) 내에서의 로트의 반송 외에, 제 2 반송 기구 (WTR) 와의 사이에서 로트의 주고받음을 실시한다. 또, 부반송 기구 (LF2) 는, 로트를 조 (ONB2) 또는 조 (CHB2) 에 침지하거나 로트를 조 (ONB2) 또는 조 (CHB2) 로부터 끌어올리거나 한다.Adjacent to the first processing unit 19, a second processing unit 20 is disposed. Each of the group (ONB2) and the group (CHB2) of the second processing unit 20 has the same structure as the group (ONB1), and performs the same process as the group (ONB1). Sub-transport mechanism LF2 of transport mechanism CV exchanges lots with the second transport mechanism WTR in addition to transporting lots within the second processing unit 20 . Further, the sub-transport mechanism LF2 immerses the lot in the nail ONB2 or the nail CHB2, or lifts the lot from the nail ONB2 or the nail CHB2.

제 2 처리부 (20) 에 인접하여 제 3 처리부 (21) 가 배치되어 있다. 제 3 처리부 (21) 의 조 (ONB3) 및 조 (CHB3) 의 각각은, 조 (ONB1) 와 동일한 구성을 가지고 있어, 조 (ONB1) 와 동일한 처리를 실시한다. 반송 기구 (CV) 의 부반송 기구 (LF3) 는, 제 3 처리부 (21) 내에서의 로트의 반송 외에, 제 2 반송 기구 (WTR) 와의 사이에서 로트의 주고받음을 실시한다. 또, 부반송 기구 (LF3) 는, 로트를 조 (ONB3) 또는 조 (CHB3) 에 침지하거나, 로트를 조 (ONB3) 또는 조 (CHB3) 로부터 끌어올리거나 한다.Adjacent to the second processing unit 20, a third processing unit 21 is disposed. Each of the group (ONB3) and the group (CHB3) of the third processing unit 21 has the same structure as the group (ONB1), and performs the same processing as the group (ONB1). Sub-transport mechanism LF3 of transport mechanism CV exchanges lots with the second transport mechanism WTR in addition to transporting lots within the third processing unit 21 . Further, the sub-transport mechanism LF3 immerses the lot in the nail ONB3 or the nail CHB3, or lifts the lot from the nail ONB3 or the nail CHB3.

이상, 도 1 을 참조하여 설명한 바와 같이, 반송 기구 (CV) 는, 처리부 (SP1) 의 조 (TA) (조 (LPD1), 조 (LPD2), 조 (ONB1) ∼ 조 (ONB3), 및 조 (CHB1) ∼ 조 (CHB3)) 의 각각에 대해 로트를 반입 및 반출하는 것이 가능하다. 그리고, 복수의 조 (TA) 의 각각은 로트를 처리 가능하다.As described above with reference to FIG. 1 , conveyance mechanism CV is a set TA of processing unit SP1 (a set LPD1, a set LPD2, a set (ONB1) to a set (ONB3), and a set It is possible to carry in and unload lots for each of the groups (CHB1) to (CHB3)). And each of a plurality of groups (TA) can process a lot.

본 명세서에 있어서, 전처리에서 사용하는 「약액」및 세정 처리에서 사용하는 「린스액」의 각각은 「처리액」의 일례에 상당한다.In this specification, each of the "chemical liquid" used in the pretreatment and the "rinse liquid" used in the cleaning treatment corresponds to an example of the "treatment liquid".

다음으로, 도 2 를 참조하여 조 (ONB1) 를 설명한다. 도 2 는, 조 (ONB1) 를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 조 (ONB1) 는, 처리조 (41) 와, 회수조 (43) 와, 복수의 노즐 (45) 을 포함한다. 부반송 기구 (LF1) 는 복수의 유지봉 (40) 을 포함한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 약액 공급원 (23) 과, 밸브 (24) 와, 린스액 공급원 (25) 과, 밸브 (26) 와, 에칭액 공급원 (27) 과, 밸브 (28) 와, 배액 드레인 (29) 과, 배관 (31) 과, 배관 (33) 을 추가로 구비한다.Next, with reference to Fig. 2, set ONB1 will be described. Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing jaw ONB1. As shown in FIG. 2 , tank ONB1 includes a treatment tank 41 , a recovery tank 43 , and a plurality of nozzles 45 . The sub-transport mechanism LF1 includes a plurality of holding rods 40 . The substrate processing apparatus 100 includes a chemical liquid supply source 23, a valve 24, a rinse liquid supply source 25, a valve 26, an etchant supply source 27, a valve 28, and a drain drain (29), pipe (31), and pipe (33) are further provided.

처리조 (41) 는, 약액, 린스액, 또는 에칭액을 저류하는 것이 가능한 용기이다. 처리조 (41) 에는, 약액, 린스액, 또는 에칭액이, 상이한 시간대에 저류된다. 처리조 (41) 는, 약액 중에 기판 (W) 을 침지함으로써 기판 (W) 에 대해 전처리를 실시한다. 실시형태 1 에서는, 전처리를 실시하기 위한 약액은, DHF이다. 처리조 (41) 는, 린스액 중에 기판 (W) 을 침지함으로써 기판 (W) 에 대해 세정 처리를 실시한다. 실시형태 1 에서는, 세정 처리에서 사용하는 린스액은 DIW 이다. 처리조 (41) 는, 에칭액 중에 기판 (W) 을 침지함으로써 기판 (W) 에 대해 에칭 처리를 실시한다. 실시형태 1 에서는, 에칭 처리에서 사용하는 에칭액은, TMAH 를 포함하는 수용액이다.The treatment tank 41 is a container capable of storing a chemical liquid, a rinse liquid, or an etching liquid. In the processing tank 41, a chemical liquid, a rinse liquid, or an etching liquid is stored at different times. The treatment tank 41 pre-processes the substrate W by immersing the substrate W in a chemical solution. In Embodiment 1, the chemical solution for pretreatment is DHF. The treatment tank 41 performs a cleaning treatment on the substrate W by immersing the substrate W in a rinse liquid. In Embodiment 1, the rinsing liquid used in the washing treatment is DIW. The treatment tank 41 performs an etching process on the substrate W by immersing the substrate W in an etchant. In Embodiment 1, the etchant used in the etching process is an aqueous solution containing TMAH.

처리조 (41) 의 상부는 개구되어 있다. 그리고, 개구로부터, 약액, 린스액, 또는 에칭액을 흘러넘치게 하는 것이 가능하게 되어 있다. 처리조 (41) 의 상단 (上端) 주변부에는 회수조 (43) 가 형성된다. 그리고, 처리조 (41) 의 개구로부터 흘러넘친 약액, 린스액, 또는 에칭액은, 회수조 (43) 로 흘러들어가 수용된다. 회수조 (43) 와 배액 드레인 (29) 은 배관 (33) 에 의해 접속된다. 따라서, 회수조 (43) 로 흘러들어간 약액, 린스액, 또는 에칭액은, 배관 (33) 을 통해 배액 드레인 (29) 으로 배출된다.The upper part of the treatment tank 41 is open. And, it is possible to overflow the chemical liquid, the rinsing liquid, or the etching liquid through the opening. A recovery tank 43 is formed around the upper end of the treatment tank 41 . Then, the chemical liquid, rinse liquid, or etchant overflowing from the opening of the treatment tank 41 flows into the recovery tank 43 and is accommodated therein. The recovery tank 43 and the drainage drain 29 are connected by a pipe 33 . Therefore, the chemical liquid, rinsing liquid, or etching liquid that has flowed into the recovery tank 43 is discharged to the drainage drain 29 through the pipe 33 .

복수의 노즐 (45) 은, 처리조 (41) 의 내부에 배치된다. 복수의 노즐 (45) 은, 배관 (31) 에 접속된다. 배관 (31) 에는, 밸브 (24) 와, 밸브 (26) 와, 밸브 (28) 가 사이에 끼워진다.A plurality of nozzles 45 are disposed inside the treatment tank 41 . A plurality of nozzles 45 are connected to the pipe 31 . A valve 24, a valve 26, and a valve 28 are sandwiched between the pipe 31.

배관 (31) 은, 밸브 (24) 를 통해 약액 공급원 (23) 과 접속된다. 따라서, 밸브 (24) 를 열고, 밸브 (26) 및 밸브 (28) 를 닫으면, 약액이, 약액 공급원 (23) 으로부터 배관 (31) 을 통해 복수의 노즐 (45) 에 공급된다. 그 결과, 복수의 노즐 (45) 은, 약액을 처리조 (41) 에 토출한다.The pipe 31 is connected to the chemical liquid supply source 23 via the valve 24 . Therefore, when the valve 24 is opened and the valves 26 and 28 are closed, the chemical liquid is supplied from the chemical liquid supply source 23 to the plurality of nozzles 45 via the pipe 31 . As a result, the plurality of nozzles 45 discharge the chemical solution to the treatment tank 41 .

배관 (31) 은, 밸브 (26) 를 통해 린스액 공급원 (25) 과 접속된다. 따라서, 밸브 (26) 를 열고, 밸브 (24) 및 밸브 (28) 을 닫으면, 린스액이, 린스액 공급원 (25) 으로부터 배관 (31) 을 통해 복수의 노즐 (45) 에 공급된다. 그 결과, 복수의 노즐 (45) 은, 린스액을 처리조 (41) 에 토출한다.The pipe 31 is connected to the rinsing liquid supply source 25 via a valve 26 . Therefore, when the valve 26 is opened and the valves 24 and 28 are closed, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 25 to the plurality of nozzles 45 via the pipe 31. As a result, the plurality of nozzles 45 discharge the rinse liquid to the treatment tank 41 .

배관 (31) 은, 밸브 (28) 를 통해 에칭액 공급원 (27) 과 접속된다. 따라서, 밸브 (28) 를 열고, 밸브 (24) 및 밸브 (26) 를 닫으면, 에칭액이, 에칭액 공급원 (27) 으로부터 배관 (31) 을 통해 복수의 노즐 (45) 에 공급된다. 그 결과, 복수의 노즐 (45) 은, 에칭액을 처리조 (41) 에 토출한다.The pipe 31 is connected to the etchant supply source 27 via a valve 28 . Therefore, when the valve 28 is opened and the valve 24 and the valve 26 are closed, the etchant is supplied from the etchant supply source 27 to the plurality of nozzles 45 via the pipe 31. As a result, the plurality of nozzles 45 discharge the etchant to the treatment tank 41 .

부반송 기구 (LF1) 의 복수의 유지봉 (40) 은, 복수의 기판 (W) 을 기립 자세로 유지한다. 그리고, 부반송 기구 (LF1) 는, 복수의 유지봉 (40) 에 의해 유지된 복수의 기판 (W) 을, 처리조 (41) 내에 침지되는 위치와, 처리조 (41) 로부터 끌어올려진 위치 사이에서 이동시킨다. 또한, 부반송 기구 (LF2) 및 부반송 기구 (LF3) 의 구성은, 부반송 기구 (LF1) 의 구성과 동일하다.The plurality of holding rods 40 of the sub-transport mechanism LF1 hold the plurality of substrates W in a standing position. Then, the sub-transport mechanism LF1 transfers the plurality of substrates W held by the plurality of holding rods 40 to a position where the substrates W are immersed in the treatment tank 41 and a position where the treatment tank 41 is pulled up. move between In addition, the structure of the sub-transport mechanism LF2 and the sub-transport mechanism LF3 is the same as that of the sub-transport mechanism LF1.

다음으로, 도 3 을 참조하여 조 (LPD1) 를 설명한다. 도 3 은, 조 (LPD1) 를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 실시형태 1 에서는, 조 (LPD1) 는, 수용성의 유기 용제의 증기를 사용한 감압 인상식 건조법에 기초하여 건조 처리를 실행한다.Next, the jaw LPD1 will be described with reference to FIG. 3 . 3 is a schematic cross-sectional view showing jaw LPD1. As shown in FIG. 3 , in Embodiment 1, tank LPD1 performs drying treatment based on a vacuum pulling type drying method using vapor of a water-soluble organic solvent.

구체적으로는, 조 (LPD1) 는, 챔버 (71) 와, 처리조 (73) 와, 회수조 (75) 와, 승강 기구 (77) 와, 복수의 노즐 (81) 과, 복수의 가스 노즐 (83) 을 포함한다. 승강 기구 (77) 는 복수의 유지봉 (79) 을 포함한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 가스 공급 기구 (51) 와, 감압부 (53) 와, 순수 공급원 (55) 과, 밸브 (57) 와, 배관 (59) 과, 배기 라인 (61) 과, 배관 (63) 과, 배액 라인 (65) 을 추가로 구비한다.Specifically, the tank LPD1 includes a chamber 71, a treatment tank 73, a recovery tank 75, a lifting mechanism 77, a plurality of nozzles 81, and a plurality of gas nozzles ( 83). The elevating mechanism 77 includes a plurality of holding rods 79 . The substrate processing apparatus 100 includes a gas supply mechanism 51, a pressure reducing unit 53, a pure water supply source 55, a valve 57, a pipe 59, an exhaust line 61, and a pipe (63) and a drain line (65) are further provided.

챔버 (71) 는, 처리조 (73) 와, 회수조 (75) 와, 승강 기구 (77) 와, 복수의 노즐 (81) 과, 복수의 가스 노즐 (83) 을 수용한다. 챔버 (71) 는 커버 (71a) 를 포함한다. 커버 (71a) 는, 챔버 (71) 의 상부의 개구에 장착되어 있다. 커버 (71a) 는 개폐 가능하다.The chamber 71 accommodates a treatment tank 73 , a recovery tank 75 , an elevating mechanism 77 , a plurality of nozzles 81 , and a plurality of gas nozzles 83 . The chamber 71 includes a cover 71a. The cover 71a is attached to the upper opening of the chamber 71 . The cover 71a can be opened and closed.

처리조 (73) 는, 순수 (DIW) 를 저류하는 것이 가능한 용기이다. 처리조 (73) 는, 순수 중에 기판 (W) 을 침지함으로써 기판 (W) 을 수세한다. 복수의 노즐 (81) 은, 처리조 (73) 의 내부에 배치된다. 복수의 노즐 (81) 은, 배관 (63) 에 접속된다. 배관 (63) 에는, 밸브 (57) 가 사이에 끼워진다. 배관 (63) 은, 밸브 (57) 를 통해 순수 공급원 (55) 과 접속된다. 따라서, 밸브 (57) 를 열면, 순수가, 순수 공급원 (55) 으로부터 배관 (63) 을 통해 복수의 노즐 (81) 에 공급된다. 그 결과, 복수의 노즐 (81) 은, 순수를 처리조 (73) 에 토출한다. 또한, 순수 공급원 (55) 은, 도 2 에 나타내는 린스액 공급원 (25) 이어도 된다.The treatment tank 73 is a container capable of storing pure water (DIW). The treatment tank 73 washes the substrate W by immersing the substrate W in pure water. A plurality of nozzles 81 are arranged inside the treatment tank 73 . A plurality of nozzles 81 are connected to the pipe 63 . A valve 57 is interposed between the pipe 63 and the pipe 63 . The pipe 63 is connected to the pure water supply source 55 via a valve 57. Therefore, when the valve 57 is opened, pure water is supplied from the pure water supply source 55 to the plurality of nozzles 81 through the pipe 63. As a result, the plurality of nozzles 81 discharge pure water to the treatment tank 73 . Further, the pure water supply source 55 may be the rinse liquid supply source 25 shown in FIG. 2 .

처리조 (73) 의 상단 주변부에는 회수조 (75) 가 형성된다. 기판 (W) 의 수세 중에는, 복수의 노즐 (81) 로부터 처리조 (73) 에 순수가 계속 공급되어, 처리조 (73) 의 상단부로부터 항상 순수가 흘러넘친다. 흘러넘친 순수는 회수조 (75) 로 흘러들어, 배액 라인 (65) 으로부터 챔버 (71) 의 외부로 배출된다.A recovery tank 75 is formed around the upper end of the treatment tank 73 . During the water washing of the substrate W, pure water is continuously supplied from the plurality of nozzles 81 to the treatment tank 73, and pure water always overflows from the upper end of the treatment tank 73. The overflowing pure water flows into the recovery tank 75 and is discharged to the outside of the chamber 71 through the drain line 65 .

승강 기구 (77) 의 복수의 유지봉 (79) 은, 복수의 기판 (W) 을 기립 자세로 유지한다. 그리고, 승강 기구 (77) 는, 복수의 유지봉 (79) 에 의해 유지된 복수의 기판 (W) 을, 처리조 (73) 내에 침지되는 위치와, 처리조 (73) 로부터 끌어올려진 위치 사이에서 이동시킨다.The plurality of holding rods 79 of the elevating mechanism 77 hold the plurality of substrates W in a standing posture. Then, the lifting mechanism 77 moves the plurality of substrates W held by the plurality of holding rods 79 between a position where the substrates W are immersed in the treatment tank 73 and a position where the treatment tank 73 is lifted up. move from

복수의 가스 노즐 (83) 은, 챔버 (71) 의 내부이며, 처리조 (73) 의 외부에 배치된다. 구체적으로는, 복수의 가스 노즐 (83) 은, 챔버 (71) 의 내부이며, 처리조 (73) 의 상방에 배치된다. 복수의 가스 노즐 (83) 은, 배관 (59) 에 접속된다. 배관 (59) 에는, 가스 공급 기구 (51) 가 접속된다. 가스 공급 기구 (51) 는, 불활성 가스를 캐리어 가스로 하여, 수용성의 유기 용제의 증기를 복수의 가스 노즐 (83) 에 공급한다. 그 결과, 복수의 가스 노즐 (83) 은, 챔버 (71) 의 내부에 유기 용제의 증기를 토출한다. 실시형태 1 에서는, 수용성의 유기 용제의 증기는, 이소프로필알코올 (IPA) 의 증기이다.The plurality of gas nozzles 83 are inside the chamber 71 and are disposed outside the treatment tank 73 . Specifically, the plurality of gas nozzles 83 are inside the chamber 71 and are disposed above the treatment tank 73 . A plurality of gas nozzles 83 are connected to the pipe 59 . A gas supply mechanism 51 is connected to the pipe 59 . The gas supply mechanism 51 supplies vapor of a water-soluble organic solvent to the plurality of gas nozzles 83 using an inert gas as a carrier gas. As a result, the plurality of gas nozzles 83 discharge the organic solvent vapor into the chamber 71 . In Embodiment 1, the water-soluble organic solvent vapor is isopropyl alcohol (IPA) vapor.

감압부 (53) 는, 배기 라인 (61) 을 통해 챔버 (71) 와 접속되어 있다. 커버 (71a) 를 폐쇄하여 챔버 (71) 의 내부를 밀폐 공간으로 한 상태에서, 감압부 (53) 는, 챔버 (71) 내의 기체를 배기함으로써 챔버 (71) 내를 대기압 미만으로 감압한다. 감압부 (53) 는, 예를 들어, 배기 펌프를 포함한다.The pressure reducing unit 53 is connected to the chamber 71 via an exhaust line 61 . In a state where the cover 71a is closed and the inside of the chamber 71 is a closed space, the depressurization unit 53 depressurizes the inside of the chamber 71 to less than atmospheric pressure by evacuating the gas inside the chamber 71 . The pressure reducing unit 53 includes, for example, an exhaust pump.

계속해서 도 3 을 참조하여 조 (LPD1) 에 의한 건조 처리 방법을 설명한다. 건조 처리 방법은, 공정 1 ∼ 공정 6 을 포함한다.Next, with reference to FIG. 3, the drying treatment method by the tank LPD1 is demonstrated. The drying treatment method includes steps 1 to 6.

공정 1 : 노즐 (81) 이 순수를 토출하고, 처리조 (73) 가 순수를 저류한다.Process 1: The nozzle 81 discharges pure water, and the processing tank 73 stores pure water.

공정 2 : 승강 기구 (77) 가, 처리조 (73) 내에 수용된 순수 중에 기판 (W) 을 침지시키고, 처리조 (73) 가 기판 (W) 을 수세한다.Process 2: The elevating mechanism 77 immerses the substrate W in the pure water contained in the treatment tank 73, and the treatment tank 73 rinses the substrate W with water.

공정 3 : 가스 노즐 (83) 이, 유기 용제의 증기를 챔버 (71) 내에 토출하여, 챔버 (71) 내에 유기 용제의 증기의 분위기를 형성한다.Step 3: The gas nozzle 83 discharges organic solvent vapor into the chamber 71 to form an organic solvent vapor atmosphere in the chamber 71 .

공정 4 : 승강 기구 (77) 가, 처리조 (73) 내의 순수 중으로부터 기판 (W) 을 끌어올린다 (도 3 의 이점 쇄선으로 나타내는 기판 (W)). 따라서, 기판 (W) 은 유기 용제의 증기의 분위기 중에 노출된다. 그 결과, 기판 (W) 의 표면에 유기 용제의 증기가 응축되어, 유기 용제가 기판 (W) 의 표면에 부착되어 있던 물방울과 치환된다.Step 4: The elevating mechanism 77 lifts the substrate W from the pure water in the treatment tank 73 (substrate W indicated by a dotted-dot chain line in FIG. 3 ). Therefore, the substrate W is exposed to an atmosphere of organic solvent vapor. As a result, vapor of the organic solvent is condensed on the surface of the substrate W, and the organic solvent replaces the water droplets adhering to the surface of the substrate W.

공정 5 : 처리조 (73) 내의 순수를 급속 배수함과 함께, 가스 노즐 (83) 이, 유기 용제의 증기의 토출을 정지시킨다.Step 5: The pure water in the treatment tank 73 is rapidly drained, and the gas nozzle 83 stops the discharge of organic solvent vapor.

공정 6 : 감압부 (53) 가, 챔버 (71) 내의 기체를 배기 라인 (61) 으로부터 배기함으로써 챔버 (71) 내를 대기압 미만으로 감압한다. 그 결과, 기판 (W) 의 표면에 응축되어 있던 유기 용제가 완전히 증발하여 기판 (W) 이 건조된다.Step 6: The pressure reducing unit 53 depressurizes the inside of the chamber 71 to less than atmospheric pressure by exhausting the gas in the chamber 71 through the exhaust line 61. As a result, the organic solvent condensed on the surface of the substrate W is completely evaporated and the substrate W is dried.

또한, 조 (LPD2) 의 구성은 조 (LPD1) 의 구성과 동일하다. 또, 조 (LPD1) 및 조 (LPD2) 에 의한 건조 처리는, 기판 (W) 을 건조시킬 수 있는 한에 있어서는, 감압 인상식 건조법에 한정되지 않고, 예를 들어, 소정 온도의 건조용 온풍을 기판 (W) 에 분사하여 기판 (W) 을 건조시켜도 되고, 기판 (W) 의 분위기를 가열기에 의해 승온시킴으로써 기판 (W) 을 건조시켜도 된다.Also, the configuration of the group LPD2 is the same as that of the group LPD1. Further, the drying treatment by the baths LPD1 and LPD2 is not limited to a vacuum pulling drying method as long as the substrate W can be dried, and for example, warm air for drying at a predetermined temperature is used. The substrate W may be dried by spraying on the substrate W, or the substrate W may be dried by raising the temperature of the atmosphere of the substrate W with a heater.

다음으로, 기판 처리 장치 (100) 가 처리하는 기판 (W) 의 일례를 설명한다. 도 4(a) 는, 기판 (W) 의 제 1 상태를 나타내는 모식적 단면도이다. 제 1 상태는, 기판 (W) 에 자연 산화막 (93) 이 형성된 상태를 나타낸다. 도 4(b) 는, 기판 (W) 의 제 2 상태를 나타내는 모식적 단면도이다. 제 2 상태는, 기판 (W) 으로부터 약액 및 린스액이 제거된 상태를 나타낸다. 도 4(c) 는, 기판 (W) 의 제 3 상태를 나타내는 모식적 단면도이다. 제 3 상태는, 기판 (W) 이 에칭액에 의해 에칭된 상태를 나타낸다.Next, an example of the substrate W processed by the substrate processing apparatus 100 will be described. Fig. 4(a) is a schematic cross-sectional view showing the first state of the substrate W. The first state represents a state in which the native oxide film 93 is formed on the substrate W. Fig. 4(b) is a schematic cross-sectional view showing the second state of the substrate W. The second state represents a state in which the chemical liquid and the rinsing liquid are removed from the substrate W. 4(c) is a schematic cross-sectional view showing the third state of the substrate W. The third state represents a state in which the substrate W is etched with the etchant.

도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 은, 실리콘 기판 (90) 과, 패턴 (PT) 을 갖는다. 패턴 (PT) 은 실리콘 기판 (90) 상에 형성된다. 패턴 (PT) 은, 적층막 (91) 과, 단수 또는 복수의 오목부 (92) 를 포함한다. 적층막 (91) 은, 복수의 폴리실리콘막 (P1 ∼ PN) (N 는 2 이상의 정수) 과, 복수의 산화 실리콘막 (O1 ∼ ON) (N 은 2 이상의 정수) 을 포함한다. 복수의 폴리실리콘막 (P1 ∼ PN) 및 복수의 산화 실리콘막 (O1 ∼ ON) 은, 폴리실리콘막과 산화 실리콘막이 교대로 교체되도록, 기판 (W) 의 두께 방향 (Dt) 을 따라 적층되어 있다. 두께 방향 (Dt) 은, 실리콘 기판 (90) 의 표면과 대략 직교하는 방향을 나타낸다.As shown in Fig. 4(a), the substrate W has a silicon substrate 90 and a pattern PT. The pattern PT is formed on the silicon substrate 90 . The pattern PT includes a laminated film 91 and one or more concave portions 92 . The stacked film 91 includes a plurality of polysilicon films (P1 to PN) (N is an integer greater than or equal to 2) and a plurality of silicon oxide films (O1 to ON) (N is an integer greater than or equal to 2). A plurality of polysilicon films (P1 to PN) and a plurality of silicon oxide films (O1 to ON) are laminated along the thickness direction (Dt) of the substrate W so that the polysilicon films and silicon oxide films are alternately replaced. . The thickness direction Dt represents a direction substantially orthogonal to the surface of the silicon substrate 90 .

오목부 (92) 는, 기판 (W) 의 최표면 (Ws) 으로부터 실리콘 기판 (90) 을 향하여 기판 (W) 의 두께 방향 (Dt) 을 따라 패여 있다. 오목부 (92) 는, 복수의 폴리실리콘막 (P1 ∼ PN) 및 복수의 산화 실리콘막 (O1 ∼ ON) 을 기판 (W) 의 두께 방향 (Dt) 으로 관통하고 있다. 폴리실리콘막 (P1 ∼ PN) 의 측면 및 산화 실리콘막 (O1 ∼ ON) 의 측면은, 오목부 (92) 의 측면 (92s) 에서 노출되어 있다. 오목부 (92) 는, 기판 (W) 의 최표면 (Ws) 으로부터 패여 있는 한에 있어서는, 트렌치여도 되고, 홀이어도 되며, 특별히 한정되지 않는다.The concave portion 92 is dented from the outermost surface Ws of the substrate W toward the silicon substrate 90 along the thickness direction Dt of the substrate W. The concave portion 92 penetrates the plurality of polysilicon films P1 to PN and the plurality of silicon oxide films O1 to ON in the thickness direction Dt of the substrate W. The side surfaces of the polysilicon films (P1 to PN) and the silicon oxide films (O1 to ON) are exposed at the side surface 92s of the concave portion 92. The concave portion 92 may be a trench or a hole as long as it is dented from the outermost surface Ws of the substrate W, and is not particularly limited.

이상, 도 4(a) 를 참조하여 설명한 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 처리 대상의 기판 (W) 은, 단수 또는 복수의 오목부 (92) 를 포함하는 패턴 (PT) 을 갖는다. 구체적으로는, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 처리 대상의 기판 (W) 은, 드라이 에칭 처리에 의해 오목부 (92) 를 포함하는 패턴 (PT) 이 형성되어 있는 기판이다.As described above with reference to FIG. 4(a) , the substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 100 has a pattern PT including one or a plurality of concave portions 92 . Specifically, the substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 100 is a substrate on which the pattern PT including the concave portion 92 is formed by dry etching treatment.

또, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 처리가 개시되기 전에는, 폴리실리콘막 (P1 ∼ PN) 의 표층 및 산화 실리콘막 (O1 ∼ ON) 의 표층에 자연 산화막 (93) 이 형성되어 있다. 이점 쇄선은, 자연 산화막 (93) 의 윤곽을 나타내고 있다.Also, before processing by the substrate processing apparatus 100 starts, a natural oxide film 93 is formed on the surface layer of the polysilicon films (P1 to PN) and the surface layer of the silicon oxide films (O1 to ON). The two-dot chain line outlines the natural oxide film 93.

도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 실시형태 1 에서는, 약액으로서의 DHF 에 기판 (W) 을 침지함으로써, 기판 (W) 으로부터 자연 산화막 (93) 을 제거한다. 그리고, DHF 가 기판 (W) 으로부터 린스액에 의해 제거되고, 추가로 린스액이 기판 (W) 으로부터 제거된다.As shown in Fig. 4(a), in Embodiment 1, the native oxide film 93 is removed from the substrate W by immersing the substrate W in DHF as a chemical solution. Then, DHF is removed from the substrate W by the rinsing liquid, and further, the rinsing liquid is removed from the substrate W.

그리고, 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 으로부터 약액 및 린스액이 제거된 후에, 에칭액으로서의 TMAH 에 기판 (W) 을 침지함으로써, 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이, 폴리실리콘막 (P1 ∼ PN) 이 선택적으로 에칭된다. 그 결과, 복수의 리세스 (R1) 가 오목부 (92) 의 측면 (92s) 에 형성된다. 복수의 리세스 (R1) 의 각각은, 기판 (W) 의 면 방향 (Dp) 을 따라 패여 있다. 면 방향 (Dp) 은, 기판 (W) 의 두께 방향 (Dt) 과 대략 직교하는 방향을 나타낸다.And, as shown in FIG. 4(b), after the chemical liquid and the rinse liquid are removed from the substrate W, the substrate W is immersed in TMAH as an etching solution, and as shown in FIG. 4(c), polysilicon The films (P1 to PN) are selectively etched. As a result, a plurality of recesses R1 are formed in the side surface 92s of the concave portion 92 . Each of the plurality of recesses R1 is recessed along the plane direction Dp of the substrate W. The plane direction Dp represents a direction substantially orthogonal to the thickness direction Dt of the substrate W.

이상, 도 4(a) ∼ 도 4(c) 를 참조하여 설명한 바와 같이, 실시형태 1 에 의하면, 에칭 처리 전에, 기판 (W) 으로부터 처리액 (약액 및 린스액) 이 제거된다. 요컨대, 에칭 처리 전에, 기판 (W) 의 오목부 (92) 로부터 처리액이 제거된다. 따라서, 에칭액은, 처리액 중을 농도 구배에 기초하여 확산되는 것이 아니고, 처리액이 들어가 있지 않은 오목부 (92) 에 직접 진입한다. 그 결과, 에칭액의 농도 구배에 의한 확산의 시간을 확보한 프로세스를 정하지 않은 경우에도, 기판 (W) 에 대한 에칭 효과의 저하를 억제할 수 있다. 요컨대, 기판 (W) 에 대해, 목표의 에칭량의 에칭을 목표 시간 내에 실시할 수 있다.As described above with reference to FIGS. 4(a) to 4(c) , according to Embodiment 1, processing liquids (chemical liquid and rinse liquid) are removed from the substrate W before the etching process. In short, the treatment liquid is removed from the concave portion 92 of the substrate W before the etching treatment. Therefore, the etching liquid does not diffuse into the processing liquid based on the concentration gradient, but directly enters the concave portion 92 where the processing liquid does not enter. As a result, it is possible to suppress a decrease in the etching effect on the substrate W even when a process in which the time for diffusion by the concentration gradient of the etchant is not determined is not determined. In short, the substrate W can be etched at a target etching amount within a target time period.

특히, 기판 (W) 의 최표면 (Ws) 에 대한 오목부 (92) 의 깊이가 비교적 깊은 경우에도, 요컨대, 패턴 (PT) 의 애스펙트비가 비교적 높은 경우에도, 에칭액이 오목부 (92) 내에 신속히 진입한다. 그 결과, 패턴 (PT) 의 애스펙트비가 비교적 높은 기판 (W) 에 대해서도, 에칭 효과의 저하를 억제할 수 있다. 패턴 (PT) 의 애스펙트비란, 오목부 (92) 의 면 방향 (Dp) 의 폭에 대한 두께 방향 (Dt) 의 깊이의 비율이다.In particular, even when the depth of the concave portion 92 relative to the outermost surface Ws of the substrate W is relatively deep, that is, even when the aspect ratio of the pattern PT is relatively high, the etchant quickly enters the concave portion 92. enter As a result, a decrease in the etching effect can be suppressed even for the substrate W with a relatively high aspect ratio of the pattern PT. The aspect ratio of the pattern PT is the ratio of the depth of the concave portion 92 in the thickness direction Dt to the width in the plane direction Dp.

여기서, 일반적으로, 패턴의 오목부에 처리액이 들어가 있는 경우에는, 오목부의 비교적 얕은 위치까지는 에칭액의 유동에 의해, 에칭액이 오목부에 진입한다. 그리고, 유동에 의한 오목부로의 진입의 한계 위치보다 깊은 위치부터는, 처리액 중을 농도 구배에 기초하는 확산에 의해, 에칭액이 오목부의 깊은 위치로 진입한다. 따라서, 본 발명은, 오목부에 처리액이 들어가 있는 상태에서의 유동에 의한 오목부로의 진입의 한계 위치보다 깊은 오목부 (92) 를 포함하는 패턴 (PT) 을 갖는 기판 (W) 의 처리에 특히 바람직하다. 또한, 실시형태 1 과 같이 에칭 처리의 직전에 오목부 (92) 로부터 처리액이 제거된 상태에서는, 에칭액의 유동에 의해 오목부 (92) 의 깊은 위치까지 에칭액이 진입한다.Here, in general, when the processing liquid enters the concave portion of the pattern, the etchant enters the concave portion due to the flow of the etchant up to a relatively shallow position of the concave portion. Then, from a position deeper than the limit of entry into the recess by flow, the etching liquid enters the deep position of the recess by diffusion based on the concentration gradient in the processing liquid. Accordingly, the present invention is directed to processing a substrate W having a pattern PT including a concave portion 92 deeper than the limit position for entry into the concave portion by flow in a state in which the processing liquid enters the concave portion. particularly preferred. Further, in a state in which the processing liquid is removed from the concave portion 92 immediately before the etching treatment as in the first embodiment, the etching liquid enters the deep portion of the concave portion 92 by the flow of the etching liquid.

또, 실시형태 1 에 의하면, 에칭액의 농도 구배에 의한 확산의 시간을 확보한 프로세스를 정하는 것이 요구되지 않기 때문에, 기판 (W) 의 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 스루풋이란, 단위 시간 당 기판 (W) 의 처리 장수이다.Moreover, according to Embodiment 1, since it is not required to determine the process which secures the time of diffusion by the concentration gradient of etching liquid, the throughput of the processing of the board|substrate W can be improved. Throughput is the number of processed substrates W per unit time.

다음으로, 도 1 및 도 5 를 참조하여, 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 설명한다. 도 5 는, 기판 처리 방법을 나타내는 플로 차트이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 방법은, 공정 S1 ∼ 공정 S5 를 포함한다. 기판 처리 방법은, 기판 처리 장치 (100) 에 의해 실행되어, 복수의 기판 (W) 을 처리한다. 구체적으로는, 처리부 (SP1) 가, 공정 S1 ∼ 공정 S5 를 실행한다.Next, referring to Figs. 1 and 5, a substrate processing method according to Embodiment 1 will be described. 5 is a flow chart showing a substrate processing method. As shown in FIG. 5 , the substrate processing method includes steps S1 to S5. The substrate processing method is executed by the substrate processing apparatus 100 to process a plurality of substrates (W). Specifically, processing unit SP1 executes steps S1 to S5.

도 1 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 공정 S1 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 복수의 기판 (W) 을 처리액으로 처리한다. 실시형태 1 에서는, 반송 기구 (CV) 가 복수의 기판 (W) 을 처리부 (SP1) 의 조 (ONB1) 에 반입한다. 그리고, 조 (ONB1) 가, 복수의 기판 (W) 을 처리액에 침지하여, 복수의 기판 (W) 을 처리액으로 처리한다. 공정 S1 은 「처리 공정」의 일례에 상당한다.As shown in FIGS. 1 and 5 , in step S1 , the processing unit SP1 processes the plurality of substrates W with the processing liquid. In Embodiment 1, conveyance mechanism CV carries several board|substrates W into tank ONB1 of process part SP1. Then, the tank ONB1 immerses the plurality of substrates W in the treatment liquid to treat the plurality of substrates W with the treatment liquid. Step S1 corresponds to an example of a “processing step”.

공정 S1 의 후에, 공정 S2 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 복수의 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 처리액을 복수의 기판 (W) 으로부터 제거한다. 실시형태 1 에서는, 반송 기구 (CV) 가, 조 (ONB1) 로부터 복수의 기판 (W) 을 반출하여, 복수의 기판 (W) 을 조 (LPD1) 에 반입한다. 그리고, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 건조시켜, 복수의 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 처리액을 제거한다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 건조에 의해 용이하게 오목부 (92) 에 들어가 있는 처리액을 제거할 수 있다. 공정 S2 는 「제거 공정」의 일례에 상당한다. 「공정 S1 의 후에」는 「기판 (W) 을 처리액으로 처리한 후에」의 일례에 상당한다.After step S1 , in step S2 , the processing unit SP1 removes the processing liquid contained in the concave portion 92 of the plurality of substrates W from the plurality of substrates W . In Embodiment 1, conveyance mechanism CV carries out some board|substrate W from tank ONB1, and carries in several board|substrate W to tank LPD1. Then, the tank LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the treatment liquid entering the concave portion 92 of the plurality of substrates W. Therefore, according to the present embodiment, the treatment liquid entering the concave portion 92 can be easily removed by drying. Step S2 corresponds to an example of a “removal step”. "After step S1" corresponds to an example of "after treating the substrate W with the treatment liquid".

특히 실시형태 1 에서는, 공정 S2 에 있어서, 복수의 조 (TA) 중 기판 (W) 이 수용되어 있는 조 (LPD1) 내에 수용성의 유기 용제 (IPA) 의 증기를 공급하여, 조 (LPD1) 내를 감압함으로써 기판 (W) 을 건조시킨다. 따라서, 복수의 기판 (W) 을 더욱 효과적으로 건조시킬 수 있어, 복수의 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 처리액을 비교적 단시간에 제거할 수 있다.In particular, in Embodiment 1, in step S2, vapor of the water-soluble organic solvent (IPA) is supplied into the tank LPD1 in which the substrate W is accommodated among the plurality of tanks TA, and the inside of the tank LPD1 is The substrate W is dried by reducing the pressure. Accordingly, the plurality of substrates W can be dried more effectively, and the treatment liquid entering the concave portion 92 of the plurality of substrates W can be removed in a relatively short time.

공정 S2 의 후에, 공정 S3 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 복수의 기판 (W) 을 에칭액 (TMAH) 으로 에칭한다. 실시형태 1 에서는, 반송 기구 (CV) 가, 조 (LPD1) 로부터 복수의 기판 (W) 을 반출하여, 복수의 기판 (W) 을 조 (CHB1) 에 반입한다. 그리고, 조 (CHB1) 가, 복수의 기판 (W) 을 에칭액에 침지하여, 복수의 기판 (W) 을 에칭한다. 공정 S3 은 「에칭 공정」의 일례에 상당한다. 「공정 S2 의 후에」는 「처리액을 기판 (W) 으로부터 제거한 후에」의 일례에 상당한다.After step S2, in step S3, processing unit SP1 etches the plurality of substrates W with etching liquid TMAH. In Embodiment 1, conveyance mechanism CV carries out some board|substrate W from tank LPD1, and carries in some board|substrate W to tank CHB1. Then, the tank CHB1 immerses the plurality of substrates W in the etchant to etch the plurality of substrates W. Step S3 corresponds to an example of "etching step". "After step S2" corresponds to an example of "after removing the treatment liquid from the substrate W".

공정 S3 의 후에, 공정 S4 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 린스액에 의해 기판 (W) 으로부터 에칭액을 씻어낸다. 실시형태 1 에서는, 반송 기구 (CV) 가, 조 (CHB1) 로부터 복수의 기판 (W) 을 반출하여, 복수의 기판 (W) 을 조 (ONB1) 에 반입한다. 그리고, 조 (ONB1) 가, 복수의 기판 (W) 을 린스액에 침지하여, 복수의 기판 (W) 으로부터 에칭액을 씻어낸다.After step S3, in step S4, processing unit SP1 washes the etching liquid from substrate W with a rinse liquid. In Embodiment 1, conveyance mechanism CV carries out some board|substrate W from tank CHB1, and carries in several board|substrate W to tank ONB1. Then, the bath ONB1 immerses the plurality of substrates W in the rinsing liquid to wash the etching liquid from the plurality of substrates W.

공정 S4 의 후에, 공정 S5 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 기판 (W) 을 건조시켜, 기판 (W) 으로부터 린스액을 제거한다. 실시형태 1 에서는, 반송 기구 (CV) 가, 조 (ONB1) 로부터 복수의 기판 (W) 을 반출하여, 복수의 기판 (W) 을 조 (LPD1) 에 반입한다. 그리고, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 건조시켜, 복수의 기판 (W) 으로부터 린스액을 제거한다.After step S4, in step S5, processing unit SP1 dries the substrate W to remove the rinse liquid from the substrate W. In Embodiment 1, conveyance mechanism CV carries out some board|substrate W from tank ONB1, and carries in several board|substrate W to tank LPD1. Then, the tank LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinse liquid from the plurality of substrates W.

이상, 도 1 및 도 5 를 참조하여 설명한 바와 같이, 실시형태 1 에 의하면, 공정 S3 의 에칭 처리 전에, 공정 S2 에 있어서 복수의 기판 (W) 으로부터 처리액이 제거된다. 요컨대, 에칭 처리 전에 기판 (W) 의 오목부 (92) 로부터 처리액이 제거된다. 따라서, 에칭액은, 처리액이 들어가 있지 않은 오목부 (92) 에 직접 진입한다. 그 결과, 복수의 기판 (W) 에 대한 에칭 효과의 저하를 억제할 수 있다.As described above with reference to FIGS. 1 and 5 , according to Embodiment 1, the processing liquid is removed from the plurality of substrates W in step S2 before the etching process in step S3. In short, the treatment liquid is removed from the concave portion 92 of the substrate W before the etching treatment. Therefore, the etching liquid directly enters the concave portion 92 where no processing liquid has entered. As a result, a decrease in the etching effect on the plurality of substrates W can be suppressed.

특히, 실시형태 1 에서는, 공정 S1 ∼ 공정 S5 는, 공정 S1 ∼ 공정 S5 의 도중에 불출부 (7) 가 기판 처리 장치 (100) 의 외부로 처리 도중의 기판 (W) 을 내보내지 않고, 기판 처리 장치 (100) 의 내부에서 실행되는 일련의 공정이다. 요컨대, 공정 S1 ∼ 공정 S5 는, 기판 처리 장치 (100) 의 내부의 복수의 조 (TA) 에 의해 실행되는 일련의 공정이다. 따라서, 1 대의 기판 처리 장치 (100) 의 내부에서 실행되는 일련의 공정 중에서, 에칭 처리 전에 오목부 (92) 로부터 처리액을 제거함으로써, 복수의 기판 (W) 에 대한 에칭 효과의 저하를 억제하고 있다.In particular, in Embodiment 1, in step S1 to step S5, in the middle of step S1 to step S5, the delivery unit 7 does not send the substrate W during processing to the outside of the substrate processing apparatus 100, and the substrate processing This is a series of processes executed inside the apparatus 100. In short, steps S1 to step S5 are a series of steps performed by a plurality of tanks TA inside the substrate processing apparatus 100. Therefore, among a series of steps performed inside one substrate processing apparatus 100, by removing the processing liquid from the concave portion 92 before the etching processing, a decrease in the etching effect on the plurality of substrates W is suppressed, there is.

또한, 공정 S1 ∼ 공정 S5 를 1 배치 처리로 하면, 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 배치 처리를 병행하여 실행해도 된다. 이 경우, 제 1 처리부 (19) ∼ 제 3 처리부 (21) 와 건조 처리부 (17) 가 적절히 사용된다.In addition, if process S1 - process S5 are made into 1 batch process, the substrate processing apparatus 100 may perform a some batch process in parallel. In this case, the 1st processing part 19 - the 3rd processing part 21 and the drying processing part 17 are used suitably.

또, 실시형태 1 에서는, 공정 S1 은, 공정 S11 과 공정 S12 를 포함한다.In Embodiment 1, step S1 includes step S11 and step S12.

공정 S11 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 복수의 기판 (W) 에 대해 전처리를 실시한다. 구체적으로는, 처리부 (SP1) 는, 복수의 기판 (W) 을 약액 (DHF) 으로 처리한다. 공정 S11 은 「약액 공정」의 일례에 상당한다. 실시형태 1 에서는, 조 (ONB1) 가, 복수의 기판 (W) 을 약액에 침지하여, 복수의 기판 (W) 을 약액으로 처리한다.In step S11, the processing unit SP1 performs preprocessing on the plurality of substrates W. Specifically, the processing unit SP1 processes the plurality of substrates W with the chemical solution DHF. Step S11 corresponds to an example of a “chemical solution step”. In Embodiment 1, the tank ONB1 immerses the plurality of substrates W in the chemical liquid and treats the plurality of substrates W with the chemical liquid.

특히, 공정 S11 에서는, 조 (ONB1) 가, 복수의 기판 (W) 에 형성된 자연 산화막 (93) 을 약액 (DHF) 에 의해 제거한다. 그 결과, 공정 S3 에서의 복수의 기판 (W) 에 대한 에칭 처리를 더욱 효과적으로 실행할 수 있다.In particular, in step S11, the bath ONB1 removes the natural oxide films 93 formed on the plurality of substrates W with the chemical solution DHF. As a result, the etching process for the plurality of substrates W in step S3 can be performed more effectively.

공정 S12 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 린스액 (DIW) 에 의해 복수의 기판 (W) 으로부터 약액을 씻어낸다. 공정 S12 는 「린스 공정」의 일례에 상당한다. 「린스액」은 「처리액으로서의 린스액」의 일례에 상당한다. 실시형태 1 에서는, 조 (ONB1) 가, 공정 S11 에서 사용한 약액을 린스액으로 교체하고, 복수의 기판 (W) 을 린스액에 침지하여, 린스액에 의해 복수의 기판 (W) 으로부터 약액을 씻어낸다.In step S12, the processing unit SP1 washes the chemical liquid from the plurality of substrates W with the rinse liquid DIW. Step S12 corresponds to an example of a "rinse step". "Rinsing liquid" corresponds to an example of "rinsing liquid as a treatment liquid". In Embodiment 1, the tank ONB1 replaces the chemical used in step S11 with a rinse liquid, immerses the plurality of substrates W in the rinse liquid, and rinses the chemical liquid from the plurality of substrates W with the rinse liquid. pay

그리고, 공정 S12 의 후의 공정 S2 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 복수의 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 린스액을 복수의 기판 (W) 으로부터 제거한다.Then, in step S2 after step S12, processing unit SP1 removes the rinsing liquid contained in the concave portion 92 of the plurality of substrates W from the plurality of substrates W.

따라서, 실시형태 1 에 의하면, 공정 S3 의 에칭 처리 전에, 공정 S2 에 있어서 복수의 기판 (W) 의 오목부 (92) 로부터 린스액이 제거된다. 따라서, 에칭액은, 린스액이 들어가 있지 않은 오목부 (92) 에 직접 진입한다. 그 결과, 복수의 기판 (W) 에 대한 에칭 효과의 저하를 억제할 수 있다.Therefore, according to Embodiment 1, the rinse liquid is removed from the concave part 92 of the some board|substrate W in process S2 before the etching process of process S3. Therefore, the etching liquid directly enters the concave portion 92 where no rinsing liquid has entered. As a result, a decrease in the etching effect on the plurality of substrates W can be suppressed.

또한, 공정 S1 은, 공정 S11 및 공정 S12 중 어느 하나의 공정을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 공정 S1 이 공정 S11 만을 포함하고 있는 경우에는, 공정 S2 에 있어서, 처리부 (SP1) 는, 복수의 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 약액을 복수의 기판 (W) 으로부터 제거한다. 구체적으로는, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 건조시켜, 복수의 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 약액을 제거한다.In addition, process S1 may include the process of any one of process S11 and process S12. For example, when step S1 includes only step S11, in step S2, processing unit SP1 distributes the chemical liquid contained in the concave portion 92 of the plurality of substrates W to the plurality of substrates W. remove from Specifically, the tank LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the chemical liquid entering the concave portion 92 of the plurality of substrates W.

또, 본 발명은, 공정 S3 에서 사용하는 에칭액이 알칼리성의 에칭액인 경우에 특히 유효하다. 유효한 이유는 다음과 같다.Moreover, this invention is especially effective when the etchant used in process S3 is an alkaline etchant. Valid reasons are:

즉, 일반적으로, 알칼리성의 에칭액에서는, 자연 산화막을 제거할 수 없기 때문에, 에칭 처리 전에, 약액 (DHF) 에 의해 자연 산화막을 제거할 것이 요구된다. 따라서, 에칭 처리 전에, 약액이 오목부 (92) 에 들어가거나, 약액을 제거하기 위한 린스액이 오목부 (92) 에 들어가거나 할 가능성이 있다. 그래서, 에칭 효과의 저하를 억제하기 위해, 에칭 처리 전에 오목부 (92) 로부터 약액 및 린스액을 제거하는 것은 특히 유효하다.That is, in general, since the native oxide film cannot be removed with an alkaline etchant, it is required to remove the native oxide film with a chemical solution (DHF) before the etching treatment. Therefore, there is a possibility that the chemical liquid enters the concave portion 92 or the rinsing liquid for removing the chemical liquid enters the concave portion 92 before the etching process. Therefore, it is particularly effective to remove the chemical liquid and the rinse liquid from the concave portion 92 before the etching treatment in order to suppress the deterioration of the etching effect.

또, 본 발명은, 공정 S3 에서 사용하는 에칭액이 비교적 점도가 높은 에칭액 인 경우에 특히 유효하다. 유효한 이유는 다음과 같다.Moreover, this invention is especially effective when the etchant used in process S3 is an etchant with a comparatively high viscosity. Valid reasons are:

즉, 만일 오목부 (92) 에 린스액 등의 처리액이 들어간 상태에서 에칭액을 공급하면, 오목부 (92) 의 깊은 위치까지 에칭액이 확산에 의해 진입하는 시간은, 점도가 높은 에칭액 쪽이, 점도가 낮은 에칭액보다 길어진다. 그래서, 점도가 높은 에칭액을 사용하여 에칭 처리를 실행하는 경우에는, 에칭 효과의 저하를 억제하기 위해, 에칭 처리 전에 린스액 등의 처리액을 제거할 필요성은 크다.That is, if the etchant is supplied in a state in which a treatment liquid such as a rinse liquid enters the concave portion 92, the time for the etchant to enter the deep position of the concave portion 92 by diffusion is the higher viscosity etchant, It is longer than the etchant with low viscosity. Therefore, in the case where the etching treatment is performed using an etching solution having a high viscosity, it is necessary to remove the treatment solution such as a rinse solution before the etching treatment in order to suppress a decrease in the etching effect.

특히, 에칭액으로서 TMAH 를 포함하는 수용액을 사용하는 경우에는, 본 발명은 특히 유효하다. 왜냐하면, TMAH 는, 알칼리성임과 함께, 비교적 점도가 높기 때문이다.In particular, when using an aqueous solution containing TMAH as an etching solution, the present invention is particularly effective. This is because TMAH is alkaline and has a relatively high viscosity.

여기서, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 공정 3 의 에칭 처리 전에 공정 2 의 제거 처리를 실행하는 한에 있어서는, 공정 S1 (공정 S11 및 공정 S12) ∼ 공정 S5 는, 기판 처리 장치 (100) 의 복수의 조 (TA) 중, 임의의 조 (TA) 를 사용하여 실행할 수 있다.Here, as shown in FIG. 5 , as long as the removal process in step 2 is performed before the etching process in step 3, steps S1 (steps S11 and step S12) to step S5 are a plurality of processes of the substrate processing apparatus 100. Among the groups (TA), it can be implemented using an arbitrary group (TA).

예를 들어, 공정 S11 에 있어서, 조 (ONB1) 가, 복수의 기판 (W) 을 약액 (DHF) 으로 처리한다. 공정 S12 에 있어서, 조 (ONB1) 가, 복수의 기판 (W) 으로부터 린스액 (DIW) 에 의해 약액을 씻어낸다. 공정 S2 에 있어서, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 건조시켜 기판 (W) 의 오목부 (92) 로부터 린스액을 제거한다. 공정 S3 에 있어서, 조 (ONB1) 가, 복수의 기판 (W) 을 에칭액 (TMAH) 으로 에칭한다. 공정 S4 에 있어서, 조 (ONB1) 가, 복수의 기판 (W) 으로부터 린스액에 의해 에칭액을 씻어낸다. 공정 S5 에 있어서, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 건조시켜, 복수의 기판 (W) 으로부터 린스액을 제거한다. 이 예에서는, 공정 S1 ∼ 공정 S5 가 2 개의 조 (TA) (조 (ONB1) 및 조 (LPD1)) 에서 실행된다. 따라서, 공정 S1 ∼ 공정 S5 마다 조 (TA) 를 준비하는 경우와 비교하여, 기판 처리 장치 (100) 의 비용을 저감할 수 있다. 또, 반송 기구 (CV) 에 의한 기판 (W) 의 반입 및 반출의 제어를 간소화할 수 있다.For example, in step S11, tank ONB1 treats a plurality of substrates W with chemical liquid DHF. In step S12, the tank ONB1 washes the chemical liquid from the plurality of substrates W with the rinse liquid DIW. In step S2, the tank LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinse liquid from the concave portion 92 of the substrate W. In step S3, the bath ONB1 etches the plurality of substrates W with the etchant TMAH. In step S4, the bath ONB1 washes the etching liquid from the plurality of substrates W with the rinse liquid. In step S5, the tank LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinse liquid from the plurality of substrates W. In this example, steps S1 to S5 are performed in two tanks TA (tank (ONB1) and tank (LPD1)). Therefore, compared with the case where tank TA is prepared for every process S1 - process S5, the cost of the substrate processing apparatus 100 can be reduced. Moreover, the control of carrying in and carrying out of the board|substrate W by the conveyance mechanism CV can be simplified.

예를 들어, 도 3 에 나타내는 조 (LPD1) 에 대해, 도 2 에 나타내는 약액 공급원 (23) 및 에칭액 공급원 (27) 을 접속할 수 있다. 이 경우에는, 예를 들어, 공정 S11 에 있어서, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 약액 (DHF) 으로 처리한다. 공정 S12 에 있어서, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 으로부터 린스액 (DIW) 에 의해 약액을 씻어낸다. 공정 S2 에 있어서, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 건조시켜 기판 (W) 의 오목부 (92) 로부터 린스액을 제거한다. 공정 S3 에 있어서, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 에칭액 (TMAH) 으로 에칭한다. 공정 S4 에 있어서, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 으로부터 린스액에 의해 에칭액을 씻어낸다. 공정 S5 에 있어서, 조 (LPD1) 가, 복수의 기판 (W) 을 건조시켜, 복수의 기판 (W) 으로부터 린스액을 제거한다. 이 예에서는, 공정 S1 ∼공정 S5 가 하나의 조 (LPD1) 에서 실행된다. 따라서, 기판 처리 장치 (100) 의 비용을 더욱 저감할 수 있다. 또, 반송 기구 (CV) 에 의한 기판 (W) 의 반입 및 반출의 제어를 더욱 간소화할 수 있다.For example, the chemical liquid supply source 23 and the etching liquid supply source 27 shown in FIG. 2 can be connected to the tank LPD1 shown in FIG. 3 . In this case, for example, in step S11, the tank LPD1 treats the plurality of substrates W with the chemical solution DHF. In step S12, the bath LPD1 rinses the chemical liquid from the plurality of substrates W with the rinse liquid DIW. In step S2, the tank LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinse liquid from the concave portion 92 of the substrate W. In step S3, the bath LPD1 etches the plurality of substrates W with the etchant TMAH. In step S4, the bath LPD1 washes the etching liquid from the plurality of substrates W with the rinse liquid. In step S5, the tank LPD1 dries the plurality of substrates W to remove the rinse liquid from the plurality of substrates W. In this example, steps S1 to S5 are performed in one tank (LPD1). Therefore, the cost of the substrate processing apparatus 100 can be further reduced. Moreover, the control of carrying in and carrying out of the board|substrate W by the conveyance mechanism CV can be further simplified.

또, 도 5 에 나타내는 공정 S1 과 공정 S2 과 공정 S3 중 적어도 2 이상의 공정이, 동일 조 (TA) 내에서 실행되어도 된다. 사용되지 않는 조 (TA) 가 존재하는 것을 억제하여, 기판 (W) 의 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있기 때문이다. 공정 S1 과 공정 S2 와 공정 S3 전부를 동일 조 (TA) 내에서 실행해도 된다. 기판 (W) 의 처리의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있기 때문이다. 또, 공정 S11 과 공정 S12 는, 동일 조 (TA) 내에서 실행되어도 되고, 다른 조 (TA) 내에서 실행되어도 된다.Moreover, at least two or more processes among process S1, process S2, and process S3 shown in FIG. 5 may be performed within the same tank TA. It is because the processing throughput of the board|substrate W can be improved by suppressing the presence of unused bath TA. You may perform all of process S1, process S2, and process S3 in the same tank (TA). This is because the processing throughput of the substrate W can be further improved. Moreover, process S11 and process S12 may be performed within the same tank (TA), and may be performed within a different tank (TA).

또한, 공정 S1 ∼ 공정 S5 중 적어도 2 이상의 공정이, 동일 조 (TA) 내에서 실행되어도 된다. 또, 공정 S1 ∼ 공정 S5 전부가 동일 조 (TA) 내에서 실행되어도 된다.Moreover, at least two or more processes of process S1 - process S5 may be performed within the same tank TA. Moreover, all of process S1 - process S5 may be performed in the same tank (TA).

또, 도 5 에 나타내는 공정 S2 에서는, 복수의 기판 (W) 을 조 (TA) 에서 건조시키는 것 대신에, 다음과 같이 하여, 복수의 기판 (W) 을 건조시킬 수도 있다.Moreover, in process S2 shown in FIG. 5, instead of drying several board|substrates W with tank TA, several board|substrates W can also be dried as follows.

즉, 공정 S1 의 처리를 실시한 조 (TA) (예를 들어 조 (ONB1)) 로부터 공정 S3 의 에칭 처리를 실시하는 다른 조 (TA) (예를 들어 조 (CHB1)) 로 반송 기구 (CV) 가 복수의 기판 (W) 을 이동 중인 경로에 있어서, 복수의 기판 (W) 에 불활성 가스 (예를 들어 질소 가스) 를 분사하여, 복수의 기판 (W) 을 건조시켜, 오목부 (92) 로부터 처리액을 제거한다.That is, conveyance mechanism CV from tank TA (eg tank ONB1) that performed the process S1 to another tank TA (eg tank (CHB1)) that performed the etching process of step S3 In the path in which the plurality of substrates W are being moved, an inert gas (for example, nitrogen gas) is sprayed to the plurality of substrates W to dry the plurality of substrates W and remove them from the concave portion 92. Remove the treatment liquid.

(실시형태 2)(Embodiment 2)

도 6 및 도 7 을 참조하여, 본 발명의 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 장치 (100A) 및 기판 처리 방법을 설명한다. 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 장치 (100A) 가 매엽식인 점에서, 실시형태 2 는 실시형태 1 과 대체로 상이하다. 매엽식이란, 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 방식이다. 이하, 실시형태 2 가 실시형태 1 과 상이한 점을 주로 설명한다.Referring to FIGS. 6 and 7 , a substrate processing apparatus 100A and a substrate processing method according to Embodiment 2 of the present invention will be described. Embodiment 2 is substantially different from Embodiment 1 in that the substrate processing apparatus 100A according to Embodiment 2 is a sheet type. The sheet type is a method of processing the substrates W one by one. Hereinafter, the differences between Embodiment 2 and Embodiment 1 will be mainly described.

먼저, 도 6 을 참조하여 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 장치 (100A) 를 설명한다. 도 6 은, 기판 처리 장치 (100A) 를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100A) 는, 처리부 (SP2) 를 구비한다.First, with reference to FIG. 6, the substrate processing apparatus 100A according to Embodiment 2 will be described. 6 is a schematic cross-sectional view showing the substrate processing apparatus 100A. As shown in FIG. 6, 100 A of substrate processing apparatuses are equipped with processing part SP2.

처리부 (SP2) 는, 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 에 처리액을 토출하여, 기판 (W) 을 처리한다. 구체적으로는, 처리부 (SP2) 는, 챔버 (105) 와, 스핀 척 (107) 과, 스핀 모터 (95) 와, 노즐 (111) 과, 노즐 이동부 (113) 와, 노즐 (115) 과, 노즐 (117) 과, 노즐 이동부 (119) 와, 유체 공급 유닛 (121) 과, 유닛 이동부 (126) 를 포함한다.The processing unit SP2 processes the substrate W by discharging a processing liquid to the substrate W while rotating the substrate W. Specifically, the processing unit SP2 includes the chamber 105, the spin chuck 107, the spin motor 95, the nozzle 111, the nozzle moving unit 113, the nozzle 115, A nozzle 117, a nozzle moving part 119, a fluid supply unit 121, and a unit moving part 126 are included.

챔버 (105) 는 대략 상자 형상을 갖는다. 챔버 (105) 는, 기판 (W), 스핀 척 (107), 스핀 모터 (95), 노즐 (111), 노즐 이동부 (113), 노즐 (115), 노즐 (117), 노즐 이동부 (119), 유체 공급 유닛 (121), 및 유닛 이동부 (126) 를 수용한다.The chamber 105 has a substantially box shape. The chamber 105 includes a substrate W, a spin chuck 107, a spin motor 95, a nozzle 111, a nozzle moving unit 113, a nozzle 115, a nozzle 117, and a nozzle moving unit 119. ), the fluid supply unit 121, and the moving unit 126.

스핀 척 (107) 은, 기판 (W) 을 유지하며 회전시킨다. 구체적으로는, 스핀 척 (107) 은, 챔버 (105) 내에서 기판 (W) 을 수평하게 유지하면서, 회전 축선 (AX1) 둘레로 기판 (W) 을 회전시킨다.The spin chuck 107 rotates the substrate W while holding it. Specifically, the spin chuck 107 rotates the substrate W around the rotational axis AX1 while holding the substrate W horizontally within the chamber 105 .

스핀 척 (107) 은, 복수의 척 부재 (170) 와, 스핀 베이스 (171) 를 포함한다. 복수의 척 부재 (170) 는 스핀 베이스 (171) 에 형성된다. 복수의 척 부재 (170) 는 기판 (W) 을 수평한 자세로 유지한다. 스핀 베이스 (171) 는, 대략 원판상이고, 수평한 자세로 복수의 척 부재 (170) 를 지지한다. 스핀 모터 (95) 는, 스핀 베이스 (171) 를 회전 축선 (AX1) 의 둘레로 회전시킨다. 따라서, 스핀 베이스 (171) 는 회전 축선 (AX1) 둘레로 회전한다. 그 결과, 스핀 베이스 (171) 에 형성된 복수의 척 부재 (170) 에 유지된 기판 (W) 이 회전 축선 (AX1) 둘레로 회전한다.The spin chuck 107 includes a plurality of chuck members 170 and a spin base 171 . A plurality of chuck members 170 are formed on the spin base 171 . A plurality of chuck members 170 hold the substrate W in a horizontal position. The spin base 171 has a substantially disc shape and supports a plurality of chuck members 170 in a horizontal posture. The spin motor 95 rotates the spin base 171 around the rotational axis AX1. Accordingly, the spin base 171 rotates around the axis of rotation AX1. As a result, the substrate W held by the plurality of chuck members 170 formed on the spin base 171 rotates around the rotational axis AX1.

노즐 (111) 은, 기판 (W) 의 회전 중에 기판 (W) 을 향하여 약액을 토출한다. 약액은, 도 2 를 참조하여 설명한 실시형태 1 에 관련된 약액과 동일하다. 실시형태 2 에서는, 약액은 DHF 이다. 노즐 이동부 (113) 는, 회동 축선 (AX2) 둘레로 회동 (回動) 하여, 노즐 (111) 의 처리 위치와 대기 위치 사이에서, 노즐 (111) 을 수평하게 이동시킨다.The nozzle 111 discharges the chemical liquid toward the substrate W while the substrate W is rotating. The chemical solution is the same as the chemical solution according to Embodiment 1 described with reference to FIG. 2 . In Embodiment 2, the chemical solution is DHF. The nozzle moving part 113 rotates around the rotational axis AX2 and moves the nozzle 111 horizontally between the treatment position and the standby position of the nozzle 111 .

노즐 (115) 은, 기판 (W) 의 회전 중에 기판 (W) 을 향하여 린스액을 토출한다. 린스액은, 도 2 를 참조하여 설명한 실시형태 1 에 관련된 린스액과 동일하다. 실시형태 2 에서는, 린스액은 순수 (DIW) 이다.The nozzle 115 discharges the rinsing liquid toward the substrate W while the substrate W is rotating. The rinse liquid is the same as the rinse liquid according to Embodiment 1 described with reference to FIG. 2 . In Embodiment 2, the rinsing liquid is pure water (DIW).

노즐 (117) 은, 기판 (W) 을 향하여 에칭액을 토출한다. 에칭액은, 도 2 를 참조하여 설명한 실시형태 1 에 관련된 에칭액과 동일하다. 실시형태 2 에서는, 에칭액은 TMAH 를 포함하는 수용액이다. 노즐 이동부 (119) 는, 회동 축선 (AX3) 둘레로 회동하여, 노즐 (117) 의 처리 위치와 대기 위치 사이에서, 노즐 (117) 을 수평하게 이동시킨다.The nozzle 117 discharges the etchant toward the substrate W. The etchant is the same as the etchant according to Embodiment 1 described with reference to FIG. 2 . In Embodiment 2, the etchant is an aqueous solution containing TMAH. The nozzle moving unit 119 rotates around the rotational axis AX3 to horizontally move the nozzle 117 between the treatment position and the standby position of the nozzle 117 .

유체 공급 유닛 (121) 은, 스핀 척 (107) 의 상방에 위치한다. 유체 공급 유닛 (121) 은, 토출구 (122a) 로부터 질소 가스 (N2) 를 기판 (W) 을 향하여 토출한다. 유체 공급 유닛 (121) 은, 토출구 (123a) 로부터 린스액을 기판 (W) 을 향하여 토출한다. 린스액은, 도 2 를 참조하여 설명한 실시형태 1 에 관련된 린스액과 동일하다. 실시형태 2 에서는, 린스액은 순수 (DIW) 이다. 유체 공급 유닛 (121) 은, 토출구 (124a) 로부터 수용성의 유기 용제의 증기를 기판 (W) 을 향하여 토출한다. 실시형태 2 에서는, 도 3 을 참조하여 설명한 실시형태 1 과 동일하게, 수용성의 유기 용제의 증기는, IPA 의 증기이다.The fluid supply unit 121 is located above the spin chuck 107 . The fluid supply unit 121 discharges nitrogen gas (N 2 ) toward the substrate W through the discharge port 122a. The fluid supply unit 121 discharges the rinsing liquid toward the substrate W through the discharge port 123a. The rinse liquid is the same as the rinse liquid according to Embodiment 1 described with reference to FIG. 2 . In Embodiment 2, the rinsing liquid is pure water (DIW). The fluid supply unit 121 discharges vapor of a water-soluble organic solvent toward the substrate W through the discharge port 124a. In Embodiment 2, as in Embodiment 1 described with reference to Fig. 3, the water-soluble organic solvent vapor is IPA vapor.

유닛 이동부 (126) 는, 유체 공급 유닛 (121) 을 연직 방향을 따라 상승 또는 하강시킨다. 유체 공급 유닛 (121) 이, 질소 가스, 린스액, 및 IPA 를 기판 (W) 에 토출할 때에는, 유닛 이동부 (126) 는, 유체 공급 유닛 (121) 을 하강시키고 있다.The unit moving unit 126 raises or lowers the fluid supply unit 121 along the vertical direction. When the fluid supply unit 121 discharges nitrogen gas, rinsing liquid, and IPA to the substrate W, the unit moving unit 126 moves the fluid supply unit 121 down.

다음으로, 도 4(a), 도 6, 및 도 7 을 참조하여, 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 방법을 설명한다. 도 7 은, 기판 처리 방법을 나타내는 플로 차트이다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 방법은, 공정 S21 ∼ 공정 S29 를 포함한다. 기판 처리 방법은, 기판 처리 장치 (100A) 에 의해 실행되어, 기판 (W) 을 처리한다. 구체적으로는, 처리부 (SP2) 가, 공정 S21 ∼ 공정 S29 를 실행한다.Next, referring to Figs. 4(a), 6, and 7, a substrate processing method according to Embodiment 2 will be described. 7 is a flowchart showing a substrate processing method. As shown in FIG. 7 , the substrate processing method includes steps S21 to S29. The substrate processing method is executed by the substrate processing apparatus 100A to process the substrate W. Specifically, processing unit SP2 executes steps S21 to S29.

도 6 및 도 7 에 나타내는 바와 같이, 공정 S21 에 있어서, 반송 기구 (도시 생략) 가, 1 장의 기판 (W) 을 처리부 (SP2) 에 반입한다.As shown in FIGS. 6 and 7 , in step S21, a transport mechanism (not shown) carries one substrate W into the processing unit SP2.

공정 S22 에 있어서, 처리부 (SP2) 가 기판 (W) 의 회전을 개시한다. 실시형태 2 에서는, 스핀 척 (107) 이 기판 (W) 의 회전을 개시한다.In step S22, processing unit SP2 starts rotation of substrate W. In Embodiment 2, the spin chuck 107 starts rotation of the substrate W.

공정 S23 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 챔버 (105) 내에서 기판 (W) 을 회전시키면서, 처리액을 기판 (W) 에 공급하여 기판 (W) 을 처리액으로 처리한다. 공정 S23 은 「처리 공정」의 일례에 상당한다.In step S23 , the processing unit SP2 supplies the processing liquid to the substrate W while rotating the substrate W within the chamber 105 to treat the substrate W with the processing liquid. Step S23 corresponds to an example of "treatment step".

공정 S23 의 후에, 공정 S24 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 챔버 (105) 내에서 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 처리액을 기판 (W) 으로부터 제거한다. 실시형태 2 에서는, 처리부 (SP2) 는, 챔버 (105) 내에서 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 을 건조시켜, 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 처리액을 제거한다. 공정 S24 는 「제거 공정」의 일례에 상당한다.After step S23, in step S24, while rotating the substrate W in the chamber 105, the processing liquid contained in the concave portion 92 of the substrate W is transferred to the substrate W. remove from In Embodiment 2, the processing unit SP2 dries the substrate W while rotating the substrate W in the chamber 105 to remove the processing liquid contained in the concave portion 92 of the substrate W. do. Step S24 corresponds to an example of a “removal step”.

공정 S24 의 후에, 공정 S25 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 챔버 (105) 내에서 기판 (W) 을 회전시키면서, 에칭액 (TMAH) 을 기판 (W) 에 공급하여 기판 (W) 을 에칭액으로 에칭한다. 실시형태 2 에서는, 노즐 (117) 이, 기판 (W) 에 에칭액을 토출하여, 기판 (W) 을 에칭한다. 공정 S25 는 「에칭 공정」의 일례에 상당한다.After step S24, in step S25, processing unit SP2 supplies etchant TMAH to substrate W while rotating substrate W in chamber 105 to etch substrate W with etchant. do. In Embodiment 2, the nozzle 117 discharges the etchant onto the substrate W to etch the substrate W. Step S25 corresponds to an example of "etching step".

공정 S25 의 후에, 공정 S26 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 챔버 (105) 내에서 기판 (W) 을 회전시키면서, 린스액 (DIW) 을 기판 (W) 에 공급하여 린스액에 의해 기판 (W) 으로부터 에칭액을 씻어낸다. 실시형태 2 에서는, 노즐 (115) 이, 기판 (W) 에 린스액을 토출하여, 기판 (W) 으로부터 에칭액을 씻어낸다.After step S25, in step S26, processing unit SP2 supplies rinsing liquid DIW to substrate W while rotating substrate W in chamber 105, and uses rinsing liquid to clean substrate W. ) to wash off the etching solution. In Embodiment 2, the nozzle 115 discharges the rinsing liquid to the substrate W to wash the etching liquid from the substrate W.

공정 S26 의 후에, 공정 S27 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 챔버 (105) 내에서 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 을 건조시킨다.After step S26, in step S27, the processing unit SP2 dries the substrate W while rotating the substrate W within the chamber 105.

공정 S27 의 후에, 공정 S28 에 있어서, 처리부 (SP2) 가 기판 (W) 의 회전을 정지시킨다.After step S27, processing unit SP2 stops rotation of substrate W in step S28.

공정 S28 의 후에, 공정 S29 에 있어서, 반송 기구 (도시 생략) 가, 1 장의 기판 (W) 을 처리부 (SP2) 로부터 반출한다.After step S28, in step S29, a transport mechanism (not shown) carries out one substrate W from processing unit SP2.

이상, 도 6 및 도 7 을 참조하여 설명한 바와 같이, 실시형태 2 에 의하면, 공정 S25 의 에칭 처리 전에, 공정 S24 에 있어서 기판 (W) 으로부터 처리액이 제거된다. 요컨대, 에칭 처리 전에 오목부 (92) 로부터 처리액이 제거된다. 따라서, 에칭액은, 처리액이 들어가 있지 않은 오목부 (92) 에 직접 진입한다. 그 결과, 기판 (W) 에 대한 에칭 효과의 저하를 억제할 수 있다.As described above with reference to FIGS. 6 and 7 , according to the second embodiment, the process liquid is removed from the substrate W in step S24 before the etching process in step S25. In short, the treatment liquid is removed from the concave portion 92 before the etching treatment. Therefore, the etching liquid directly enters the concave portion 92 where no processing liquid has entered. As a result, a decrease in the etching effect on the substrate W can be suppressed.

또, 실시형태 2 에서는, 공정 S23 은, 공정 S231 과, 공정 S232 를 포함한다.In Embodiment 2, step S23 includes step S231 and step S232.

공정 S231 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 에 대해 전처리를 실시한다. 구체적으로는, 처리부 (SP2) 는, 기판 (W) 을 회전시키면서, 약액 (DHF) 을 기판 (W) 에 공급하여 기판 (W) 을 약액으로 처리한다. 공정 S231 은 「약액 공정」의 일례에 상당한다. 실시형태 2 에서는, 노즐 (111) 이, 기판 (W) 에 약액을 토출하여, 기판 (W) 을 약액으로 처리한다.In step S231, the processing unit SP2 performs a preprocessing on the substrate W while rotating the substrate W. Specifically, the processing unit SP2 supplies the chemical solution DHF to the substrate W while rotating the substrate W to treat the substrate W with the chemical solution. Step S231 corresponds to an example of a “chemical solution step”. In Embodiment 2, the nozzle 111 discharges the chemical liquid to the substrate W to treat the substrate W with the chemical liquid.

특히, 공정 S231 에서는, 노즐 (111) 이, 기판 (W) 에 형성된 자연 산화막 (93) 을 약액 (DHF) 에 의해 제거한다.In particular, in step S231, the nozzle 111 removes the natural oxide film 93 formed on the substrate W with the chemical solution (DHF).

공정 S232 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 기판 (W) 을 회전시키면서, 린스액 (DIW) 을 기판 (W) 에 공급하여 린스액에 의해 기판 (W) 으로부터 약액을 씻어낸다. 공정 S232 는 「린스 공정」의 일례에 상당한다. 실시형태 2 에서는, 유체 공급 유닛 (121) 이, 토출구 (123a) 로부터 기판 (W) 에 린스액을 토출하여, 린스액에 의해 기판 (W) 으로부터 약액을 씻어낸다.In step S232, the processing unit SP2 supplies the rinsing liquid DIW to the substrate W while rotating the substrate W to wash the chemical liquid from the substrate W with the rinsing liquid. Step S232 corresponds to an example of a "rinse step". In Embodiment 2, the fluid supply unit 121 discharges the rinsing liquid to the substrate W through the discharge port 123a to wash the chemical liquid from the substrate W with the rinsing liquid.

그리고, 공정 S232 의 후의 공정 S24 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 기판 (W) 을 회전시키면서 기판 (W) 을 건조시켜, 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 린스액을 기판 (W) 으로부터 제거한다. 실시형태 2 에서는, 공정 S24 에 있어서, 유체 공급 유닛 (121) 은, 토출구 (122a) 로부터 기판 (W) 에 캐리어 가스로서의 질소 가스를 토출한다. 또한, 유체 공급 유닛 (121) 은, 토출구 (124a) 로부터 기판 (W) 에, 수용성의 유기 용제(IPA) 의 증기를 토출하여, 기판 (W) 을 회전시키면서 기판 (W) 을 건조시킨다.Then, in step S24 after step S232, processing unit SP2 dries the substrate W while rotating the substrate W, and removes the rinse liquid contained in the concave portion 92 of the substrate W into the substrate ( W) is removed from In Embodiment 2, in step S24, the fluid supply unit 121 discharges nitrogen gas as a carrier gas to the substrate W from the discharge port 122a. In addition, the fluid supply unit 121 discharges vapor of a water-soluble organic solvent (IPA) to the substrate W through the discharge port 124a, thereby drying the substrate W while rotating the substrate W.

따라서, 실시형태 2 에 의하면, 공정 S25 의 에칭 처리 전에, 공정 S24 에 있어서 기판 (W) 의 오목부 (92) 로부터 린스액이 제거된다. 따라서, 에칭액은, 린스액이 들어가 있지 않은 오목부 (92) 에 직접 진입한다. 그 결과, 기판 (W) 에 대한 에칭 효과의 저하를 억제할 수 있다.Therefore, according to Embodiment 2, the rinsing liquid is removed from the concave portion 92 of the substrate W in step S24 before the etching treatment in step S25. Therefore, the etching liquid directly enters the concave portion 92 where no rinsing liquid has entered. As a result, a decrease in the etching effect on the substrate W can be suppressed.

또한, 공정 S23 은, 공정 S231 및 공정 S232 중 어느 하나의 공정을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 공정 S23 이 공정 S231 만을 포함하고 있는 경우에는, 공정 S24 에 있어서, 처리부 (SP2) 는, 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 약액을 기판 (W) 으로부터 제거한다. 구체적으로는, 처리부 (SP2) 가, 기판 (W) 을 건조시켜, 기판 (W) 의 오목부 (92) 에 들어가 있는 약액을 제거한다.In addition, process S23 may include any one process of process S231 and process S232. For example, when step S23 includes only step S231, in step S24, processing unit SP2 removes the chemical liquid entering the concave portion 92 of substrate W from substrate W. Specifically, the processing unit SP2 dries the substrate W to remove the chemical liquid entering the concave portion 92 of the substrate W.

이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기의 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 양태에서 실시할 수 있다. 또, 상기의 실시형태에 개시되는 복수의 구성 요소는 적절히 개변 가능하다. 예를 들어, 어느 실시형태에 나타내는 전체 구성 요소 중 어느 구성 요소를 다른 실시형태의 구성 요소에 추가해도 되고, 또는 어느 실시형태에 나타내는 전체 구성 요소 중 몇 개의 구성 요소를 실시형태로부터 삭제해도 된다.In the above, the embodiment of the present invention has been described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented in various aspects without departing from the gist thereof. In addition, a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments can be appropriately modified. For example, a certain component among all components shown in a certain embodiment may be added to a component in another embodiment, or some of all components shown in a certain embodiment may be deleted from the embodiment.

또, 도면은, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있으며, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 형편상 실제와는 상이한 경우도 있다. 또, 상기의 실시형태에서 나타내는 각 구성 요소의 구성은 일례로, 특별히 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능한 것은 말할 필요도 없다.In addition, in the drawings, in order to facilitate understanding of the invention, each constituent element is schematically shown as a main body, and the thickness, length, number, interval, etc. of each constituent element shown are different from the actual for the sake of drawing drawing may be different. In addition, the configuration of each component shown in the above embodiment is only an example, and is not particularly limited, and it goes without saying that various changes are possible within a range that does not substantially deviate from the effect of the present invention.

본 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이며, 산업상 이용가능성을 갖는다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and has industrial applicability.

100, 100A : 기판 처리 장치
SP1, SP2 : 처리부
W : 기판100, 100A: substrate processing device
SP1, SP2: processing unit
W: Substrate

Claims (18)

오목부를 포함하는 패턴을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
상기 기판을 처리액으로 처리하는 처리 공정과,
상기 처리 공정의 후에, 상기 오목부에 들어가 있는 상기 처리액을 상기 기판으로부터 제거하는 제거 공정과,
상기 제거 공정의 후에, 상기 기판을 에칭액으로 에칭하는 에칭 공정을 포함하고,
상기 에칭 공정에서는, 상기 오목부로부터 상기 처리액이 제거된 상태에 있어서, 상기 에칭액의 유동에 의해 상기 오목부의 내부에 상기 에칭액을 진입시킴으로써, 에칭을 실시하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate having a pattern including a concave portion,
A treatment step of treating the substrate with a treatment liquid;
a removal step of removing the treatment liquid from the substrate after the treatment step;
After the removal step, an etching step of etching the substrate with an etchant;
In the etching step, in a state where the processing liquid is removed from the concave portion, etching is performed by allowing the etchant to enter the concave portion by the flow of the etchant. 제 1 항에 있어서,
상기 제거 공정에서는, 상기 기판을 건조시켜, 상기 오목부에 들어가 있는 상기 처리액을 제거하는, 기판 처리 방법.According to claim 1,
In the removing step, the substrate is dried to remove the processing liquid contained in the concave portion. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리 공정은,
상기 기판을 약액으로 처리하는 약액 공정과,
상기 처리액으로서의 린스액에 의해 상기 기판으로부터 상기 약액을 씻어내는 린스 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
The treatment process is
a chemical solution step of treating the substrate with a chemical solution;
and a rinsing step of rinsing the chemical solution from the substrate with a rinsing liquid as the processing liquid. 제 3 항에 있어서,
상기 약액 공정에서는, 상기 기판에 형성된 자연 산화막을 상기 약액에 의해 제거하는, 기판 처리 방법.According to claim 3,
In the chemical liquid step, a natural oxide film formed on the substrate is removed by the chemical liquid. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리 공정과 상기 제거 공정과 상기 에칭 공정은, 복수의 조를 구비하는 기판 처리 장치의 외부로 상기 기판을 꺼내지 않고, 상기 기판 처리 장치의 내부에서 실행되는 일련의 공정인, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
The processing step, the removing step, and the etching step are a series of steps performed inside the substrate processing apparatus without taking the substrate out of the substrate processing apparatus having a plurality of tanks. 제 5 항에 있어서,
상기 제거 공정에서는, 상기 복수의 조 중 상기 기판이 수용되어 있는 조 내에 수용성의 유기 용제의 증기를 공급하여, 상기 조 내를 감압함으로써 상기 기판을 건조시키는, 기판 처리 방법.According to claim 5,
In the removing step, the substrate is dried by supplying vapor of a water-soluble organic solvent to a tank containing the substrate among the plurality of tanks, and reducing the pressure in the tank to dry the substrate. 제 5 항에 있어서,
상기 처리 공정과 상기 제거 공정과 상기 에칭 공정 중 적어도 2 이상의 공정이, 동일 조 내에서 실행되는, 기판 처리 방법.According to claim 5,
The substrate processing method in which at least two or more processes of the said processing process, the said removal process, and the said etching process are performed in the same tank. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리 공정에서는, 챔버 내에서 상기 기판을 회전시키면서, 상기 처리액을 상기 기판에 공급하여 상기 기판을 처리하고,
상기 제거 공정에서는, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 회전시키면서, 상기 오목부에 들어가 있는 상기 처리액을 제거하고,
상기 에칭 공정에서는, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 회전시키면서, 상기 에칭액을 상기 기판에 공급하여 상기 기판을 에칭하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
In the processing step, the substrate is processed by supplying the processing liquid to the substrate while rotating the substrate in the chamber,
In the removing step, the processing liquid contained in the concave portion is removed while the substrate is rotated in the chamber;
In the etching step, the substrate is etched by supplying the etchant to the substrate while rotating the substrate in the chamber. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 에칭액은, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드를 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
The etchant is a substrate processing method comprising tetramethylammonium hydroxide. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 에칭 공정에서는, 상기 오목부로부터 상기 처리액이 제거된 상태에 있어서, 상기 오목부의 측면을 에칭하여, 상기 기판의 면 방향에 복수의 리세스를 형성하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
In the etching step, in a state in which the processing liquid is removed from the concave portion, a side surface of the concave portion is etched to form a plurality of recesses in a surface direction of the substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 에칭 공정에서는, 상기 오목부로부터 상기 처리액이 제거된 상태에 있어서, 상기 에칭액의 유동에 의해 상기 오목부의 절반보다 깊은 위치까지 상기 에칭액을 진입시키는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
In the etching step, in a state in which the processing liquid is removed from the concave portion, the flow of the etchant causes the etchant to enter a position deeper than half of the concave portion. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리 공정을 실행하기 전에 있어서, 상기 오목부의 폭에 대한 깊이의 비율인 상기 패턴의 애스펙트비는 2 이상인, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
Before executing the processing step, the aspect ratio of the pattern, which is the ratio of the depth to the width of the concave portion, is 2 or more. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 패턴은, 상기 처리액이 들어가 있는 상태에서의 유동에 의한 진입의 한계 위치보다 깊은 상기 오목부를 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 2,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the pattern includes the concave portion deeper than a limit position of entry by flow in a state in which the processing liquid is contained. 오목부를 포함하는 패턴을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
상기 기판을 처리하는 처리부를 구비하고,
상기 처리부는,
상기 기판을 처리액으로 처리하고,
상기 기판을 상기 처리액으로 처리한 후에, 상기 오목부에 들어가 있는 상기 처리액을 상기 기판으로부터 제거하고,
상기 오목부로부터 상기 처리액이 제거된 상태에 있어서, 에칭액의 유동에 의해 상기 오목부의 내부에 상기 에칭액을 진입시킴으로써, 상기 기판을 에칭하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate having a pattern including a concave portion,
A processing unit for processing the substrate,
The processing unit,
Treating the substrate with a treatment liquid;
After treating the substrate with the treatment liquid, removing the treatment liquid contained in the concave portion from the substrate;
In a state in which the processing liquid is removed from the concave portion, the substrate processing apparatus is etched by allowing the etchant to enter the interior of the concave portion by a flow of the etchant. 제 14 항에 있어서,
상기 처리부는, 상기 오목부로부터 상기 처리액이 제거된 상태에 있어서, 상기 오목부의 측면을 에칭하여, 상기 기판의 면 방향에 복수의 리세스를 형성하는, 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
wherein the processing unit forms a plurality of recesses in a surface direction of the substrate by etching a side surface of the recessed portion in a state in which the processing liquid is removed from the recessed portion. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 처리부는, 상기 오목부로부터 상기 처리액이 제거된 상태에 있어서, 상기 에칭액의 유동에 의해 상기 오목부의 절반보다 깊은 위치까지 상기 에칭액을 진입시키는, 기판 처리 장치.The method of claim 14 or 15,
wherein the processing unit, in a state in which the processing liquid is removed from the concave portion, causes the etchant to enter a position deeper than half of the concave portion by a flow of the etchant. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 기판을 상기 처리액으로 처리하기 전에 있어서, 상기 오목부의 폭에 대한 깊이의 비율인 상기 패턴의 애스펙트비는 2 이상인, 기판 처리 장치.The method of claim 14 or 15,
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein an aspect ratio of the pattern, which is a ratio of a depth to a width of the concave portion, is 2 or more before processing the substrate with the processing liquid. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 패턴은, 상기 처리액이 들어가 있는 상태에서의 유동에 의한 진입의 한계 위치보다 깊은 상기 오목부를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 14 or 15,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the pattern includes the concave portion deeper than a limit position of entry by flow in a state in which the processing liquid is contained.
KR1020217008176A 2018-08-27 2019-07-22 Substrate processing method and substrate processing apparatus KR102526831B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018158104A JP7195084B2 (en) 2018-08-27 2018-08-27 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JPJP-P-2018-158104 2018-08-27
PCT/JP2019/028665 WO2020044862A1 (en) 2018-08-27 2019-07-22 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210046049A KR20210046049A (en) 2021-04-27
KR102526831B1 true KR102526831B1 (en) 2023-04-27

Family

ID=69644182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217008176A KR102526831B1 (en) 2018-08-27 2019-07-22 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7195084B2 (en)
KR (1) KR102526831B1 (en)
CN (1) CN112640059A (en)
TW (1) TWI776077B (en)
WO (1) WO2020044862A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7397736B2 (en) 2020-03-31 2023-12-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Etching method and substrate processing method
CN112916458A (en) * 2021-01-21 2021-06-08 任玉成 Method for preparing electronic element wafer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015046442A (en) * 2013-08-27 2015-03-12 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, substrate processing system and storage medium
JP2015088619A (en) * 2013-10-30 2015-05-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Method for removing sacrificial film, and substrate processing apparatus
JP2016213252A (en) * 2015-04-30 2016-12-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing method, substrate liquid processing device and storage medium

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0810683B2 (en) * 1989-02-14 1996-01-31 松下電器産業株式会社 Wet etching equipment
JP3036478B2 (en) * 1997-08-08 2000-04-24 日本電気株式会社 Wafer cleaning and drying methods
JP5016525B2 (en) * 2008-03-12 2012-09-05 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing method and substrate processing apparatus
US8354675B2 (en) * 2010-05-07 2013-01-15 International Business Machines Corporation Enhanced capacitance deep trench capacitor for EDRAM
US10163647B2 (en) * 2016-12-13 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming deep trench structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015046442A (en) * 2013-08-27 2015-03-12 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, substrate processing system and storage medium
JP2015088619A (en) * 2013-10-30 2015-05-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Method for removing sacrificial film, and substrate processing apparatus
JP2016213252A (en) * 2015-04-30 2016-12-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing method, substrate liquid processing device and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020044862A1 (en) 2020-03-05
TW202010013A (en) 2020-03-01
CN112640059A (en) 2021-04-09
JP2020035777A (en) 2020-03-05
KR20210046049A (en) 2021-04-27
TWI776077B (en) 2022-09-01
JP7195084B2 (en) 2022-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101377194B1 (en) Substrate processing apparatus
JP5037241B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus
KR102526831B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US6620260B2 (en) Substrate rinsing and drying method
US7674725B2 (en) Treatment solution and method of applying a passivating layer
JP2002050600A (en) Substrate-processing method and substrate processor
JP6956924B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
TWI790869B (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR102615611B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20030136429A1 (en) Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel
JP5412218B2 (en) Substrate processing equipment
KR101044409B1 (en) Method for cleaning substrate
US20020023663A1 (en) Apparatus and method for preventing the re-adherence of particles in wafer-cleaning process
WO2022196384A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
KR100757329B1 (en) Substrate processing apparatus of a single substrate type
CN115332109A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN117160955A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW202331909A (en) Substrate processing device and substrate processing method
CN117321736A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20090055422A (en) Wet station and method for treating substrate
JP2007266360A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20030097267A (en) Wet station and rinsing method using it

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant