KR20240019191A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 주변 영역 내의 패드부에 배치되는 접속 전극 및 상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 전극을 포함하고, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 소스/드레인 패턴, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 접속 전극의 측면 및 상기 전극의 측면과 접하고, 상기 접속 전극의 상면을 노출하는 평탄화 절연층, 상기 접속 전극에 접하는 접속 부재, 및 상기 접속 부재에 연결되고, 구동 회로를 포함하는 구동 부재를 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액정 표시 장치용 어레이 기판, 상기 어레이 기판을 포함하는 표시 패널 및 상기 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 표시 장치의 제조 공정이나 층상 구조를 변경시켜, 제조 공정의 수율을 향상시키거나 표시 품질을 향상시키기 위한, 다양한 노력이 있어왔다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 수율이 향상된 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 주변 영역 내의 패드부에 배치되는 접속 전극 및 상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 전극을 포함하고, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 소스/드레인 패턴, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 접속 전극의 측면 및 상기 전극의 측면과 접하고, 상기 접속 전극의 상면을 노출하는 평탄화 절연층, 상기 접속 전극에 접하는 접속 부재, 및 상기 접속 부재에 연결되고, 구동 회로를 포함하는 구동 부재를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 패드 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고, 상기 제1 층 패턴의 구성물질과 상기 제2 층 패턴의 구성 물질은 서로 다를 수 있다. 상기 제2 층 패턴의 상면은 상기 접속 부재와 접할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 평탄화 절연층 상에 배치되는 비아 절연층 및 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 전극은 은(Ag)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 패드 전극은 상면이 하면 보다 작은 정 테이퍼 형상의 단면을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 평탄화 절연층 상에 배치되는 비아 절연층, 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 발광 구조물, 상기 발광 구조물 상에 배치되는 박막 봉지층, 및 상기 박막 봉지층 상에 직접 형성되는 터치 구조물을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 평탄화 절연층과 상기 베이스 기판 사이 및 상기 평탄화 절연층과 상기 소스/드레인 패턴의 측면 사이에 배치되고, 상기 평탄화 절연층과 다른 절연 물질을 포함하는 정지층 패턴을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 정지층 패턴은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 정지층 패턴은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 소스/드레인 패턴은 상기 평탄화 절연층의 상면에 형성되는 리세스 형상에 에 수용될 수 있다. 상기 접속 전극의 상기 측면뿐만 아니라 하면도 상기 평탄화 절연층과 접할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판 상에, 상기 주변 영역 내의 패드부에 배치되는 접속 전극 및 상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 전극을 포함하는 소스/드레인 패턴을 형성하는 단계, 상기 소스/드레인 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층의 일부를 제거하여 상기 접속 전극의 상면을 노출하는 평탄화 절연층을 형성하는 단계, 및 구동 회로를 포함하는 구동 부재와 상기 접속 전극 사이에 배치되는 접속 부재를 이용하여, 상기 접속 전극과 상기 구동 부재를 전기적으로 연결시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 소스/드레인 패턴을 형성하는 단계는 제1 층 및 상기 제1 층과 다른 물질로 구성된 제2 층을 순차적으로 형성하는 단계, 및 상기 제2 층 및 상기 제1 층을 에칭하여 상기 소스/드레인 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 평탄화 절연층 상에 비아 절연층을 형성하는 단계, 및 상기 비아 절연층 상에 은(Ag)을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 평탄화 절연층을 형성하는 단계에서는, CMP(chemical mechanical planarization) 공정을 통해, 상기 접속 전극의 상부에 위치하는 상기 절연층의 일부를 제거하여, 상기 접속 전극의 상기 상면을 노출할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 절연층을 형성하는 단계 전에, 상기 소스/드레인 패턴 상에 정지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 평탄화 절연층을 형성하는 단계는 CMP(chemical mechanical planarization) 공정을 통해, 상기 접속 전극의 상부에 위치하는 상기 절연층의 일부를 제거하여, 상기 정지층을 노출시키는 단계, 및 상기 정지층의 일부를 제거하여, 상기 접속 전극의 상기 상면을 노출하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 정지층은 상기 절연층에 대한 상기 CMP 공정에 대해, 상기 절연층 보다 CMP 선택비(CMP selectivity)가 낮은 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 정지층 패턴은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 정지층 패턴은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 평탄화 절연층 상에 비아 절연층을 형성하는 단계, 상기 비아 절연층 상에 발광 구조물을 형성하는 단계, 상기 발광 구조물 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계, 및 상기 박막 봉지층 상에 터치 구조물을 직접 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 소스/드레인 패턴을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 기판 상에 하부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 하부 절연층과 상기 절연층은 동일한 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 평탄화 절연층 상에 비아 절연층을 형성하는 단계, 상기 비아 절연층 상에 발광 구조물을 형성하는 단계, 상기 발광 구조물 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계, 및 상기 박막 봉지층 상에 터치 구조물을 직접 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접속 부재는 도전성을 갖는 접착제를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 장치의 제조 방법은 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판 상에, 상기 주변 영역 내의 패드부에 배치되는 접속 전극 및 상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 전극을 포함하는 소스/드레인 패턴을 형성하는 단계, 상기 소스/드레인 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층의 일부를 제거하여 상기 접속 전극의 상면을 노출하는 평탄화 절연층을 형성하는 단계, 및 구동 회로를 포함하는 구동 부재와 상기 접속 전극 사이에 배치되는 접속 부재를 이용하여, 상기 접속 전극과 상기 구동 부재를 전기적으로 연결시키는 단계를 포함한다. 이때, 상기 제조 공정 중, 상기 접속 전극 표면 상의 불순물의 석출을 최소화 하여, 후속하는 공정에서의 상기 불순물에 의한 불량을 줄일 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 패드부를 확대한 상기 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 도 5의 패드부를 확대한 상기 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8f는 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 9a 내지 도 9g는 도 4의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10a 내지 도 10c는 도 5의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 11a 및 도 11b는 도 7의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 13a는 도 12의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13b는 도 12의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 패드부를 확대한 상기 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 도 5의 패드부를 확대한 상기 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8f는 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 9a 내지 도 9g는 도 4의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10a 내지 도 10c는 도 5의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 11a 및 도 11b는 도 7의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 13a는 도 12의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13b는 도 12의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역(DA) 및 상기 표시 영역(DA)에 인접하고 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역인 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역(DA)은 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)이 이루는 평면 상에 사각형 형상을 이룰 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 표시 영역(DA)은 상기 사각형 형상을 이루는 것으로 설명되었으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 표시 영역(DA)은 다각형, 모서리가 라운드된 다각형, 타원, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 주변 영역(PA)은 상기 표시 영역(DA)의 좌측에 인접하는 좌측 주변 영역, 상기 표시 영역(DA)의 우측에 인접하는 우측 주변영역, 상기 표시 영역(DA)의 상측에 인접하는 상측 주변 영역 및 상기 표시 영역(DA)의 하측에 인접하는 하측 주변 영역을 포함할 수 있다.
이때, 상기 하측 주변 영역에는 상기 표시 장치를 구동하기 위한 구동부를 연결하기 위한 접속 전극이 배치되는 패드부(PAD)가 형성될 수 있다. 상기 접속 전극은 데이터 신호, 스캔 신호 등의 신호를 인가는 데이터 패드, 게이트 패드 등 일 수 있다. 도시하지 않았으나, 상기 패드부(PAD)와 상기 표시 영역(DA) 사이의 상기 주변 영역(PA)의 일부는 상기 패드부(PAD)를 상기 표시 영역(DA)의 배면에 위치시키기 위한 벤딩 영역이 형성될 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 영상을 표시하기 위한 복수의 화소들, 스캔 라인, 데이터 라인 등의 신호 배선 등이 배치될 수 있다. 각각의 상기 화소들은 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터 등을 포함하는 화소 회로 및 발광 구조물을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(110), 게이트 패턴, 제2 절연층(120), 소스/드레인 패턴, 평탄화 절연층(130), 비아 절연층(140), 발광 구조물(180), 화소 정의막(PDL), 박막 봉지층(TFE), 구동 부재(DR) 및 접속 부재(CN)를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible)이 있는 상기 투명 수지 기판일 수 있다. 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 베이스 기판(100)은 폴리 이미드(PI) 수지 필름 일 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)은 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 표시 영역(DA) 내에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 비정질 실리콘을 포함하거나, 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 상기 액티브 패턴(ACT)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 불순물이 도핑(doping)된 드레인 및 소스 영역들, 및 상기 드레인 영역과 상기 소스 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다.
도시하지 않았으나, 상기 표시 장치는 상기 베이스 기판(100)과 상기 액티브 패턴(ACT) 사이에 배치되는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 상기 액티브 패턴(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(ACT)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 상기 베이스 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 베이스 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 버퍼층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등 의 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 절연층(110)은 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에서 상기 액티브 패턴(ACT)을 덮으며, 상기 액티브 패턴(ACT)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(110)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 패턴은 상기 제1 절연층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 게이트 전극(GE), 스토리지 전극 및 게이트 라인 등의 신호 배선을 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 절연층(120)이 상기 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 절연층(110) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 절연층(120)은 상기 제1 절연층(110) 상에서 상기 게이트 패턴을 충분히 덮을 수 있으며, 상기 게이트 패턴의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 절연층(120)은 상기 제1 절연층(110) 상에서 상기 게이트 패턴을 덮으며, 상기 게이트 패턴의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수도 있다.
상기 제2 절연층(120)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(120)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 소스/드레인 패턴은 상기 제2 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 상기 표시 영역(DA)에 배치되는 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 데이터 라인 등의 신호 배선을 포함할 수 있다. 또한, 상기 소스/드레인 패턴은 상기 주변 영역(PA)의 상기 패드부(PAD)에 배치되는 접속 전극(122)를 포함할 수 있다.
상기 소스/드레인 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 소스/드레인 패턴은 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 층, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층, 및 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 층을 포함하는 적층 구조체일 수 있다.
상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 절연층(110) 및 상기 제2 절연층(120)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)의 상기 소스 영역에 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제1 절연층(110) 및 상기 제2 절연층(120)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)의 상기 드레인 영역에 연결될 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 화소 회로를 구성하는 박막 트랜지스터(TFT)에 포함될 수 있다.
상기 평탄화 절연층(130)은 상기 소스/드레인 패턴이 배치된 상기 제2 절연층(120) 상에, 상기 소스/드레인 패턴과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 평탄화 절연층(130)은 상기 소스/드레인 패턴의 상면은 커버하지 않고, 상기 소스/드레인 패턴의 측면과 접할 수 있다.
상기 평탄화 절연층(130)은 상기 제2 절연층(120)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 비아 절연층(140)은 상기 표시 영역(DA)의 상기 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 상기 평탄화 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 비아 절연층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제1 데이터 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
이때, 상기 비아 절연층(140)은 상기 패드부(PAD)의 상기 접속 전극(122)에 인접하는 부분에는 형성되지 않으며, 따라서, 상기 접속 전극(122)의 상면은 노출되어, 후술하는 상기 접속 부재(CN)와 접촉할 수 있다.
상기 발광 구조물(180)은 상기 표시 영역(DA)에 배치되며, 제1 전극(181), 발광층(182) 및 제2 전극(183)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(181)은 상기 비아 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(181)은 상기 비아 절연층(140)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제1 전극(181)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면,상기 제1 전극(181)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극(181)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극(181)은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 제1 층, 은(Ag)을 포함하는 제2 층, 및 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 제3 층을 포함하는 적층 구조체일 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(181)이 배치된 상기 비아 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화소 정의막(PDL)을 식각하여 상기 제1 전극(181)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 이러한 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 의해 상기 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)의 개구가 위치하는 부분이 상기 발광 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비발광 영역은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다.
상기 발광층(182)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(181)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광층(182)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층(182)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 유기 발광층을 제외하고, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 등은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성될 수 있다. 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다. 이때, 상기 발광 구조물들은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성되고, 상기 컬러 필터층에 의해 각각의 화소들이 구분될 수 있다.
상기 제2 전극(183)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 발광층(182) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제2 전극(183)은 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(183)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(183)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 박막 봉지층(TFE)이 상기 제2 전극(183) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지층(TFE)은 두 개의 무기층과 이들 사이의 한개의 유기층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층 대신 외기 및 수분이 상기 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단하기 위한 밀봉기판이 제공될 수 있다.
상기 구동 부재(DR)는 상기 패드부(PAD)의 상기 접속 전극(122)와 상기 접속 부재(CN)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 접속 전극(122)의 상면은 상기 비아 절연층(140), 상기 화소 정의막(PDL), 상기 박막 봉지층(TFE) 등의 절연막에 의해 커버되지 않고, 노출되므로, 상기 접속 부재(CN)에 의해 상기 접속 전극(122)와 상기 구동 부재(DR)가 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 구동 부재(DR)는 상기 표시 장치를 구동하기 위한 구동 신호를 발생하는 구동 회로 등을 포함할 수 있으며, 인쇄회로기판 또는 연성회로기판 및 IC칩 등을 포함할 수 있다. 상기 접속 부재(CN)는 도전성을 갖는 접착제를 포함할 수 있으며, 예를 들면, ACF(anisotropic conductive film) 등을 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 패드부를 확대한 상기 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 패드 전극(122)은 서로다른 물질을 포함하는 적어도 2개 이상의 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 패드 전극(122)은 제1 층 패턴(122a), 제2 층 패턴(122b) 및 제3 층 패턴(122c)을 포함할 수 있다.
예를 들면, 앞서 상기 소스/드레인 패턴에 관해 설명한 바와 같이, 상기 제1 층 패턴(122a) 및 제3층 패턴(122c)은 티타늄(Ti)을 포함하고, 상기 제2 층 패턴(122b)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 패드 전극(122)은 상기 제1 및 제2 방향(D1, D2)과 수직한 제3 방향(D3)을 따라 폭이 좁아지는 정테이퍼 형상의 단면을 가질 수 있다. 즉, 상기 패드 전극(122)의 하면 상기 패드 전극(122)의 측면이 이루는 각도(θ)는 90도 이하의 예각일 수 있다.
한편, 상기 접속 부재(CN)와 접촉하는 상기 패드 전극(122)의 상면을 포함하는 상기 제3 층 패턴(122c)과 상기 제2 층 패턴(122b)의 동일 식각 조건에서의 식각 선택비는 서로 다를 수 있다. 즉, 상기 제2 층 패턴(122b)의 식각 조건에서, 상기 제3 층 패턴(122c)의 식각 선택비는 상기 제2 층 패턴(122b)의 식각 선택비 보다 낮을 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(181)의 식각 조건에서, 상기 제3 층 패턴(122c)의 식각 선택비는 상기 제1 전극(181)의 식각 선택비 보다 낮을 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 평탄화 절연층(130)이 상기 접속 전극(122)의 상기 측면에 접할 뿐, 상기 접속 전극(122)의 상기 상면에 인접하여 별개의 절연층이 형성되지 않으므로, 상기 구동 부재(DR)와 상기 접속 전극(122)의 이격 거리(h1)에 무관하게 상기 구동 부재(DR)를 상기 접속 부재(CN)를 이용하여 상기 접속 전극(122)에 용이하게 연결 또는 접착할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 정지층 패턴(125)을 더 포함하는 것을 제외하고, 도 1내지 3의 표시 장치와 실절적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(110), 게이트 패턴, 제2 절연층(120), 상기 정지층 패턴(125), 소스/드레인 패턴, 평탄화 절연층(130), 비아 절연층(140), 발광 구조물(180), 화소 정의막(PDL), 박막 봉지층(TFE), 구동 부재(DR) 및 접속 부재(CN)를 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 주변 영역(PA)의 패드부(PAD)에 배치되는 접속 전극(122) 및 표시 영역(DA)에 배치되는 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 화소 회소를 구성하는 박막 트랜지스터(TFT)에 포함될 수 있다.
상기 정지층 패턴(125)은 상기 제2 절연층(120)과 상기 평탄화 절연층(130) 사이 및 상기 소스/드레인 패턴과 상기 평탄화 절연층(130) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 정지층 패턴(125)은 상기 소스/드레인 패턴의 상면은 커버하지 않고, 상기 소스/드레인 패턴의 측면만 커버할 수 있다.
상기 정지층 패턴(125)은 상기 평탄화 절연층(130)과 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 정지층 패턴(125)은 상기 평탄화 절연층(130) 에 대한 CMP 공정에 대해, 상기 평탄화 절연층(130) 보다 CMP 선택비(CMP selectivity)가 낮은 물질을 포함할 수 있다.
상기 정지층 패턴(125)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 정지층 패턴(125)이 무기 절연 물질을 포함하는 경우, 상기 정지층 패턴(125)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 평탄화 절연층(130)이 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 경우, 상기 정지층 패턴(125)은 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 6은 도 5의 패드부를 확대한 상기 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.
도 5 및 6을 참조하면, 상기 표시 장치는 제2 절연층 및 평탄화 절연층이 하나의 평탄화 절연층(135)로 형성되는 것을 제외하고, 도 1 내지 3의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(110), 게이트 패턴, 평탄화 절연층(135), 소스/드레인 패턴, 비아 절연층(140), 발광 구조물(180), 화소 정의막(PDL), 박막 봉지층(TFE), 구동 부재(DR) 및 접속 부재(CN)를 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 주변 영역(PA)의 패드부(PAD)에 배치되는 접속 전극(122) 및 표시 영역(DA)에 배치되는 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 화소 회소를 구성하는 박막 트랜지스터(TFT)에 포함될 수 있다.
상기 평탄화 절연층(135)의 상면에는 상기 소스/드레인 패턴이 수용되는 리세스(recess)가 형성될 수 있다. 상기 리세스는 상기 평탄화 절연층(135)의 상기 상면으로부터 제3 방향(D3)의 반대 방향으로 함몰된 형상을 가지며, 상기 리세스 내에 상기 소스/드레인 패턴이 수용될 수 있다.
상기 평탄화 절연층(135)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
도 6을 다시 참조하면, 구체적으로, 상기 패드 전극(122)은 제1 층 패턴(122a), 제2 층 패턴(122b) 및 제3 층 패턴(122c)을 포함할 수 있다.
상기 패드 전극(122)은 상기 제1 및 제2 방향(D1, D2)과 수직한 제3 방향(D3)을 따라 폭이 좁아지는 정테이퍼 형상의 단면을 가질 수 있다. 즉, 상기 패드 전극(122)의 하면 상기 패드 전극(122)의 측면이 이루는 각도(θ)는 90도 이하의 예각일 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 표시 장치는 박막 봉지층(TFE) 상에 배치되는 터치 구조물(TS)을 더 포함하는 것을 제외하고, 도 1 내지 3의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(110), 게이트 패턴, 제2 절연층(120), 소스/드레인 패턴, 평탄화 절연층(130), 비아 절연층(140), 발광 구조물(180), 화소 정의막(PDL), 박막 봉지층(TFE), 터치 구조물(TS), 구동 부재(DR) 및 접속 부재(CN)를 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 주변 영역(PA)의 패드부(PAD)에 배치되는 접속 전극(122) 및 표시 영역(DA)에 배치되는 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 화소 회소를 구성하는 박막 트랜지스터(TFT)에 포함될 수 있다.
상기 터치 구조물(TS)은 상기 박막 봉지층(TFE) 상에 직접 형성될 수 있다. 상기 터치 구조물(TS)은 제1 터치 패턴(TE1), 절연막(190), 제2 터치 패턴(TE2)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 상기 제1 및 제2 터치 패턴(TE1, TE2)이 상기 절연막(190)을 사이에 두고 두개 층으로 형성되는 것을 예시하였으나 이에 한정되지 않고, 상기 터치 구조물(TS)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 한개 층의 터치 패턴과 절연막으로 구성될 수도 있으며, 상기 박막 봉지층(TFE) 상에 직접 형성되는 사용자의 터치 인식을 위한 터치 구조물이면 무방하다.
본 실시예에 따르면, 상기 터치 구조물(TS)을 형성하기 전 공정에서의 산화/환원 반응에 의한 불순물 형성이 방지되므로, 상기 터치 구조물(TS)의 형성 과정에서 상기 불순물에 의한 배선 쇼트 등의 불량을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치의 불량이 감소하고, 표시 품질이 향상되어, 수율이 향상될 수 있다.
도 8a 내지 도 8f는 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 액티브 패턴(ACT)을 형성할 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)이 형성된 상기 베이스 기판(100 상에 제1 절연층(110)을 형성할 수 있다. 상기 제1 절연층(110) 상에 게이트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 절연층(110) 상에 제2 절연층(120)을 형성할 수 있다. 이후, 상기 제2 절연층(120)에 상기 액티브 패턴(ACT)의 일부를 노출시키는 컨택홀을 형성할 수 있다.
상기 제2 절연층(120)은 구성물질에 따라 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득할 수 있다.
상기 제2 절연층(120) 상에 소스/드레인 패턴을 형성할 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 상기 주변 영역(PA)의 상기 패드부(PAD)에 배치되는 접속 전극(122) 및 상기 표시 영역(DA)에 배치되는 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 소스/드레인 패턴은 상기 제2 절연층(120) 상에 도전층을 형성한 후, 사진 에칭 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 에칭 공정 등을 이용하여 상기 도전층을 패터닝함으로써 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전층은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
이때, 상기 도전층은 서로다른 구성물질을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 도전층은 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 층, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층, 및 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 층을 포함할 수 있으며, 상기 제1 내지 제3 층을 일괄 에칭 하여 패터닝할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 상기 소스/드레인 패턴 및 상기 제2 절연층(120) 상에 절연층(130a)를 형성할 수 있다. 상기 절연층(130a)은 구성물질에 따라 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득할 수 있다.
도 8c를 참조하면, 상기 소스/드레인 패턴에 의해 단차가 형성되는 상기 절연층(130a)의 일부를 제거하여, 상기 소스/드레인 패턴의 상면을 노출시키는 평탄화 절연층(130)을 형성할 수 있다.
예를 들면, CMP(chemical mechanical planarization) 공정 등의 평탄화 공정을 통해, 상기 주변 영역(PA)의 상기 패드부(PAD)의 상기 접속 전극(122)의 상부에 위치하는 상기 절연층(130a)의 일부를 제거하여, 상기 접속 전극(122)의 상면을 노출 시킬 수 있다. 또한, 이와 함께, 상기 표시 영역(PA) 내의 상기 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)의 상부에 위치하는 상기 절연층(130a)의 일부를 제거하여, 상기 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 노출시킬 수 있다.
도 8d를 참조하면, 상기 평탄화 절연층(130) 및 상기 소스 및 드레인 전극(SE, DE) 상에 비아 절연층(140)을 형성할 수 있다. 이후, 상기 비아 절연층(140)에 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시키는 컨택홀을 형성할 수 있다. 상기 비아 절연층(140)은 상기 평탄화 절연층(130) 상에 포토레지스트층(미도시)을 형성한 후, 노광 및 현상하여 형성할 수 있다.
이후, 상기 비아 절연층(140) 상에 제1 전극(181)을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극(181)은 상기 비아 절연층(140) 상에 도전층을 형성한 후, 사진 에칭 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 에칭 공정 등을 이용하여 상기 도전층을 패터닝함으로써 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전층은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
이때, 상기 도전층은 서로다른 구성물질을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 도전층은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 제1 층, 은(Ag)을 포함하는 제2 층, 및 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 제3 층을 포함할 수 있으며, 상기 제1 내지 제3 층을 일괄 에칭 하여 패터닝할 수 있다.
이때, 상기 제1 전극(181)을 패터닝하기 위한 에칭 공정이 상기 제1 전극(181) 외의 도전 패턴에 영향을 줄 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(181)을 패터닝 하는 과정에서, 상기 접속 전극(122)의 표면에 산화/환원 반응에 의한 불순물이 형성될 수 있는데, 예를 들면, 상기 제1 전극(181)이 은(Ag)을 포함하는 경우, 은 입자(Ag particle)가 상기 접속 전극(122)의 표면에 석출될 수 있다. 또한, 실험에 의해, 상기 불순물은 상기 비아 절연층(140)의 가장자리 부분이 도전 패턴과 접하는 부분에서 상기 도전 패턴 상에 석출되기도 하는 것이 발견되었다.
상기 은 입자 등의 불순물은 후속하는 도전 패턴의 패터닝 공정, 예를 들면, 제2 전극 등의 패터닝 공정에 영향을 미쳐, 상기 표시 장치의 불량을 야기하여 표시 품질 및 수율을 떨어뜨릴 수 있다. 이때, 본 실시예에 따르면, 상기 제1 전극(181)의 패터닝 시, 상기 제1 전극(181)의 패터닝 시 영향을 적게 받는 상면(티타늄으로 형성된 제3 층 패턴(도 3의 122c 참조))만 노출되고, 영향을 크게 받는 측면(알루미늄으로 형성된 제 2층 패턴(도 3의 122b 참조))은 상기 평탄화 절연층(130)에 의해 노출되지 않으므로, 상기 접속 전극(122) 표면 상의 불순물의 석출을 최소화 할 수 있다.
이에 따라, 후속 공정에 영향을 주는 불순물이 최소화 되어, 상기 표시 장치의 불량이 감소하고, 표시 품질이 향상되어, 수율이 향상될 수 있다.
도 8e를 참조하면, 상기 제1 전극(181)이 형성된 상기 비아 절연층(140) 상에 개구를 형성하는 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구 내의 상기 제1 전극(181) 상에 발광층(182)을 형성할 수 있다.
상기 발광층(183) 상에 제2 전극(183)을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극(183)은 상기 발광층(183) 및 상기 화소 정의막(PDL) 상에 도전층을 형성한 후, 사진 에칭 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 에칭 공정 등을 이용하여 상기 도전층을 패터닝함으로써 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전층은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(183) 상에 박막 봉지층(TFE)을 형성할 수 있다.
도 8f를 참조하면, 접속 부재(CN)를 이용하여, 구동 부재(DR)를 상기 패드부(PAD)의 상기 접속 전극(122)에 연결할 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치를 제조할 수 있다. 상기 접속 부재(CN)는 도전성을 갖는 접착제를 포함할 수 있으며, 예를 들면, ACF(anisotropic conductive film) 등을 포함할 수 있다.
이때, 상기 접속 전극(122)의 상면은 인접하는 상기 평탄화 절연층(130)의 상면과 동일한 레벨을 가지므로, 상기 접속 부재(CN)를 이용하여, 상기 구동 부재(DR)를 상기 표시 장치에 용이하게 연결할 수 있다.
도 9a 내지 도 9g는 도 4의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 상기 제조 방법은 정지층(125a) 및 정지층 패턴(125)를 제외하고, 도 8a 내지 8e의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
도 9a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(110), 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴 및 제2 절연층(120)을 형성할 수 있다.
상기 제2 절연층(120) 상에 소스/드레인 패턴을 형성할 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 상기 주변 영역(PA)의 상기 패드부(PAD)에 배치되는 접속 전극(122) 및 상기 표시 영역(DA)에 배치되는 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 포함할 수 있다.
도 9b를 참조하면, 상기 소스/드레인 패턴 및 상기 제2 절연층(120) 상에 정지층(125a) 및 절연층(130a)을 순차적으로 형성할 수 있다.
상기 정지층(125a) 및 상기 절연층(130a)은 각각 구성물질에 따라 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득할 수 있다.
도 9c를 참조하면, 상기 소스/드레인 패턴에 의해 단차가 형성되는 상기 절연층(130a)의 일부를 제거하여, 상기 소스/드레인 패턴 상의 상기 정지층(125a)의 일부를 노출시킬 수 있다.
예를 들면, CMP(chemical mechanical planarization) 공정 등의 평탄화 공정을 통해, 상기 주변 영역(PA)의 상기 패드부(PAD)의 상기 접속 전극(122)의 상부에 위치하는 상기 절연층(130a)의 일부를 제거할 수 있다. 또한, 이와 함께, 상기 표시 영역(PA) 내의 상기 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)의 상부에 위치하는 상기 절연층(130a)의 일부를 제거 할 수 있다.
여기서, 상기 정지층(125a)은 상기 절연층(130a)에 대한 상기 CMP 공정에 대해, 상기 절연층(130a) 보다 CMP 선택비(CMP selectivity)가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 절연층(130a)의 일부를 제거하는 상기 CMP 공정에 있어서, 상기 정지층(125)은 제거되지 않고 남을 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(130a)이 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 경우, 상기 정지층(125a)은 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 절연층(130a)에 대한 상기 CMP 공정에 의해 상기 정지층(125a)이 제거되지 않을 수 있으며, 상기 정지층(125a)이 노출될 때까지, 상기 절연층(130a)에 대한 상기 CMP 공정이 진행될 수 있다.
상기 정지층(125a)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 정지층(125a)이 무기 절연 물질을 포함하는 경우, 상기 정지층(125a)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
도 9d를 참조하면, 상기 평탄화 절연층(130)에 의해 노출되는 상기 정지층(125a)의 일부를 제거하여, 상기 접속 전극(122) 및 상기 소스 및 드레인 전극(SE, DE)을 노출시킬 수 있다. 이는 별개의 연마 공정 등의 추가적인 공정을 통해 이루어지며, 상기 접속 전극(122)을 노출 시키는 정지층 패턴(125)을 형성할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 접속 전극(122)의 상면은 상기 정지층(125a)에 의해 커버된 채로, 상기 평탄화 절연층(130)을 형성하기 위한 CMP 공정이 진행되고, 별도의 공정을 통해 상기 정지층(125a)의 일부가 제거되므로, 상기 절연층(130a)에 대한 상기 CMP 공정에 의해 상기 접속 전극(122)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 9e를 참조하면, 상기 평탄화 절연층(130) 및 상기 소스 및 드레인 전극(SE, DE) 상에 비아 절연층(140)을 형성할 수 있다. 이후, 상기 비아 절연층(140) 상에 제1 전극(181)을 형성할 수 있다.
도 9f를 참조하면, 상기 제1 전극(181)이 형성된 상기 비아 절연층(140) 상에 개구를 형성하는 화소 정의막(PDL)을 형성할 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구 내의 상기 제1 전극(181) 상에 발광층(182)을 형성할 수 있다. 상기 발광층(183) 상에 제2 전극(183)을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극(183) 상에 박막 봉지층(TFE)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 9g를 참조하면, 접속 부재(CN)를 이용하여, 구동 부재(DR)를 상기 패드부(PAD)의 상기 접속 전극(122)에 연결할 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 도 5의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 상기 제조 방법은 평탄화 절연층(135)를 제외하고, 도 8a 내지 8e의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
도 10a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(110), 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 절연층 상에 하부 절연층(135a)을 형성할 수 있다.
상기 하부 절연층(135a)에 컨택홀을 형성한 후, 상기 하부 절연층(135a) 상에 접속 전극(122), 및 소스 및 드레인 전극(SE, DE)을 포함하는 소드/드레인 패턴을 형성할 수 있다.
도 10b를 참조하면, 상기 소스/드레인 패턴이 형성된 상기 하부 절연층(135a) 상에 상부 절연층(135b)을 형성할 수 있다. 상기 상부 절연층(135b)은 상기 하부 절연층(135a)과 동일한 물질로 구성될 수 있다.
도 10c를 참조하면, 상기 소스/드레인 패턴에 의해 단차가 형성되는 상기 상부 절연층(135b)의 일부를 제거하여, 상기 소스/드레인 패턴의 상면을 노출시키는 평탄화 절연층(130)을 형성할 수 있다.
예를 들면, CMP(chemical mechanical planarization) 공정 등의 평탄화 공정을 통해, 상기 주변 영역(PA)의 상기 패드부(PAD)의 상기 접속 전극(122)의 상부에 위치하는 상기 상부 절연층(135b)의 일부를 제거하여, 상기 접속 전극(122)의 상면을 노출 시킬 수 있다. 또한, 이와 함께, 상기 표시 영역(PA) 내의 상기 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)의 상부에 위치하는 상기 상부 절연층(135b)의 일부를 제거하여, 상기 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 노출시킬 수 있다.
이후, 도 8d 내지 도 8f에 나타난 제조 방법과 동일한 방법을 통해, 상기 표시 장치를 제조 할 수 있다.
도 11a 및 도 11b는 도 7의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 상기 제조 방법은 박막 봉지층(TFE) 상에 터치 구조물(TS)을 더 형성하는 것을 제외하고, 도 8a 내지 도 8f의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
도 11a를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(110), 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴, 제2 절연층(120), 접속 전극(122) 및 소스 및 드레인 전극(SE, DE)을 포함하는 소스/드레인 패턴, 평탄화 절연층(130), 비아 절연층(140), 발광 구조물(180), 화소 정의막(PDL) 및 박막 봉지층(TFE)을 형성할 수 있다.
상기 박막 봉지층(TFE) 상에 상기 터치 구조물(TS)을 직접 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지층(TFE) 상에 제1 터치 전극(TE1), 절연막(190) 및 제2 터치 전극(TE2)을 형성하여, 상기 터치 구조물(TS)을 형성할 수 있다.
이때, 상기 제1 전극(181)을 형성하는 공정에서의 산화/환원 반응에 의한 불순물 형성이 방지되므로, 상기 터치 구조물(TS)의 형성 과정에서 상기 불순물에 의한 배선 쇼트 등의 불량을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치의 불량이 감소하고, 표시 품질이 향상되어, 수율이 향상될 수 있다.
도 11b를 참조하면, 접속 부재(CN)를 이용하여, 구동 부재(DR)를 상기 패드부(PAD)의 상기 접속 전극(122)에 연결할 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 장치의 제조 방법은 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판 상에, 상기 주변 영역 내의 패드부에 배치되는 접속 전극 및 상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 전극을 포함하는 소스/드레인 패턴을 형성하는 단계, 상기 소스/드레인 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층의 일부를 제거하여 상기 접속 전극의 상면을 노출하는 평탄화 절연층을 형성하는 단계, 및 구동 회로를 포함하는 구동 부재와 상기 접속 전극 사이에 배치되는 접속 부재를 이용하여, 상기 접속 전극과 상기 구동 부재를 전기적으로 연결시키는 단계를 포함한다. 이때, 상기 제조 공정 중, 상기 접속 전극 표면 상의 불순물의 석출을 최소화 하여, 후속하는 공정에서의 상기 불순물에 의한 불량을 줄일 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 13a는 도 12의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 13b는 도 12의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12 내지 도 13b를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 표시 장치(560)는 도 1의 표시 장치에 상응할 수 있다. 상기 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 11a에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 상기 전자 기기(500)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 전자 기기(500)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
상기 프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 등일 수 있다. 상기 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 상기 메모리 장치(520)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 장치(520)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 상기 스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 상기 파워 서플라이(550)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
상기 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 표시 장치(560)는 상기 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 상기 표시 장치(560)는 평탄화 절연층을 포함하여 접속 전극의 측면을 커버하므로, 제조 공정상의 불량을 줄이고, 구동 부재를 접속 부재를 이용하여 상기 접속 전극에 용이하게 연결할 수 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판
110: 제1 절연층
120: 제2 절연층 122: 접속 전극
130: 평탄화 절연층 140: 비아 절연층
180: 발광 구조물 ACT: 액티브 패턴
TFT: 박막 트랜지스터 PDL: 화소 정의막
TFE: 박막 봉지층
120: 제2 절연층 122: 접속 전극
130: 평탄화 절연층 140: 비아 절연층
180: 발광 구조물 ACT: 액티브 패턴
TFT: 박막 트랜지스터 PDL: 화소 정의막
TFE: 박막 봉지층
Claims (38)
- 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 전극을 포함하고, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 소스/드레인 패턴; 및
상기 베이스 기판 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 측면과 접하며, 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 상면을 노출하는 평탄화 절연층을 포함하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 상기 상면은 상기 평탄화 절연층의 상면과 동일한 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소스/드레인 패턴은 상기 주변 영역 내의 패드부에 배치되는 접속 전극을 더 포함하고,
상기 평탄화 절연층은 상기 접속 전극의 측면과 접하고, 상기 접속 전극의 상면을 노출하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 3 항에 있어서, 상기 접속 전극의 상기 상면은 상기 접속 전극의 하면보다 작은 평면적을 가져 상기 접속 전극이 정 테이퍼 형상의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 접속 전극에 접하는 접속 부재; 및
상기 접속 부재에 연결되고, 구동 회로를 포함하는 구동 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 5 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴의 구성 물질과 상기 제2 층 패턴의 구성 물질은 서로 다르며,
상기 제2 층 패턴의 상면은 상기 접속 부재와 접하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 3 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제2 층 패턴은 티타늄(Ti)을 포함하며,
상기 제1 층 패턴의 구성 물질은 티타늄이 아닌 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 3 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴은 알루미늄(Al)을 포함하며,
상기 제2 층 패턴의 구성 물질은 알루미늄이 아닌 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 3 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴은 알루미늄(Al)을 포함하며,
상기 제2 층 패턴은 티타늄(Ti)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 3 항에 있어서, 상기 접속 전극의 상기 상면은 상기 평탄화 절연층의 상면과 동일한 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 상기 상면 및 상기 접속 전극의 상기 상면은 상기 평탄화 절연층의 상면과 동일한 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층 상에 배치되는 비아 절연층; 및
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 더 포함하고,
상기 제1 전극은 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층 상에 배치되는 비아 절연층;
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 상에 배치되는 박막 봉지층; 및
상기 박막 봉지층 상에 직접 형성되는 터치 구조물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층과 상기 베이스 기판 사이 및 상기 평탄화 절연층과 상기 소스/드레인 패턴의 측면 사이에 배치되고, 상기 평탄화 절연층과 다른 물질을 포함하는 정지층 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 14 항에 있어서, 상기 정지층 패턴은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 14 항에 있어서, 상기 정지층 패턴은 유기 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 액티브 패턴;
상기 액티브 패턴이 배치된 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상에 배치되는 게이트 패턴;
상기 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층;
상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 전극을 포함하고, 상기 제2 절연층 상에 배치되는 소스/드레인 패턴; 및
상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 측면과 접하며, 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 상면을 노출하는 평탄화 절연층을 포함하고,
상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 상기 상면은 상기 평탄화 절연층의 상면과 동일한 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 17 항에 있어서, 상기 소스/드레인 패턴은 상기 주변 영역 내의 패드부에 배치되는 접속 전극을 더 포함하고,
상기 평탄화 절연층은 상기 접속 전극의 측면과 접하고, 상기 접속 전극의 상면을 노출하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 18 항에 있어서, 상기 접속 전극의 상기 상면은 상기 접속 전극의 하면보다 작은 평면적을 가져 상기 접속 전극이 정 테이퍼 형상의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 18 항에 있어서,
상기 접속 전극에 접하는 접속 부재; 및
상기 접속 부재에 연결되고, 구동 회로를 포함하는 구동 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 20 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴의 구성 물질과 상기 제2 층 패턴의 구성 물질은 서로 다르며,
상기 제2 층 패턴의 상면은 상기 접속 부재와 접하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 18 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제2 층 패턴은 티타늄(Ti)을 포함하며,
상기 제1 층 패턴의 구성 물질은 티타늄이 아닌 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 18 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴은 알루미늄(Al)을 포함하며,
상기 제2 층 패턴의 구성 물질은 알루미늄이 아닌 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 18 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴은 알루미늄(Al)을 포함하며,
상기 제2 층 패턴은 티타늄(Ti)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 17 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층 상에 배치되는 비아 절연층; 및
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 더 포함하고,
상기 제1 전극은 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 17 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층 상에 배치되는 비아 절연층;
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 상에 배치되는 박막 봉지층; 및
상기 박막 봉지층 상에 직접 형성되는 터치 구조물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 액티브 패턴;
상기 액티브 패턴이 배치된 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상에 배치되는 게이트 패턴;
상기 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층;
상기 표시 영역 내에 배치되는 박막 트랜지스터의 전극을 포함하고, 상기 제2 절연층 상에 배치되는 소스/드레인 패턴;
상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 상면을 커버하지 않으면서 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 측면을 커버하는 정지층 패턴; 및
상기 정지층 패턴이 배치된 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 상기 상면을 노출하는 평탄화 절연층을 포함하고,
상기 박막 트랜지스터의 상기 전극의 상기 상면은 상기 평탄화 절연층의 상면과 동일한 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 27 항에 있어서, 상기 소스/드레인 패턴은 상기 주변 영역 내의 패드부에 배치되는 접속 전극을 더 포함하고,
상기 정지층 패턴은 상기 접속 전극의 상면을 커버하지 않으면서 상기 접속 전극의 측면을 커버하며,
상기 평탄화 절연층은 상기 접속 전극의 상기 상면을 노출하고,
상기 접속 전극의 상기 상면은 상기 평탄화 절연층의 상기 상면과 동일한 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 28 항에 있어서, 상기 접속 전극의 상기 상면은 상기 접속 전극의 하면보다 작은 평면적을 가져 상기 접속 전극이 정 테이퍼 형상의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 28 항에 있어서,
상기 접속 전극에 접하는 접속 부재; 및
상기 접속 부재에 연결되고, 구동 회로를 포함하는 구동 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 30 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴의 구성 물질과 상기 제2 층 패턴의 구성 물질은 서로 다르며,
상기 제2 층 패턴의 상면은 상기 접속 부재와 접하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 28 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제2 층 패턴은 티타늄(Ti)을 포함하며,
상기 제1 층 패턴의 구성 물질은 티타늄이 아닌 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 28 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴은 알루미늄(Al)을 포함하며,
상기 제2 층 패턴의 구성 물질은 알루미늄이 아닌 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 28 항에 있어서, 상기 접속 전극은 제1 층 패턴 및 상기 제1 층 패턴 상에 배치되는 제2 층 패턴을 포함하고,
상기 제1 층 패턴은 알루미늄(Al)을 포함하며,
상기 제2 층 패턴은 티타늄(Ti)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 27 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층 상에 배치되는 비아 절연층; 및
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 더 포함하고,
상기 제1 전극은 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 27 항에 있어서,
상기 평탄화 절연층 상에 배치되는 비아 절연층;
상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 상에 배치되는 박막 봉지층; 및
상기 박막 봉지층 상에 직접 형성되는 터치 구조물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 27 항에 있어서, 상기 정지층 패턴은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 27 항에 있어서, 상기 정지층 패턴은 유기 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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