CN110970470A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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金成准
戎野浩平
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Abstract

本发明公开一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基底基板，包括在其中显示图像的显示区域和与显示区域相邻的外围区域；在基底基板上的源极/漏极图案，源极/漏极图案包括在外围区域的焊盘部分中的连接电极和在显示区域中的薄膜晶体管的电极；在基底基板上的平坦化绝缘层，平坦化绝缘层接触连接电极的侧表面和薄膜晶体管的电极的侧表面并且暴露连接电极的顶表面；接触连接电极的连接构件；以及包括驱动电路的驱动构件，驱动构件连接到连接构件。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
示例性实施例涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
近来，已经制造出重量轻且尺寸小的显示装置。由于性能和有竞争力的价格，阴极射线管(CRT)显示装置已经被使用。然而，CRT显示装置具有尺寸或便携性的弱点。因此，期望尺寸小、重量轻并且功耗低的诸如等离子体显示装置、液晶显示装置或有机发光显示装置的显示装置。
发明内容
实施例涉及一种显示装置，包括：基底基板，包括在其中显示图像的显示区域和与显示区域相邻的外围区域；在基底基板上的源极/漏极图案，源极/漏极图案包括在外围区域的焊盘部分中的连接电极和在显示区域中的薄膜晶体管的电极；在基底基板上的平坦化绝缘层，平坦化绝缘层接触连接电极的侧表面和薄膜晶体管的电极的侧表面并且暴露连接电极的顶表面；接触连接电极的连接构件；以及包括驱动电路的驱动构件，驱动构件连接到连接构件。
连接电极可以包括第一层图案和在第一层图案上的第二层图案。第一层图案的构成材料和第二层图案的构成材料可以彼此不同。第二层的顶表面可以接触连接构件。
显示装置可以进一步包括在平坦化绝缘层上的通孔绝缘层和在通孔绝缘层上的第一电极，第一电极电连接到薄膜晶体管。第一电极可以包括银(Ag)。
连接电极的顶表面具有比连接电极的底表面小的平面区域，使得连接电极具有恒定的渐缩的横截面。
显示装置还可以包括：在平坦化绝缘层上的通孔绝缘层；在通孔绝缘层上的发光结构，发光结构电连接到薄膜晶体管；在发光结构上的薄膜封装层；以及直接在薄膜封装层上的触摸结构。
显示装置可以进一步包括在平坦化绝缘层和基底基板之间以及在平坦化绝缘层和源极/漏极图案的侧表面之间的停止层图案。停止层图案可以包括与平坦化绝缘层不同的材料。
停止层图案可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。
停止层图案可以包括有机绝缘材料。
源极/漏极图案可以被容纳在平坦化绝缘层的顶表面上的凹部中。连接电极的侧表面和底表面可以接触平坦化绝缘层。
实施例还涉及一种制造显示装置的方法，包括：在基底基板上形成源极/漏极图案，基底基板包括将在其中显示图像的显示区域和与显示区域相邻的外围区域，源极/漏极图案包括在外围区域的焊盘部分中的连接电极和设置在显示区域中的薄膜晶体管的电极；在其上形成源极/漏极图案的基底基板上形成初始绝缘层；形成平坦化绝缘层，平坦化绝缘层通过去除绝缘层的一部分来暴露连接电极的顶表面；以及使用在连接电极和包括驱动电路的驱动构件之间的连接构件，连接连接电极和驱动构件。
形成源极/漏极图案可以包括：顺序地形成第一层和第二层，第二层由与第一层不同的材料制成；以及通过蚀刻第二层和第一层来形成源极/漏极图案。
该方法可以进一步包括在平坦化绝缘层上形成通孔绝缘层并在通孔绝缘层上形成包括银(Ag)的第一电极。
形成平坦化绝缘层可以包括：通过化学机械平坦化(CMP)工艺去除初始绝缘层的设置在连接电极上的一部分，以暴露连接电极的顶表面。
该方法可以进一步包括在形成初始绝缘层之前在源极/漏极图案上形成停止层。形成平坦化绝缘层可以包括：通过化学机械平坦化(CMP)工艺去除初始绝缘层的设置在连接电极上的一部分，以暴露停止层；以及去除停止层的一部分以暴露连接电极的顶表面。对于针对平坦化绝缘层的CMP工艺，停止层可以包括具有比平坦化绝缘层低的CMP选择性的材料。
停止层可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。
停止层可以包括有机绝缘材料。
该方法可以进一步包括在平坦化绝缘层上形成通孔绝缘层、在通孔绝缘层上形成发光结构、在发光结构上形成薄膜封装层和在薄膜封装层上直接形成触摸结构。
该方法可以进一步包括在形成源极/漏极图案之前在基底基板上形成下绝缘层。在其上形成源极/漏极图案的基底基板上形成的下绝缘层和初始绝缘层可以由相同的材料形成。
该方法可以进一步包括在平坦化绝缘层上形成通孔绝缘层、在通孔绝缘层上形成发光结构、在发光结构上形成薄膜封装层以及在薄膜封装层上直接形成触摸结构。
连接构件可以包括导电粘合剂。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，附图中：
图1示出根据示例性实施例的显示装置的平面图；
图2示出沿图1中的线I-I'截取的横截面图；
图3示出显示装置的局部放大截面图，其中图2的焊盘部分被放大；
图4示出根据示例性实施例的显示装置的横截面图；
图5示出根据示例性实施例的显示装置的横截面图；
图6示出显示装置的局部放大截面图，其中图5的焊盘部分被放大；
图7示出根据示例性实施例的显示装置的横截面图；
图8A至图8F示出制造图2的显示装置的方法的多个阶段的横截面图；
图9A至图9G示出制造图4的显示装置的方法的多个阶段的横截面图；
图10A至图10C示出制造图5的显示装置的方法的多个阶段的横截面图；
图11A至图11B示出制造图7的显示装置的方法的多个阶段的横截面图；
图12示出根据示例实施例的电子设备的框图；
图13A示出图12的电子设备被实现为电视的示例；和
图13B示出了图12的电子设备被实现为智能电话的示例。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达示例性实施方式。
在附图中，为了清楚说明，可能夸大了层和区域的尺寸。还应理解，当层或元件被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，应理解，当一层被称为在另一层“下”时，它可以直接在下面，也可以存在一个或多个中间层。另外，还应理解，当层被称为在两个层“之间”时，它可以是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记自始至终指代相同的元件。
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的平面图。
参考图1，显示装置可以包括在其中显示图像的显示区域DA和外围区域PA，外围区域PA是围绕显示区域DA的非显示区域。作为示例，显示区域DA可以具有合适的形状，例如多边形、具有圆角的多边形、椭圆形或圆形。例如，如图1所示，显示区域DA可以在由第一方向D1和垂直于第一方向D1的第二方向D2形成的平面上具有矩形形状。
外围区域PA可以包括与显示区域DA的左侧相邻的左外围区域、与显示区域DA的右侧相邻的右外围区域、与显示区域DA的上侧相邻的上外围区域和与显示区域DA的下侧相邻的下外围区域。
焊盘部分PAD可以形成在下外围区域中。用于连接用于驱动显示装置的驱动构件的连接电极可以设置在焊盘部分PAD中。连接电极可以是用于传输数据信号、扫描信号等的数据焊盘、栅极焊盘等。外围区域PA的在焊盘部分PAD和显示区域DA之间的部分可以形成有弯曲区域，以允许焊盘部分PAD设置在显示区域DA的背面。
在显示区域中，可以设置用于显示图像的多个像素、诸如扫描线、数据线等的信号线。每个像素可以包括发光结构和包括薄膜晶体管、存储电容器等的像素电路。
图2示出了沿图1中的线I-I'截取的横截面图。
参考图1和图2，显示装置可以包括基底基板100、有源图案ACT、第一绝缘层110、栅极图案、第二绝缘层120、源极/漏极图案、平坦化绝缘层130、通孔绝缘层140、发光结构180、像素限定层PDL、薄膜封装层TFE和连接构件CN。
基底基板100可以包括透明绝缘基板。例如，基底基板100可以是具有柔性的透明树脂基板。透明树脂基板可以包括聚酰亚胺基树脂、丙烯酸基树脂、聚丙烯酸酯基树脂、聚碳酸酯基树脂、聚醚基树脂、磺酸基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯基树脂等。例如，基底基板100可以是聚酰亚胺(PI)树脂膜。
有源图案ACT可以设置在基底基板100上。有源图案ACT可以包括非晶硅或多晶硅。在一些示例实施例中，有源图案ACT可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、和锌(Zn)中的至少一种物质的氧化物。有源图案ACT可以包括掺杂有杂质的源区和漏区以及设置在源区与漏区之间的沟道区。
显示装置可以进一步包括设置在基底基板100和有源图案ACT之间的缓冲层。
缓冲层可以帮助防止金属原子和/或杂质从基底基板100扩散。另外，缓冲层可以调节有源图案ACT的连续结晶工艺的传热速率，从而获得基本均匀的有源图案ACT。在基底基板100具有相对不规则的表面的情况下，缓冲层可以改善基底基板100的表面的平坦度。可以使用硅化合物形成缓冲层。例如，缓冲层可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)等。
第一绝缘层110可以设置在其上设置有源图案ACT的基底基板100上。第一绝缘层110可以沿着有源图案ACT的轮廓均匀地形成在基底基板100上。第一绝缘层110可以包括硅化合物、金属氧化物等。
栅极图案可以设置在第一绝缘层110上。栅极图案可以包括栅电极GE、存储电极和诸如栅极线的信号线。可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成栅极图案。
第二绝缘层120可以设置在其上设置栅极图案的第一绝缘层110上。例如，第二绝缘层120可以具有相对大的厚度以充分覆盖栅极图案，使得第二绝缘层120可以具有基本水平的表面。在一些实施方式中，第二绝缘层120可沿着栅极图案的轮廓均匀地形成于第一绝缘层110上。第二绝缘层120可以沿着栅极图案的轮廓具有小得多的厚度，使得可以在第二绝缘层120与栅极图案相邻的部分处形成台阶部分。第二绝缘层120可以包括硅化合物、金属氧化物等。第二绝缘层120可以由多层形成。
源极/漏极图案可以设置在第二绝缘层120上。源极/漏极图案可以包括设置在显示区域DA中的源电极SE、漏电极DE和诸如数据线的信号线。源极/漏极图案可以包括设置在外围区域PA的焊盘区域PAD中的连接电极122。
源极/漏极图案可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。源极/漏极图案可以由多层形成。例如，源极/漏极图案可以是层压结构，包括：包括钛(Ti)的第一层、包括铝(Al)的第二层和包括钛(Ti)的第三层。
源电极SE可以通过穿过第一绝缘层110和第二绝缘层120形成的接触孔电连接到有源图案ACT的源区。漏电极DE可以通过穿过第一绝缘层110和第二绝缘层120形成的接触孔电连接到有源图案ACT的漏区。
有源图案ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以被包括在作为像素电路的一部分的薄膜晶体管TFT中。
平坦化绝缘层130可以设置在与源极/漏极图案相同的层上。例如，平坦化绝缘层130可以设置在其上设置源极/漏极图案的第二绝缘层120上。平坦化绝缘层130可以在不覆盖源极/漏极图案的顶表面的情况下，接触源极/漏极图案的侧表面。
平坦化绝缘层130可以包括诸如硅化合物、金属氧化物的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。
通孔绝缘层140可以设置在显示区域DA的源电极SE、漏电极DE和平坦化绝缘层130上。通孔绝缘层140可以包括有机绝缘材料。通孔绝缘层140可以具有相对大的厚度，以充分覆盖源极/漏极图案，使得通孔绝缘层140可以基本上是水平的。
通孔绝缘层140没有形成在焊盘部分PAD与连接电极122相邻的部分中。因此，连接电极122的顶表面可以被暴露出。连接电极122的顶表面可以接触连接构件CN，这将在下面描述。
发光结构180可以设置在显示区域DA中。发光结构180可以包括第一电极181、发光层182和第二电极183。
第一电极181可以设置在通孔绝缘层140上。第一电极181可以通过穿过通孔绝缘层140形成的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT。
根据显示装置的发光类型，第一电极181可以包括反射材料或透射材料。例如，第一电极181可以使用铝、含铝的合金、氮化铝、银、含银的合金、钨、氮化钨、铜、含铜的合金、镍、含镍的合金、铬、氮化铬、钼、含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等形成。这些可以单独使用，或者可以组合使用。在示例实施例中，第一电极181可以具有单层结构或多层结构，其可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。
在一些实施方式中，第一电极181可具有层压结构，包括：包括氧化铟锡(ITO)的第一层、包括银(Ag)的第二层和包括氧化铟锡(ITO)的第三层。
像素限定层PDL可以设置在其上设置第一电极181的通孔绝缘层140上。像素限定层PDL可以使用有机材料形成。例如，像素限定层PDL可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂等。在一些示例实施例中，可以通过蚀刻像素限定层PDL来形成暴露第一电极181的开口。可以由像素限定层PDL的开口来限定显示装置的发光区域和非发光区域。例如，设置像素限定层PDL的开口的部分可以对应于发光区域，而与像素限定层PDL的开口相邻的部分可以对应于非发光区域。
发光层182可以设置在通过像素限定层PDL的开口暴露的第一电极181上。在一些实施方式中，发光层182可在像素限定层PDL的开口的侧壁上延伸。在一些实施方式中，发光层182可包含有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。在一些实施方式中，包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层但不包括有机发光层的发光结构180的层可以共同地形成以对应于多个像素。可以使用发光材料形成多个有机发光层，以根据显示装置的彩色像素产生不同颜色的光，例如红光、绿光和蓝光。在一些示例性实施例中，发光层182的有机发光层可以包括多个堆叠的发光材料，以产生红光、绿光和蓝光，从而发射白光。发光层182的元件可以共同地形成以对应于多个像素。每个像素可以由滤色器层划分。
第二电极183可以设置在像素限定层PDL和发光层182上。根据显示装置的发光类型，第二电极183可以包括透射材料或反射材料。例如，第二电极183可以使用铝、含铝的合金、氮化铝、银、含银的合金、钨、氮化钨、铜、含铜的合金、镍、含镍的合金、铬、氮化铬、钼、含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等形成。这些可以单独使用，或者可以组合使用。在示例实施例中，第二电极183可以具有单层结构或多层结构，其可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。
薄膜封装层TFE可以设置在第二电极183上。薄膜封装层TFE可以帮助防止水分和氧气从外部渗透。薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可以交替堆叠。例如，薄膜封装层TFE可以包括两个无机层和在其间的一个有机层。在一些实施方式中，可以提供密封基板来代替薄膜封装层，以防止水分和氧气从显示装置外部渗透。
驱动构件DR可以通过连接构件CN电连接到焊盘区域PAD的连接电极122。连接电极122的顶表面可以被暴露并且不被诸如通孔绝缘层140的绝缘层、像素限定层PDL或薄膜封装层TFE覆盖。连接电极122和驱动构件DR可以通过连接构件CN彼此电连接。
驱动构件DR可以包括用于产生用于驱动显示装置的驱动信号的驱动电路等。驱动构件DR可以包括印刷电路板、柔性电路板、IC芯片等。连接构件CN可以包括导电粘合剂，例如ACF(各向异性导电膜)等。
图3示出了显示装置的局部放大截面图，其中放大了图2中所示的焊盘部分。
参考图2和图3，连接电极122可以包括包含不同材料的至少两层或更多层。连接电极122可以包括例如第一层图案122a、第二层图案122b和第三层图案122c。
例如，如上面关于源极/漏极图案所述，第一层图案122a和第三层图案122c可以包括钛(Ti)，而第二层图案122b可以包括铝(Al)。
连接电极122可以具有沿垂直于第一方向D1和第二方向D2的第三方向D3的恒定的渐缩的横截面形状。连接电极122的底表面和连接电极122的侧表面之间的角度θ可以是小于90度的锐角。
另外，在相同蚀刻条件下，包括与连接构件CN和第二层图案122b接触的连接电极122的顶表面的第三层图案122c的蚀刻选择性可以彼此不同。也就是说，在第二层图案122b的蚀刻条件下，第三层图案122c的蚀刻选择性可以低于第二层图案122b的蚀刻选择性。另外，在第一电极181的蚀刻条件下，第三层图案122c的蚀刻选择性可以低于第一电极181的蚀刻选择性。
根据本实施例，平坦化绝缘层130与连接电极122的侧表面接触。没有形成与连接电极122的顶表面接触的单独的绝缘层。因此，不管驱动构件DR与连接电极122之间的距离h1如何，可以使用连接构件CN将驱动构件DR容易地连接或结合到连接电极122。
图4示出了根据示例性实施例的显示装置的横截面图。
参考图4，除了进一步包括停止层图案125之外，显示装置可以与图1至图3的显示装置基本相同。因此，将不再重复与图1至图3的特征相同的特征的说明。
显示装置可以包括基底基板100、有源图案ACT、第一绝缘层110、栅极图案、第二绝缘层120、停止层图案125、源极/漏极图案、平坦化绝缘层130、通孔绝缘层140、发光结构180、像素限定层PDL、薄膜封装层TFE、驱动构件DR和连接构件CN。栅极图案可以包括栅电极GE。源极/漏极图案可以包括设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE以及设置在外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电极122。有源图案ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以被包括在构成像素电路的薄膜晶体管TFT中。
停止层图案125可以设置在第二绝缘层120和平坦化绝缘层130之间以及源极/漏极图案和平坦化绝缘层130之间。例如，停止层图案125可以在不覆盖源极/漏极图案的顶表面的情况下，仅覆盖源极/漏极图案的侧表面。
停止层图案125可以包括与平坦化绝缘层130不同的材料。例如，对于针对平坦化绝缘层130的CMP(化学机械抛光)工艺，停止层图案125可以包括具有比平坦化绝缘层130更低的CMP选择性的材料。
停止层图案125可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，当停止层图案125包括无机绝缘材料时，停止层图案125可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。当平坦化绝缘层130包括氧化硅(SiOx)时，停止层图案125可以包括氮化硅(SiNx)。
图5示出了根据示例性实施例的显示装置的横截面图。图6示出了显示装置的局部放大截面图，其中图5的焊盘部分被放大。
参考图5和图6，除了将第二绝缘层和平坦化绝缘层形成为一个平坦化绝缘层135之外，显示装置可以与图1至图3中所示的显示装置基本相同。因此，将不再重复与图1至图3中所示的特征相同的特征的说明。
显示装置可以包括基底基板100、有源图案ACT、第一绝缘层110、栅极图案、平坦化绝缘层135、源极/漏极图案、通孔绝缘层140、发光结构180、像素限定层PDL、薄膜封装层TFE、驱动构件DR和连接构件CN。栅极图案可以包括栅电极GE。源极/漏极图案可以包括设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE以及设置在外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电极122。有源图案ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以被包括在构成像素电路的薄膜晶体管TFT中。
可以在平坦化绝缘层135中形成凹部以容纳源极/漏极图案。凹部可以具有从平坦化绝缘层135的顶表面在与第三方向D3(参见图6)相反的方向上凹陷的形状。源极/漏极图案可以容纳在凹部中。
平坦化绝缘层135可以包括诸如硅化合物或金属氧化物的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。
参考图6，连接电极122可以包括第一层图案122a、第二层图案122b和第三层图案122c。连接电极122的侧表面和底表面可以接触平坦化绝缘层135。
连接电极122可以具有沿垂直于第一方向D1和第二方向D2的第三方向D3恒定的渐缩的横截面形状。连接电极122的底表面和连接电极122的侧表面之间的角度可以是小于90度的锐角θ。
图7示出了根据示例性实施例的显示装置的横截面图。
参考图7，除了进一步包括设置在薄膜封装层TFE上的触摸结构TS之外，显示装置与图1至图3的显示装置基本相同。因此，将不再重复与图1至图3中所示的特征相同的特征的说明。
显示装置可以包括基底基板100、有源图案ACT、第一绝缘层110、栅极图案、第二绝缘层120、源极/漏极图案、平坦化绝缘层130、通孔绝缘层140、发光结构180、像素限定层PDL、薄膜封装层TFE、触摸结构TS、驱动构件DR和连接构件CN。栅极图案可以包括栅电极GE。源极/漏极图案可以包括设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE以及设置在外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电极122。有源图案ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以被包括在构成像素电路的薄膜晶体管TFT中。
触摸结构TS可以直接在薄膜封装层TFE上形成。触摸结构TS可以包括第一触摸图案TE1、绝缘层190和第二触摸图案TE2。触摸结构TS可以是用于用户的触摸识别的合适的触摸结构。触摸结构TS可以直接在薄膜封装层TFE上形成。在一些实施方式中，第一触摸图案TE1和第二触摸图案TE2可以形成为两层，绝缘层190介于其间。在一些实施方式中，触摸结构TS可以由绝缘层和一层的触摸图案构成。
根据本实施例，可以防止在形成触摸结构TS之前的过程中由于氧化/还原反应导致的杂质形成。因此，可以防止在形成触摸结构TS的过程中由于杂质导致的诸如布线短路的缺陷。因此，能够减少显示装置的缺陷，提高显示质量，并且提高工艺产量。
图8A至图8F示出了制造图2的显示装置的方法的多个阶段的横截面图。
参考图8A，可以在基底基板100上形成有源图案ACT。可以在其上形成有源图案ACT的基底基板100上形成第一绝缘层110。可以在第一绝缘层110上形成栅极图案。栅极图案可以包括薄膜晶体管TFT的栅电极GE。可以在其上形成栅极图案的第一绝缘层110上形成第二绝缘层120。此后，可以穿过第二绝缘层120形成接触孔，以暴露有源图案ACT的一部分。
根据其构成材料，第二绝缘层120可以通过化学气相沉积工艺、旋涂工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、溅射工艺、真空沉积工艺、高密度等离子体-化学气相沉积工艺、印刷工艺等形成。
可以在第二绝缘层120上形成源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括设置在外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电极122以及设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE。
可以通过在第二绝缘层120上形成导电层然后利用光刻工艺或利用使用另外的蚀刻掩模的蚀刻工艺来图案化导电层来获得源极/漏极图案。可以使用印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积(PLD)工艺、真空沉积工艺、原子层沉积(ALD)工艺等来形成导电层。
导电层可以由包括不同构成材料的多层形成。例如，导电层可以包括：包括钛(Ti)的第一层、包括铝(Al)的第二层和包括钛(Ti)的第三层。可以集体地蚀刻和图案化第一至第三层。在一示例中，形成源极/漏极图案可以包括：顺序地形成第一层和第二层，第二层由与第一层不同的材料制成；和通过蚀刻第二层和第一层形成源极/漏极图案。
参考图8B，可以在源极/漏极图案和第二绝缘层120上形成初始绝缘层130a。根据其构成材料，初始绝缘层130a可以通过化学气相沉积工艺、旋涂工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、溅射工艺、真空沉积工艺、高密度等离子体-化学气相沉积工艺、印刷工艺等形成。
参考图8C，可以形成平坦化绝缘层130，以通过去除初始绝缘层130a(参见图8B)的其中源极/漏极图案形成台阶的部分来暴露源极/漏极图案的顶表面。
例如，可以通过诸如化学机械平坦化(CMP)工艺等的平坦化工艺去除初始绝缘层130a的设置在外围区域PA的焊盘部分PAD的连接电极122上方的部分，使得连接电极122的顶表面被暴露。可以去除初始绝缘层130a的设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE上的部分，以暴露源电极SE和漏电极DE。
参考图8D，可以在平坦化绝缘层130上以及在源电极SE和漏电极DE上形成通孔绝缘层140。可以在通孔绝缘层140中形成接触孔以暴露漏电极DE的一部分。可以通过在平坦化绝缘层130上形成光致抗蚀剂层、然后进行曝光和显影来形成通孔绝缘层140。
可以在通孔绝缘层140上形成第一电极181。可以通过在通孔绝缘层140上形成导电层、然后利用光刻工艺或利用使用另外的蚀刻掩模的蚀刻工艺图案化导电层来获得第一电极181。可以使用印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积(PLD)工艺、真空沉积工艺、原子层沉积(ALD)工艺等来形成导电层。
导电层可以由包括不同构成材料的多层形成。例如，导电层可以包括：包括氧化铟锡(ITO)的第一层，包括银(Ag)的第二层和包括氧化铟锡(ITO)的第三层。可以集体地蚀刻和图案化第一至第三层。
当根据一般工艺形成第一电极181时，存在用于图案化第一电极181的蚀刻工艺可能影响除第一电极181之外的导电图案的风险。例如，在图案化第一电极181的过程中，可能在连接电极122的表面上形成由于氧化/还原反应引起的杂质。当第一电极181包括银(Ag)时，银颗粒可能沉积在连接电极122的表面上。此外，通过实验已经发现，在通孔绝缘层140的边缘部分与导电图案接触的部分处，杂质也可能沉淀在导电图案上。
诸如银颗粒的杂质可能影响后续导电图案的图案化工艺，例如，第二电极等的图案化工艺，这可能导致显示装置中的缺陷，从而降低显示质量和工艺产量。为了解决这一问题，当根据本实施例图案化第一电极181时，仅暴露连接电极122的第三层的顶表面(参见图3中的122c)。第三层图案122c可以由钛形成，钛受第一电极181的图案化的影响较小。包括由可能受到第一电极181的图案化的很大影响的铝形成的第二层图案(参见图3中的122b)的连接电极的侧表面被平坦化绝缘层130覆盖，没有被暴露。因此，可以最小化在连接电极122的表面上的杂质沉淀。
所以，可以最小化影响后续工艺的杂质，减少显示装置的缺陷，提高显示质量，并且提高工艺产量。
参考图8E，限定开口的像素限定层PDL可以形成在其上形成第一电极181的通孔绝缘层140上。可以在像素限定层PDL的开口中的第一电极181上形成发光层182。
可以在发光层182上形成第二电极183。可以通过在发光层182和像素限定层PDL上形成导电层、然后利用光刻工艺或利用使用另外的蚀刻掩模的蚀刻工艺来图案化导电层来形成第二电极183。可以使用印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积(PLD)工艺、真空沉积工艺、原子层沉积(ALD)工艺等来形成导电层。
可以在第二电极183上形成薄膜封装层TFE。
参考图8F，通过使用连接构件CN，驱动构件DR可以连接到焊盘部分PAD的连接电极122。所以，可以制造显示装置。连接构件CN可以包括导电粘合剂，例如ACF(各向异性导电膜)等。
连接电极122的顶表面可以与平坦化绝缘层130的与连接电极122相邻的顶表面处于相同的水平上。因此，驱动构件DR可以使用连接构件CN容易地连接到连接电极122。
图9A至图9G示出了制造图4所示的显示装置的方法的多个阶段的横截面图。除了形成停止层125a和停止层图案125之外，该方法与图8A至图8F的方法基本相同。因此，将不再重复与图8A至图8F中所示的阶段相同的阶段的说明。
参考图9A，可以在基底基板100上形成有源图案ACT、第一绝缘层110、包括栅电极GE的栅极图案和第二绝缘层120。
可以在第二绝缘层120上形成源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电极122和显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE。
参考图9B，可以在源极/漏极图案和第二绝缘层120上顺序地形成停止层125a和初始绝缘层130a。
根据其构成材料，停止层125a和初始绝缘层130a可以通过化学气相沉积工艺、旋涂工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、溅射工艺、真空沉积工艺、高密度等离子体-化学气相沉积工艺、印刷工艺等形成。
参考图9C，可以去除初始绝缘层130a的其中由源极/漏极图案形成台阶的部分，以暴露停止层125a的在源极/漏极图案上的部分。
例如，可以通过诸如化学机械平坦化(CMP)工艺等的平坦化工艺去除外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电极122上的初始绝缘层130a的部分。也可以去除设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE上的初始绝缘层130a的部分。
在这里，在针对初始绝缘层130a的CMP工艺中，停止层125a可以包括具有比初始绝缘层130a低的CMP选择性的材料。例如，在用于去除初始绝缘层130a的部分的CMP工艺中，可以留下停止层125a而不去除。例如，当初始绝缘层130a包括氧化硅(SiOx)时，停止层125a可以包括氮化硅(SiNx)。所以，可以不通过CMP工艺去除停止层125a，并且可以进行用于去除初始绝缘层130a的CMP工艺直到停止层125a被暴露。
停止层125a可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，当停止层125a包括无机绝缘材料时，停止层125a可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。
参考图9D，可以去除停止层125a的由平坦化绝缘层130暴露的一部分，以暴露连接电极122以及源电极SE和漏电极DE。这可以通过另外的工艺(例如，单独的抛光工艺)来完成，以形成暴露连接电极122的停止层图案125。
根据本实施例，可以在连接电极122的顶表面被停止层125a覆盖的同时，进行用于形成平坦化绝缘层130的CMP工艺。通过单独的工艺去除停止层125a的一部分，使得能够减少或防止初始绝缘层130a上的CMP工艺对连接电极122的损害。
参考图9E，可以在平坦化绝缘层130以及源电极SE和漏电极DE上形成通孔绝缘层140。此后，可以在通孔绝缘层140上形成第一电极181。
参考图9F，可以在其上形成第一电极181的通孔绝缘层140上形成限定开口的像素限定层PDL。可以在像素限定层PDL的开口中的第一电极181上形成发光层182。可以在发光层182上形成第二电极183。可以在第二电极183上形成薄膜封装层TFE。
参考图9G，通过使用连接构件CN，驱动构件DR可以连接到焊盘部分PAD的连接电极122。所以，可以制造显示装置。
图10A至图10C是示出制造图5的显示装置的方法的多个阶段的横截面图。除了平坦化绝缘层135之外，该方法与图8A至图8F的方法基本相同。因此，将不再重复与上述阶段相同的那些阶段的说明。
参考图10A，可以在基底基板100上形成有源图案ACT、第一绝缘层110、包括栅电极GE的栅极图案。可以在其上形成栅极图案的第一绝缘层110上形成下绝缘层135a。
在穿过下绝缘层135a形成接触孔之后，可以在下绝缘层135a上形成包括源电极SE和漏电极DE的源极/漏极图案。
参考图10B，可以在其上形成源极/漏极图案的下绝缘层135a上形成上绝缘层135b。上绝缘层135b可以由与下绝缘层135a相同的材料形成。
参考图10C，可以形成平坦化绝缘层135，以通过去除上绝缘层135b的其中由源极/漏极图案形成台阶的部分来暴露源极/漏极图案的顶表面。
例如，可以通过诸如化学机械平坦化(CMP)工艺等的平坦化工艺去除设置在外围区域PA的焊盘部分PAD的连接电极122上方的上绝缘层135b(参见图10B)的部分，使得连接电极122的顶表面可以被暴露。另外，可以去除设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE上的上绝缘层135b(参见图10B)的部分，以暴露源电极SE和漏电极DE。
此后，可以通过与图8D至图8F所示的制造方法相同的方法制造显示装置。
图11A至图11B是示出制造图7的显示装置的方法的多个阶段的横截面图。除了在薄膜封装层TFE上进一步形成触摸结构TS之外，该方法与图8A至图8F的方法基本相同。因此，将不再重复对上述阶段的说明。
参考图11A，可以在基底基板100上形成有源图案ACT、第一绝缘层110、包括栅电极GE的栅极图案、第二绝缘层120、包括源电极SE和漏电极DE的源极/漏极图案以及连接电极122、平坦化绝缘层130、通孔绝缘层140、发光结构180、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
可以在薄膜封装层TFE上形成触摸结构TS。例如，可以通过在薄膜封装层TFE上形成第一触摸电极TE1、绝缘层190和第二触摸电极TE2来形成触摸结构TS。
可以减少或防止由于第一电极181的形成过程中的氧化/还原反应导致的杂质形成，并且如上所述，可以减少或防止诸如由于形成触摸结构TS的过程中的杂质引起的布线短路的缺陷。因此，能够减少显示装置的缺陷，提高显示质量，并且提高工艺产量。
参考图11B，通过使用连接构件CN，驱动构件DR可以连接到焊盘部分PAD的连接电极122。所以，可以制造显示装置。
根据示例性实施例，制造显示装置的方法包括：在基底基板上形成源极/漏极图案，基底基板包括在其中显示图像的显示区域和与显示区域相邻的外围区域，源极/漏极图案包括在外围区域的焊盘部分中的连接电极和设置在显示区域中的薄膜晶体管的电极；在其上形成源极/漏极图案的基底基板上形成绝缘层；形成平坦化绝缘层，该平坦化绝缘层通过去除绝缘层的一部分而暴露连接电极的顶表面；以及使用连接电极和包括驱动电路的驱动构件之间的连接构件，连接连接电极和驱动构件。此时，可以最小化制造过程期间的连接电极的表面上的杂质沉淀，从而减少后续工艺中由于杂质引起的缺陷。
图12是示出根据示例实施例的电子设备的框图。图13A是示出图12的电子设备被实现为电视的示例的图。图13B是示出图12的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
参考图12到图13B，电子设备500可以包括处理器510、存储器设备520、存储设备530、输入/输出(I/O)设备540、电源550和显示设备560。显示设备560可以对应于图1的显示装置。电子设备500可以进一步包括用于与视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(USB)设备、其它电子设备等通信的多个端口。电子设备500可以被实现为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板电脑、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型电脑、头戴式显示器(HMD)等。如上所述，电子设备500可以被实现为如图13A和图13B所示的电视或智能电话。
再次参考图12，处理器510可以进行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可以经由地址总线、控制总线、数据总线等耦接到其它组件。处理器510可以耦接到扩展总线，例如外围组件互连(PCI)总线。存储器设备520可以存储用于电子设备500的操作的数据。例如，存储器设备520可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)器件、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)器件、闪存器件、相变随机存取存储器(PRAM)器件、电阻随机存取存储器(RRAM)器件、纳米浮栅存储器(NFGM)器件、聚合物随机存取存储器(PoRAM)器件、磁随机存取存储器(MRAM)器件、铁电随机存取存储器(FRAM)器件之类的至少一个非易失性存储器设备和/或诸如动态随机存取存储器(DRAM)器件、静态随机存取存储器(SRAM)器件、移动DRAM器件之类的至少一个易失性存储器设备。存储设备530可以包括固态驱动器(SSD)设备、硬盘驱动器(HDD)设备、CD-ROM设备等。I/O设备540可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标设备、触摸板、触摸屏等的输入设备或诸如打印机、扬声器等的输出设备。电源550可以为电子设备500的操作提供电力。
显示设备560可以经由总线或其它通信链路耦接到其它组件。在一些示例实施例中，显示设备560可以被包括在I/O设备540中。如上所述，显示设备560可以包括平坦化绝缘层。
通过总结和回顾，已经进行了各种努力以通过改变显示装置的制造工艺或分层结构来提高制造工艺的工艺产量或改善显示装置的显示质量。实施例提供了一种能够提高显示质量的显示装置。实施例还提供了一种制造能够提高工艺产量的显示装置的方法。在制造过程中，可以覆盖连接电极的侧表面，以最小化在连接电极的表面上的杂质的沉淀。能够减少制造过程中的缺陷，并且能够使用连接构件将驱动构件容易地连接到连接电极。
本文公开的显示装置和制造显示装置的方法的实施例可以应用于显示设备和包括该显示设备的各种电子设备。例如，实施例可以应用于移动电话、智能电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板电脑、汽车导航系统、电视、计算机监视器、笔记本等。
至此已经公开了示例实施例，尽管使用了特定的术语，但是它们只是在一般的、描述的意义下使用的，也只能在一般的、描述的意义上去解释它们，并且它们并非用于限制。在一些情况下，如在提交本申请时将会对本领域普通技术人员来说显而易见地，除非另外具体指出，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。所以，本领域技术人员将会理解，在不背离以下权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以作出各种形式和细节上的改变。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：
基底基板，包括在其中显示图像的显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域；
在所述基底基板上的源极/漏极图案，所述源极/漏极图案包括在所述外围区域的焊盘部分中的连接电极和在所述显示区域中的薄膜晶体管的电极；
在所述基底基板上的平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层接触所述连接电极的侧表面和所述薄膜晶体管的所述电极的侧表面并且暴露所述连接电极的顶表面；
与所述连接电极接触的连接构件；和
包括驱动电路的驱动构件，所述驱动构件连接到所述连接构件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述连接电极包括第一层图案和在所述第一层图案上的第二层图案，
所述第一层图案的构成材料和所述第二层图案的构成材料彼此不同，并且
所述第二层图案的顶表面接触所述连接构件。
3.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：
在所述平坦化绝缘层上的通孔绝缘层；和
在所述通孔绝缘层上的第一电极，所述第一电极电连接到所述薄膜晶体管，并且
其中所述第一电极包括银。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述连接电极的顶表面具有比所述连接电极的底表面小的平面区域，使得所述连接电极具有恒定的渐缩的横截面。
5.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
在所述平坦化绝缘层上的通孔绝缘层；
在所述通孔绝缘层上的发光结构，所述发光结构电连接到所述薄膜晶体管；
在所述发光结构上的薄膜封装层；和
直接在所述薄膜封装层上的触摸结构。
6.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
在所述平坦化绝缘层和所述基底基板之间以及在所述平坦化绝缘层和所述源极/漏极图案的侧表面之间的停止层图案，所述停止层图案包括与所述平坦化绝缘层不同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述停止层图案包括氧化硅或氮化硅。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述停止层图案包括有机绝缘材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述源极/漏极图案被容纳在所述平坦化绝缘层的顶表面上的凹部中，并且
所述连接电极的所述侧表面和底表面接触所述平坦化绝缘层。
10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基底基板上形成源极/漏极图案，所述基底基板包括将在其中显示图像的显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域，所述源极/漏极图案包括在所述外围区域的焊盘部分中的连接电极和设置在所述显示区域中的薄膜晶体管的电极；
在其上形成所述源极/漏极图案的所述基底基板上形成初始绝缘层；
形成平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层通过去除所述初始绝缘层的部分来暴露所述连接电极的顶表面；和
使用所述连接电极和包括驱动电路的驱动构件之间的连接构件，连接所述连接电极和所述驱动构件。
11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述源极/漏极图案包括：
顺序地形成第一层和第二层，所述第二层由与所述第一层不同的材料制成；和
通过蚀刻所述第二层和所述第一层形成所述源极/漏极图案。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在所述平坦化绝缘层上形成通孔绝缘层；和
在所述通孔绝缘层上形成包括银的第一电极。
13.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述平坦化绝缘层包括：通过化学机械平坦化工艺去除所述初始绝缘层的设置在所述连接电极上的部分，以暴露所述连接电极的顶表面。
14.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：在形成所述初始绝缘层之前，在所述源极/漏极图案上形成停止层，并且
其中形成所述平坦化绝缘层包括：
通过化学机械平坦化工艺去除所述初始绝缘层的设置在所述连接电极上的部分以暴露所述停止层；和
去除所述停止层的部分以暴露所述连接电极的顶表面，
其中对于针对所述平坦化绝缘层的所述化学机械平坦化工艺，所述停止层包括具有比所述平坦化绝缘层低的化学机械平坦化选择性的材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述停止层包括氧化硅或氮化硅。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述停止层包括有机绝缘材料。
17.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
在所述平坦化绝缘层上形成通孔绝缘层；
在所述通孔绝缘层上形成发光结构；
在所述发光结构上形成薄膜封装层；和
直接在所述薄膜封装层上形成触摸结构。
18.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：在形成所述源极/漏极图案之前，在所述基底基板上形成下绝缘层，并且
其中在其上形成所述源极/漏极图案的所述基底基板上形成的所述下绝缘层和所述初始绝缘层由相同的材料形成。
19.根据权利要求10所述的方法，其中所述连接构件包括导电粘合剂。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114093241A (zh) * 2020-08-25 2022-02-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
US12099677B2 (en) 2022-02-25 2024-09-24 Wuhan Tianma Microelectronics Co., Ltd. Touch display panel and touch display device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102633093B1 (ko) * 2018-10-01 2024-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220083938A (ko) 2020-12-11 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220097677A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조방법
TWI845431B (zh) * 2023-10-12 2024-06-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102842509A (zh) * 2011-06-13 2012-12-26 三星显示有限公司 薄膜晶体管及制造方法、有机发光显示装置及制造方法
US20140140019A1 (en) * 2012-11-16 2014-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN106328673A (zh) * 2015-07-03 2017-01-11 三星显示有限公司 透明显示设备及制造该透明显示设备的方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101622645B1 (ko) * 2009-12-10 2016-05-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치의 제조방법
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
JPWO2014196107A1 (ja) * 2013-06-04 2017-02-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び表示装置
KR102058516B1 (ko) * 2013-07-05 2020-02-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치용 모기판
KR102037487B1 (ko) * 2013-08-20 2019-10-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자
KR102100372B1 (ko) 2013-08-28 2020-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2016057533A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN105470279B (zh) * 2014-09-11 2020-02-14 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US9478607B2 (en) 2014-09-11 2016-10-25 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including an isolation structure
JP6358596B2 (ja) * 2014-11-27 2018-07-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ基板の製造方法
KR102362189B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102611499B1 (ko) * 2015-12-15 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR101926526B1 (ko) * 2016-06-30 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102555648B1 (ko) 2016-07-28 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102591549B1 (ko) * 2016-10-19 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102670360B1 (ko) 2016-12-08 2024-05-28 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
KR102633093B1 (ko) * 2018-10-01 2024-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102842509A (zh) * 2011-06-13 2012-12-26 三星显示有限公司 薄膜晶体管及制造方法、有机发光显示装置及制造方法
US20140140019A1 (en) * 2012-11-16 2014-05-22 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN106328673A (zh) * 2015-07-03 2017-01-11 三星显示有限公司 透明显示设备及制造该透明显示设备的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114093241A (zh) * 2020-08-25 2022-02-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
CN114093241B (zh) * 2020-08-25 2023-08-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
US12099677B2 (en) 2022-02-25 2024-09-24 Wuhan Tianma Microelectronics Co., Ltd. Touch display panel and touch display device

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