KR20240018664A - 열전사 시트 - Google Patents

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KR20240018664A
KR20240018664A KR1020247001209A KR20247001209A KR20240018664A KR 20240018664 A KR20240018664 A KR 20240018664A KR 1020247001209 A KR1020247001209 A KR 1020247001209A KR 20247001209 A KR20247001209 A KR 20247001209A KR 20240018664 A KR20240018664 A KR 20240018664A
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KR1020247001209A
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에미 모리
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다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
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Abstract

제1 기재와, 제1 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된, 제1 전사층 및 필 오프층을 구비하고, 하기 조건 (A)로 전사 후의 제1 전사층의 산술 평균 높이 Sa가, 0.1 ㎛ 초과 0.6 ㎛ 미만이고, 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa가, 0.1 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 미만인 열전사 시트.
[조건 (A)] 표면의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛인 수용층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비한다. 열전사 시트의 제1 전사층과, 중간 전사 매체의 수용층을 대향시키고, 0.167 mJ/dot의 인가 에너지를 인가하여, 열전사 시트의 제1 전사층을, 중간 전사 매체의 수용층의 표면에 전사한다.

Description

열전사 시트
본 개시는 열전사 시트, 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합, 인화물의 제조 방법, 전사층의 필 오프 방법, 인화 장치 및 필 오프 장치에 관한 것이다.
열전사 화상을 임의의 대상물에 형성하는 방법의 하나로서, 전사층이 지지체 상에 박리 가능하게 형성된 중간 전사 매체를 준비하고, 색재층을 갖는 열전사 시트를 이용하여, 중간 전사 매체의 전사층에 열전사 화상을 형성하며, 그 후, 전사층을 피전사체 상에 전사하는 방법이 제안되어 있다.
중간 전사 매체를 이용하여 형성되는 인화물의 종류에 따라서는, IC칩부, 자기 스트라이프부, 송수신용 안테나부 또는 서명부 등을 형성하는 영역을 잔존해 두는 것이 필요한 경우가 있다. 구체적으로는, 피전사체 상에 전사층을 전사하기 전에, 상기 영역에 대응하는 전사층의 일부를 제거해 두는 것이 필요해지는 경우가 있다.
전사층의 일부를 제거하는 방법으로서, 기재의 한쪽 면 상에 필 오프층이 형성된 필 오프 시트를 이용하여, 피전사체 상에 중간 전사 매체의 전사층을 전사하기 전의 단계에서, 피전사체에의 전사를 원하지 않는 영역의 전사층을 제거하는 방법이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2003-326865호 공보
필 오프 시트를 이용하는 상기 방법에 있어서, 필 오프층에 의해 전사층의 일부를 정확히 제거하는 것, 즉 필 오프성이 중요하다.
본 개시는 필 오프성이 우수한 열전사 시트, 및 필 오프성이 우수한, 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 개시는 중간 전사 매체의 전사층의 원하는 일부를 제거하고 나서, 피전사체 상에 전사층을 전사하는 인화물의 제조 방법에 있어서의 필 오프성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 본 개시는 중간 전사 매체의 전사층의 원하는 일부를 제거하는 전사층의 필 오프 방법에 있어서의 필 오프성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 본 개시는 상기 인화물의 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있는 인화 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 개시는 상기 필 오프 방법에 적합하게 이용할 수 있는 필 오프 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 열전사 시트는, 제1 기재와, 제1 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된, 제1 전사층 및 필 오프층을 구비한다. 후술하는 조건 (A)로 전사 후의 제1 전사층의 산술 평균 높이 Sa는, 0.1 ㎛ 초과 0.6 ㎛ 미만이어도 좋다. 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa는, 0.1 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 미만이어도 좋다.
본 개시의 조합은, 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합이다. 열전사 시트는, 제2 기재와, 제2 기재의 한쪽 면 상에 형성된 제2 전사층을 구비한다. 전사 후의 제2 전사층의 산술 평균 높이 Sa는, 0.1 ㎛ 초과 0.6 ㎛ 미만이어도 좋다. 필 오프 시트는, 제3 기재와, 제3 기재의 한쪽 면 상에 형성된 필 오프층을 구비한다. 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa는, 0.1 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 미만이어도 좋다.
본 개시의 인화물의 제조 방법은, 적어도 열전사 시트와, 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비하는 공정 (1)과, 제3 전사층의 일부를 제거하는 공정 (2)와, 일부가 제거된 제3 전사층을 피전사체 상에 전사하는 공정 (3)을 포함한다. 공정 (1)은, 제1 열전사 시트로서 상기 열전사 시트와, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하거나, 또는 제2 열전사 시트 및 필 오프 시트의 조합으로서 열전사 시트와 필 오프 시트의 상기 조합과, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함해도 좋다. 중간 전사 매체는, 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비한다. 제3 전사층의 일부는, 공정 (2)에 있어서 제거되는 제거 예정 영역이다. 공정 (2)는, 중간 전사 매체에 있어서의 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에, 제1 열전사 시트 또는 제2 열전사 시트로부터, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하는 공정과, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 제거 예정 영역 상에 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층과 함께, 제1 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 공정을 이 순서로 포함해도 좋다.
본 개시의 전사층의 필 오프 방법은, 적어도 열전사 시트와, 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비하는 공정 (1)과, 제3 전사층의 일부를 제거하는 공정 (2)를 포함한다. 공정 (1)은, 제1 열전사 시트로서 상기 열전사 시트와, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하거나, 또는 제2 열전사 시트 및 필 오프 시트의 조합으로서 열전사 시트와 필 오프 시트의 상기 조합과, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함해도 좋다. 중간 전사 매체는, 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비한다. 제3 전사층의 일부는, 공정 (2)에 있어서 제거되는 제거 예정 영역이다. 공정 (2)는, 중간 전사 매체에 있어서의 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에, 제1 열전사 시트 또는 제2 열전사 시트로부터, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하는 공정과, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 제거 예정 영역 상에 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층과 함께, 제1 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 공정을 이 순서로 포함해도 좋다.
본 개시의 인화 장치는, 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 공급하는 제1 공급부와, 상기 열전사 시트, 또는 열전사 시트와 필 오프 시트의 상기 조합을 공급하는 제2 공급부와, 열전사 시트를 가열하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 열전사 시트의 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하고, 제1 전사층 또는 제2 전사층의 전사 후에, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 인화부와, 피전사체를 공급하는 제3 공급부와, 중간 전사 매체에 있어서의 제거 예정 영역이 제거된 제3 전사층을 피전사체 상에 전사하는 전사부를 구비한다.
본 개시의 필 오프 장치는, 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 공급하는 제1 공급부와, 상기 열전사 시트, 또는 열전사 시트와 필 오프 시트의 상기 조합을 공급하는 제2 공급부와, 열전사 시트를 가열하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 열전사 시트의 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하고, 제1 전사층 또는 제2 전사층의 전사 후에, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 필 오프부를 구비한다.
본 개시에 의하면, 필 오프성이 우수한 열전사 시트, 및 필 오프성이 우수한, 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합을 제공할 수 있다. 본 개시에 의하면, 중간 전사 매체의 전사층의 원하는 일부를 제거하고 나서, 피전사체 상에 전사층을 전사하는 인화물의 제조 방법에 있어서의 필 오프성을 향상시킬 수 있다. 본 개시에 의하면, 중간 전사 매체의 전사층의 원하는 일부를 제거하는 전사층의 필 오프 방법에 있어서의 필 오프성을 향상시킬 수 있다. 본 개시에 의하면, 상기 인화물의 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있는 인화 장치를 제공할 수 있다. 본 개시에 의하면, 상기 필 오프 방법에 적합하게 이용할 수 있는 필 오프 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시형태의 열전사 시트의 모식 단면도이다.
도 2는 일 실시형태의 열전사 시트의 모식 단면도이다.
도 3은 일 실시형태의 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합의 모식 단면도이다.
도 4는 일 실시형태의 인화물의 제조 방법을 설명하는 공정 단면도이다.
도 5는 일 실시형태의 인화물의 제조 방법을 설명하는 공정 단면도이다.
도 6은 일 실시형태의 인화물의 제조 방법을 설명하는 공정 단면도이다.
도 7은 전사층의 제거 예정 영역이 제거된 중간 전사 매체의 단면도이다.
도 8은 일 실시형태의 인화물의 제조 방법에 이용되는 열전사 프린터의 일례를 도시한 개략 구성도이다.
이하, 본 개시의 실시형태에 대해, 상세히 설명한다. 본 개시는 많은 상이한 형태로 실시할 수 있고, 이하에 예시하는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되지 않는다. 도면은, 설명을 보다 명확히 하기 위해서, 실시형태에 비해, 각 층의 폭, 두께 및 형상 등에 대해 모식적으로 나타나는 경우가 있으나, 어디까지나 일례이며, 본 개시의 해석을 한정하지 않는다. 본 명세서와 각 도면에 있어서, 기출(旣出)된 도면에 관해 이미 설명한 것과 동일한 요소에는, 동일한 부호를 붙이고, 상세한 설명을 적절히 생략하는 경우가 있다.
본 개시에 있어서, 어떤 파라미터에 관해 복수의 상한값의 후보 및 복수의 하한값의 후보가 예시되어 있는 경우, 그 파라미터의 수치 범위는, 임의의 하나의 상한값의 후보와 임의의 하나의 하한값의 후보를 조합함으로써 구성되어도 좋다. 일례로서, 「파라미터 B는, 바람직하게는 A1 이상, 보다 바람직하게는 A2 이상, 더욱 바람직하게는 A3 이상이다. 파라미터 B는, 바람직하게는 A4 이하, 보다 바람직하게는 A5 이하, 더욱 바람직하게는 A6 이하이다.」라는 기재에 대해 설명한다. 이 예에 있어서, 파라미터 B의 수치 범위는, A1 이상 A4 이하여도 좋고, A1 이상 A5 이하여도 좋으며, A1 이상 A6 이하여도 좋고, A2 이상 A4 이하여도 좋으며, A2 이상 A5 이하여도 좋고, A2 이상 A6 이하여도 좋으며, A3 이상 A4 이하여도 좋고, A3 이상 A5 이하여도 좋으며, A3 이상 A6 이하여도 좋다.
[열전사 시트]
본 개시의 제1 열전사 시트는, 제1 기재와, 제1 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된, 제1 전사층 및 필 오프층을 구비한다. 제1 열전사 시트를 이용함으로써, 후술하는 1차 전사 공정 및 전사층 제거 공정을, 하나의 열전사 시트에 의해 실시할 수 있다.
도 1에, 일 실시형태에 따른 제1 열전사 시트의 모식 단면도를 도시한다. 열전사 시트(10)는, 제1 기재(12)와, 제1 기재(12)의 한쪽 면 상에 형성된, 제1 전사층(14)과 필 오프층(16)을 구비한다. 제1 전사층(14)과 필 오프층(16)은, 제1 기재(12)의 한쪽 면 상에 면순차로 형성되어 있다.
(기재)
본 개시의 제1 열전사 시트는, 제1 기재를 구비한다.
제1 기재로서는, 예컨대, 종이 기재 및 수지 기재를 들 수 있다. 종이 기재로서는, 예컨대, 글라신지, 콘덴서지 및 파라핀지를 들 수 있다. 수지 기재는, 수지 재료에 의해 구성되는 기재이다. 수지 재료로서는, 예컨대, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리올레핀, 폴리스티렌, 비닐 수지, 비닐아세탈 수지, (메트)아크릴 수지, 셀룰로오스 수지 및 이오노머 수지를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 1,4-폴리시클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트 및 테레프탈산-시클로헥산디메탄올-에틸렌글리콜 공중합체를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리메틸펜텐을 들 수 있다. 비닐 수지로서는, 예컨대, 폴리염화비닐, 폴리아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 폴리비닐알콜 및 폴리비닐피롤리돈을 들 수 있다. 비닐아세탈 수지로서는, 예컨대, 폴리비닐아세토아세탈 및 폴리비닐부티랄을 들 수 있다. (메트)아크릴 수지로서는, 예컨대, 폴리(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 셀룰로오스 수지로서는, 예컨대, 셀로판, 셀룰로오스아세테이트, 니트로셀룰로오스, 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트 및 셀룰로오스아세테이트부티레이트를 들 수 있다. 수지 기재는, 수지 재료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
본 개시에 있어서, 「(메트)아크릴」은, 「아크릴」 및 「메타크릴」의 양방을 포함하고, 「(메트)아크릴레이트」는, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양방을 포함한다.
상기 수지 재료 중에서도, 내열성 및 기계적 강도라고 하는 관점에서, 폴리에스테르가 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)가 보다 바람직하며, PET가 더욱 바람직하다.
제1 기재로서, 수지 기재의 적층체를 이용해도 좋다. 수지 기재의 적층체는, 예컨대, 드라이 라미네이션법, 웨트 라미네이션법 또는 익스트루전법을 이용함으로써 제작할 수 있다.
수지 기재는, 연신 필름이어도 좋고, 미연신 필름이어도 좋다. 강도라고 하는 관점에서, 일축 방향 또는 이축 방향으로 연신된 연신 필름이 바람직하다.
제1 기재에 표면 처리를 실시해도 좋다. 표면 처리의 방법으로서는, 예컨대, 코로나 방전 처리, 화염 처리, 오존 처리, 자외선 처리, 방사선 처리, 조면화 처리, 화학 약품 처리, 플라즈마 처리, 저온 플라즈마 처리, 프라이머 처리 및 그래프트화 처리를 들 수 있다.
제1 기재의 두께는, 바람직하게는 1 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 2 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3 ㎛ 이상이다. 제1 기재의 두께는, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 25 ㎛ 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 제1 기재의 기계적 강도 및 열전사 시의 열에너지의 전달성을 양호한 것으로 할 수 있다.
(제1 전사층)
본 개시의 제1 열전사 시트는, 제1 전사층을 구비한다.
제1 전사층의 산술 평균 높이 Sa는, 0.1 ㎛ 초과 0.6 ㎛ 미만(0.1 ㎛보다 크고, 0.6 ㎛보다 작음)이다. 제1 전사층의 Sa는, 바람직하게는 0.2 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.25 ㎛ 이상이다. 제1 전사층의 Sa는, 바람직하게는 0.5 ㎛ 미만, 보다 바람직하게는 0.48 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.45 ㎛ 이하이다.
Sa가 0.1 ㎛ 초과이면, 제1 전사층이, 요철 높이가 충분히 큰 표면 요철 구조를 가지며, 필 오프 시에 있어서의 제1 전사층과 필 오프층의 접촉 면적이 커진다. 이에 의해, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다. Sa가 0.6 ㎛ 미만이면, 인화물이 제1 전사층으로서 후술하는 금속계 안료 함유층을 구비하는 경우에 있어서, 금속계 안료 함유층에 의해 의장성이 부여된다. Sa가 0.5 ㎛ 미만이면, 인화물이 제1 전사층으로서 금속계 안료 함유층을 구비하는 경우에 있어서, 금속계 안료 함유층에 의해 더욱 우수한 의장성이 얻어진다. 의장성으로서는, 예컨대, 광택감, 광휘감 및 펄감을 들 수 있다. 따라서, Sa가 0.1 ㎛ 초과 0.5 ㎛ 미만이면, 필 오프성 및 의장성을 모두 양호한 것으로 할 수 있다. 예컨대, 금속계 안료 등의 입자의 함유량 및 평균 입자 직경이나, 제1 전사층의 두께를 적절히 조정함으로써, Sa를 상기 범위로 조정할 수 있다.
본 개시에 있어서, 제1 전사층의 Sa는, 제1 전사층을 중간 전사 매체의 수용층 상에 전사한 후에, 전사 후의 제1 전사층에 있어서의 수용층측의 면과는 반대측의 면에 대해 측정되는 값이다.
제1 전사층의 Sa를 측정하기 위한 전사 조건은, 구체적으로는, 이하와 같다. 제1 전사층을 구비하는 열전사 시트와, 표면의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛인 수용층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비한다. 열전사 시트의 제1 전사층과, 중간 전사 매체의 수용층을 대향시키고, 0.167 mJ/dot의 인가 에너지를 인가하여, 열전사 시트의 제1 전사층을, 중간 전사 매체의 수용층의 상기 표면의 전면에 전사한다. 이때, 전사된 제1 전사층의 표면의 산술 평균 높이 Sa를 측정한다. 구체적으로는, 이하의 프린터를 이용하여, 255/255 계조의 에너지를 인가하여, 상기 전사를 행한다. 여기서의 보다 상세한 전사 조건은, 구체적으로는, 실시예란에 있어서의 [인화물의 제조]의 난에 기재한 바와 같다.
(프린터)
서멀 헤드: KEE-57-12GAN2-STA
(교세라(주) 제조)
발열체 평균 저항값: 3303(Ω)
주(主)주사 방향 인자 밀도: 300(dpi)
부(副)주사 방향 인자 밀도: 300(dpi)
1라인 주기: 2.0(msec.)
인자 개시 온도: 35(℃)
펄스 듀티비: 85%
인가 전압: 18(V)
인가 에너지(mJ/dot)란, 하기 식 (1)에 의해 산출되는 인가 에너지이고, 식 (1) 중의 인가 전력[W]은, 하기 식 (2)에 의해 산출할 수 있다.
인가 에너지(mJ/dot)=W×L.S×P.D×계조값 …(식 (1))
식 1 중의 [W]는 인가 전력, [L.S]는 라인 주기(msec./line), [P.D]는 펄스 듀티를 의미한다.
인가 전력(W/dot)=V2/R …(식 (2))
식 2 중의 [V]는 인가 전압, [R]은 가열 수단의 저항값을 의미한다.
본 개시에 있어서, 산술 평균 높이 Sa는, ISO 25178에 준거하여 측정되고, 표면의 평균면에 대해, 각 점의 높이의 차의 절대값의 평균을 나타내며, 면 거칠기의 지표가 되는 파라미터이다. 측정 조건의 상세한 내용은, 실시예란에 기재한다.
제1 전사층은, 제1 기재로부터 박리 가능하게 형성되어 있다.
제1 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 중간 전사 매체의 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 전사되는 층이다. 제1 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 가열에 의해 용융 또는 연화되어, 중간 전사 매체의 제3 전사층 상에 전사된다. 제1 전사층으로서의 금속계 안료 함유층은, 열전도성이 높기 때문에, 필 오프층으로부터의 열을 효율적으로, 중간 전사 매체의 제3 전사층에 전도할 수 있고, 따라서 필 오프성을 더욱 양호한 것으로 할 수 있다. 이에 의해, 예컨대, 열전사 프린터측으로부터 인가되는 에너지를 저감할 수 있다.
제1 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 금속계 안료 등의 입자와, 바인더를 함유한다. 제1 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 금속계 안료와, 바인더를 함유하는 금속계 안료 함유층이다.
제1 전사층은, 예컨대, 입자에 기인하는 표면 요철 구조를 가질 수 있다. 구체적으로는, 제1 전사층에 있어서의 입자의 함유량 및 평균 입자 직경이나, 제1 전사층의 두께를 적절히 조정해도 좋다. 이에 의해, 예컨대, 제1 전사층의 산술 평균 높이를 전술한 범위로 조정할 수 있다.
입자로서는, 예컨대, 유기 입자 및 무기 입자를 들 수 있다.
유기 입자로서는, 예컨대, 수지를 포함하는 입자(수지 입자)를 들 수 있다. 수지 입자를 형성하는 수지로서는, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 들 수 있고, 예컨대, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 페놀 수지, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 아미드 수지, (메트)아크릴 수지, 불소 수지, 스티렌 수지, 올레핀 수지, 및 이들 수지를 구성하는 모노머의 공중합체를 들 수 있다. 수지는 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다.
무기 입자로서는, 예컨대, 금속계 안료, 점토 광물, 탄산염, 수산화물, 황산염, 규산염, 그래파이트, 초석 및 질화붕소를 들 수 있다. 점토 광물로서는, 예컨대, 탤크, 카올린 및 클레이를 들 수 있다. 탄산염으로서는, 예컨대, 탄산칼슘 및 탄산마그네슘을 들 수 있다. 수산화물로서는, 예컨대, 수산화알루미늄 및 수산화마그네슘을 들 수 있다. 황산염으로서는, 예컨대, 황산칼슘 및 황산바륨을 들 수 있다. 규산염으로서는, 예컨대, 규산알루미늄 및 규산마그네슘을 들 수 있다.
입자로서는, 금속계 안료가 바람직하다. 금속계 안료를 이용함으로써, 제1 전사층의 열전도성을 양호한 것으로 할 수 있다. 금속계 안료로서는, 예컨대, 금속 안료, 금속 산화물 안료 및 피복 안료를 들 수 있다.
금속 안료로서는, 예컨대, 알루미늄, 철, 티탄, 지르코늄, 규소, 세륨, 니켈, 크롬, 놋쇠, 주석, 황동, 청동, 아연, 은, 백금, 금 및 인듐 등의 금속에 의해 구성되는 입자를 들 수 있다. 금속 산화물 안료로서는, 예컨대, 상기 금속의 산화물에 의해 구성되는 입자를 들 수 있다.
금속 안료 중에서도, 금속계 안료 함유층의 열전도성의 향상이라고 하는 관점에서, 알루미늄 입자가 바람직하고, 인편(鱗片)형의 알루미늄 안료, 즉 알루미늄 플레이크가 보다 바람직하다.
알루미늄 안료는, 리핑(leafing) 타입이어도 좋고, 논리핑 타입이어도 좋다. 알루미늄 안료가 금속계 안료 함유층 중에 균일하게 분산됨으로써, 금속계 안료 함유층의 열전도율을 높일 수 있다고 하는 관점에서, 논리핑 타입의 알루미늄 안료가 바람직하다.
금속계 안료의 은폐력은, 2.0 이상이어도 좋고, 2.5 이상이어도 좋다. 이에 의해, 일 실시형태에 있어서, 인화물에 형성되는 화상의 색감에의 영향을 억제할 수 있다. 금속계 안료의 은폐력은, 6.0 이하여도 좋고, 5.5 이하여도 좋다. 본 개시에 있어서, 금속계 안료의 은폐력은, JIS K5600-4-1:1999에 준거하여 측정한다.
피복 안료는, 심재와, 심재를 피복하는, 금속 및 금속 산화물 등의 피복재를 구비한다.
피복 안료의 심재를 구성하는 재료는, 무기 재료여도 좋고, 유기 재료여도 좋다. 무기 재료로서는, 예컨대, 천연 운모, 합성 운모, 유리, 알루미늄 및 알루미나를 들 수 있다. 유기 재료로서는, 예컨대, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리올레핀, 비닐 수지 및 (메트)아크릴 수지 등의 수지 재료를 들 수 있다.
피복재로서는, 예컨대, 알루미늄, 철, 티탄, 지르코늄, 규소, 세륨, 니켈, 크롬, 놋쇠, 주석, 황동, 청동, 아연, 은, 백금, 금 및 인듐 등의 금속, 및 상기 금속의 산화물을 들 수 있다. 상기 금속의 산화물로서는, 예컨대, 산화티탄 및 산화철을 들 수 있다. 심재를 덮는 피복재는, 예컨대, 증착에 의해 형성할 수 있다.
피복재로서는, 일 실시형태에 있어서, 인화물의 광휘성의 향상이라고 하는 관점에서, 금속이 바람직하다. 피복재는, 금 또는 은을 포함하는 것이 바람직하고, 금 또는 은에 의해 구성되는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 예컨대, 인화물의 광휘성을 양호한 것으로 할 수 있다.
심재는, 일 실시형태에 있어서, 유리를 포함하는 것이 바람직하고, 유리에 의해 구성되는 것이 보다 바람직하다. 피복재로서는, 일 실시형태에 있어서, 금속이 바람직하다. 피복재는, 금 또는 은을 포함하는 것이 바람직하고, 금 또는 은에 의해 구성되는 것이 보다 바람직하다. 피복 안료는, 일 실시형태에 있어서, 유리를 금속에 의해 피복한 입자이고, 구체적으로는, 유리를 금 또는 은에 의해 피복한 입자이다. 이에 의해, 예컨대, 피복재의 색감에의 영향이 적으며, 인화물의 광휘성을 양호한 것으로 할 수 있다.
심재는, 일 실시형태에 있어서, 운모를 포함하는 것이 바람직하고, 운모에 의해 구성되는 것이 보다 바람직하다. 피복재로서는, 일 실시형태에 있어서, 금속 산화물이 바람직하다. 피복재는, 산화티탄 또는 산화철을 포함하는 것이 바람직하고, 산화티탄 또는 산화철에 의해 구성되는 것이 보다 바람직하다. 피복 안료는, 일 실시형태에 있어서, 운모를 금속 산화물에 의해 피복한 입자이고, 구체적으로는, 운모를 산화티탄 또는 산화철에 의해 피복한 입자이다. 이에 의해, 예컨대, 인화물의 광택성을 양호한 것으로 할 수 있다.
금속계 안료 등의 입자의 형상은, 예컨대, 구(球)형, 침(針)형 또는 인편형이다.
금속계 안료 등의 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 1 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이상이다. 금속계 안료 등의 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 40 ㎛ 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있고, 또한 제1 전사층이 금속계 안료 함유층인 경우에는 금속계 안료 함유층의 열전도성을 양호한 것으로 할 수 있으며, 따라서 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있고, 또한, 인화물의 의장성을 양호한 것으로 할 수 있다.
본 개시에 있어서, 안료 또는 입자의 평균 입자 직경은, 체적 평균 입자 직경을 의미하고, 입도 분포·입경 분포 측정 장치(나노트랙 입도 분포 측정 장치, 닛키소(주) 제조)를 이용하여, JIS Z 8819-2:2019에 준거하여 측정한다.
금속 안료 또는 금속 산화물 안료의 평균 입자 직경은, 일 실시형태에 있어서, 바람직하게는 4 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 4.5 ㎛ 이상이다. 금속 안료 또는 금속 산화물 안료의 평균 입자 직경은, 일 실시형태에 있어서, 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 9.5 ㎛ 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 금속계 안료 함유층의 열전도성을 양호한 것으로 할 수 있고, 또한 금속계 안료 함유층을 경질화할 수 있으며, 따라서 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다. 예컨대, 필 오프 시에 있어서 전사층의 미소한 누락의 발생을 억제할 수 있다.
피복 안료의 평균 입자 직경은, 일 실시형태에 있어서, 바람직하게는 3 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이상이다. 피복 안료의 평균 입자 직경은, 일 실시형태에 있어서, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 40 ㎛ 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 금속계 안료 함유층의 열전도성을 양호한 것으로 할 수 있고, 따라서 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있으며, 또한, 인화물의 의장성을 양호한 것으로 할 수 있다.
금속계 안료가 인편형 입자인 경우에는, 금속계 안료의 입자 두께는, 0.5 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하여도 좋다. 이에 의해, 열전사 시트의 전사성을 보다 양호한 것으로 할 수 있다. 금속계 안료의 입자 두께는, 측정 대상이 되는 입자군으로부터 소정의 수(바람직하게는 100개 이상)의 인편형 입자를 발출하고, 전자 현미경을 이용하여 이들 두께를 계측함으로써 측정할 수 있다.
제1 전사층은, 입자를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
제1 전사층에 있어서의 입자의 함유 비율은, 바람직하게는 23 질량% 이상, 보다 바람직하게는 33 질량% 이상이다. 제1 전사층에 있어서의 입자의 함유 비율은, 바람직하게는 83 질량% 이하, 보다 바람직하게는 67 질량% 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다.
금속계 안료 함유층은, 금속계 안료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
금속계 안료 함유층에 있어서의 금속계 안료의 함유 비율은, 바람직하게는 23 질량% 이상, 보다 바람직하게는 33 질량% 이상이다. 금속계 안료 함유층에 있어서의 금속계 안료의 함유 비율은, 바람직하게는 83 질량% 이하, 보다 바람직하게는 67 질량% 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 금속계 안료 함유층의 열전도성을 양호한 것으로 할 수 있다.
바인더로서는, 예컨대, 수지 재료 및 왁스를 들 수 있다.
수지 재료로서는, 예컨대, (메트)아크릴 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 염화비닐 수지, 아세트산비닐 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐리덴 수지, 폴리올레핀, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리비닐알콜, 폴리비닐포르말, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 수지, 석유 수지, 불소 수지, 에폭시 수지 및 이오노머 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐 및 폴리이소부틸렌을 들 수 있다. 셀룰로오스 수지로서는, 예컨대, 아세틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 에틸셀룰로오스를 들 수 있다.
왁스로서는, 예컨대, 마이크로크리스탈린 왁스, 카르나우바 왁스, 파라핀 왁스, 피셔 트롭쉬 왁스, 각종 저분자량 폴리에틸렌, 목랍, 밀랍, 경랍, 백랍, 양모랍, 셸락 왁스, 칸데릴라 왁스, 페트롤라툼, 폴리에스테르 왁스, 일부 변성 왁스, 지방산 에스테르, 및 지방산 아미드를 들 수 있다.
바인더로서는, 수지 재료가 바람직하고, (메트)아크릴 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 및 폴리에스테르가 보다 바람직하며, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체가 더욱 바람직하다.
제1 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 용융 전사형 수지층이다.
제1 전사층은, 바인더를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
제1 전사층에 있어서의 바인더의 함유 비율은, 바람직하게는 17 질량% 이상, 보다 바람직하게는 33 질량% 이상이다. 제1 전사층에 있어서의 바인더의 함유 비율은, 바람직하게는 77 질량% 이하, 보다 바람직하게는 67 질량% 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 제1 전사층의 전사성, 및 중간 전사 매체의 제3 전사층에 대한 밀착성을 양호한 것으로 할 수 있다.
제1 전사층에 있어서의 금속계 안료 등의 입자의 함유량과, 바인더의 함유량의 비(PV비=금속계 안료 등의 입자의 함유량/바인더의 함유량)는, 질량 기준으로, 바람직하게는 0.3 이상, 보다 바람직하게는 0.4 이상이다. 제1 전사층에 있어서의 상기 비(PV비)는, 질량 기준으로, 바람직하게는 5.0 이하, 보다 바람직하게는 1.8 이하, 더욱 바람직하게는 1.5 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 제1 전사층의 전사성, 열전도성, 및 중간 전사 매체의 제3 전사층에 대한 밀착성을 양호한 것으로 할 수 있다. PV비가 1.8 이하이면, 인화물의 의장성을 양호한 것으로 할 수 있는 경향이 있다.
제1 전사층은, 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다. 첨가제로서는, 예컨대, 충전제, 가소제, 대전 방지제, 자외선 흡수재, 무기 입자, 유기 입자, 이형제 및 분산제를 들 수 있다.
제1 전사층의 두께는, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.2 ㎛ 이상이다. 제1 전사층의 두께는, 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 4.5 ㎛ 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 중간 전사 매체의 제3 전사층의 제거 예정 영역을 필 오프층에 의해 제거할 때의 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 제1 전사층의 두께는, 필 오프층의 두께보다 작다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다. 예컨대, 제1 전사층을 도트형 또는 라인형으로 제3 전사층 상에 전사한 경우에 있어서, 후술하는 전사층 제거 공정 시에, 제1 전사층의 비전사 영역과 필 오프층의 접촉성을 양호한 것으로 할 수 있다.
(필 오프층)
본 개시의 제1 열전사 시트는, 필 오프층을 구비한다.
필 오프층은, 일 실시형태에 있어서, 중간 전사 매체의 제3 전사층의 일부를 제거하기 위한 층이다. 본 개시에 있어서, 필 오프층에 의해 최종적으로 제거되는 제3 전사층의 일부를, 제3 전사층의 「제거 예정 영역」이라고도 한다.
필 오프층에 있어서의 산술 평균 높이 Sa는, 0.1 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 미만(0.1 ㎛보다 크고, 1.0 ㎛보다 작음)이다. 필 오프층에 있어서의 Sa는, 바람직하게는 0.15 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.2 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.4 ㎛ 이상이다. Sa는, 바람직하게는 0.8 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.6 ㎛ 이하이다. Sa가 0.1 ㎛ 초과이면, 필 오프층이, 요철 높이가 충분히 큰 표면 요철 구조를 가지며, 필 오프 시에 있어서의 제1 전사층과 필 오프층의 접촉 면적이 커진다. 이에 의해, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다. Sa가 1.0 ㎛ 미만이면, 필 오프층용 도공액의 도공 적성의 저하를 억제할 수 있고, 양호하게 필 오프층을 형성할 수 있다. 예컨대, 각 층(특히 필 오프층)에 있어서의 입자의 함유량 및 평균 입자 직경이나, 필 오프층의 두께를 적절히 조정함으로써, Sa를 상기 범위로 조정할 수 있다.
본 개시에 있어서, 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa는, 필 오프층에 있어서의 제1 기재측의 면과는 반대측의 면에 대해 측정되는 값이다.
본 개시에 있어서 필 오프성이 양호한 이유는 분명하지 않으나, 이하와 같이 추측된다. 표면 요철 구조를 갖는 필 오프층의 표면적과, 표면 요철 구조를 갖지 않는 필 오프층의 표면적을 비교하면, 표면 요철 구조를 갖는 필 오프층 쪽이 표면적은 크다. 이 점은, 제1 전사층도 마찬가지이다. 중간 전사 매체의 제3 전사층을 제거할 때에, 열전사 시트 또는 필 오프 시트에는, 가열 부재로부터 에너지가 인가된다. 에너지의 인가에 의해, 필 오프층과 함께, 후술하는 바와 같이 중간 전사 매체의 제3 전사층 상에 사전에 전사된 제1 전사층도 연화된다. 필 오프층 및 제1 전사층은 모두 표면 요철 구조를 갖기 때문에, 이들 층끼리의 접촉 면적은 크다고 생각된다. 이 접촉 면적의 증대가, 필 오프성의 향상에 기여한다. 또한, 이상의 설명은 추측이며, 조금도 본 개시를 한정하지 않는다.
필 오프층은, 일 실시형태에 있어서, 열가소성 수지 등의 수지 재료를 함유한다. 수지 재료로서는, 예컨대, 폴리올레핀, 염화비닐 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, (메트)아크릴 수지, 스티렌-(메트)아크릴 수지, 스티렌-염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르, 폴리아미드, 부티랄 수지 및 에폭시 수지를 들 수 있다.
필 오프층은, 수지 재료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
수지 재료 중에서도, 필 오프성의 관점에서, 폴리에스테르, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 및 (메트)아크릴 수지에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 예컨대, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체와 (메트)아크릴 수지의 혼합 수지가 바람직하다.
본 개시에 있어서, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체란, 염화비닐과, 아세트산비닐의 공중합체를 의미한다. 염화비닐-아세트산비닐 공중합체는, 다른 공중합 성분에 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 좋다.
염화비닐-아세트산비닐 공중합체의 수 평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 5,000 이상, 보다 바람직하게는 7,000 이상이다. 염화비닐-아세트산비닐 공중합체의 Mn은, 바람직하게는 50,000 이하, 보다 바람직하게는 43,000 이하이다. 상기 Mn의 염화비닐-아세트산비닐 공중합체를 함유하는 필 오프층은, 예컨대, 필 오프성이 보다 양호하다. 본 개시에 있어서, Mn은, 폴리스티렌을 표준 물질로 하여 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정한 값을 의미하고, JIS K 7252-3:2016에 준거한 방법으로 측정한다.
염화비닐-아세트산비닐 공중합체의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 60℃ 이상이다. 염화비닐-아세트산비닐 공중합체의 Tg는, 바람직하게는 90℃ 이하, 보다 바람직하게는 80℃ 이하이다. 상기 Tg의 염화비닐-아세트산비닐 공중합체를 함유하는 필 오프층은, 예컨대, 필 오프성이 보다 양호하다. 본 개시에 있어서, Tg는, JIS K 7121:2012에 준거하여, 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 얻어지는 유리 전이 온도이다.
(메트)아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 예컨대, 20,000 이상이다. (메트)아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 예컨대, 50,000 이하이다. 상기 Mw의 (메트)아크릴 수지를 함유하는 필 오프층은, 예컨대, 필 오프성이 보다 양호하다. 본 개시에 있어서, Mw는, 폴리스티렌을 표준 물질로 하여 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정한 값을 의미하고, JIS K 7252-3:2016에 준거한 방법으로 측정한다.
(메트)아크릴 수지의 Tg는, 예컨대, 80℃ 이상이다. (메트)아크릴 수지의 Tg는, 예컨대, 120℃ 이하이다. 상기 Tg의 (메트)아크릴 수지를 함유하는 필 오프층은, 예컨대, 필 오프성이 보다 양호하다.
본 개시에 있어서, 필 오프층에 있어서의, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 및 (메트)아크릴 수지의 총량 100 질량부에 대한 (메트)아크릴 수지의 함유량은, 10 질량부 이상이어도 좋고, 30 질량부 이상이어도 좋다. 필 오프층에 있어서의, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 및 (메트)아크릴 수지의 총량 100 질량부에 대한 (메트)아크릴 수지의 함유량은, 90 질량부 이하여도 좋고, 70 질량부 이하여도 좋다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다.
필 오프층은, 일 실시형태에 있어서, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 및 폴리에스테르에서 선택되는 적어도 1종을 함유하고, 바람직하게는 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 및 결정성 폴리에스테르에서 선택되는 적어도 1종을 함유하며, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체와 결정성 폴리에스테르를 함유해도 좋다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다.
본 개시에 있어서, 결정성 폴리에스테르란, 시차 주사형 열량계를 이용하여, -100℃로부터 300℃까지 10℃/분으로 승온하고, 다음으로 300℃로부터 -100℃까지 5℃/분으로 강온하며, 계속해서 -100℃로부터 300℃까지 10℃/분으로 승온한다고 하는 2번의 승온 과정에 있어서, 적어도 어느 하나의 승온 과정에 명확한 융해 피크를 나타내는 폴리에스테르를 가리킨다.
결정성 폴리에스테르의 융점은, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 80℃ 이상이다. 결정성 폴리에스테르의 융점은, 바람직하게는 150℃ 이하, 보다 바람직하게는 120℃ 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프성을 보다 현저히 양호한 것으로 할 수 있다. 본 개시에 있어서, 융점은, JIS K 7121:2012에 준거하여, 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 얻어지는 융해 피크 온도이다.
필 오프층은, 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다. 첨가제로서는, 예컨대, 충전제, 가소제, 자외선 흡수제, 무기 입자, 유기 입자 및 분산제를 들 수 있다.
필 오프층은, 일 실시형태에 있어서, 입자를 함유한다. 필 오프층은, 예컨대, 입자에 기인하는 표면 요철 구조를 가질 수 있다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프층의 산술 평균 높이를 전술한 범위로 조정할 수 있다.
필 오프층은, 입자를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
입자로서는, 예컨대, 유기 입자 및 무기 입자를 들 수 있다.
유기 입자로서는, 예컨대, 수지를 포함하는 입자(수지 입자)를 들 수 있다. 수지 입자를 형성하는 수지로서는, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 들 수 있고, 예컨대, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 페놀 수지, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 아미드 수지, (메트)아크릴 수지, 불소 수지, 스티렌 수지, 올레핀 수지, 및 이들 수지를 구성하는 모노머의 공중합체를 들 수 있다. 수지는 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다.
무기 입자로서는, 예컨대, 점토 광물, 탄산염, 수산화물, 황산염, 규산염, 산화물, 그래파이트, 초석 및 질화붕소를 들 수 있다. 점토 광물로서는, 예컨대, 탤크, 카올린 및 클레이를 들 수 있다. 탄산염으로서는, 예컨대, 탄산칼슘 및 탄산마그네슘을 들 수 있다. 수산화물로서는, 예컨대, 수산화알루미늄 및 수산화마그네슘을 들 수 있다. 황산염으로서는, 예컨대, 황산칼슘 및 황산바륨을 들 수 있다. 규산염으로서는, 예컨대, 규산알루미늄 및 규산마그네슘을 들 수 있다. 산화물로서는, 예컨대, 실리카, 알루미나, 산화아연, 산화티탄, 산화지르코늄 및 산화마그네슘을 들 수 있다.
입자의 형상은, 부정 형상, 구형, 타원형, 원기둥형 및 각기둥형 등의 어느 것이어도 좋다. 입자는, 그 표면이, 실란 커플링제 등의 표면 처리재에 의해 처리된 것이어도 좋다.
입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.2 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 ㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.8 ㎛ 이상이다. 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 4 ㎛ 이하, 특히 바람직하게는 3 ㎛ 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프층의 산술 평균 높이를 전술한 범위로 조정할 수 있고, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다.
필 오프층에 있어서의 입자의 함유량과, 수지 재료의 함유량의 비(PV비=입자의 함유량/수지 재료의 함유량)는, 질량 기준으로, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.03 이상, 더욱 바람직하게는 0.05 이상이다. 필 오프층에 있어서의 상기 비(PV비)는, 질량 기준으로, 바람직하게는 0.5 이하, 보다 바람직하게는 0.4 이하, 더욱 바람직하게는 0.3 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프층에 의한 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다.
필 오프층의 두께는, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.2 ㎛ 이상이다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프층의 막 강도, 필 오프층과 접하는 층이나, 필 오프층과 중간 전사 매체의 접착성 등을 양호한 것으로 할 수 있다. 필 오프층의 두께는, 바람직하게는 15 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하이다.
(프라이머층)
본 개시의 제1 열전사 시트는, 일 실시형태에 있어서, 제1 기재와 필 오프층 사이에, 프라이머층을 구비해도 좋다. 제1 열전사 시트가, 후술하는 색재층으로서 승화 전사형 색재층을 구비하는 경우, 제1 열전사 시트는, 상기 색재층과 제1 기재 사이에, 프라이머층을 구비해도 좋다. 이에 의해, 제1 기재와 필 오프층의 층간의 밀착성, 및 승화 전사형 색재층과 제1 기재의 층간의 밀착성을 양호한 것으로 할 수 있다.
프라이머층은, 일 실시형태에 있어서, 수지 재료를 함유한다. 수지 재료로서는, 예컨대, 폴리에스테르, 비닐 수지, (메트)아크릴 수지, 폴리스티렌, 폴리아미드, 폴리에테르, 우레탄 수지 및 셀룰로오스 수지를 들 수 있다. 이들 중에서도, 제1 기재와 필 오프층의 밀착성의 관점에서, 폴리에스테르가 바람직하다.
프라이머층은, 수지 재료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
제1 기재와 필 오프층 사이의 프라이머층은, 일 실시형태에 있어서, 입자를 함유한다. 프라이머층은, 예컨대, 입자에 기인하는 표면 요철 구조를 갖는다. 구체적으로는, 프라이머층에 있어서의 입자의 함유량 및 평균 입자 직경이나, 프라이머층의 두께를 적절히 조정해도 좋다. 이에 의해, 필 오프층은, 프라이머층의 표면 요철 구조에 추종한 표면 요철 구조를 가질 수 있다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프층의 산술 평균 높이를 전술한 범위로 조정할 수 있다.
입자의 상세한 것은, 전술한 바와 같다.
프라이머층은, 입자를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
프라이머층은, 상기 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다.
프라이머층의 두께는, 예컨대 0.05 ㎛ 이상이다. 프라이머층의 두께는, 예컨대 2 ㎛ 이하이다.
(색재층)
본 개시의 제1 열전사 시트는, 일 실시형태에 있어서, 제1 기재의 한쪽 면 상에, 색재층을 더 구비해도 좋다. 이 실시형태에서는, 제1 기재의 한쪽 면 상에, 색재층과 금속계 안료 함유층 등의 제1 전사층과 필 오프층이 면순차로 형성되어 있다. 도 2에, 이 실시형태에 따른 열전사 시트의 일례를 도시한다. 열전사 시트(10)는, 제1 기재(12)와, 제1 기재(12)의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된, 색재층(18)과, 금속계 안료 함유층 등의 제1 전사층(14)과, 필 오프층(16)을 구비한다.
이러한 제1 열전사 시트를 이용함으로써, 중간 전사 매체의 제3 전사층에 열전사 화상을 형성할 수 있다. 따라서, 색재층을 구비하는 다른 열전사 시트를 이용하지 않고, 적어도 색재층과 제1 전사층을 구비하는 제1 열전사 시트를 이용하여, 중간 전사 매체의 제3 전사층에의 열전사 화상의 형성과, 제3 전사층 상에의 제1 전사층의 전사를 아울러 행할 수 있다.
색재층은, 화상을 형성하기 위해서 이용된다. 색재층은, 색재를 함유한다. 색재는, 안료여도 좋고, 염료여도 좋다. 염료는, 승화성 염료여도 좋다.
색재층은, 색재층에 포함되는 승화성 염료 등의 승화성 색재가 전사되는 승화 전사형 색재층이어도 좋고, 색재층 자체가 전사되는 용융 전사형 색재층이어도 좋다. 열전사 시트는, 승화 전사형 색재층 및 용융 전사형 색재층을 함께 구비해도 좋다.
예컨대, 열전사 화상을 승화형 열전사 방식에 의해 형성하는 경우에는, 색재층은, 승화성 염료와 바인더 수지를 함유하는 승화 전사형 색재층이다.
승화성 염료로서는, 충분한 착색 농도를 가지며, 광 및 열 등에 의해 변색 또는 퇴색되지 않는 것이 바람직하다. 이러한 승화성 염료로서는, 예컨대, 적색 염료, 황색 염료 및 청색 염료 등의 각 색 염료를 들 수 있다. 승화 전사형 색재층은, 승화성 염료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 승화 전사형 색재층에 있어서의 승화성 염료의 함유 비율은, 바람직하게는 5 질량% 이상, 보다 바람직하게는 10 질량% 이상이다. 승화 전사형 색재층에 있어서의 승화성 염료의 함유 비율은, 바람직하게는 80 질량% 이하, 보다 바람직하게는 70 질량% 이하이다.
승화 전사형 색재층에 있어서의 바인더 수지로서는, 예컨대, 셀룰로오스 수지, 비닐 수지, 비닐아세탈 수지, (메트)아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리아미드, 폴리이미드 및 폴리에스테르를 들 수 있다. 승화 전사형 색재층은, 바인더 수지를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 승화 전사형 색재층에 있어서의 바인더 수지의 함유 비율은, 바람직하게는 20 질량% 이상, 보다 바람직하게는 30 질량% 이상이다. 승화 전사형 색재층에 있어서의 바인더 수지의 함유 비율은, 바람직하게는 75 질량% 이하, 보다 바람직하게는 60 질량% 이하이다.
승화 전사형 색재층은, 경화제에 의해 경화되어 있어도 좋다. 경화제로서는, 예컨대, 에폭시 수지, 이소시아네이트 및 카르보디이미드를 들 수 있다. 경화제는 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다.
예컨대, 열전사 화상을 용융형 열전사 방식에 의해 형성하는 경우에는, 색재층은, 착색제와 바인더 수지를 함유하는 용융 전사형 색재층이다.
착색제로서는, 충분한 착색 농도를 가지며, 광 및 열 등에 의해 변색 또는 퇴색되지 않는 것이 바람직하다. 예컨대, 유기 안료, 무기 안료 및 염료를 들 수 있다. 착색제의 색으로서는, 예컨대, 시안, 마젠타, 옐로우 또는 블랙에 한정되는 것은 아니며, 여러 가지 색을 들 수 있다. 용융 전사형 색재층은, 착색제를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 용융 전사형 색재층에 있어서의 착색제의 함유 비율은, 바람직하게는 10 질량% 이상, 보다 바람직하게는 20 질량% 이상이다. 용융 전사형 색재층에 있어서의 착색제의 함유 비율은, 바람직하게는 60 질량% 이하, 보다 바람직하게는 50 질량% 이하이다.
용융 전사형 색재층에 있어서의 바인더 수지로서는, 예컨대, 폴리올레핀, 비닐 수지, 비닐아세탈 수지, (메트)아크릴 수지, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 수지 및 석유 수지를 들 수 있다. 용융 전사형 색재층은, 바인더 수지를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 용융 전사형 색재층에 있어서의 바인더 수지의 함유 비율은, 바람직하게는 20 질량% 이상, 보다 바람직하게는 30 질량% 이상이다. 용융 전사형 색재층에 있어서의 바인더 수지의 함유 비율은, 바람직하게는 75 질량% 이하, 보다 바람직하게는 60 질량% 이하이다.
용융 전사형 색재층은, 종래 공지된 왁스를 더 함유해도 좋다.
색재층은, 상기 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다.
본 개시의 제1 열전사 시트는, 제1 기재의 한쪽 면 상에, 하나의 색재층을 구비해도 좋고, 색상이 상이한 복수의 색재층, 예컨대, 옐로우 색재층, 마젠타 색재층, 시안 색재층 및 블랙 색재층을 면순차로 구비해도 좋다.
본 개시의 제1 열전사 시트는, 일 실시형태에 있어서, 제1 기재의 한쪽 면 상에 형성된, 옐로우(Y)층, 마젠타(M)층 및 시안(C)층을 포함하는 염료층과, 블랙(BK)의 용융 전사형 색재층과, 금속계 안료 함유층 등의 제1 전사층과, 필 오프층을 구비한다. 본 개시의 제1 열전사 시트의 일 실시형태에 있어서, 제1 기재 상에 Y층, M층, C층, BK층, 제1 전사층(예컨대 금속계 안료 함유층) 및 필 오프층이, 면순차로 형성되어 있다.
색재층의 두께는, 예컨대 0.1 ㎛ 이상이다. 색재층의 두께는, 예컨대 30 ㎛ 이하, 바람직하게는 20 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하이다.
(이형층)
본 개시의 제1 열전사 시트는, 일 실시형태에 있어서, 제1 기재와 제1 전사층 사이에, 이형층을 구비해도 좋다. 제1 열전사 시트가, 색재층으로서 용융 전사형 색재층을 구비하는 경우, 제1 열전사 시트는, 제1 기재와 용융 전사형 색재층 사이에, 이형층을 구비해도 좋다. 이에 의해, 예컨대, 제1 기재로부터의 제1 전사층 및 용융 전사형 색재층의 박리성을 양호한 것으로 할 수 있다.
이형층은, 제1 전사층 또는 용융 전사형 색재층을 구성하지 않는 층이고, 제1 전사층 또는 용융 전사형 색재층을 전사했을 때에, 제1 기재측에 남는 층이다.
이형층은, 일 실시형태에 있어서, 수지 재료를 함유한다. 수지 재료로서는, 예컨대, 비닐 수지, 비닐아세탈 수지, (메트)아크릴 수지, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 우레탄 수지, 셀룰로오스 수지, 실리콘 수지 및 불소 수지를 들 수 있다. 비닐 수지로서는, 예컨대, 폴리비닐알콜을 들 수 있다. 비닐아세탈 수지로서는, 예컨대, 폴리비닐아세탈을 들 수 있다. 이형층은, 수지 재료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 이형층에 있어서의 수지 재료의 함유 비율은, 바람직하게는 50 질량% 이상이다.
이형층은, 이형제를 함유해도 좋다. 이형제로서는, 예컨대, 불소 화합물, 인산에스테르 화합물, 고급 지방산 아미드 화합물, 금속 비누, 실리콘 오일 및 왁스를 들 수 있다. 왁스로서는, 예컨대, 폴리에틸렌 왁스 및 파라핀 왁스를 들 수 있다. 이형층은, 이형제를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 이형층에 있어서의 이형제의 함유 비율은, 바람직하게는 0.1 질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상이다. 이형층에 있어서의 이형제의 함유 비율은, 바람직하게는 10 질량% 이하, 보다 바람직하게는 5 질량% 이하이다.
이형층은, 상기 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다.
이형층의 두께는, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상이다. 이에 의해, 예컨대, 상기 전사성을 양호한 것으로 할 수 있다. 이형층의 두께는, 바람직하게는 3 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2 ㎛ 이하이다.
(배면층)
본 개시의 제1 열전사 시트는, 일 실시형태에 있어서, 제1 기재에 있어서의 제1 전사층과는 반대측의 면 상에, 배면층을 구비해도 좋다. 이에 의해, 예컨대, 열전사 시 또는 필 오프 시의 가열에 의한 스티킹 및 주름의 발생을 억제할 수 있다.
배면층은, 일 실시형태에 있어서, 수지 재료를 함유한다. 수지 재료로서는, 예컨대, 폴리올레핀, 폴리스티렌, 비닐 수지, (메트)아크릴 수지, 비닐아세탈 수지, 실리콘 수지, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 우레탄 수지 및 셀룰로오스 수지를 들 수 있다. 비닐아세탈 수지로서는, 예컨대, 폴리비닐부티랄 및 폴리비닐아세토아세탈을 들 수 있다. 배면층은, 수지 재료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 배면층에 있어서의 수지 재료의 함유 비율은, 바람직하게는 10 질량% 이상, 보다 바람직하게는 15 질량% 이상이다.
배면층은, 수산기 등의 반응성 기를 갖는 수지 재료를, 폴리이소시아네이트 등의 가교제를 이용하여 가교시켜 형성된 층이어도 좋다. 폴리이소시아네이트로서는, 예컨대, 크실렌디이소시아네이트, 톨루엔디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 및 헥사메틸렌디이소시아네이트를 들 수 있다. 가교제는 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다.
배면층은, 이형제를 함유해도 좋다. 이형제로서는, 예컨대, 불소 화합물, 인산에스테르 화합물, 고급 지방산 아미드 화합물, 금속 비누, 실리콘 오일 및 왁스를 들 수 있다. 왁스로서는, 예컨대, 및 폴리에틸렌 왁스 및 파라핀 왁스를 들 수 있다. 이에 의해, 예컨대, 슬립성을 양호한 것으로 할 수 있다. 배면층은, 이형제를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 배면층에 있어서의 이형제의 함유 비율은, 바람직하게는 0.5 질량% 이상이다. 배면층에 있어서의 이형제의 함유 비율은, 바람직하게는 20 질량% 이하, 보다 바람직하게는 12 질량% 이하이다.
배면층은, 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다. 첨가제로서는, 예컨대, 가소제, 자외선 흡수제, 무기 입자, 유기 입자 및 분산제를 들 수 있다. 배면층에 포함되는 수지 재료 100 질량부에 대한 첨가제의 함유량은, 바람직하게는 0.1 질량부 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량부 이상이다. 배면층에 포함되는 수지 재료 100 질량부에 대한 첨가제의 함유량은, 바람직하게는 25 질량부 이하, 보다 바람직하게는 20 질량부 이하이다.
배면층의 두께는, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.3 ㎛ 이상이다. 배면층의 두께는, 바람직하게는 5 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이하이다. 이에 의해, 예컨대, 열전사 시트의 내열성을 양호한 것으로 할 수 있다.
[열전사 시트와 필 오프 시트의 조합]
본 개시의 조합은, 제2 열전사 시트와, 필 오프 시트의 조합이다.
본 개시의 조합을 구성하는 제2 열전사 시트는, 제2 기재와, 제2 기재의 한쪽 면 상에 형성된, 금속계 안료 함유층 등의 제2 전사층을 구비한다. 본 개시의 조합을 구성하는 필 오프 시트는, 제3 기재와, 제3 기재의 한쪽 면 상에 형성된 필 오프층을 구비한다. 제2 열전사 시트와 필 오프 시트를 이용하는 경우에는, 후술하는 1차 전사 공정을 제2 열전사 시트를 이용하여 실시할 수 있고, 전사층 제거 공정을 필 오프 시트를 이용하여 실시할 수 있다.
도 3에, 일 실시형태에 따른 상기 조합의 모식 단면도를 도시한다. 제2 열전사 시트(10a)는, 제2 기재(12a)와, 제2 기재(12a)의 한쪽 면 상에 형성된, 금속계 안료 함유층 등의 제2 전사층(14)을 구비한다. 필 오프 시트(11)는, 제3 기재(12b)와, 제3 기재(12b)의 한쪽 면 상에 형성된 필 오프층(16)을 구비한다.
제2 열전사 시트의 구성은, 필 오프층을 구비하지 않는 것 이외에는, 제1 열전사 시트의 구성과 동일하다. 제2 기재도, 제1 기재와 동일하다. 제2 전사층도, 제1 전사층과 동일하다. 따라서, 본란에서는, 제2 열전사 시트를 구성하는 각 층의 설명은 생략한다.
필 오프 시트는, 제3 기재를 구비한다. 제3 기재로서는, 제1 열전사 시트를 구성하는 제1 기재와 동일한 기재를 이용할 수 있다. 따라서, 본란에서는, 제3 기재의 상세한 설명은 생략한다.
필 오프 시트를 구성하는 제3 기재는, 일 실시형태에 있어서, 입자를 함유한다. 제3 기재는, 예컨대, 입자에 기인하는 표면 요철 구조를 갖는다. 구체적으로는, 제3 기재에 있어서의 입자의 함유량 및 평균 입자 직경이나, 제3 기재의 두께를 적절히 조정해도 좋다. 이에 의해, 필 오프층의 표면을, 제3 기재의 표면 요철 구조에 추종한 형상으로 할 수 있다. 이에 의해, 예컨대, 필 오프층의 산술 평균 높이를 전술한 범위로 조정할 수 있다.
입자의 상세한 것은, 전술한 바와 같다.
제3 기재는, 입자를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
필 오프 시트는, 필 오프층을 구비한다. 필 오프 시트는, 일 실시형태에 있어서, 제3 기재와 필 오프층 사이에, 프라이머층을 구비해도 좋다. 필 오프 시트는, 일 실시형태에 있어서, 제3 기재에 있어서의 필 오프층과는 반대측의 면 상에, 배면층을 구비해도 좋다. 필 오프층, 프라이머층 및 배면층은, 각각, 제1 열전사 시트에 있어서의 필 오프층, 프라이머층 및 배면층과 동일하다. 따라서, 본란에서는, 이들 층의 상세한 설명은 생략한다.
[중간 전사 매체]
후술하는 인화물의 제조 방법 등에서 이용되는 중간 전사 매체는, 지지체와, 전사층을 구비한다. 보다 구체적으로는, 중간 전사 매체는, 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비한다. 제3 전사층의 일부는, 후술하는 공정 (2)에 있어서 필 오프층에 의해 제거되는 제거 예정 영역이다.
도 4의 공정도의 일부에, 일 실시형태에 따른 중간 전사 매체의 모식 단면도를 도시한다. 중간 전사 매체(20)는, 지지체(22)와, 지지체(22)의 한쪽 면 상에 형성된 제3 전사층(24)을 구비한다. 제3 전사층(24)은, 지지체(22)측으로부터, 박리층(26) 및 수용층(25)을 중간 전사 매체(20)의 두께 방향으로 이 순서로 구비한다. 수용층(25)은, 중간 전사 매체(20)의 최표면에 위치하고, 제3 전사층(24)을 구성하는 층 중 지지체(22)로부터 가장 멀리 위치하고 있다.
(지지체)
지지체로서는, 전술한 제1 기재와 동일한 것을 이용할 수 있다.
(제3 전사층)
제3 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 수용층을 구비한다. 제3 전사층은, 수용층으로 이루어지는 단층 구조를 가져도 좋고, 수용층과 다른 층을 구비하는 다층 구조를 가져도 좋다. 제3 전사층이 다층 구조를 갖는 경우, 수용층은, 제3 전사층에 있어서의 지지체측과는 반대측의 표층을 구성한다.
제3 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 지지체측으로부터, 박리층 및 수용층을 두께 방향으로 이 순서로 구비한다. 제3 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 지지체측으로부터, 박리층, 보호층 및 수용층을 두께 방향으로 이 순서로 구비한다.
≪수용층≫
수용층은, 일 실시형태에 있어서, 중간 전사 매체의 한쪽측의 표층을 구성한다.
예컨대, 색재층을 갖는 열전사 시트를 이용하여, 수용층 상에 열전사 화상을 형성하고, 그 후, 이 수용층을 포함하는 제3 전사층을, 임의의 피전사체 상에 전사함으로써, 임의의 피전사체 상에, 열전사 화상이 형성된 수용층을 포함하는 제3 전사층을 구비하는 인화물이 얻어진다.
수용층은, 일 실시형태에 있어서, 수지 재료를 함유한다. 수지 재료로서는, 예컨대, 폴리올레핀, 비닐 수지, 폴리에스테르, 폴리스티렌, (메트)아크릴 수지, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 우레탄 수지, 셀룰로오스 수지 및 이오노머 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예컨대, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌을 들 수 있다. 비닐 수지로서는, 예컨대, 폴리염화비닐, 폴리아세트산비닐 및 염화비닐-아세트산비닐 공중합체를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에틸렌나프탈레이트를 들 수 있다.
수용층은, 수지 재료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
수용층에 있어서의 수지 재료의 함유 비율은, 바람직하게는 80 질량% 이상, 보다 바람직하게는 85 질량% 이상이다. 이에 의해, 예컨대, 승화성 염료의 수용성을 양호한 것으로 할 수 있다. 수용층에 있어서의 수지 재료의 함유 비율은, 바람직하게는 99 질량% 이하, 보다 바람직하게는 98 질량% 이하이다.
수용층은, 일 실시형태에 있어서, 이형제를 함유한다. 이에 의해, 예컨대, 수용층과 열전사 시트의 이형성을 양호한 것으로 할 수 있다.
이형제로서는, 예컨대, 불소 화합물, 인산에스테르 화합물, 고급 지방산 아미드 화합물, 금속 비누, 실리콘 오일 및 왁스를 들 수 있다. 왁스로서는, 예컨대, 폴리에틸렌 왁스 및 파라핀 왁스를 들 수 있다. 이들 중에서도, 상기 이형성이라고 하는 관점에서, 실리콘 오일이 바람직하다.
실리콘 오일로서는, 예컨대, 스트레이트 실리콘 오일 및 변성 실리콘 오일을 들 수 있다. 스트레이트 실리콘 오일로서는, 예컨대, 디메틸실리콘 오일 및 메틸페닐실리콘 오일을 들 수 있다. 변성 실리콘 오일로서는, 예컨대, 아미노 변성 실리콘 오일, 에폭시 변성 실리콘 오일, 카르복시 변성 실리콘 오일, (메트)아크릴 변성 실리콘 오일, 머캅토 변성 실리콘 오일, 카르비놀 변성 실리콘 오일, 불소 변성 실리콘 오일, 메틸스티릴 변성 실리콘 오일 및 폴리에테르 변성 실리콘 오일을 들 수 있다. 변성 실리콘 오일에는, 편(片)말단형, 양말단형 및 측쇄 편말단형이 포함된다.
수용층은, 이형제를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
수용층에 있어서의 이형제의 함유 비율은, 바람직하게는 0.5 질량% 이상이다. 이에 의해, 예컨대, 상기 이형성을 양호한 것으로 할 수 있다. 수용층에 있어서의 이형제의 함유 비율은, 바람직하게는 20 질량% 이하, 보다 바람직하게는 10 질량% 이하이다.
수용층은, 첨가제를 함유해도 좋다. 첨가제로서는, 예컨대, 가소제, 자외선 흡수제, 무기 입자, 유기 입자 및 분산제를 들 수 있다. 수용층은, 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다. 수용층에 포함되는 수지 재료 100 질량부에 대한, 첨가제의 함유량은, 바람직하게는 0.1 질량부 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량부 이상이다. 수용층에 포함되는 수지 재료 100 질량부에 대한, 첨가제의 함유량은, 바람직하게는 20 질량부 이하, 보다 바람직하게는 10 질량부 이하이다.
수용층의 두께는, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1 ㎛ 이상이다. 이에 의해, 예컨대, 수용층에 형성되는 열전사 화상의 농도를 양호한 것으로 할 수 있다. 수용층의 두께는, 바람직하게는 20 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하이다.
≪박리층≫
중간 전사 매체가 구비하는 제3 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 지지체측의 표층으로서 박리층을 구비한다. 이에 의해, 예컨대, 중간 전사 매체로부터 제3 전사층을 전사할 때의, 지지체로부터의 제3 전사층의 박리성을 양호한 것으로 할 수 있다. 박리층은, 중간 전사 매체로부터 피전사체 상에 전사되는 층이다.
박리층은, 일 실시형태에 있어서, 수지 재료를 함유한다. 수지 재료로서는, 예컨대, 폴리올레핀, 비닐 수지, 폴리스티렌, (메트)아크릴 수지, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 수지 및 이오노머 수지를 들 수 있다. 박리층은, 수지 재료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
박리층은, 상기 이형제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다.
박리층은, 상기 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다.
박리층의 두께는, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상이다. 이에 의해, 예컨대, 박리층의 내구성을 양호한 것으로 할 수 있다. 박리층의 두께는, 바람직하게는 8 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다.
≪보호층≫
중간 전사 매체가 구비하는 제3 전사층은, 일 실시형태에 있어서, 수용층에 있어서의 지지체측의 면 상에, 또는 박리층과 수용층 사이에, 보호층을 구비한다.
보호층은, 일 실시형태에 있어서, 수지 재료를 함유한다. 수지 재료로서는, 예컨대, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 우레탄 수지, (메트)아크릴 수지 및 (메트)아크릴폴리올 수지를 들 수 있다. 보호층은, 수지 재료를 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.
보호층은, 상기 첨가제를 1종 또는 2종 이상 함유해도 좋다.
보호층의 두께는, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1 ㎛ 이상이다. 이에 의해, 예컨대, 보호층의 내구성을 양호한 것으로 할 수 있다. 보호층의 두께는, 바람직하게는 7 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다.
이상으로 설명한 각 층의 형성 방법에 대해 특별히 한정은 없다. 예컨대, 상기에서 예시한 각 성분을 포함하는 도공액을 조제하고, 상기 도공액을, 공지된 수단에 의해, 각 층이 형성되는 대상물 상에 도포하여 건조시킴으로써, 각 층을 형성할 수 있다. 상기 수단으로서는, 예컨대, 롤 코트법, 리버스 롤 코트법, 그라비아 코트법, 리버스 그라비아 코트법, 바 코트법 및 로드 코트법을 들 수 있다.
[인화물의 제조 방법 및 전사층의 필 오프 방법]
본 개시의 인화물의 제조 방법은,
적어도 열전사 시트와, 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비하는 공정 (1)과,
제3 전사층의 일부를 제거하는 공정 (2)와,
일부가 제거된 제3 전사층을 피전사체 상에 전사하는 공정 (3)
을 포함한다.
본 개시의 전사층의 필 오프 방법은,
적어도 열전사 시트와, 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비하는 공정 (1)과,
제3 전사층의 일부를 제거하는 공정 (2)
를 포함한다.
(공정 (1))
공정 (1)에서는, 본 개시의 제1 열전사 시트와, 중간 전사 매체를 준비하거나, 또는 본 개시의 제2 열전사 시트 및 필 오프 시트의 조합과, 중간 전사 매체를 준비한다. 상기 각 시트 및 중간 전사 매체의 상세한 것은, 전술한 바와 같다.
공정 (1)에 있어서, 제3 전사층에 열전사 화상이 이미 형성된 중간 전사 매체를 이용해도 좋고, 중간 전사 매체의 제3 전사층에, 열전사 화상을 형성해도 좋다. 즉, 본 개시의 인화물의 제조 방법 및 전사층의 필 오프 방법은, 일 실시형태에 있어서, 중간 전사 매체의 제3 전사층(구체적으로는 수용층)에 열전사 화상을 형성하는 공정을 포함한다. 도 4에 도시된 실시형태에서는, 미리, 중간 전사 매체의 수용층에 열전사 화상이 형성되어 있다.
화상 형성 공정의 구체예는, 이하와 같다. 수용층을 구비하는 중간 전사 매체와, 색재층을 구비하는 열전사 시트를, 수용층과 색재층이 대향하도록 중첩시킨다. 다음으로, 서멀 헤드 등의 가열 부재를 이용하여, 열전사 시트의 배면에 열에너지를 인가한다. 이 인가 에너지에 의해, 승화 전사형 색재층에 포함되는 승화성 염료가 수용층으로 이행되거나, 또는 용융 전사형 색재층이 수용층 상에 전사된다. 이상과 같이 하여, 열전사 화상이 형성된다. 색재층을 구비하는 제1 열전사 시트 또는 제2 열전사 시트를 이용하여 열전사 화상을 형성해도 좋고, 다른 열전사 시트를 이용하여 열전사 화상을 형성해도 좋다.
열전사 화상은, 전사층 제거 공정 전에 형성해도 좋고, 전사층 제거 공정에 있어서 제3 전사층의 제거 예정 영역을 제거한 후에 형성해도 좋다. 열전사 화상은, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부에 형성해도 좋다.
(공정 (2))
공정 (2)는,
중간 전사 매체에 있어서의 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에, 제1 열전사 시트 또는 제2 열전사 시트로부터, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하는 공정(1차 전사 공정)과,
제3 전사층의 제거 예정 영역을, 제거 예정 영역 상에 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층과 함께, 제1 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 공정(전사층 제거 공정)
을 이 순서로 포함한다.
≪1차 전사 공정≫
1차 전사 공정에서는, 예컨대, 열전사 시트의 제1 전사층 또는 제2 전사층과, 중간 전사 매체의 제3 전사층을 대향시키고, 서멀 헤드 등의 가열 부재에 의해, 열전사 시트의 배면에 열에너지를 인가하여, 열에너지가 인가된 영역에 대응하는 제1 전사층 또는 제2 전사층을, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 전사한다.
본 개시의 인화물의 제조 방법 및 전사층의 필 오프 방법에서는, 제3 전사층의 제거 예정 영역을 필 오프층에 의해 제거하기 전에, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 미리, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사한다. 이에 의해, 제3 전사층의 제거 예정 영역을 필 오프층에 의해 제거할 때의 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다. 본 개시의 인화물의 제조 방법 및 전사층의 필 오프 방법에 의하면, 제3 전사층의 제거 예정 영역 상에 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하지 않고, 필 오프층에 의해 제거 예정 영역을 제거하는 방법과 비교하여, 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다.
예컨대, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층이, 필 오프 시에 있어서 제3 전사층과 필 오프층의 밀착성을 양호한 것으로 한다. 제1 전사층 또는 제2 전사층이 금속계 안료 함유층인 경우에는, 열전도성도 우수하다. 따라서, 필 오프 시에 있어서의 가열 부재로부터의 열전도성이 향상되어, 필 오프 효율이 더욱 향상된다. 즉, 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층과 함께 제3 전사층의 제거 예정 영역을 필 오프층에 의해 제거할 때의 필 오프성이 양호해진다. 따라서, 본 개시의 인화물의 제조 방법에 의하면, 제거 예정 영역이 정확히 제거된 제3 전사층을 피전사체 상에 전사할 수 있다. 본 개시의 전사층의 필 오프 방법에 의하면, 제3 전사층의 제거 예정 영역을 정확히 제거할 수 있다.
제거 예정 영역, 즉 필 오프층에 의해 제거되는 제3 전사층의 크기, 형상 등에, 특별히 한정은 없다. 제3 전사층의 제거 예정 영역으로서는, 예컨대, 제3 전사층의 외주 부분이나, 피전사체의 IC칩부, 자기 스트라이프부, 송수신용 안테나부 또는 서명부 등에 대응하는 영역을 들 수 있다. 상기 영역을 제3 전사층으로부터 제거함으로써, 피전사체에 화상을 형성하고, 피전사체의 원하는 영역이 제3 전사층에 덮히지 않도록 할 수 있다.
도 4∼도 6에, 본 개시의 인화물의 제조 방법의 일 실시형태의 공정 단면도를 도시한다. 도 4∼도 5에, 본 개시의 전사층의 필 오프 방법의 일 실시형태의 공정 단면도를 도시한다.
도 4a에 있어서, 제1 열전사 시트(10)는, 제1 기재(12)와, 제1 기재(12)의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된, 금속계 안료 함유층 등의 제1 전사층(14)과, 필 오프층(16)을 구비한다. 중간 전사 매체(20)는, 지지체(22)와, 지지체(22) 상에 형성된 제3 전사층(24)을 구비한다. 제3 전사층(24)은, 열전사 화상(A)이 형성된 수용층(25)과, 박리층(26)을 구비한다.
도 4b에 있어서, 제1 열전사 시트(10)의 제1 전사층(14)과, 중간 전사 매체(20)의 제3 전사층(24)을 대향시키고, 열전사 시트(10)의 배면에 열에너지를 인가하여, 열에너지가 인가된 영역에 대응하는 제1 전사층(14a)을, 제3 전사층(24)의 제거 예정 영역(24a)의 적어도 일부 상에 전사한다.
도 4b에 도시된 실시형태에서는, 중간 전사 매체(20)를 평면시(平面視)한 경우에, 제3 전사층(24)의 제거 예정 영역(24a)의 전역과 두께 방향에 있어서 중복되고, 또한 제거 예정 영역(24a)의 외측으로 돌출되지 않도록, 중간 전사 매체(20)의 제3 전사층(24) 상에 제1 전사층(14a)을 전사하고 있다. 평면시란, 중간 전사 매체(20)의 표면의 법선 방향으로부터 상기 매체(20)를 보는 것을 말한다. 도 4c에, 중간 전사 매체(20)를 평면시한 경우를 도시한다. 도 4c에서는, 제거 예정 영역(24a)과 전사된 제1 전사층(14a)을 보기 쉽게 하기 위해서, 편의상, 제거 예정 영역(24a)의 면적보다 전사된 제1 전사층(14a)의 면적이 약간 작아지도록 도시하고 있다. 후술하는 바와 같이, 제거 예정 영역(24a)의 외연(外緣)과 제1 전사층(14a)의 외연이 일치하고 있는 것이 바람직하다.
제1 전사층 또는 제2 전사층은, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 전사되어 있으면 된다. 예컨대, 제3 전사층의 전면에 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사해도 좋고, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 전역에 제거 예정 영역과 동일 사이즈로 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사해도 좋으며, 상기 평면시에 있어서 제거 예정 영역의 면적보다 크거나 또는 작은 면적이 되도록, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사해도 좋다.
제1 전사층 또는 제2 전사층의 전사 패턴으로서는, 예컨대, 중간 전사 매체를 평면시한 경우에, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 하나 또는 복수 개의 도트형으로 전사해도 좋고, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 하나 또는 복수 개의 라인형으로 전사해도 좋으며, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 외주를 따른 프레임형으로 제1 전사층 또는 제2 전사층을 제3 전사층 상에 전사해도 좋고, 이들 전사 패턴을 조합해도 좋다.
중간 전사 매체를 전사층측으로부터 평면시한 경우에, 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층이 제거 예정 영역의 전역과 중복되고, 또한 제거 예정 영역의 외연과, 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층의 외연이 일치하도록, 제3 전사층 상에 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사해도 좋다. 이 경우, 상기 평면시에 있어서, 제3 전사층의 제거 예정 영역과, 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층은, 동일 형상이다.
상기 평면시에 있어서, 제3 전사층의 제거 예정 영역과, 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층이 두께 방향에 있어서 중복되는 면적 비율에 대해 특별히 한정은 없다. 그 비율에 관계없이, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하고 있는 분만큼, 만일 제1 전사층 또는 제2 전사층에 의해 단차가 발생했다고 해도, 필 오프층에 의해 제3 전사층의 제거 예정 영역을 제거할 때의 필 오프성을 양호한 것으로 할 수 있다.
상기 면적 비율이 클수록, 필 오프성이 보다 양호해지는 경향이 있다. 상기 평면시에 있어서, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 면적을 100%로 했을 때에, 제3 전사층의 제거 예정 영역과, 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층이 두께 방향에 있어서 중복되는 면적 비율은, 바람직하게는 10% 이상, 보다 바람직하게는 50% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다.
상기 평면시에 있어서, 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층이 제3 전사층의 제거 예정 영역의 일부 또는 전부와 중복되고, 또한 제거 예정 영역의 외측으로 돌출되도록, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 제3 전사층 상에 전사해도 좋다. 이에 의해, 최종적으로 얻어지는 인화물에, 예컨대 제1 전사층 또는 제2 전사층으로서의 금속계 안료 함유층을 잔존시킬 수 있다. 잔존한 금속계 안료 함유층에 의해, 인화물의 의장성을 높일 수 있다. 금속계 안료 함유층은 금속계 안료를 함유하기 때문에, 인화물에 잔존하는 금속계 안료 함유층에 의해 인화물에 높은 의장성을 부여할 수 있다.
상기 평면시에 있어서, 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층이 제3 전사층의 제거 예정 영역의 전역과 중복되고, 또한 제거 예정 영역의 전체 둘레 가장자리의 외측으로 돌출되도록, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 제3 전사층 상에 전사해도 좋다(도 4d 참조). 이 경우, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 제거 후, 제거 예정 영역의 둘레 가장자리를 따라, 프레임형의 제1 전사층 또는 제2 전사층이 잔존한다(도 7a 참조). 예컨대, 제거 예정 영역이 피전사체의 서명부에 대응하는 영역인 경우, 프레임형의 제1 전사층 또는 제2 전사층이 피전사체에 전사됨으로써, 서명부를 눈에 띄게 할 수 있다.
제1 전사층 또는 제2 전사층을, 제3 전사층의 제거 예정 영역 상에 전사하고, 제3 전사층에 있어서 제거 예정 영역과는 상이한 영역 상에, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하여, 소정의 화상을 형성해도 좋다. 제1 전사층 또는 제2 전사층은, 예컨대 금속계 안료 함유층의 경우와 같이, 필 오프성을 향상시키는 기능과, 소정의 화상을 형성하는 기능을 가져도 좋다. 1차 전사 공정에 있어서, 제거 예정 영역 상에의 금속계 안료 함유층의 전사와, 금속계 안료 함유층에 의한 소정의 화상의 형성을 동시에 행할 수 있다. 이에 의해, 인화물의 의장성을 높일 수 있다.
≪전사층 제거 공정≫
전사층 제거 공정은, 예컨대, 이하와 같이 실시한다. 제1 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층과, 제1 전사층 또는 제2 전사층이 전사된, 중간 전사 매체의 제3 전사층을 대향시킨다. 서멀 헤드 등의 가열 부재에 의해, 제1 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 배면에 있어서의 제거 예정 영역에 대응하는 영역에 열에너지를 인가하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 1차 전사 공정에서 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층과 함께, 필 오프층에 의해 제거한다. 이에 의해, 중간 전사 매체의 제3 전사층의 제거 예정 영역을 정확히 제거할 수 있다.
본 공정에서는, 예컨대, 필 오프층과 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 적어도 일부에 있어서 제1 전사층 또는 제2 전사층을 통해 가열 압착시킴으로써, 필 오프층에, 적어도 일부에 있어서 제1 전사층 또는 제2 전사층을 통해 제3 전사층을 밀착시켜, 제거한다. 본 공정에 있어서, 필 오프층과, 적어도 일부에 있어서 제1 전사층 또는 제2 전사층을 통한 제3 전사층의 가열 압착은, 제거 예정 영역의 전역에 걸쳐 행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제거 예정 영역의 제3 전사층을 보다 정확히 제거할 수 있다.
도 5a에 있어서, 제1 열전사 시트(10)의 필 오프층(16)과, 중간 전사 매체(20)의 제3 전사층(24)을 대향시킨다. 도 5b에 있어서, 제1 열전사 시트(10)의 배면에 있어서의 제거 예정 영역(24a)에 대응하는 영역에 열에너지를 인가한다. 이에 의해, 제3 전사층(24)의 제거 예정 영역(24a)(박리층(26a) 및 수용층(25a))을, 1차 전사 공정에서 전사된 금속계 안료 함유층 등의 제1 전사층(14a)과 함께, 필 오프층(16)에 의해 제거한다.
도 5에서는, 수용층(25)에 형성된 열전사 화상(A)을 피하도록 하여, 제3 전사층(24)의 제거가 행해지고 있다. 상기 평면시에 있어서, 열전사 화상(A)이 형성되어 있는 영역과 제3 전사층의 제거 예정 영역은, 일부에 있어서 중복되어 있어도 좋다. 즉, 필 오프층에 의해, 열전사 화상(A)의 일부를 제거해도 좋다(도 7b 참조).
(공정 (3)(2차 전사 공정))
공정 (3)에서는, 공정 (2)에 의해 일부가 제거된 제3 전사층을, 피전사체 상에 전사한다(2차 전사 공정). 공정 (3)은, 예컨대, 피전사체와, 제3 전사층의 일부가 제거된 중간 전사 매체를 중첩시켜, 즉, 피전사체와, 중간 전사 매체의 상기 제3 전사층을 대향시켜, 피전사체 상에 중간 전사 매체의 상기 제3 전사층을 전사한다.
피전사체는, 용도에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있고, 예컨대, 카드 기재, 종이 기재 및 상기 수지 기재를 사용할 수 있다. 종이 기재로서는, 예컨대, 상질지, 아트지, 코트지, 레진 코트지, 캐스트 코트지, 판지, 합성지 및 함침지(含浸紙)를 들 수 있다.
예컨대, 도 6a 및 b에 도시된 바와 같이, 피전사체(30) 상에, 중간 전사 매체(20)로부터, 일부가 제거된 제3 전사층(24)을 전사한다. 이에 의해, 인화물(50)이 얻어진다.
[인화 장치, 필 오프 장치 및 열전사 프린터]
본 개시의 인화물의 제조 방법에 이용되는 인화 장치 및 본 개시의 전사층의 필 오프 방법에 이용되는 필 오프 장치의 구체예로서, 인화 장치로서의 열전사 프린터에 대해 일례를 들어 설명한다.
인화 장치는, 일 실시형태에 있어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 지지체의 한쪽 면 상에 제3 전사층이 형성된 중간 전사 매체(20)를 공급하는 제1 공급부(470)와, 기재의 동일면 상에 제1 전사층 및 필 오프층이 형성된 열전사 시트(10)를 공급하는 제2 공급부(451)와, 열전사 시트(10)를 가열하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 제1 전사층을 전사하고, 제1 전사층의 전사 후에, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 필 오프층에 의해 제거하는 인화부(450)와, 피전사체(30)를 공급하는 제3 공급부(442)와, 제거 예정 영역이 제거된 제3 전사층을 피전사체(30) 상에 전사하는 전사부(460)를 구비한다. 도 8은 인화 장치로서의 열전사 프린터의 일례를 도시한 개략 구성도이다.
필 오프 장치는, 일 실시형태에 있어서, 각각 전술한, 제1 공급부와, 제2 공급부와, 상기 인화부와 동일한 구성을 갖는 필 오프부를 구비한다.
인화 장치의 제2 공급부는, 다른 실시형태에 있어서, 상기 실시형태를 대신하여, 기재의 면 상에 제2 전사층이 형성된 열전사 시트를 공급하는 제2-1 공급부와, 기재의 면 상에 필 오프층이 형성된 필 오프 시트를 공급하는 제2-2 공급부를 구비해도 좋다. 인화 장치의 인화부는, 다른 실시형태에 있어서, 열전사 시트를 가열하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 제2 전사층을 전사하고, 제2 전사층의 전사 후에, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 필 오프층에 의해 제거하는 인화부여도 좋다.
필 오프 장치는, 다른 실시형태에 있어서, 각각 전술한, 제1 공급부와, 제2-1 공급부와, 제2-2 공급부와, 상기 다른 실시형태의 인화부와 동일한 구성을 갖는 필 오프부를 구비한다.
이하, 도 8에 도시된 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 다른 실시형태에 대해서도, 제2 공급부를 대신하여 제2-1 공급부 및 제2-2 공급부를 설치하는 것 등에 의해, 동일하게 실시할 수 있다.
제1 공급부(470)에는, 중간 전사 매체(20)를 리본형으로 권취한 권취가 장전되어 있다. 제1 공급부(470)는, 중간 전사 매체(20)의 권취를 회전시켜, 중간 전사 매체(20)를, 장척 띠형으로 인화부(450) 및 전사부(460)에 반송한다.
인화부(450)는, 서멀 헤드(453)와, 서멀 헤드(453)의 하방측에 설치된 회전 구동 가능한 플래튼 롤(platen roll; 454)과, 서멀 헤드(453)를 플래튼 롤(454)에 대해 승강 가능하게 시키는 승강 수단(도시하지 않음)을 구비한다. 제1 공급부(470)로부터 공급된 중간 전사 매체(20)는, 서멀 헤드(453)와 플래튼 롤(454) 사이를 통과한다.
열전사 시트(10)는, 제2 공급부(451)로서의 공급 롤측으로부터, 가이드 롤(455)을 경유하여, 서멀 헤드(453)와 플래튼 롤(454) 사이를 지나, 가이드 롤(456)을 경유하여, 권취 롤(452)에 권취된다. 서멀 헤드(453)와 플래튼 롤(454) 사이에 있어서, 열전사 시트(10)의 제1 전사층 및 필 오프층과, 중간 전사 매체(20)의 제3 전사층은 대향하고 있다(도시하지 않음).
서멀 헤드(453)는, 열전사 시트(10)의 제1 전사층을 가열하여, 제거 예정 영역에 대응하는 제1 전사층을, 제3 전사층 상에 전사한다. 열전사 프린터는, 중간 전사 매체(20)와, 열전사 시트(10)의 제1 전사층을 위치 맞춤한 후에, 서멀 헤드(453)를 플래튼 롤(454)을 향해 강하시켜, 열전사 시트(10) 및 중간 전사 매체(20)를 통해, 서멀 헤드(453)를, 플래튼 롤(454)에 접촉시킨다. 플래튼 롤(454)을 회전 구동시켜, 열전사 시트(10) 및 중간 전사 매체(20)를 하류측으로 반송한다. 이 동안에, 서멀 헤드(453)는, 상기 서멀 헤드(453)에 송신된 데이터에 기초하여, 열전사 시트(10)의 제1 전사층을 선택적으로 가열한다. 이에 의해, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에, 제1 전사층이 전사된다.
금속계 안료 함유층 등의 제1 전사층을 열전사 화상의 형성에도 이용하는 경우에는, 서멀 헤드(453)에, 열전사 화상의 화상 패턴 데이터와, 제거 예정 영역 상에 전사되는 제1 전사층의 전사 패턴 데이터를 합성한 합성 데이터를 송신하여, 제거 예정 영역 상에의 제1 전사층의 전사와, 열전사 화상의 형성을 아울러 행할 수도 있다.
서멀 헤드(453)는, 열전사 시트(10)의 필 오프층을 가열하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 앞서 전사한 제1 전사층과 함께 제거한다. 열전사 프린터는, 제1 전사층의 전사 후, 서멀 헤드(453)를 상승시키고, 중간 전사 매체(20)와 열전사 시트(10)의 필 오프층의 위치 맞춤을 행한다. 계속해서, 서멀 헤드(453)를, 플래튼 롤(454)을 향해 강하시켜, 열전사 시트(10) 및 중간 전사 매체(20)를 통해, 서멀 헤드(453)를 플래튼 롤(454)에 접촉시킨다. 계속해서, 플래튼 롤(454)을 회전 구동시켜, 열전사 시트(10) 및 중간 전사 매체(20)를 하류측으로 반송한다. 이 동안에, 서멀 헤드(453)는, 상기 서멀 헤드(453)에 송신되어 온 제거 예정 영역 데이터에 기초하여, 열전사 시트(10)의 필 오프층을 선택적으로 가열한다. 이에 의해, 제3 전사층의 제거 예정 영역이, 앞서 전사한 제1 전사층과 함께 제거된다.
열전사 프린터는, 제3 전사층의 제거 예정 영역이 제거된 중간 전사 매체(20)를, 가이드 롤(472)을 경유하여 전사부(460)에 반송한다. 전사부(460)는, 히트 롤러(461)와, 히트 롤러(461)의 하방에 설치된 가압 롤(462)을 구비한다. 전사부(460)는, 제3 공급부(442)로부터 공급된 피전사체(30)에, 제거 예정 영역의 제거가 행해진 제3 전사층을 전사한다.
제3 공급부(442)는, 중간 전사 매체(20)의 반송에 맞춰 매엽(枚葉)형의 피전사체(30)를 1장씩 조출(繰出)하는 조출 장치, 및 조출한 피전사체(30)를 반송하는 컨베이어 장치 등을 구비한다. 피전사체(30)는, 장척의 권취형의 것이어도 좋다.
전사부(460)는, 히트 롤러(461)와 가압 롤(462) 사이에 있어서, 피전사체(30)에 중첩시킨 중간 전사 매체(20)의 제3 전사층면을 가열한다. 이에 의해, 피전사체(30) 상에, 제거 예정 영역의 제거가 행해진 제3 전사층이 전사되어 이루어지는 인화물(50)을 얻는다.
인화물(50)은, 배출부(444)에 반송되어, 1장씩 집적된다. 제3 전사층을 전사 완료한 중간 전사 매체(20)는, 권취 롤(471)에 권취된다.
이상 설명한 일 실시형태의 열전사 프린터에 의하면, 제3 전사층의 제거 예정 영역을 정확히 제거할 수 있고, 또한 제거 예정 영역이 정확히 제거된 제3 전사층을, 피전사체 상에 전사할 수 있다.
일 실시형태의 열전사 프린터는, 중간 전사 매체(20)와, 열전사 시트(10)의 색재층의 위치 맞춤을 행하고, 서멀 헤드(453)를 플래튼 롤(454)을 향해 강하시켜, 열전사 시트(10) 및 중간 전사 매체(20)를 통해 서멀 헤드(453)를 플래튼 롤(454)에 접촉시킨다. 계속해서, 플래튼 롤(454)을 회전 구동시켜, 열전사 시트(10) 및 중간 전사 매체(20)를 하류측으로 반송한다. 이 동안에, 서멀 헤드(453)는, 상기 서멀 헤드(453)에 송신되어 온 화상 데이터에 기초하여, 열전사 시트(10)의 색재층의 영역을 선택적으로 가열하여, 열전사 시트(10)로부터, 제3 전사층을 구성하는 수용층으로 색재층의 색재를 이행시킨다. 이에 의해, 제3 전사층 상에 열전사 화상을 형성할 수 있다.
본 개시는 예컨대 이하의 [1]∼[17]에 관한 것이다.
[1] 열전사 시트로서, 열전사 시트가, 제1 기재와, 제1 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된, 제1 전사층 및 필 오프층을 구비하고, 하기 조건 (A)로 전사 후의 제1 전사층의 산술 평균 높이 Sa가, 0.1 ㎛ 초과 0.6 ㎛ 미만이고, 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa가, 0.1 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 미만인, 열전사 시트.
[조건 (A)]
표면의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛인 수용층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비한다. 열전사 시트의 제1 전사층과, 중간 전사 매체의 수용층을 대향시키고, 0.167 mJ/dot의 인가 에너지를 인가하여, 열전사 시트의 제1 전사층을, 중간 전사 매체의 수용층의 표면에 전사한다.
[2] 필 오프층이, 입자를 함유하는, 상기 [1]에 기재된 열전사 시트.
[3] 상기 조건 (A)로 전사 후의 제1 전사층의 산술 평균 높이 Sa가, 0.1 ㎛ 초과 0.5 ㎛ 미만인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 열전사 시트.
[4] 제1 전사층이, 금속계 안료와, 바인더를 함유하는, 상기 [1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트.
[5] 금속계 안료가, 금속 안료, 금속 산화물 안료 및 피복 안료에서 선택되는 적어도 1종인, 상기 [4]에 기재된 열전사 시트.
[6] 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합으로서, 열전사 시트가, 제2 기재와, 제2 기재의 한쪽 면 상에 형성된 제2 전사층을 구비하고, 하기 조건 (A)로 전사 후의 제2 전사층의 산술 평균 높이 Sa가, 0.1 ㎛ 초과 0.6 ㎛ 미만이며, 필 오프 시트가, 제3 기재와, 제3 기재의 한쪽 면 상에 형성된 필 오프층을 구비하고, 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa가, 0.1 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 미만인, 조합.
[조건 (A)]
표면의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛인 수용층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비한다. 열전사 시트의 제2 전사층과, 중간 전사 매체의 수용층을 대향시키고, 0.167 mJ/dot의 인가 에너지를 인가하여, 열전사 시트의 제2 전사층을, 중간 전사 매체의 수용층의 표면에 전사한다.
[7] 필 오프층이, 입자를 함유하는, 상기 [6]에 기재된 조합.
[8] 상기 조건 (A)로 전사 후의 제2 전사층의 산술 평균 높이 Sa가, 0.1 ㎛ 초과 0.5 ㎛ 미만인, 상기 [6] 또는 [7]에 기재된 조합.
[9] 제2 전사층이, 금속계 안료와, 바인더를 함유하는, 상기 [6]∼[8] 중 어느 하나에 기재된 조합.
[10] 금속계 안료가, 금속 안료, 금속 산화물 안료 및 피복 안료에서 선택되는 적어도 1종인, 상기 [9]에 기재된 조합.
[11] 적어도 열전사 시트와, 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비하는 공정 (1)과, 제3 전사층의 일부를 제거하는 공정 (2)와, 일부가 제거된 제3 전사층을 피전사체 상에 전사하는 공정 (3)을 포함하는 인화물의 제조 방법으로서, 공정 (1)이, 제1 열전사 시트로서 상기 [1]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트와, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하거나, 또는 제2 열전사 시트 및 필 오프 시트의 조합으로서 상기 [6]∼[10] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합과, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하고, 중간 전사 매체가, 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하며, 제3 전사층의 일부는, 공정 (2)에 있어서 제거되는 제거 예정 영역이고, 공정 (2)가, 중간 전사 매체에 있어서의 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에, 제1 열전사 시트 또는 제2 열전사 시트로부터, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하는 공정과, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 제거 예정 영역 상에 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층과 함께, 제1 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 공정을 이 순서로 포함하는, 인화물의 제조 방법.
[12] 중간 전사 매체에 있어서의 제3 전사층이, 수용층을 포함하고, 공정 (2) 전에, 수용층에 열전사 화상을 형성하는 공정을 더 포함하는, 상기 [11]에 기재된 인화물의 제조 방법.
[13] 제1 열전사 시트가, 제1 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된, 색재층, 제1 전사층 및 필 오프층을 구비하고, 제1 열전사 시트의 색재층을 이용하여 열전사 화상을 형성하는, 상기 [12]에 기재된 인화물의 제조 방법.
[14] 제2 열전사 시트가, 제2 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된, 색재층 및 제2 전사층을 구비하고, 제2 열전사 시트의 색재층을 이용하여 열전사 화상을 형성하는, 상기 [12]에 기재된 인화물의 제조 방법.
[15] 적어도 열전사 시트와, 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비하는 공정 (1)과, 제3 전사층의 일부를 제거하는 공정 (2)를 포함하는 전사층의 필 오프 방법으로서, 공정 (1)이, 제1 열전사 시트로서 상기 [1]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트와, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하거나, 또는 제2 열전사 시트 및 필 오프 시트의 조합으로서 상기 [6]∼[10] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합과, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하고, 중간 전사 매체가, 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하며, 제3 전사층의 일부는, 공정 (2)에 있어서 제거되는 제거 예정 영역이고, 공정 (2)가, 중간 전사 매체에 있어서의 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에, 제1 열전사 시트 또는 제2 열전사 시트로부터, 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하는 공정과, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 제거 예정 영역 상에 전사된 제1 전사층 또는 제2 전사층과 함께, 제1 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 공정을 이 순서로 포함하는, 전사층의 필 오프 방법.
[16] 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 공급하는 제1 공급부와, 상기 [1]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트, 또는 상기 [6]∼[10] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합을 공급하는 제2 공급부와, 열전사 시트를 가열하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 열전사 시트의 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하고, 제1 전사층 또는 제2 전사층의 전사 후에, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 인화부와, 피전사체를 공급하는 제3 공급부와, 중간 전사 매체에 있어서의 제거 예정 영역이 제거된 제3 전사층을 피전사체 상에 전사하는 전사부를 구비하는, 인화 장치.
[17] 지지체와, 지지체의 한쪽 면 상에, 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 공급하는 제1 공급부와, 상기 [1]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트, 또는 상기 [6]∼[10] 중 어느 하나에 기재된 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합을 공급하는 제2 공급부와, 열전사 시트를 가열하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 열전사 시트의 제1 전사층 또는 제2 전사층을 전사하고, 제1 전사층 또는 제2 전사층의 전사 후에, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 열전사 시트 또는 필 오프 시트의 필 오프층에 의해 제거하는 필 오프부를 구비하는, 필 오프 장치.
실시예
다음으로 실시예를 들어, 본 개시를 더욱 상세히 설명하지만, 본 개시는 이들 실시예에 한정되지 않는다. 이하, 특별히 언급이 없는 한, 부는 질량 기준이다. 부는, 고형분 환산 후의 질량이다(용매는 제외함).
[실시예 1: 열전사 시트 (1)의 제작]
제1 기재로서, 두께 6 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 이용하였다. 제1 기재의 한쪽 면 상에, 하기 조성의 이형층용 도공액을 도포, 건조시켜, 두께 0.2 ㎛의 이형층을 형성하였다. 이형층 상에, 하기 조성의 금속계 안료 함유층용 도공액 (1)을 도포, 건조시켜, 두께 0.7 ㎛의 금속계 안료 함유층을 형성하였다. 제1 기재의 동일면 상에, 금속계 안료 함유층과 면순차가 되도록, 하기 조성의 필 오프층용 도공액 (1)을 도포, 건조시켜, 두께 1 ㎛의 필 오프층을 형성하였다. 제1 기재의 다른 쪽 면 상에, 하기 조성의 배면층용 도공액을 도포, 건조시켜, 두께 0.8 ㎛의 배면층을 형성하였다. 이와 같이 하여, 열전사 시트 (1)을 얻었다. 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa를 측정하였다.
<이형층용 도공액>
·우레탄 수지 25부
·폴리비닐아세탈 75부
 (에스렉(등록 상표) KS-5, 세키스이 가가쿠 고교(주))
·톨루엔 950부
·이소프로필알콜 950부
<금속계 안료 함유층용 도공액 (1)>
·알루미늄 안료(Al 안료) 20부
 (FD-5060, 평균 입자 직경 6 ㎛, 은폐력 3.4,
 논리핑 타입, 아사히 가세이(주))
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 40부
 (솔바인(등록 상표) CNL, 닛신 가가쿠 고교(주))
·메틸에틸케톤(MEK) 30부
·톨루엔 30부
<필 오프층용 도공액 (1)>
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 10부
 (솔바인(등록 상표) C5R, 닛신 가가쿠 고교(주))
·(메트)아크릴 수지 10부
 (다이아날(등록 상표) BR-83, 미쓰비시 레이온(주))
·유기 입자 A(멜라민-포름알데히드 축합물) 2부
 (에포스타(등록 상표) S6, 평균 입자 직경 0.4 ㎛, (주)닛폰 쇼쿠바이)
·MEK 80부
<배면층용 도공액>
·폴리비닐부티랄 2부
 (에스렉(등록 상표) BX-1, 세키스이 가가쿠 고교(주))
·폴리이소시아네이트 9.2부
 (바녹(등록 상표) D750, DIC(주))
·인산에스테르계 계면 활성제 1.3부
 (플라이서프(등록 상표) A208N, 다이이치 고교 세이야쿠(주))
·탤크 0.3부
 (미크로에이스(등록 상표) P-3, 닛폰 탤크 고교(주))
·톨루엔 43.6부
·MEK 43.6부
[실시예 2∼10, 비교예 2: 열전사 시트 (2)∼(10) 및 (c2)의 제작]
금속계 안료 함유층용 도공액 (1)을 대신하여 표 1에 기재된 도공액을 이용하여 금속계 안료 함유층을 형성하고, 및/또는 필 오프층용 도공액 (1)을 대신하여 표 1에 기재된 도공액을 이용하여 필 오프층을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 열전사 시트 (2)∼(10) 및 (c2)를 얻었다.
[비교예 1: 열전사 시트 (c1)의 제작]
금속계 안료 함유층을 형성하지 않고, 필 오프층용 도공액 (1)을 대신하여 도공액 (5)를 이용하여 필 오프층을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 열전사 시트 (c1)을 얻었다.
<금속계 안료 함유층용 도공액 (2)>
·상기 Al 안료 20부
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 20부
 (솔바인(등록 상표) CNL, 닛신 가가쿠 고교(주))
·MEK 30부
·톨루엔 30부
<금속계 안료 함유층용 도공액 (3)>
·피복 안료 A 15부
 (메타샤인(등록 상표) 2025PS, 심재: 유리, 피복재: 은,
  평균 입자 직경 25 ㎛, 니혼 이타가라스(주))
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 30부
 (솔바인(등록 상표) CNL, 닛신 가가쿠 고교(주))
·MEK 35부
·톨루엔 35부
<금속계 안료 함유층용 도공액 (4)>
·피복 안료 A 15부
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 15부
 (솔바인(등록 상표) CNL, 닛신 가가쿠 고교(주))
·MEK 35부
·톨루엔 35부
<금속계 안료 함유층용 도공액 (5)>
·피복 안료 B 15부
 (이리오딘(등록 상표) 111WNT, 평균 입자 직경 7 ㎛, 펄 안료, 머크사)
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 15부
 (솔바인(등록 상표) CNL, 닛신 가가쿠 고교(주))
·MEK 35부
·톨루엔 35부
<금속계 안료 함유층용 도공액 (6)>
·상기 Al 안료 40부
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 20부
 (솔바인(등록 상표) CNL, 닛신 가가쿠 고교(주))
·MEK 30부
·톨루엔 30부
<금속계 안료 함유층용 도공액 (7)>
·피복 안료 A 30부
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 15부
 (솔바인(등록 상표) CNL, 닛신 가가쿠 고교(주))
·MEK 35부
·톨루엔 35부
<필 오프층용 도공액 (2)>
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 10부
 (솔바인(등록 상표) C5R, 닛신 가가쿠 고교(주))
·(메트)아크릴 수지 10부
 (다이아날(등록 상표) BR-83, 미쓰비시 레이온(주))
·유기 입자 A 4부
·MEK 80부
<필 오프층용 도공액 (3)>
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 10부
 (솔바인(등록 상표) C5R, 닛신 가가쿠 고교(주))
·(메트)아크릴 수지 10부
 (다이아날(등록 상표) BR-83, 미쓰비시 레이온(주))
·유기 입자 B(멜라민-포름알데히드 축합물) 2부
 (에포스타(등록 상표) S12, 평균 입자 직경 1.2 ㎛, (주)닛폰 쇼쿠바이)
·MEK 80부
<필 오프층용 도공액 (4)>
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 10부
 (솔바인(등록 상표) C5R, 닛신 가가쿠 고교(주))
·(메트)아크릴 수지 10부
 (다이아날(등록 상표) BR-83, 미쓰비시 레이온(주))
·무기 입자 C 2부
 (사일리시아(등록 상표) 310P, 평균 입자 직경 2.7 ㎛,
  후지 실리시아 가가쿠(주))
·MEK 80부
<필 오프층용 도공액 (5)>
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 10부
 (솔바인(등록 상표) C5R, 닛신 가가쿠 고교(주))
·(메트)아크릴 수지 10부
 (다이아날(등록 상표) BR-83, 미쓰비시 레이온(주))
·MEK 80부
[중간 전사 매체 (1)의 제작]
지지체로서 두께 16 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 이용하였다. 지지체 상에, 하기 조성의 박리층용 도공액을 도포, 건조시켜, 두께 1 ㎛의 박리층을 형성하였다. 박리층 상에, 하기 조성의 보호층용 도공액을 도포, 건조시켜, 두께 2 ㎛의 보호층을 형성하였다. 보호층 상에, 하기 조성의 수용층용 도공액을, 도포, 건조시켜, 두께 1.5 ㎛의 수용층을 형성하였다. 이와 같이 하여, 지지체와, 박리층과, 보호층과, 수용층을 두께 방향으로 이 순서로 구비하는 중간 전사 매체 (1)을 얻었다. 제3 전사층은, 박리층과, 보호층과, 수용층으로 구성된다. 수용층의 산술 평균 높이 Sa는, 0.1 ㎛였다.
<박리층용 도공액>
·(메트)아크릴 수지 29부
 (다이아날(등록 상표) BR-87, 미쓰비시 레이온(주))
·폴리에스테르 1부
 (바이론(등록 상표) 200, 도요보(주))
·MEK 35부
·톨루엔 35부
<보호층용 도공액>
·폴리에스테르 30부
 (바이론(등록 상표) 200, 도요보(주))
·MEK 35부
·톨루엔 35부
<수용층용 도공액>
·염화비닐-아세트산비닐 공중합체 20부
 (솔바인(등록 상표) CNL, 닛신 가가쿠 고교(주))
·실리콘 오일 1부
(X-22-3000T, 신에츠 가가쿠 고교(주))
·MEK 79부
[산술 평균 높이 Sa의 측정]
형상 해석 레이저 현미경((주)기엔스 제조, 상품명: VK-X150)을 이용하여, 필 오프층 및 금속계 안료 함유층의 표면에 있어서의 산술 평균 높이 Sa를, 측정 범위 675 ㎛×506 ㎛의 범위에 있어서, ISO 25178에 준거하여 측정하였다. 구체적으로는, 1화면 사이즈 270 ㎛×200 ㎛를 종횡 3장×3장의 9장으로 화상 연결하여, 얻어진 연결 화상으로부터, 675 ㎛×506 ㎛의 범위를 잘라내어, 해석에 사용하였다. 또한, 대물 렌즈의 배율은 50배로 하고, 해석 전에 화상 전체에서 경사 보정을 실시하였다.
[인화물의 제조]
실시예 1∼10 또는 비교예 2에서 얻어진 열전사 시트의 금속계 안료 함유층과, 중간 전사 매체 (1)의 수용층을 대향시키고, 이하의 프린터를 이용하여, 255/255 계조의 에너지, 구체적으로는 0.167 mJ/dot의 인가 에너지를 인가하여, 열전사 시트의 금속계 안료 함유층을, 중간 전사 매체 (1)의 수용층의 전면에 일차 전사하였다. 이때, 전사된 금속계 안료 함유층의 산술 평균 높이 Sa를 측정하였다. 계속해서, 열전사 시트의 필 오프층과, 중간 전사 매체 (1)의 금속계 안료 함유층이 전사된 수용층을 대향시키고, 이하의 프린터를 이용하여, 255/255 계조의 에너지를 인가하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역을, 전사된 상기 금속계 안료 함유층과 함께 제거하였다.
비교예 1에서 얻어진 열전사 시트의 필 오프층과, 중간 전사 매체 (1)의 수용층을 대향시키고, 이하의 프린터를 이용하여, 255/255 계조의 에너지를 인가하여, 제3 전사층의 제거 예정 영역을 제거하였다.
(프린터)
서멀 헤드: KEE-57-12GAN2-STA
(교세라(주) 제조)
발열체 평균 저항값: 3303(Ω)
주주사 방향 인자 밀도: 300(dpi)
부주사 방향 인자 밀도: 300(dpi)
1라인 주기: 2.0(msec.)
인자 개시 온도: 35(℃)
펄스 듀티비: 85%
인가 전압: 18(V)
일부가 제거된 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체 (1), 폴리염화비닐(PVC) 카드 및 라미네이터(후지플라사 제조, 라미패커 LPD3212)를 준비하였다. 온도 175℃, 속도 40 ㎜/s에 있어서, 중간 전사 매체 (1)의 제3 전사층과 상기 전사층 상에 일차 전사된 금속계 안료 함유층을 PVC 카드 상에 이차 전사하여, 인화물을 제조하였다. 비교예 1의 경우에는, 중간 전사 매체 (1)의 제3 전사층을 PVC 카드 상에 이차 전사하여, 인화물을 제조하였다.
[필 오프성 평가]
제3 전사층의 제거 예정 영역의 제거가 행해진 중간 전사 매체를 육안으로 확인하여, 이하의 평가 기준에 기초하여 필 오프성의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(평가 기준)
5: 제3 전사층의 제거 예정 영역의 제거가 정확하고,
 경계선의 들쭉날쭉함이나, 제거 예정 영역 내의 미소한 누락도 없다.
4: 제3 전사층의 제거 예정 영역의 제거가 정확하고,
  경계선의 들쭉날쭉함이나, 제거 예정 영역 내의 미소한 누락도 적다.
3: 제3 전사층의 제거 예정 영역의 제거는 정확하지만,
  경계선에 미소한 들쭉날쭉함이나, 제거 예정 영역 내의 미소한 누락이 있다.
2: 제3 전사층의 제거 예정 영역의 제거의 부정확한 개소는 있으나,
  실운용상은 허용할 수 있다.
1: 제3 전사층의 제거 예정 영역의 제거가 정확히 이루어져 있지 않다(NG).
[의장성 평가]
얻어진 인화물을 육안에 의해 관찰하여, 하기 평가 기준에 기초하여 평가하였다.
결과를 표 1에 나타낸다.
(평가 기준)
5: 인화물은, 양호한 광택감, 광휘감 또는 펄감을 갖고 있었다.
3: 인화물은, 광택감, 광휘감 또는 펄감이 부족하였다.
1: 인화물은, 광택감, 광휘감 또는 펄감이 없다.
당업자라면 이해하는 바와 같이, 본 개시의 열전사 시트 등은 상기 실시예의 기재에 의해 한정되지 않고, 상기 실시예 및 명세서는 본 개시의 원리를 설명하기 위한 것에 불과하며, 본 개시의 주지 및 범위에서 일탈하지 않는 한, 여러 가지 개변 또는 개선을 행할 수 있고, 이들 개변 또는 개선은 모두 보호 청구하고 있는 본 개시의 범위 내에 포함된다. 또한 본 개시가 보호 청구하고 있는 범위는, 청구의 범위의 기재뿐만 아니라 그 균등물을 포함한다.
10, 10a: 열전사 시트 11: 필 오프 시트
12, 12a, 12b: 기재 14: 제1 전사층
14a: 제1 전사층의 일부 16: 필 오프층
18: 색재층 20: 중간 전사 매체
22: 지지체 24: 제3 전사층
24a: 제3 전사층의 제거 예정 영역 25: 수용층
25a: 수용층의 일부 26: 박리층
26a: 박리층의 일부 30: 피전사체
50: 인화물 A: 열전사 화상
470: 제1 공급부 451: 제2 공급부
450: 인화부 442: 제3 공급부
460: 전사부 453: 서멀 헤드
454: 플래튼 롤 455, 456, 472: 가이드 롤
452, 471: 권취 롤 461: 히트 롤러
462: 가압 롤 444: 배출부

Claims (17)

  1. 열전사 시트로서,
    상기 열전사 시트가 제1 기재와, 상기 제1 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된 제1 전사층 및 필 오프층을 구비하고,
    하기 조건 (A)로 전사 후의 상기 제1 전사층의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛ 초과 0.6 ㎛ 미만이고, 상기 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 미만인 열전사 시트.
    [조건 (A)]
    표면의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛인 수용층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비한다. 상기 열전사 시트의 상기 제1 전사층과, 상기 중간 전사 매체의 상기 수용층을 대향시키고, 0.167 mJ/dot의 인가 에너지를 인가하여, 상기 열전사 시트의 상기 제1 전사층을, 상기 중간 전사 매체의 상기 수용층의 표면에 전사한다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 필 오프층이 입자를 함유하는 열전사 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조건 (A)로 전사 후의 상기 제1 전사층의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛ 초과 0.5 ㎛ 미만인 열전사 시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전사층이 금속계 안료와 바인더를 함유하는 열전사 시트.
  5. 제4항에 있어서, 상기 금속계 안료가 금속 안료, 금속 산화물 안료 및 피복 안료에서 선택되는 적어도 1종인 열전사 시트.
  6. 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합으로서,
    상기 열전사 시트가 제2 기재와, 상기 제2 기재의 한쪽 면 상에 형성된 제2 전사층을 구비하고, 하기 조건 (A)로 전사 후의 상기 제2 전사층의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛ 초과 0.6 ㎛ 미만이며,
    상기 필 오프 시트가 제3 기재와, 상기 제3 기재의 한쪽 면 상에 형성된 필 오프층을 구비하고, 상기 필 오프층의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 미만인 조합.
    [조건 (A)]
    표면의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛인 수용층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비한다. 상기 열전사 시트의 상기 제2 전사층과, 상기 중간 전사 매체의 상기 수용층을 대향시키고, 0.167 mJ/dot의 인가 에너지를 인가하여, 상기 열전사 시트의 상기 제2 전사층을, 상기 중간 전사 매체의 상기 수용층의 표면에 전사한다.
  7. 제6항에 있어서, 상기 필 오프층이 입자를 함유하는 조합.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 조건 (A)로 전사 후의 상기 제2 전사층의 산술 평균 높이 Sa가 0.1 ㎛ 초과 0.5 ㎛ 미만인 조합.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전사층이 금속계 안료와 바인더를 함유하는 조합.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속계 안료가 금속 안료, 금속 산화물 안료 및 피복 안료에서 선택되는 적어도 1종인 조합.
  11. 적어도 열전사 시트와 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비하는 공정 (1)과,
    상기 제3 전사층의 일부를 제거하는 공정 (2)와,
    일부가 제거된 상기 제3 전사층을 피전사체 상에 전사하는 공정 (3)
    을 포함하는 인화물의 제조 방법으로서,
    상기 공정 (1)이, 제1 열전사 시트로서 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 열전사 시트와, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하거나, 또는 제2 열전사 시트 및 필 오프 시트의 조합으로서 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합과, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하고,
    상기 중간 전사 매체가 지지체와, 상기 지지체의 한쪽 면 상에 상기 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하고, 상기 제3 전사층의 일부는 상기 공정 (2)에 있어서 제거되는 제거 예정 영역이며,
    상기 공정 (2)가
    상기 중간 전사 매체에 있어서의 제3 전사층의 상기 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에, 상기 제1 열전사 시트 또는 상기 제2 열전사 시트로부터, 상기 제1 전사층 또는 상기 제2 전사층을 전사하는 공정과,
    상기 제3 전사층의 상기 제거 예정 영역을, 상기 제거 예정 영역 상에 전사된 상기 제1 전사층 또는 상기 제2 전사층과 함께, 상기 제1 열전사 시트 또는 상기 필 오프 시트의 상기 필 오프층에 의해 제거하는 공정
    을 이 순서로 포함하는 인화물의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 중간 전사 매체에 있어서의 상기 제3 전사층이 수용층을 포함하고,
    상기 공정 (2) 전에, 상기 수용층에 열전사 화상을 형성하는 공정을 더 포함하는 인화물의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 열전사 시트가, 상기 제1 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된 색재층, 상기 제1 전사층 및 상기 필 오프층을 구비하고, 상기 제1 열전사 시트의 상기 색재층을 이용하여 상기 열전사 화상을 형성하는 인화물의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2 열전사 시트가, 상기 제2 기재의 한쪽 면 상에 면순차로 형성된 색재층 및 상기 제2 전사층을 구비하고, 상기 제2 열전사 시트의 상기 색재층을 이용하여 상기 열전사 화상을 형성하는 인화물의 제조 방법.
  15. 적어도 열전사 시트와 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 준비하는 공정 (1)과,
    상기 제3 전사층의 일부를 제거하는 공정 (2)
    를 포함하는 전사층의 필 오프 방법으로서,
    상기 공정 (1)이, 제1 열전사 시트로서 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 열전사 시트와, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하거나, 또는 제2 열전사 시트 및 필 오프 시트의 조합으로서 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합과, 중간 전사 매체를 준비하는 공정을 포함하고,
    상기 중간 전사 매체가 지지체와, 상기 지지체의 한쪽 면 상에 상기 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하고, 상기 제3 전사층의 일부는 상기 공정 (2)에 있어서 제거되는 제거 예정 영역이며,
    상기 공정 (2)가
    상기 중간 전사 매체에 있어서의 제3 전사층의 상기 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에, 상기 제1 열전사 시트 또는 상기 제2 열전사 시트로부터, 상기 제1 전사층 또는 상기 제2 전사층을 전사하는 공정과,
    상기 제3 전사층의 상기 제거 예정 영역을, 상기 제거 예정 영역 상에 전사된 상기 제1 전사층 또는 상기 제2 전사층과 함께, 상기 제1 열전사 시트 또는 상기 필 오프 시트의 상기 필 오프층에 의해 제거하는 공정
    을 이 순서로 포함하는 전사층의 필 오프 방법.
  16. 지지체와, 상기 지지체의 한쪽 면 상에 상기 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 공급하는 제1 공급부와,
    제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 열전사 시트, 또는 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합을 공급하는 제2 공급부와,
    상기 열전사 시트를 가열하여, 상기 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 상기 열전사 시트의 상기 제1 전사층 또는 상기 제2 전사층을 전사하고, 상기 제1 전사층 또는 상기 제2 전사층의 전사 후에, 상기 제3 전사층의 상기 제거 예정 영역을, 상기 열전사 시트 또는 상기 필 오프 시트의 상기 필 오프층에 의해 제거하는 인화부와,
    피전사체를 공급하는 제3 공급부와,
    상기 중간 전사 매체에 있어서의 상기 제거 예정 영역이 제거된 상기 제3 전사층을 상기 피전사체 상에 전사하는 전사부
    를 구비하는 인화 장치.
  17. 지지체와, 상기 지지체의 한쪽 면 상에, 상기 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 제3 전사층을 구비하는 중간 전사 매체를 공급하는 제1 공급부와,
    제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 열전사 시트, 또는 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 열전사 시트와 필 오프 시트의 조합을 공급하는 제2 공급부와,
    상기 열전사 시트를 가열하여, 상기 제3 전사층의 제거 예정 영역의 적어도 일부 상에 상기 열전사 시트의 상기 제1 전사층 또는 상기 제2 전사층을 전사하고, 상기 제1 전사층 또는 상기 제2 전사층의 전사 후에, 상기 제3 전사층의 상기 제거 예정 영역을, 상기 열전사 시트 또는 상기 필 오프 시트의 상기 필 오프층에 의해 제거하는 필 오프부
    를 구비하는 필 오프 장치.
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